主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模
干涉耦合器,主要步骤如下:
?!d&E?9\ • 定义MMI耦合器的
材料;
<(fRn`)PT • 定义布局设定;
7>))D'l57 • 创建一个MMI耦合器;
PuA9X[= • 插入输入面;
FE (ev 9@ • 运行
模拟;
Pama#6?OPh • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。
_4U5 keX,d# 1. 定义MMI耦合器的材料 AicBSqUke 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作:
e]$}-i@# 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“
`tA"
}1;ka 图1.初始性能对话框
jD<{t Vr`R>S,- 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)”
JP!~,mdS 图2.轮廓设计窗口
2a`o
&S %\dz
m-d(C 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口
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K gM
u"2I5 图3.电介质材料创建窗口
q1"$<# t -$cmG4 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料:
KWowN; − Name : Guide
8<pzb}xK − Refractive Index (Re) : 3.3
4C61GB?Vy − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
~obqG!2m 图4.创建Guide材料
r%yvOF\> ?mFv0_!O 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料:
[B#R94 − Name : Cladding
93("oBd[s( − Refractive Index (Re) : 3.27
\IV1j)I"u − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
hKLCJ#T 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 `1$@|FgyC
F;4vPbH+ 6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道:
pN:Kdi − Name : Guide_Channel
(|:M&Cna] − 2D profile definition: Guide
)_syZ1j − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口
Ui_8)z _ 图6.构建通道
Ai=se2 2. 定义布局设定 r~jm`y 为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作:
\r^qL^ 1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签
*'.|9W − Width:2.8
m? J0i>H
注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度
dMf:h"7 − Profile:Channel-Guide
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}C oTU!R , 
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
)t0$qd ] 2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签:
*4Thd:7 ` − Length:5300− Width:60
m ZtCL
+%T\`6 图8.设置晶圆尺寸
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3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签:− Material:Cladding
Bu<M\w?7Y − 点击OK以激活布局窗口
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图9.晶圆材料设置
y~AVei& 4) 布局窗口
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OE_XCZ!5P 图10.默认情况下布局窗口显示
@=bLDTx;c) 5) 调整显示比率,以便更好进行波导
结构布局设置:− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口
]/[FR 5> − Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示
A-Sv;/yD_
xu/cq9 图11.调整Z方向和X方向的显示比率
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r?+%?$ 图12.最终布局显示
8ndYV>{f 3. 创建一个MMI耦合器 为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作:
-BrMp%C 1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导
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#C~+JL 图13 .绘制第一个线性波动
GY6`JWk Uol|9F q@QksAq