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    [技术]CIGS太阳能电池中的吸收 [复制链接]

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    只看楼主 倒序阅读 楼主  发表于: 2022-12-01
    Jk~UEqr+  
    w%~qB5wF6  
    [Y oa"K  
    Ns~ g+C9  
    太阳能电池是可再生能源领域的一种基础技术。为了优化效率,大多数常见的设计使用薄膜结构和具有高吸收系数的介质——因为正是这种吸收的光能最终会转化为电流。基于铜铟硒化镓(CIGS)的太阳能电池,与基于其他材料的电池相比,它们可以变得更薄而不损失吸收效率,因此已经很普遍地使用了。 mS7E_A8  
    Bfn]-]>sD  
    建模任务 C zpsqTQ  
    300nm~1100nm的平面波均匀光谱 scmto cm  
    "o<D;lO  
    |@q9{h7  
    系统来源:J. Goffard et al., "Light Trapping in Ultrathin CIGS Solar Cells with Nanostructured Back Mirrors," in IEEE Journal of Photovoltaics, vol. 7, no. 5, pp. 1433-1441, Sept. 2017, doi: 10.1109/JPHOTOV.2017.2726566 `E%(pjG  
         3Pa3f >}-  
    探测器 JchA=n  
    1l~.R#WG&  
    功率(吸收功率将通过两个探测器的功率读数之差计算) :7k`R6 2{  
    &08 Tns"  
    太阳能电池 ZK!4>OuH`  
    q|/!0MU"  
          3:"AFV  
        *我们假设太阳能电池是由一层带有防反射涂层的熔融石英保护的。 lk~dgky@  
    dc)wu]  
    系统构建模块-分层的介质组件 |'@V<^GR  
    LNbx3W oC  
         R>` ih&,)  
    对于涂有涂层的反射镜,我们使用分层介质组件,因为它为x和y方向不变的膜层堆栈提供了一个快速和严格的解决方案。
    b/G8M r  
    d)9PEtI  
    系统构建模块-膜层矩阵求解器 ?^eJ:  
        分层介质组件采用膜层矩阵电磁场求解器。该求解器在空间频域(k域)中工作。它包括: L&rO  6  
        每个均质层的特征值求解器。 zH'!fhcy  
        一个用于所有界面上的匹配边界条件的s矩阵。 BMe72  
    %!D_q ~"H  
    特征值求解器计算每层均匀介质在k域内的电场解。s-矩阵算法通过递归匹配边界条件来计算整个膜层系统的响应。这是一种以其无条件数值稳定性而闻名的方法,因为与传统的传递矩阵不同,它避免了计算步骤中的指数增长函数。 krwf8!bI  
    {MA@ A5  
        
    @eA %(C  
    更多信息: ]~ >@%v&  
        层矩阵(S矩阵) vN' VDvVM  
    A>[hC{  
    系统构建模块-已采样的介质 +-'`Q Ae  
    ]+FX$+H/A0  
         &~42T}GTWG  
    VirtualLabFusion提供一个不同材料的综合目录,可以用于膜层。也可以从测量数据中导入材料数据。
    e|35|I '  
    }q/(D?  
    系统构建模块-探测   0>8ZN!@K  
        
    u;QH8LK  
         <)=3XEcb  
    总结——组件 ,d3Q+9/  
    hw7~i  
        
    '"'D.,[W2  
        
    m]Hb+Y=;h  
    对不同厚度的CIGS层的吸收情况 aGdpec v  
    / O|Td'Z  
           Bi$ 0{V Z8  
    参考文献:J. Goffard et al., "Light Trapping in Ultrathin CIGS Solar Cells with Nanostructured q.U*X5  
        Back Mirrors," in IEEE Journal of Photovoltaics, vol. 7, no. 5, pp. 1433-1441, Sept. 2017, doi: 10.1109/JPHOTOV.2017.2726566. \IO$ +Guh  
        
        CIGS层厚度变化量:100/150/200nm
     
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