主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模
干涉耦合器,主要步骤如下:
_c:th{* • 定义MMI耦合器的
材料;
VuK>lY& • 定义布局设定;
rH\oFCzC • 创建一个MMI耦合器;
z-sq9Qp&x • 插入输入面;
9d=\BBNZ • 运行
模拟;
\-[ >bsg • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。
1C*mR%Q f%[xl6VE; 1. 定义MMI耦合器的材料 *7L1SjZw 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作:
x>A[~s"|N 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“
YOvhMi 图1.初始性能对话框
%* gg6Q D})12qB;u9 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)”
zQu9LN 图2.轮廓设计窗口
Z;0<k;#T(p sP=^5K`g 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口
V<PH5'^$j [I<J6= 图3.电介质材料创建窗口
yKm6
8n^
9gIim 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料:
'bg'^PN>z − Name : Guide
oBo |eRIt| − Refractive Index (Re) : 3.3
K]dR%j − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
REsw=P!b 图4.创建Guide材料
]Qp-$)N ~9;udBfwF 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料:
qIh9? |`U − Name : Cladding
U5?QneK − Refractive Index (Re) : 3.27
"zqa:D26 − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
5HY0 *\ 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 *Aug7
HlS
2)QZYgfh 6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道:
3m$Qd#| − Name : Guide_Channel
hb}Qt Q − 2D profile definition: Guide
G2P:|R − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口
WU,b<PU & 图6.构建通道
$}us+hGZ 2. 定义布局设定 5EECr
\* 为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作:
r;wm`(e 1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签
(rBYE[@, − Width:2.8
Y&DoA0/y 注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度
8 ~Pdr]5 − Profile:Channel-Guide
6C
?,V3Z (eHTXk*V` 
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
it-2]Nw 2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签:
i]qxF&1 − Length:5300− Width:60
J*Cf1 D5!
X7tBpyi 图8.设置晶圆尺寸
::cI4D 3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签:− Material:Cladding
2j]uB0 − 点击OK以激活布局窗口
h$%h w+"4 
图9.晶圆材料设置
QDb8W*&< 4) 布局窗口
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WQBV~.<Yv 图10.默认情况下布局窗口显示
7fl{<uf 5) 调整显示比率,以便更好进行波导
结构布局设置:− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口
KUHkjA_ − Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示
8{6`?qst@
@_ UI;*V 图11.调整Z方向和X方向的显示比率
3'SN0VL
_|;{{8*? 图12.最终布局显示
^U,Dx 3. 创建一个MMI耦合器 为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作:
K @:t6 1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导
f=8{cK0j
nXjSf 图13 .绘制第一个线性波动
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