主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模
干涉耦合器,主要步骤如下:
hG2btmBht • 定义MMI耦合器的
材料;
X>wB=z5PXK • 定义布局设定;
+T"kx\< • 创建一个MMI耦合器;
fP&F$"o8 • 插入输入面;
*P61q\2Z • 运行
模拟;
" 5synfO • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。
iL/(WAB_od HP3~.1Sp 1. 定义MMI耦合器的材料 E@JxY 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作:
,B5Ptf# 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“
\&&kUpI 图1.初始性能对话框
5#80`/w^U oZA|IF8U0 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)”
H{\tQ->(2 图2.轮廓设计窗口
]i8K )/ f"k?Ix\
e 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口
LJc
w-> }2:bYpYQ 图3.电介质材料创建窗口
0`h[|FYV d?v#gW 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料:
0u,=OvU − Name : Guide
69dFd!G\ − Refractive Index (Re) : 3.3
bhOyx − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
#h6(DuViKw 图4.创建Guide材料
J.$<Lnt>u N>/*)Frt 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料:
PUltn}M − Name : Cladding
(|'w$ − Refractive Index (Re) : 3.27
q&<#)#+ − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
0s$g[Fw<. 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 dsR{
P,!
G qk"%irZ 6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道:
d#ya"e> − Name : Guide_Channel
?uU0NKZA − 2D profile definition: Guide
Te[[xhTyw − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口
~H@':Mms.h 图6.构建通道
7v?tSob:b 2. 定义布局设定 S4qh8c 为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作:
7@fd[ 1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签
CV]PCq! − Width:2.8
Kp~k!6x 注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度
at,Xad\j − Profile:Channel-Guide
smIZ:L% fOE:~3Q 
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
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6yaX8S 2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签:
Co[[6pt~ − Length:5300− Width:60
o4w+)hh
~1|sf8 图8.设置晶圆尺寸
iV'-j,-i 3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签:− Material:Cladding
iBp 71x65 − 点击OK以激活布局窗口
tborRi) 
图9.晶圆材料设置
M\\TQ(B 4) 布局窗口
;f=:~go
uqTOEHH7 图10.默认情况下布局窗口显示
eb9qg.9Z 5) 调整显示比率,以便更好进行波导
结构布局设置:− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口
)6bxP&k − Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示
S~(4q#Dt-
^}/YGAA 图11.调整Z方向和X方向的显示比率
Qbl6~>T
k_P`t[YZV 图12.最终布局显示
R&ou4Y:DG 3. 创建一个MMI耦合器 为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作:
7c
%@2
1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导
"MoV*U2s,
gvoK
图13 .绘制第一个线性波动
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