主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模
干涉耦合器,主要步骤如下:
:@eHV=|+> • 定义MMI耦合器的
材料;
nh"dPE7^ • 定义布局设定;
hQlyqTP|2 • 创建一个MMI耦合器;
|lZp5MOc • 插入输入面;
uG +ZR:
_ • 运行
模拟;
&fl RrJ • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。
</1]eDnU _zi| GD 1. 定义MMI耦合器的材料 =8%*Rrj^ 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作:
sriDta?Cz 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“
j>uu3ADd2 图1.初始性能对话框
ek]nLN u6Wan*I? 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)”
>,h{` 图2.轮廓设计窗口
IV1Y+Z ) %5DM ew 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口
3,X8 5`v^ ezCJq`b 图3.电介质材料创建窗口
BW}M/ !pkIaCxs 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料:
Yyr9Kj: − Name : Guide
(DS"*4ty − Refractive Index (Re) : 3.3
~P"Agpx3u − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
{$i>\) 图4.创建Guide材料
0:<Y@#L EWgJ"WTF 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料:
wf &Jd:)4t − Name : Cladding
~fb#/%SV − Refractive Index (Re) : 3.27
\nPf\6;M − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
KfYU.Q 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 4d}=g]P
+^&i(7a[? 6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道:
9V[}#(f$ − Name : Guide_Channel
Zq<j}vVJ − 2D profile definition: Guide
`9+R]C]z8 − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口
q=D8 Nz 图6.构建通道
%KkC1.yu< 2. 定义布局设定 G2?#MO 为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作:
vt^7:!r 1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签
-aS@y.z − Width:2.8
@"1Z;.S8V 注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度
u'Q82l&Y − Profile:Channel-Guide
v9Sk\9}S <\O8D0.d 图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
HGh
-rEh 2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签:
NsSZ?ky − Length:5300− Width:60
bgKC^Q/F ir>h3Zk 图8.设置晶圆尺寸
N3aqNRwlk 3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签:− Material:Cladding
x<Gjr} − 点击OK以激活布局窗口
>u(^v@Ejf 图9.晶圆材料设置
HKI\i)c 4) 布局窗口
Ry"4v_e9 L8!yP.3 图10.默认情况下布局窗口显示
9+PAyI#w 5) 调整显示比率,以便更好进行波导
结构布局设置:− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口
V,0$mBYa − Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示
kGo2R]Dd[ H.E=m0np 图11.调整Z方向和X方向的显示比率
[ }Tb2| \Cj3jg 图12.最终布局显示
.%e>>U>F 3. 创建一个MMI耦合器 为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作:
q5= ,\S3= 1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导
}r,xx{.u7 OuEcoI K 图13 .绘制第一个线性波动
9d-'%Q>+ ( $2M"n w0oTV;yh