主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模
干涉耦合器,主要步骤如下:
Kn`-5{1B| • 定义MMI耦合器的
材料;
3v,Bg4[i • 定义布局设定;
)Q)H!yin • 创建一个MMI耦合器;
w#w?Y!JXo • 插入输入面;
R.)w
l • 运行
模拟;
e;r?g67 • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。
JL:\\JT. )2g-{cYv 1. 定义MMI耦合器的材料
R7NE=X4 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作:
1 R,?kUa 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“
g'<ekY+V: 图1.初始性能对话框
g"|/^G_6S GI[XcK^*w 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)”
+I[Hxf ~ 图2.轮廓设计窗口
_d*QA{ T@gm0igW/; 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口
y%@C-: ^/:G`' 图3.电介质材料创建窗口
WX}pBmU /PTk296@ 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料:
Ojs^-R_ − Name : Guide
*]+5T-R% $ − Refractive Index (Re) : 3.3
n"|1A..^ − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
i564<1`x 图4.创建Guide材料
>O/1Lpl.3 bTJ l 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料:
{-.ZFUZmT − Name : Cladding
ZO\x|E!b − Refractive Index (Re) : 3.27
pGT?=/=* − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
Rpou.RrXR7 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 "S^""5
C~q& 6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道:
gkMyo` − Name : Guide_Channel
:7DXLI|L#? − 2D profile definition: Guide
W_Eur,/` − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口
|>!tqgq 图6.构建通道
df@G+v0_1 2. 定义布局设定 (GB*+@ 为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作:
-0:Equ?pz 1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签
?A2jj`N1x − Width:2.8
!rPU5y* 注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度
jQ&82X%m − Profile:Channel-Guide
qg9VK'3o `2PvE4]%p 
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
6o=Q;Mezl 2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签:
R,f"2
k − Length:5300− Width:60
dH_g:ocA
-YJ4-]Z 图8.设置晶圆尺寸
)L/o|%r! 3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签:− Material:Cladding
>Q% FW − 点击OK以激活布局窗口
3JXKpk? 
图9.晶圆材料设置
`ZZq Sc4 4) 布局窗口
m$WN"kV`,9
9ELRn@5. 图10.默认情况下布局窗口显示
*e%(J$t 5) 调整显示比率,以便更好进行波导
结构布局设置:− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口
i27KuPjC − Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示
LR Dj!{k{
hB??~>i3 图11.调整Z方向和X方向的显示比率
rLx'.:
1ILAUtf) 图12.最终布局显示
O#3PUuE%d 3. 创建一个MMI耦合器 为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作:
'Z82+uU% 1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导
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}/g1s71 图13 .绘制第一个线性波动
zot_ jSV !lk9U^wnd 1YJ@9 *l