主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模
干涉耦合器，主要步骤如下：
%V2 A}78 • 定义MMI耦合器的
材料；
ImZ!8# • 定义布局设定；
Qe,aIh • 创建一个MMI耦合器；
p#DJow • 插入输入面；
s+RSAyU • 运行
模拟；
{T2=bK~ • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。
Kp.d#W_TX J =@D]I*3 1. 定义MMI耦合器的材料 kH9P(`;Vq 为了定义MMI耦合器的材料，需要进行如下操作：
cQOc^W 1) 通过File-New打开“初始性能对话框（Initial Properties）“
,rZp( m oj 图1.初始性能对话框
,ag:w<km y^xEZD1X6- 2) 点击图1中的“轮廓和材料（Profiles And Materials）”以激活“轮廓设计窗口（Profile Designer）”
vD@ =V#T 图2.轮廓设计窗口
[n!5!/g>j ^ _C]?D? 3) 右键单击图2中材料（Materials）标签下的“电介质（Dielectric）“，选择New以激活电介质材料创建窗口
$lYy `OuC I&lb5'6D 图3.电介质材料创建窗口
<{xU.zp'
pZ UXXX 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料：
m(6SiV=D9 − Name : Guide
~[H+,+XLY+ − Refractive Index (Re) : 3.3
h:qt?$]J − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
{@tqeu%IM 图4.创建Guide材料
x;;
= +)Gg 'Bc{N^ 5) 重复步骤3）和4），创建第二种电解质材料：
g E#4 3 − Name : Cladding
:<w2j 6V − Refractive Index (Re) : 3.27
|?=a84n1l − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
A.@/~\ 图5.左图为创建Cladding材料，右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 ~0 5p+F)
aUVJ\ ;V 6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1，进入通道编辑窗口，构建通道：
zUNWcv!& " − Name ： Guide_Channel
Q(gc( bJV − 2D profile definition: Guide
C[0*> W8o − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口，关闭Profile Designer窗口
npD`9ff 图6.构建通道
|)'6U3 2. 定义布局设定 R<-u`uX nP 为了定义布局设定，需要在“初始性能对话框（Initial Properties）”窗口进行以下操作：
#MwNyZ 1) 点击“默认波导（Default Waveguide）”标签
4x;vn8 yh − Width：2.8
@s[Vtw%f 注意：所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度
Q+ tUxa+ − Profile：Channel-Guide
9P ZY](/ h'D-e5i 
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
iT;~0XU7F 2) 切换到“晶圆尺寸（Wafer Dimension）”标签：
k_$9cVA − Length：5300− Width：60
]u\K}n6[q 
1>wQ&{ 图8.设置晶圆尺寸
gs?=yNL 3) 切换到“2D晶圆属性（2D Wafer Properties）”标签：− Material：Cladding
iJH;OV;P − 点击OK以激活布局窗口
ZBX,4kxK7 
图9.晶圆材料设置
bU+
z(Eg6 4) 布局窗口
D;RZE 
W{6%Hh p 图10.默认情况下布局窗口显示
0w24lVR. 5) 调整显示比率，以便更好进行波导
结构布局设置：− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口
{y0 `p1 − Display ratio : Z=40,点击OK，如图11所示− 调整缩放比率为0.6 ，最终布局显示如图12所示
Kq. MmR!gl 
XX]) B%* 图11.调整Z方向和X方向的显示比率
|}YeQl 
D6M ktE)' 图12.最终布局显示
D%k`udz< 3. 创建一个MMI耦合器 为了构建一个MMI耦合器，需要进入如下操作：
'c")]{ 1) 在“绘图（Draw）”菜单下选择“线性波导（Linear Waveguide）”或者在波导栏 下选择线性波导2) 当鼠标指针变为十字叉时，点击布局窗口左侧，并向右侧拖拽波导后松开鼠标，以生成第一个线性波导
L4w KG& 
Wdp?<U 图13 .绘制第一个线性波动
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%U`46%s h4\j=Np )C 0dN>Gb
