切换到宽版
  • 广告投放
  • 稿件投递
  • 繁體中文
    • 1179阅读
    • 0回复

    [技术]CIGS太阳能电池中的吸收 [复制链接]

    上一主题 下一主题
    离线infotek
     
    发帖
    7377
    光币
    31026
    光券
    0
    只看楼主 倒序阅读 楼主  发表于: 2022-12-01
    '8V>:dy>  
    mr<camL5  
    !63]t?QXMG  
    ]aI   
    太阳能电池是可再生能源领域的一种基础技术。为了优化效率,大多数常见的设计使用薄膜结构和具有高吸收系数的介质——因为正是这种吸收的光能最终会转化为电流。基于铜铟硒化镓(CIGS)的太阳能电池,与基于其他材料的电池相比,它们可以变得更薄而不损失吸收效率,因此已经很普遍地使用了。 v)s; wD  
    {2=f,,|+f  
    建模任务 @D+2dT0[M  
    300nm~1100nm的平面波均匀光谱 +XoY@|Djd  
    kmur={IR  
    )m<CmYr2  
    系统来源:J. Goffard et al., "Light Trapping in Ultrathin CIGS Solar Cells with Nanostructured Back Mirrors," in IEEE Journal of Photovoltaics, vol. 7, no. 5, pp. 1433-1441, Sept. 2017, doi: 10.1109/JPHOTOV.2017.2726566 wS @-EcCB  
         (K`@OwD  
    探测器 n?}7vz;  
    ;Yu|LaI\<m  
    功率(吸收功率将通过两个探测器的功率读数之差计算) 'v0(ki#  
    @G?R (  
    太阳能电池 DM=`hyf(v  
    Ac8t>;=&  
         b/6!>qMMk%  
        *我们假设太阳能电池是由一层带有防反射涂层的熔融石英保护的。 zY2o;-d|4  
    $q 9dkt  
    系统构建模块-分层的介质组件 |DkK7gw  
    u )k Q*&  
         6)[gF 1  
    对于涂有涂层的反射镜,我们使用分层介质组件,因为它为x和y方向不变的膜层堆栈提供了一个快速和严格的解决方案。
    49-wFF  
    O%*:fd,o-  
    系统构建模块-膜层矩阵求解器 ^ RIWW0  
        分层介质组件采用膜层矩阵电磁场求解器。该求解器在空间频域(k域)中工作。它包括: 6S&OE k  
        每个均质层的特征值求解器。 "/0Vvy_|  
        一个用于所有界面上的匹配边界条件的s矩阵。 P&5kO;ia  
    EPd   
    特征值求解器计算每层均匀介质在k域内的电场解。s-矩阵算法通过递归匹配边界条件来计算整个膜层系统的响应。这是一种以其无条件数值稳定性而闻名的方法,因为与传统的传递矩阵不同,它避免了计算步骤中的指数增长函数。 ^2 \-zX!bt  
    3e ?J#;  
        
    }II)<g'  
    更多信息: BXa.XZ<n(  
        层矩阵(S矩阵) 8[L]w^  
    Tu&W7aoX5  
    系统构建模块-已采样的介质  ?F/)<r  
    s}g3*_"  
         <m0m8p"G  
    VirtualLabFusion提供一个不同材料的综合目录,可以用于膜层。也可以从测量数据中导入材料数据。
    ; fxrOfb  
    /0(c-Dv  
    系统构建模块-探测   ^F g!.X_  
        
    qx";G  
         T07 AH  
    总结——组件 >gf,8flgj  
    0s .X  
        
    <K {|#ND#  
        
    )(-aw,i K  
    对不同厚度的CIGS层的吸收情况 ,)PpE&  
    Ws;X;7tS  
           }.N~jx0R  
    参考文献:J. Goffard et al., "Light Trapping in Ultrathin CIGS Solar Cells with Nanostructured V@pUU~6R  
        Back Mirrors," in IEEE Journal of Photovoltaics, vol. 7, no. 5, pp. 1433-1441, Sept. 2017, doi: 10.1109/JPHOTOV.2017.2726566. 7g-{ <d  
        
        CIGS层厚度变化量:100/150/200nm
     
    分享到