主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模
干涉耦合器,主要步骤如下:
\$Aw[
5&t • 定义MMI耦合器的
材料;
Dfw%Bu • 定义布局设定;
Je#vu`.\\ • 创建一个MMI耦合器;
Q'c[yu • 插入输入面;
IIUTo • 运行
模拟;
_GsHT\ • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。
uYMH5Om+i $x;(C[ 1. 定义MMI耦合器的材料 F:'>zB]-} 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作:
+{[E Ow 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“
Bt(U,nFB 图1.初始性能对话框
}-%:!*bLj Azag*M? 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)”
mJa8;X!r6 图2.轮廓设计窗口
?7Skk UjcKvF 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口
eDL0Vw xG|n7w* 图3.电介质材料创建窗口
ldNWdz jGFDj"Y 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料:
d;E
(^l − Name : Guide
LhQidvCNJ − Refractive Index (Re) : 3.3
'OvyQ/T
− 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
$*vj7V_ 图4.创建Guide材料
-14~f)%NQ* 0JX/@LNg0 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料:
rj-Q+rgup − Name : Cladding
N7}yU~j^ − Refractive Index (Re) : 3.27
"<1-9CMl − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
g0Jy:`M 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 HRW}Yl
>|_B=<!99W 6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道:
A=l1_8,`h − Name : Guide_Channel
*Fz#x{zt − 2D profile definition: Guide
!?J?R-C − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口
( Y)a`[B 图6.构建通道
pb}4{]sI 2. 定义布局设定 ~_W>ND 为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作:
66MWOrr 1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签
q\T}jF\t − Width:2.8
p5 )+R/ 注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度
Sn-D|Z − Profile:Channel-Guide
iYb{qv_4 T[]kun 
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
&E$:^a4d 2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签:
zR_yxs' − Length:5300− Width:60
Zm#qW2a]P
*&vi3#ur 图8.设置晶圆尺寸
NK|m7( 3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签:− Material:Cladding
-K U@0G − 点击OK以激活布局窗口
">rt *?^ 
图9.晶圆材料设置
rKr2 K' 4) 布局窗口
2~q(?wY
FN29 5:Iuw 图10.默认情况下布局窗口显示
4Vrx9 sA1 5) 调整显示比率,以便更好进行波导
结构布局设置:− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口
_~_6qTv-d − Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示
2W q/_:
kG|pM54:^ 图11.调整Z方向和X方向的显示比率
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eKek~U& 图12.最终布局显示
~7"6Y] 3. 创建一个MMI耦合器 为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作:
J&jig?t 1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导
O!.mc=Gx7
SM8m\c 图13 .绘制第一个线性波动
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