主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模
干涉耦合器,主要步骤如下:
+=J$:/&U • 定义MMI耦合器的
材料;
f DXK<v) • 定义布局设定;
/^xv1F{ • 创建一个MMI耦合器;
^rJTlh
9 • 插入输入面;
n'mrLZw • 运行
模拟;
KhWy • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。
IaeO0\
4E 9 wR D=a 1. 定义MMI耦合器的材料 !d()'N 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作:
YxM\qy{Vr 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“
1!^BcrG. 图1.初始性能对话框
5Lc@=,/0 ,Sgo_bC/| 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)”
}BM`4/ 图2.轮廓设计窗口
:Ob4WU 6ZIPe~` 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口
:(XyiF<Ud q+9^rQ 图3.电介质材料创建窗口
68?&`/t [l^XqD D4 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料:
~:JAWs$\V − Name : Guide
!LH;K − Refractive Index (Re) : 3.3
<2]h$53y! − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
4C?{p%3c 图4.创建Guide材料
Xi"9y @ ,5zY1C==Ut 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料:
B`QF;,3S − Name : Cladding
S=P}Jpq?Y; − Refractive Index (Re) : 3.27
c<_1o!68 − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
C2R"96M7q 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 E&J<qTH9
K7C
<}y 6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道:
SHYekX − Name : Guide_Channel
g"sb0d9 − 2D profile definition: Guide
Y&b Yaq − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口
B)7 :*Kj 图6.构建通道
8US35t:M 2. 定义布局设定 4OM
]8I! 为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作:
vfqXHc
unj 1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签
:a Cf@:'] − Width:2.8
&c-V
QP( 注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度
Po=:-Of: − Profile:Channel-Guide
{s@!N `Zuo`GP*1 
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
m>Wt'Cc 2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签:
2n>mISy+ − Length:5300− Width:60
>AV9 K
x=>dmi3 图8.设置晶圆尺寸
=?Ry,^=b 3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签:− Material:Cladding
pWzYC@_W
− 点击OK以激活布局窗口
Mm8_EjMp 
图9.晶圆材料设置
?W ^`Fa)]o 4) 布局窗口
gAvNm[=wD2
4?@5JpC9VA 图10.默认情况下布局窗口显示
+xIVlH9`Q 5) 调整显示比率,以便更好进行波导
结构布局设置:− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口
G?F!Z"S − Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示
#vK99S2
R{brf6, 图11.调整Z方向和X方向的显示比率
&O+S[~
Z .`+IN(>E 图12.最终布局显示
[i~@X2:Al 3. 创建一个MMI耦合器 为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作:
"xC$Ko _ 1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导
`vt+VUNf
$Rze[3 图13 .绘制第一个线性波动
%}b 9ox5,7ZQ |oeg'T