切换到宽版
  • 广告投放
  • 稿件投递
  • 繁體中文
    • 631阅读
    • 0回复

    [技术]CIGS太阳能电池中的吸收 [复制链接]

    上一主题 下一主题
    离线infotek
     
    发帖
    6243
    光币
    25360
    光券
    0
    只看楼主 倒序阅读 楼主  发表于: 2022-12-01
    &U &%ka<*  
    >. LKct*5K  
    sR*Nq5F#9  
    Z nXejpj)D  
    太阳能电池是可再生能源领域的一种基础技术。为了优化效率,大多数常见的设计使用薄膜结构和具有高吸收系数的介质——因为正是这种吸收的光能最终会转化为电流。基于铜铟硒化镓(CIGS)的太阳能电池,与基于其他材料的电池相比,它们可以变得更薄而不损失吸收效率,因此已经很普遍地使用了。 0ar=cuDm  
    k'+}92 o  
    建模任务 4P kfUMX  
    300nm~1100nm的平面波均匀光谱 `="v>qN2\  
    J70D+  
    zk=\lp2  
    系统来源:J. Goffard et al., "Light Trapping in Ultrathin CIGS Solar Cells with Nanostructured Back Mirrors," in IEEE Journal of Photovoltaics, vol. 7, no. 5, pp. 1433-1441, Sept. 2017, doi: 10.1109/JPHOTOV.2017.2726566 3s(Ia^  
         }*kJ-q&0  
    探测器 X~RH^VYv  
    rt b*n~  
    功率(吸收功率将通过两个探测器的功率读数之差计算) 2u:4$x8  
    "=|t~`  
    太阳能电池 +?d}7zh  
    dr })-R  
         OVswt  
        *我们假设太阳能电池是由一层带有防反射涂层的熔融石英保护的。 =B(mIx;m  
    xmH-!Da  
    系统构建模块-分层的介质组件 # *,sa  
    ixw(c&gL  
         [7W(NeMk  
    对于涂有涂层的反射镜,我们使用分层介质组件,因为它为x和y方向不变的膜层堆栈提供了一个快速和严格的解决方案。
    1D{#rA.X  
    d6.}.*7Whc  
    系统构建模块-膜层矩阵求解器 GLh]G(  
        分层介质组件采用膜层矩阵电磁场求解器。该求解器在空间频域(k域)中工作。它包括: vA-PR&  
        每个均质层的特征值求解器。 (pYYkR"  
        一个用于所有界面上的匹配边界条件的s矩阵。 A=`* r*  
    p`>d7S>"  
    特征值求解器计算每层均匀介质在k域内的电场解。s-矩阵算法通过递归匹配边界条件来计算整个膜层系统的响应。这是一种以其无条件数值稳定性而闻名的方法,因为与传统的传递矩阵不同,它避免了计算步骤中的指数增长函数。 V5 MO}  
    [7\>"v6  
        
    '29WscU  
    更多信息: 8H $#+^lW  
        层矩阵(S矩阵) =nhzMU9c\y  
    )HVcG0H1  
    系统构建模块-已采样的介质 h%1Y6$  
    &!1}`4$[T  
         KQ)T(mIqp  
    VirtualLabFusion提供一个不同材料的综合目录,可以用于膜层。也可以从测量数据中导入材料数据。
    V}9;eJRvw  
    SrZ50Se  
    系统构建模块-探测   xzk}[3P{  
        
    1K[(ou'rl  
         'ZnIRE,N  
    总结——组件 uva\0q  
    \ 4gXY$`@  
        
    MUcN C\`z  
        
    iJP{|-h  
    对不同厚度的CIGS层的吸收情况 6P+DnS[]  
    B8~= RmWLl  
           *K)0UKBr  
    参考文献:J. Goffard et al., "Light Trapping in Ultrathin CIGS Solar Cells with Nanostructured 1xTTJyoq  
        Back Mirrors," in IEEE Journal of Photovoltaics, vol. 7, no. 5, pp. 1433-1441, Sept. 2017, doi: 10.1109/JPHOTOV.2017.2726566. %#k,6 ;m  
        
        CIGS层厚度变化量:100/150/200nm
     
    分享到