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    [技术]CIGS太阳能电池中的吸收 [复制链接]

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    只看楼主 倒序阅读 楼主  发表于: 2022-12-01
    "CI=`=  
    6I4oi@hZz  
    lc~%=  
    `#;e)1  
    太阳能电池是可再生能源领域的一种基础技术。为了优化效率,大多数常见的设计使用薄膜结构和具有高吸收系数的介质——因为正是这种吸收的光能最终会转化为电流。基于铜铟硒化镓(CIGS)的太阳能电池,与基于其他材料的电池相比,它们可以变得更薄而不损失吸收效率,因此已经很普遍地使用了。 -(~!Jo_*'  
    Yi$vg  
    建模任务 ]hFW 73FV  
    300nm~1100nm的平面波均匀光谱 EV*IoE$W]=  
    7G/1VeVjB  
    $3s@}vLd  
    系统来源:J. Goffard et al., "Light Trapping in Ultrathin CIGS Solar Cells with Nanostructured Back Mirrors," in IEEE Journal of Photovoltaics, vol. 7, no. 5, pp. 1433-1441, Sept. 2017, doi: 10.1109/JPHOTOV.2017.2726566 i:OK8Q{VI  
         \uaJ @{Vug  
    探测器 B>0]. CK`  
    5'X ]k@m_  
    功率(吸收功率将通过两个探测器的功率读数之差计算) M!REygyx  
    v5QqS8u_C  
    太阳能电池 ?B}{GL2)  
    !BOY@$Y  
         c+hQSm|bf)  
        *我们假设太阳能电池是由一层带有防反射涂层的熔融石英保护的。 O8j_0  
    qa0 yg8,<  
    系统构建模块-分层的介质组件 -T[lx\}  
    ^$'z!+QRM  
         Nw1#M%/!r!  
    对于涂有涂层的反射镜,我们使用分层介质组件,因为它为x和y方向不变的膜层堆栈提供了一个快速和严格的解决方案。
     y"H*%]  
    +h r@#n4A  
    系统构建模块-膜层矩阵求解器 /XzH?n/{R  
        分层介质组件采用膜层矩阵电磁场求解器。该求解器在空间频域(k域)中工作。它包括: W8KDX_vGJ  
        每个均质层的特征值求解器。 )~HUo9K9  
        一个用于所有界面上的匹配边界条件的s矩阵。 ucG@?@JENm  
    HLV2~5Txc  
    特征值求解器计算每层均匀介质在k域内的电场解。s-矩阵算法通过递归匹配边界条件来计算整个膜层系统的响应。这是一种以其无条件数值稳定性而闻名的方法,因为与传统的传递矩阵不同,它避免了计算步骤中的指数增长函数。 \l]DQaOEe  
    U8LtG/  
        
    \kU &^Hi  
    更多信息: j ~1B|,H  
        层矩阵(S矩阵) +/)#( j@  
    SBIj<Yy]  
    系统构建模块-已采样的介质 9.a3&*tV[  
    K0 }p i +=  
         z6w3"9Um  
    VirtualLabFusion提供一个不同材料的综合目录,可以用于膜层。也可以从测量数据中导入材料数据。
    :uK? 4  
    ih P|E,L=L  
    系统构建模块-探测   Q=/</|  
        
    + EGD.S{  
         CkdP#}f  
    总结——组件 t ]_VG  
    Pl"Nus   
        
    @M5#S7q";  
        
    n=c 2K c  
    对不同厚度的CIGS层的吸收情况 q(.:9A*0  
    EuyXgK>g  
           c%'RR?Tl  
    参考文献:J. Goffard et al., "Light Trapping in Ultrathin CIGS Solar Cells with Nanostructured 3~ S8!nx  
        Back Mirrors," in IEEE Journal of Photovoltaics, vol. 7, no. 5, pp. 1433-1441, Sept. 2017, doi: 10.1109/JPHOTOV.2017.2726566. g'V>_u#(  
        
        CIGS层厚度变化量:100/150/200nm
     
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