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    [技术]CIGS太阳能电池中的吸收 [复制链接]

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    只看楼主 倒序阅读 楼主  发表于: 2022-12-01
    S,TK;g  
    sDvtk]4o-4  
    7tr;adjs  
    Ok&u4'<  
    太阳能电池是可再生能源领域的一种基础技术。为了优化效率,大多数常见的设计使用薄膜结构和具有高吸收系数的介质——因为正是这种吸收的光能最终会转化为电流。基于铜铟硒化镓(CIGS)的太阳能电池,与基于其他材料的电池相比,它们可以变得更薄而不损失吸收效率,因此已经很普遍地使用了。 y%x2  
    jB!Q8#&Q  
    建模任务 5//.q;z  
    300nm~1100nm的平面波均匀光谱 L|[ 0&u!  
    @9<MW  
    d*xKq"+ &E  
    系统来源:J. Goffard et al., "Light Trapping in Ultrathin CIGS Solar Cells with Nanostructured Back Mirrors," in IEEE Journal of Photovoltaics, vol. 7, no. 5, pp. 1433-1441, Sept. 2017, doi: 10.1109/JPHOTOV.2017.2726566 C@i4[g){  
         Ad:)5R o  
    探测器 tMWsgK.B  
    Q+UqLass  
    功率(吸收功率将通过两个探测器的功率读数之差计算) -h<Rby  
    +iYy^oXxw  
    太阳能电池 P I0[  
    L0H kmaH  
         }+8w  
        *我们假设太阳能电池是由一层带有防反射涂层的熔融石英保护的。 sOBy)vq?\  
    Z@I.socA  
    系统构建模块-分层的介质组件 A<zSh }eh6  
    FF"`F8-w>Z  
         `kd P)lI `  
    对于涂有涂层的反射镜,我们使用分层介质组件,因为它为x和y方向不变的膜层堆栈提供了一个快速和严格的解决方案。
    8UyYN$7V  
    b{o%`B*  
    系统构建模块-膜层矩阵求解器 K2glkGK  
        分层介质组件采用膜层矩阵电磁场求解器。该求解器在空间频域(k域)中工作。它包括: F(i@Gm=J]  
        每个均质层的特征值求解器。 GX+oA]  
        一个用于所有界面上的匹配边界条件的s矩阵。 L-lDvc?5c  
    P]4C/UDS-~  
    特征值求解器计算每层均匀介质在k域内的电场解。s-矩阵算法通过递归匹配边界条件来计算整个膜层系统的响应。这是一种以其无条件数值稳定性而闻名的方法,因为与传统的传递矩阵不同,它避免了计算步骤中的指数增长函数。 {b^JH2,  
    nRmZu\(Ow|  
        
     OBCRZ   
    更多信息: v~N8H+! d  
        层矩阵(S矩阵) M#Vl{ b  
    C1@6 r%YD  
    系统构建模块-已采样的介质 E}V8+f54S  
    @,RrAL }|  
         'K=n}}&:  
    VirtualLabFusion提供一个不同材料的综合目录,可以用于膜层。也可以从测量数据中导入材料数据。
    [D=3:B&f  
     d!%:Ok  
    系统构建模块-探测   #lM :BO  
        
    ?>V4pgGCE  
         5X5&(S\  
    总结——组件 IZV D.1  
    8Ilg[Drj*  
        
    }-:s9Lt  
        
    -$#'  
    对不同厚度的CIGS层的吸收情况 u[_~ !y  
    0\*6U H  
           (q!tI* }  
    参考文献:J. Goffard et al., "Light Trapping in Ultrathin CIGS Solar Cells with Nanostructured =Zcbfo_&  
        Back Mirrors," in IEEE Journal of Photovoltaics, vol. 7, no. 5, pp. 1433-1441, Sept. 2017, doi: 10.1109/JPHOTOV.2017.2726566. )/u?_)b4"  
        
        CIGS层厚度变化量:100/150/200nm
     
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