主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模
干涉耦合器,主要步骤如下:
-j73Wz • 定义MMI耦合器的
材料;
Qa.<K{m#? • 定义布局设定;
/LO-HnJ • 创建一个MMI耦合器;
x|mqL-Q f • 插入输入面;
ny`#%Vs • 运行
模拟;
N F+iza;DP • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。
JsDpy{q k Mu8"Az 1. 定义MMI耦合器的材料 8-BflejX 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作:
W_kHj}dj,p 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“
{ jhr< 图1.初始性能对话框
BReJ!|{m} -amBB7g 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)”
GH+r?2< 图2.轮廓设计窗口
;?8_G%va ~kZ G{ 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口
w*oeK kO|L bQ@=q 图3.电介质材料创建窗口
~xD={9BL yp$_/p O=2 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料:
{5F-5YL+> − Name : Guide
oJ4AIQjB − Refractive Index (Re) : 3.3
_~piZmkG$ − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
}HY-uQ%@g 图4.创建Guide材料
BaSZ71>9]r Wzw7tLY._ 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料:
R~)\3] "2m − Name : Cladding
d5oIH − Refractive Index (Re) : 3.27
z"0I>gl − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
?)u@Rf9> 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 Ed_N[I
)rekY; 6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道:
r7b1- − Name : Guide_Channel
qWODs − 2D profile definition: Guide
B)qWtMZx − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口
_NMm/]mN / 图6.构建通道
^R# E:3e 2. 定义布局设定 ptU\[Tq 为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作:
CE/Xfh'44 1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签
=zKhz8B( − Width:2.8
&ge "x{,? 注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度
=~=*&I4Dp − Profile:Channel-Guide
8$0rR55 *XT/KxLa7 
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
R'C2o] 2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签:
paKSr|O − Length:5300− Width:60
P@9t;dZN
X4 A<[&F/ 图8.设置晶圆尺寸
,M^ P! 3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签:− Material:Cladding
ZuS0DPS`L − 点击OK以激活布局窗口
PX<J&rx 
图9.晶圆材料设置
Q0&H#xgt 4) 布局窗口
kic/*v\6@
80Gn%1A9 图10.默认情况下布局窗口显示
R,pX:H+ 5) 调整显示比率,以便更好进行波导
结构布局设置:− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口
no<
^f]33 − Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示
>_|O1H./4
Hm%;=`:' 图11.调整Z方向和X方向的显示比率
[3{W^WSOz
&(xH$htv1 图12.最终布局显示
2oNk93D 3. 创建一个MMI耦合器 为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作:
qzf!l"bT 1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导
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f!!V${)X 图13 .绘制第一个线性波动
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