主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模
干涉耦合器,主要步骤如下:
T9&bY>f? • 定义MMI耦合器的
材料;
2~RG\JWTA • 定义布局设定;
+'!Y[7|9iv • 创建一个MMI耦合器;
,'>O#kD
• 插入输入面;
&@/25Y2 • 运行
模拟;
y sFp` • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。
_"G./X 52#Ac;Y 1. 定义MMI耦合器的材料
w[Q)b() 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作:
8N9X1Mb| 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“
D=:O^< 图1.初始性能对话框
~(K{D
D7[N x5%x""VEK 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)”
?<6yKxn 图2.轮廓设计窗口
>
,;<Bz|X H/N4tWk" 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口
m\e?'-(s O7lFg;9c` 图3.电介质材料创建窗口
>S'IrnH'! 9q_c` 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料:
j6DI$tV~ − Name : Guide
5Sz}gP(' − Refractive Index (Re) : 3.3
V3c7F4\ − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
Sgq?r-Q. 图4.创建Guide材料
dBEm7.nh O8)N`#1>+ 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料:
}B@44HdY − Name : Cladding
$c }-/U 8 − Refractive Index (Re) : 3.27
~NG+DyGa= − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
LGT?/gup 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 5`p>BJ+n
`/JuItL- 6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道:
|VQmB/a − Name : Guide_Channel
-~v1@ − 2D profile definition: Guide
]'5 G/H5?; − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口
Er@OmNT 图6.构建通道
Q?/qQ}nNw 2. 定义布局设定 "WZ | 为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作:
7mtX/w9 1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签
!q5qA* − Width:2.8
p,7,
tx 注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度
z4{:X Da − Profile:Channel-Guide
2sH1),\ ]8CgHT[^7 
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
{3!E8~ 2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签:
52t6_!y+V − Length:5300− Width:60
QJ2D C
r1/9BTPKdJ 图8.设置晶圆尺寸
I'0{Q`} 3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签:− Material:Cladding
C1o^$Q|j − 点击OK以激活布局窗口
Fx )BMP 
图9.晶圆材料设置
M.\V/OX 4) 布局窗口
OTzuOP8
3@\J#mR
图10.默认情况下布局窗口显示
R*DQLBWc 5) 调整显示比率,以便更好进行波导
结构布局设置:− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口
hGJANA − Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示
.FC|~Z1T<F
XeX`h_ 图11.调整Z方向和X方向的显示比率
tn}MKo
I&;9
图12.最终布局显示
;b!qt-;.< 3. 创建一个MMI耦合器 为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作:
+
f,Kt9Cy 1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导
]i\;#pj}
z]R%'LGu 图13 .绘制第一个线性波动
Z}S7%m Z): Nd9 9qUkw&}H