主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模
干涉耦合器,主要步骤如下:
W{fULl • 定义MMI耦合器的
材料;
U^M@um M • 定义布局设定;
a%7"_{s1 • 创建一个MMI耦合器;
[cGt • 插入输入面;
~K5Cr • 运行
模拟;
-H1"OJ2aF
• 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。
u<l#xud ?%cn'=>ZI 1. 定义MMI耦合器的材料 nB cp7e 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作:
a.
h?4+^bN 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“
0Jm]f/iZ 图1.初始性能对话框
6QN1+MwB QD$}-D[ 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)”
Cz'xGW{ 图2.轮廓设计窗口
8 A2if9E3 KI Ek/]<H 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口
-Wl)Lez@ `4VO&lRm 图3.电介质材料创建窗口
:D"@6PC] y#b;uDY 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料:
<A#5v\{.;~ − Name : Guide
O24Jj\" − Refractive Index (Re) : 3.3
-M"IVyy@ − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
E4Y"X 图4.创建Guide材料
qTyg~]e9( N=>- Q) 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料:
eQ$N:] − Name : Cladding
x S − Refractive Index (Re) : 3.27
iKg75%;t − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
0Vf)Rw1%I
图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 0-*Z<cu%l
&g*klt'B 6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道:
jmkRP"ZnA − Name : Guide_Channel
3H1Pp*PH − 2D profile definition: Guide
fH-NU-" − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口
$ I#7dJ"* 图6.构建通道
vGXWwQ.1Tp 2. 定义布局设定 hZ!oRWIU%G 为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作:
?sV[MsOsC 1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签
S*4f%! − Width:2.8
q#;BhPc 注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度
a*V9_Px$& − Profile:Channel-Guide
BRe{1i 6 GA.BI"l 图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
.FuA;:@%\ 2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签:
5!<o-{J[(= − Length:5300− Width:60
ir]Mn.(Y F#6cF=};@ 图8.设置晶圆尺寸
uii7b7[w 3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签:− Material:Cladding
=KV@&Y^x4 − 点击OK以激活布局窗口
;vMn/ 图9.晶圆材料设置
8GY.){d!l 4) 布局窗口
Ru:n~77{ (/'h4KS@ 图10.默认情况下布局窗口显示
:JR<SFjm 5) 调整显示比率,以便更好进行波导
结构布局设置:− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口
~u!gUJ: − Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示
@\ }sb] jM*AL
X 图11.调整Z方向和X方向的显示比率
7k `_# w5,6$# 图12.最终布局显示
^b=XV&{q 3. 创建一个MMI耦合器 为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作:
K${}r0 1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导
VQ2Fnb4 =:4?>2) 图13 .绘制第一个线性波动
r]9 e^ q?yMa9ZZky _D-5}a"