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    [技术]CIGS太阳能电池中的吸收 [复制链接]

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    只看楼主 正序阅读 楼主  发表于: 2022-12-01
    }(r%'(.6  
    =a<};X  
    Q/,bEDc&  
    %dMP}k/  
    太阳能电池是可再生能源领域的一种基础技术。为了优化效率,大多数常见的设计使用薄膜结构和具有高吸收系数的介质——因为正是这种吸收的光能最终会转化为电流。基于铜铟硒化镓(CIGS)的太阳能电池,与基于其他材料的电池相比,它们可以变得更薄而不损失吸收效率,因此已经很普遍地使用了。 . .|>|X4  
    1px8af]  
    建模任务 K;u<-?En  
    300nm~1100nm的平面波均匀光谱 %Hk9.1hn5  
    'xUyGj:  
    9$z|kwU  
    系统来源:J. Goffard et al., "Light Trapping in Ultrathin CIGS Solar Cells with Nanostructured Back Mirrors," in IEEE Journal of Photovoltaics, vol. 7, no. 5, pp. 1433-1441, Sept. 2017, doi: 10.1109/JPHOTOV.2017.2726566 >_Dq)n;%  
         DUk&`BSJ  
    探测器 Dg$Z5`%k8  
    Bw31h3yB  
    功率(吸收功率将通过两个探测器的功率读数之差计算) HD(4Ms  
    \tj7Jy  
    太阳能电池 "i\rhX  
    :[1^IH(sb  
         1 XAXokxj  
        *我们假设太阳能电池是由一层带有防反射涂层的熔融石英保护的。 G $TLWfm  
    Vs-])Q?7J  
    系统构建模块-分层的介质组件 2Qqk?;^ 1  
    7|IOn5  
         b3G4cO;t;  
    对于涂有涂层的反射镜,我们使用分层介质组件,因为它为x和y方向不变的膜层堆栈提供了一个快速和严格的解决方案。
    Awo H d7M  
    ?v-( :OF  
    系统构建模块-膜层矩阵求解器 brA\Fp^  
        分层介质组件采用膜层矩阵电磁场求解器。该求解器在空间频域(k域)中工作。它包括: hpD\,  
        每个均质层的特征值求解器。 |D %m>M6  
        一个用于所有界面上的匹配边界条件的s矩阵。 37hs/=x  
    d;3/Vr$t=  
    特征值求解器计算每层均匀介质在k域内的电场解。s-矩阵算法通过递归匹配边界条件来计算整个膜层系统的响应。这是一种以其无条件数值稳定性而闻名的方法,因为与传统的传递矩阵不同,它避免了计算步骤中的指数增长函数。 !1tHg Z2\  
    L7*,v5  
        
     R\%&Q|  
    更多信息: W0X/&v,k*  
        层矩阵(S矩阵) gBzg'Z  
    [*<F   
    系统构建模块-已采样的介质 .5ap9li]  
    *{qW7x.6h  
         YRXXutm  
    VirtualLabFusion提供一个不同材料的综合目录,可以用于膜层。也可以从测量数据中导入材料数据。
    hjVct r  
    zI5 #'<n  
    系统构建模块-探测   ^t&S?_DSZ  
        
    :}\w2W E[  
         `ZCeuOH  
    总结——组件 /;7\HZ$@/  
    si:p98[w  
        
    cFcn61x-  
        
    -}u=tiNG  
    对不同厚度的CIGS层的吸收情况 WaY_{)x  
    kdVc;v/5  
           F-L!o8o  
    参考文献:J. Goffard et al., "Light Trapping in Ultrathin CIGS Solar Cells with Nanostructured {:U zW\5l)  
        Back Mirrors," in IEEE Journal of Photovoltaics, vol. 7, no. 5, pp. 1433-1441, Sept. 2017, doi: 10.1109/JPHOTOV.2017.2726566. ~)\9f 1O{^  
        
        CIGS层厚度变化量:100/150/200nm
     
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