主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模
干涉耦合器，主要步骤如下：
/ M4{Wc • 定义MMI耦合器的
材料；
1\ >^m • 定义布局设定；
?9\EN|O^ • 创建一个MMI耦合器；
(H E9V] • 插入输入面；
c> RFdc:U • 运行
模拟；
ZR?yDgL • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。
Ww%=1M]e- 4$S;( 1. 定义MMI耦合器的材料
&NoS=(s, 为了定义MMI耦合器的材料，需要进行如下操作：
78# v 1) 通过File-New打开“初始性能对话框（Initial Properties）“
$79=lEn, 图1.初始性能对话框
8a'.ZdqC? )ZqTwEr@[ 2) 点击图1中的“轮廓和材料（Profiles And Materials）”以激活“轮廓设计窗口（Profile Designer）”
Te wb?: 图2.轮廓设计窗口
a$" Hvrj cm[&? 3) 右键单击图2中材料（Materials）标签下的“电介质（Dielectric）“，选择New以激活电介质材料创建窗口
1Z~)RJ< D DN~nk 图3.电介质材料创建窗口
vchm"p?9) <_tT<5'[$u 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料：
\6 <=$vD − Name : Guide
khrb-IY@ − Refractive Index (Re) : 3.3
cy3B({PLy − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
Id|L`
w 图4.创建Guide材料
U4-g^S[ \$\ENQ;Nk 5) 重复步骤3）和4），创建第二种电解质材料：
TbGn46!: − Name : Cladding
^,8)iV0j_ − Refractive Index (Re) : 3.27
*q".-u!D[ − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
_:C9{aEZb 图5.左图为创建Cladding材料，右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 27"%"P. 1
e<h~o!z a 6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1，进入通道编辑窗口，构建通道：
-[!P!d= − Name ： Guide_Channel
7=WT69,& − 2D profile definition: Guide
gy0haW − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口，关闭Profile Designer窗口
80/F7 q'tn 图6.构建通道
b6F4>@gjg 2. 定义布局设定 Uo> ] sNP~ 为了定义布局设定，需要在“初始性能对话框（Initial Properties）”窗口进行以下操作：
hKjt'N:~ZY 1) 点击“默认波导（Default Waveguide）”标签
d%,eZXg' − Width：2.8
T}P".kpb S 注意：所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度
&LVn6zAba − Profile：Channel-Guide
ayD}r#7 mfo1+owT 
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
%S n d\ 2) 切换到“晶圆尺寸（Wafer Dimension）”标签：
*c*0 PdV − Length：5300− Width：60
} 36QsH8 
<'Wo@N7 图8.设置晶圆尺寸
SNE#0L ' } 3) 切换到“2D晶圆属性（2D Wafer Properties）”标签：− Material：Cladding
o=?C&f{ − 点击OK以激活布局窗口
$UCAhG$ 
图9.晶圆材料设置
I*kK 82 4) 布局窗口
yA(K=?sq 
:^x?2%
~K. 图10.默认情况下布局窗口显示
~-m " 5) 调整显示比率，以便更好进行波导
结构布局设置：− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口
^__Dd)( − Display ratio : Z=40,点击OK，如图11所示− 调整缩放比率为0.6 ，最终布局显示如图12所示
ICkp$u^ 
a@* S+3 图11.调整Z方向和X方向的显示比率
2 e9e s 
)5U[o0td 图12.最终布局显示
78OIUNm` 3. 创建一个MMI耦合器 为了构建一个MMI耦合器，需要进入如下操作：
_DNHc* 1) 在“绘图（Draw）”菜单下选择“线性波导（Linear Waveguide）”或者在波导栏 下选择线性波导2) 当鼠标指针变为十字叉时，点击布局窗口左侧，并向右侧拖拽波导后松开鼠标，以生成第一个线性波导
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图13 .绘制第一个线性波动
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