主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模
干涉耦合器,主要步骤如下:
Vp>|hj po • 定义MMI耦合器的
材料;
n_3O-X( • 定义布局设定;
;FZ@:%qDm • 创建一个MMI耦合器;
t|~YEQ • 插入输入面;
hWH:wB • 运行
模拟;
z{Mr$%'EY • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。
S[7WW$lF TEDAb> 1. 定义MMI耦合器的材料 Duc#$YfGm 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作:
w`q%#qRk 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“
D@!=d@V. 图1.初始性能对话框
r\AyN=
y gUeuUj 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)”
J!:SPQ 图2.轮廓设计窗口
r#xg#u oj 5Hcf;P7 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口
,=l7:n Z!U)I-x& 图3.电介质材料创建窗口
>3c@x ezPz<iZ\N 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料:
~#kT_*sw) − Name : Guide
UKM2AZ0lb − Refractive Index (Re) : 3.3
uL[.ND2._& − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
5Kkdo!z 图4.创建Guide材料
7EXI6jGJ| b$Vz2Fzx 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料:
o1<_fI − Name : Cladding
}g4 M2| − Refractive Index (Re) : 3.27
I_A@BnM{I − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
Unsogd 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 ^a#X9
RIIitgV_ 6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道:
Y +Fljr* − Name : Guide_Channel
NMA}Q$o
s − 2D profile definition: Guide
YfRkwKjy( − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口
C:Hoq( 图6.构建通道
wQRZ"ri, 2. 定义布局设定 % rxO_ 为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作:
sqW*
pi 1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签
r3>i+i42 − Width:2.8
vsa92c@T 注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度
F+@5C:<? − Profile:Channel-Guide
'3?\K3S4i }Q";aU0^ 
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
;X?mmv' 2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签:
h(5P(` M − Length:5300− Width:60
/c,(8{(O
p ZZc:\fJ 图8.设置晶圆尺寸
X=>=5' 3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签:− Material:Cladding
e6!LS x}y − 点击OK以激活布局窗口
sVl-N&/ 
图9.晶圆材料设置
$]8h $ 4) 布局窗口
gH G
i F+vl] 图10.默认情况下布局窗口显示
0=K9`=5d0 5) 调整显示比率,以便更好进行波导
结构布局设置:− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口
7PkJ-JBA − Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示
Mb]rY>B4
qM.bF&&Go 图11.调整Z方向和X方向的显示比率
lv]hTH 4T
<A#
l
35 图12.最终布局显示
3"P }n 3. 创建一个MMI耦合器 为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作:
?2oHZ%G 1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导
!tp1:'KG
8KRba4[ 图13 .绘制第一个线性波动
g>J<%z,}2 AhNq/?Q Q~ Hbpqyl%O>