主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模
干涉耦合器，主要步骤如下：
1C_'H.q<= • 定义MMI耦合器的
材料；
D =r- • 定义布局设定；
vWU%ST • 创建一个MMI耦合器；
k42b:W5% • 插入输入面；
:be:-b%K • 运行
模拟；
(2z% U • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。
atY *8I| /Hv* K&}M 1. 定义MMI耦合器的材料 (8CCesy& 为了定义MMI耦合器的材料，需要进行如下操作：
[_WI8~g Y 1) 通过File-New打开“初始性能对话框（Initial Properties）“
cMD RWh 图1.初始性能对话框
^^ G-kg i2$*}Cu 2) 点击图1中的“轮廓和材料（Profiles And Materials）”以激活“轮廓设计窗口（Profile Designer）”
HE Bqv+bG 图2.轮廓设计窗口
@Q;i. u{V f.| |PH 3) 右键单击图2中材料（Materials）标签下的“电介质（Dielectric）“，选择New以激活电介质材料创建窗口
dgS4w@)@V; 9i0M/v x 图3.电介质材料创建窗口
nQ5N=l Ovv ny$ 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料：
j]pohxn$5 − Name : Guide
3az$:[Und} − Refractive Index (Re) : 3.3
y7/PDB\he − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
k}D[Hp:m 图4.创建Guide材料
r4E `'o[ }>V /H]B 5) 重复步骤3）和4），创建第二种电解质材料：
* [tc − Name : Cladding
<tFSF%vG= − Refractive Index (Re) : 3.27
^8:VWJM − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
UqN{JG:#. 图5.左图为创建Cladding材料，右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 [UM Lx
?*[ \UC 6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1，进入通道编辑窗口，构建通道：
\e<mSR − Name ： Guide_Channel
%N )e91wC − 2D profile definition: Guide
]nUR;8 − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口，关闭Profile Designer窗口
SD?BM-&~ 图6.构建通道
[-\ ({<t3x 2. 定义布局设定 &K>cW$h=a 为了定义布局设定，需要在“初始性能对话框（Initial Properties）”窗口进行以下操作：
Yx5J$!Ld 1) 点击“默认波导（Default Waveguide）”标签
f'&GFL =c − Width：2.8
C\ vC?(n 注意：所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度
:
(gZgMT − Profile：Channel-Guide
! .AhzU1%Y GuT6K}~|D 
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
,eDD:#)$} 2) 切换到“晶圆尺寸（Wafer Dimension）”标签：
z!$gVWG − Length：5300− Width：60
3:l D L2 
AH^e]<2- 图8.设置晶圆尺寸
| xh& p( 3) 切换到“2D晶圆属性（2D Wafer Properties）”标签：− Material：Cladding
/}Yqf`CZy − 点击OK以激活布局窗口
F;u7A]H^ 
图9.晶圆材料设置
1Ao6y.S 4) 布局窗口
, 9mgYp2 
;7rd;zJ 图10.默认情况下布局窗口显示
~Rs#|JWB2V 5) 调整显示比率，以便更好进行波导
结构布局设置：− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口
|QVr `tE< − Display ratio : Z=40,点击OK，如图11所示− 调整缩放比率为0.6 ，最终布局显示如图12所示
bni) Qw 
<FUo n 图11.调整Z方向和X方向的显示比率
F.<L>
G7{1 
o~#f1$|Xn 图12.最终布局显示
zG#wu 3. 创建一个MMI耦合器 为了构建一个MMI耦合器，需要进入如下操作：
I5qM.@%zB 1) 在“绘图（Draw）”菜单下选择“线性波导（Linear Waveguide）”或者在波导栏 下选择线性波导2) 当鼠标指针变为十字叉时，点击布局窗口左侧，并向右侧拖拽波导后松开鼠标，以生成第一个线性波导
bhD ~ 4 Rz 
ca(U!T68 图13 .绘制第一个线性波动
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