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    [技术]CIGS太阳能电池中的吸收 [复制链接]

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    只看楼主 倒序阅读 楼主  发表于: 2022-12-01
    Ya~*e;CW2  
    1 1Sflj  
    T6mbGE*IeE  
    0> {&8:  
    太阳能电池是可再生能源领域的一种基础技术。为了优化效率,大多数常见的设计使用薄膜结构和具有高吸收系数的介质——因为正是这种吸收的光能最终会转化为电流。基于铜铟硒化镓(CIGS)的太阳能电池,与基于其他材料的电池相比,它们可以变得更薄而不损失吸收效率,因此已经很普遍地使用了。 } V  *  
    ',+YWlW  
    建模任务 8k~$_AT>u  
    300nm~1100nm的平面波均匀光谱 <KY \sb9  
    |y%pJdPk=  
    b^s978qn#  
    系统来源:J. Goffard et al., "Light Trapping in Ultrathin CIGS Solar Cells with Nanostructured Back Mirrors," in IEEE Journal of Photovoltaics, vol. 7, no. 5, pp. 1433-1441, Sept. 2017, doi: 10.1109/JPHOTOV.2017.2726566 3T1t !q4/5  
         [Ey[A|g  
    探测器 >%6a$r~@  
    fGdT2}gd  
    功率(吸收功率将通过两个探测器的功率读数之差计算) fhwJ  
    |)5xmN]  
    太阳能电池 '0b!lVe  
    3bK.8  
         = 1ltX+   
        *我们假设太阳能电池是由一层带有防反射涂层的熔融石英保护的。 Budo9z_w  
    h95a61a,Vy  
    系统构建模块-分层的介质组件 1Jm'9iy3  
    ;D8175px;  
         meF.`fh  
    对于涂有涂层的反射镜,我们使用分层介质组件,因为它为x和y方向不变的膜层堆栈提供了一个快速和严格的解决方案。
    s8:-*VR9  
    v 79k{<Ln  
    系统构建模块-膜层矩阵求解器 ]9A@iA  
        分层介质组件采用膜层矩阵电磁场求解器。该求解器在空间频域(k域)中工作。它包括: W _b!FQ]  
        每个均质层的特征值求解器。 _s{;9&qX]  
        一个用于所有界面上的匹配边界条件的s矩阵。 ]#NJ[IZb  
    bT>1S2s  
    特征值求解器计算每层均匀介质在k域内的电场解。s-矩阵算法通过递归匹配边界条件来计算整个膜层系统的响应。这是一种以其无条件数值稳定性而闻名的方法,因为与传统的传递矩阵不同,它避免了计算步骤中的指数增长函数。 V Zz>)Kz:  
    y,/Arl}yc  
        
    1 lZRi-P  
    更多信息: h/goV  
        层矩阵(S矩阵) fvE:'( #?  
    y/vGt_^;3<  
    系统构建模块-已采样的介质 @LyCP4   
    DYf3>xh>xb  
         1XppC[))  
    VirtualLabFusion提供一个不同材料的综合目录,可以用于膜层。也可以从测量数据中导入材料数据。
    ZbAg^2  
    ztEM>xsk  
    系统构建模块-探测   [z[<onFIq  
        
    H@uDP  
         j+eto'  
    总结——组件 ^{}$o#iof  
    w;p~|!  
        
    Ht,+KbB  
        
    L,\wB7t  
    对不同厚度的CIGS层的吸收情况 $n#NUPzG+  
    af-  
           w<|Qezi3 w  
    参考文献:J. Goffard et al., "Light Trapping in Ultrathin CIGS Solar Cells with Nanostructured dbsD\\,2%N  
        Back Mirrors," in IEEE Journal of Photovoltaics, vol. 7, no. 5, pp. 1433-1441, Sept. 2017, doi: 10.1109/JPHOTOV.2017.2726566. EEJ OJ<  
        
        CIGS层厚度变化量:100/150/200nm
     
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