主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模
干涉耦合器，主要步骤如下：
rUmaKh?v|X • 定义MMI耦合器的
材料；
[2ez" 4e • 定义布局设定；
}Ox5 ,S}ra • 创建一个MMI耦合器；
5LM Ay" • 插入输入面；
}fU"s" • 运行
模拟；
=~yRgGwJ • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。
b8@?fC+tm EIug)S~ 1. 定义MMI耦合器的材料 ,%6!8vX 为了定义MMI耦合器的材料，需要进行如下操作：
_<}oBh 1) 通过File-New打开“初始性能对话框（Initial Properties）“
N3"O#C 图1.初始性能对话框
?g+uJf
L.X"wIs^ 2) 点击图1中的“轮廓和材料（Profiles And Materials）”以激活“轮廓设计窗口（Profile Designer）”
LYhj I 图2.轮廓设计窗口
j2^Vz{ &!N9.e:-] 3) 右键单击图2中材料（Materials）标签下的“电介质（Dielectric）“，选择New以激活电介质材料创建窗口
/fgy 07T 2K wr=t 图3.电介质材料创建窗口
@^R6}qJ S+2we 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料：
_D.4=2@|l8 − Name : Guide
E7 mB=bt>= − Refractive Index (Re) : 3.3
x`n7D − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
r"YOA@ 图4.创建Guide材料
<Ukeq0 AO[/-Uij 5) 重复步骤3）和4），创建第二种电解质材料：
o 4P>t2' − Name : Cladding
o=C:= − Refractive Index (Re) : 3.27
((Uw[8#2 ` − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
%/. yGAPkx 图5.左图为创建Cladding材料，右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 T]oVNy
B5v5D[ o5 6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1，进入通道编辑窗口，构建通道：
b@X+vW{S − Name ： Guide_Channel
FIu|eW+ <l − 2D profile definition: Guide
L+ K,Y:D!W − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口，关闭Profile Designer窗口
yi.GD~69 图6.构建通道
NWue;u^ 2. 定义布局设定 C :r3z50 为了定义布局设定，需要在“初始性能对话框（Initial Properties）”窗口进行以下操作：
03Uj 0.Z|7 1) 点击“默认波导（Default Waveguide）”标签
<]Btx;} − Width：2.8
!(A< 注意：所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度
?'I-_9u − Profile：Channel-Guide
4LXC;gZ `}.jH1Fx/m 
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
#kQ1, P6,( 2) 切换到“晶圆尺寸（Wafer Dimension）”标签：
U2G[uDa; − Length：5300− Width：60
9s4>hw@u 
,8@q2a/ 图8.设置晶圆尺寸
=C#22xqQ. 3) 切换到“2D晶圆属性（2D Wafer Properties）”标签：− Material：Cladding
fL(_V/p^ − 点击OK以激活布局窗口
w5<&b1: 
图9.晶圆材料设置
k 5g vo 4) 布局窗口
UX24*0`\~ 
4OOI$J$Jh 图10.默认情况下布局窗口显示
zD@RW<M 5) 调整显示比率，以便更好进行波导
结构布局设置：− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口
y?'Z' − Display ratio : Z=40,点击OK，如图11所示− 调整缩放比率为0.6 ，最终布局显示如图12所示
0d/
f4 
AGhr(\j 图11.调整Z方向和X方向的显示比率
JuDadIrd{ 
M#}k@
;L3 图12.最终布局显示
h^v+d*R
N 3. 创建一个MMI耦合器 为了构建一个MMI耦合器，需要进入如下操作：
yYH>~, 1) 在“绘图（Draw）”菜单下选择“线性波导（Linear Waveguide）”或者在波导栏 下选择线性波导2) 当鼠标指针变为十字叉时，点击布局窗口左侧，并向右侧拖拽波导后松开鼠标，以生成第一个线性波导
3w&Z:< 
n #PXMD* 图13 .绘制第一个线性波动
\=c@ woUt* G@ 9}T(m(WQVu
