主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模
干涉耦合器，主要步骤如下：
44@yQ? • 定义MMI耦合器的
材料；
'Lm\ r+$F • 定义布局设定；
R^u 1(SF • 创建一个MMI耦合器；
t5t!-w\M$+ • 插入输入面；
B?M& j • 运行
模拟；
n h"8on]M~ • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。
\N 3A2L)l >+}yI}W;e 1. 定义MMI耦合器的材料 Owd{; 为了定义MMI耦合器的材料，需要进行如下操作：
f%#q}vK- 1) 通过File-New打开“初始性能对话框（Initial Properties）“
Qdt4h$~V" 图1.初始性能对话框
H5MO3DJ Rda~Dr z 2) 点击图1中的“轮廓和材料（Profiles And Materials）”以激活“轮廓设计窗口（Profile Designer）”
ylTX 图2.轮廓设计窗口
V .\12P _z6_mmMp 3) 右键单击图2中材料（Materials）标签下的“电介质（Dielectric）“，选择New以激活电介质材料创建窗口
+g.lLb*# Cpg>5N~;L 图3.电介质材料创建窗口
k`aHG8S\ /7[U J' 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料：
85e!)I_ − Name : Guide
5` >%{ o − Refractive Index (Re) : 3.3
@O]v.<8 − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
Kg8n3pLAX 图4.创建Guide材料
8%\0v?a5 k[ZkVwx 5) 重复步骤3）和4），创建第二种电解质材料：
BQ o$c~ − Name : Cladding
f3;.+hJ]) − Refractive Index (Re) : 3.27
0(o{V:l%Z| − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
>U7{EfUJdx 图5.左图为创建Cladding材料，右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 Mp-hNO}.Z
h85 kQ^% 6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1，进入通道编辑窗口，构建通道：
B!j 7vXM2 − Name ： Guide_Channel
1#Q~aY − 2D profile definition: Guide
BmhIKXE{* − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口，关闭Profile Designer窗口
GS)4,. 图6.构建通道
tS [@3 h 2. 定义布局设定 *4 HogC 为了定义布局设定，需要在“初始性能对话框（Initial Properties）”窗口进行以下操作：
jA' 7@/F/ 1) 点击“默认波导（Default Waveguide）”标签
i8nzPKF2$3 − Width：2.8
fUKi@*^ZUa 注意：所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度
_Dq, \} − Profile：Channel-Guide
,v@C=4'm `fM]3]x> 
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
Bw Cwy 2) 切换到“晶圆尺寸（Wafer Dimension）”标签：
EK 8r V − Length：5300− Width：60
Ge_Gx*R 
"K )ue@? 图8.设置晶圆尺寸
2~B9 (| 3) 切换到“2D晶圆属性（2D Wafer Properties）”标签：− Material：Cladding
o=)[ "V − 点击OK以激活布局窗口
bdYx81 
图9.晶圆材料设置
:k/Z| 4) 布局窗口
a<C J#B2K 
QLLMSa+! \ 图10.默认情况下布局窗口显示
1e)5D& njS 5) 调整显示比率，以便更好进行波导
结构布局设置：− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口
crlC N − Display ratio : Z=40,点击OK，如图11所示− 调整缩放比率为0.6 ，最终布局显示如图12所示
C j5=UUnO 
\ $Q ? 图11.调整Z方向和X方向的显示比率
v/G)E_ 
Qj3l> O 图12.最终布局显示
|T+YC[T#v 3. 创建一个MMI耦合器 为了构建一个MMI耦合器，需要进入如下操作：
[~5<[ 'G 1) 在“绘图（Draw）”菜单下选择“线性波导（Linear Waveguide）”或者在波导栏 下选择线性波导2) 当鼠标指针变为十字叉时，点击布局窗口左侧，并向右侧拖拽波导后松开鼠标，以生成第一个线性波导
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(Kg( 6E, 图13 .绘制第一个线性波动
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hlccH /oC@ :7
