主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模
干涉耦合器,主要步骤如下:
pO:]3qv • 定义MMI耦合器的
材料;
39P55B/o% • 定义布局设定;
PO6yEr • 创建一个MMI耦合器;
)b2O!p • 插入输入面;
~a`xI • 运行
模拟;
i(cKg&+ktd • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。
|_8l9rB5ip Xfqin4/jC 1. 定义MMI耦合器的材料 9=T;Dxn 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作:
M
| "'`zc 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“
['pO=ho 图1.初始性能对话框
2;:p
H3 4Nt4(3Kf 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)”
;sAGTq 图2.轮廓设计窗口
v;;3 K*c> 5n}<V-yJ*m 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口
.n YlYY' zSfUM.fM 图3.电介质材料创建窗口
62 _k`)k eXK3W2XF 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料:
eh]syeKBj − Name : Guide
2=8PA/ − Refractive Index (Re) : 3.3
2YW;=n − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
6<fG;: 图4.创建Guide材料
=MJB: 'plUs<A 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料:
URbB2
Bi − Name : Cladding
Q{950$)L − Refractive Index (Re) : 3.27
$^{#hYq)o − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
$rr@3H+
图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 h{ix$Xn~
K@cWg C 6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道:
7/QK"0 − Name : Guide_Channel
OM\1TD/- − 2D profile definition: Guide
{CBb^BP − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口
LOfw
#+]d 图6.构建通道
P3|s}& 2. 定义布局设定 _]4p51r0 为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作:
kln)7SzPuk 1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签
a oU" − Width:2.8
C&vi7Yx 注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度
gz[3 xH~ − Profile:Channel-Guide
0D@ $ ;xzaW4(3 
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
A7+ZY, 2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签:
*w*>\ZhOm − Length:5300− Width:60
JOt(r}gU
!f52JQyh 图8.设置晶圆尺寸
w 0= 3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签:− Material:Cladding
pUqC88*j − 点击OK以激活布局窗口
LAf#Rco4 
图9.晶圆材料设置
!^su=c 4) 布局窗口
]gcOMC
&*+$38XE^ 图10.默认情况下布局窗口显示
~:T@SrVI 5) 调整显示比率,以便更好进行波导
结构布局设置:− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口
o&%v"#H2 − Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示
ztSQrDbbb4
Pm/i,T6&\ 图11.调整Z方向和X方向的显示比率
!.mR]El{K
wxh\CBxG 图12.最终布局显示
;]=w6'dP! 3. 创建一个MMI耦合器 为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作:
T
pF[-fO 1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导
-W('^v_*
HFy9b|pjy 图13 .绘制第一个线性波动
1s=Q~*f~d Yr-SlO> a!: N
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