主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模
干涉耦合器,主要步骤如下:
FYE(lEjxi • 定义MMI耦合器的
材料;
:(/1,]bF • 定义布局设定;
c2:, • 创建一个MMI耦合器;
_dAn/rj
• 插入输入面;
LX&O"YY • 运行
模拟;
[okV[7 • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。
=MM+(mD '-I\G6w9 1. 定义MMI耦合器的材料 W=+AU!% 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作:
1|>vk+;1h 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“
. uGne
图1.初始性能对话框
;*FY+jM hR2 R
2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)”
nTs\zikP 图2.轮廓设计窗口
IUh9skW5 ,aP5)ZN- 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口
B%tj-h(a mRyf+O[ 图3.电介质材料创建窗口
QZ7W:%r(4 ]c'EJu
4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料:
b">"NvlB − Name : Guide
1B&XM^>/ − Refractive Index (Re) : 3.3
&,Loqr − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
.-MJ5 d: 图4.创建Guide材料
]{{%d4 32anmVnf 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料:
TPkP5w − Name : Cladding
u6Ux nqNc − Refractive Index (Re) : 3.27
\}=W*xxB − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
O5+Ah% 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 $/JXI?K
R\5fl[ 6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道:
<~v4BiQ3l^ − Name : Guide_Channel
u|"YS-dH − 2D profile definition: Guide
@ra JB' − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口
17;9> *O' 图6.构建通道
j1+I_ 2. 定义布局设定 %'=TYvB 2 为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作:
Vi'7m3& 1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签
NL-PQ%lUA − Width:2.8
j1K~zG 注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度
tx+P@9M_Aq − Profile:Channel-Guide
GvA4.s, 3?h!nVI+2J 
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
}> C?Zx* 2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签:
D( TfW − Length:5300− Width:60
0N4ZV}s,d
~fcC+"7q/ 图8.设置晶圆尺寸
MOB'rPIUI 3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签:− Material:Cladding
"?
V;C − 点击OK以激活布局窗口
gr.G']9lNq 
图9.晶圆材料设置
rXTdhw?+ 4) 布局窗口
tN.BI1nB
TOSk+2P 图10.默认情况下布局窗口显示
wu{%gtx/;^ 5) 调整显示比率,以便更好进行波导
结构布局设置:− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口
?,hGKSC − Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示
a #p`l>rx
&js$qgY 图11.调整Z方向和X方向的显示比率
=R9`to|
PT&qys2k 图12.最终布局显示
XJS^{=/ 3. 创建一个MMI耦合器 为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作:
juM~X5b 1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导
33hP/p%
m<cv3dbZo 图13 .绘制第一个线性波动
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