主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模
干涉耦合器,主要步骤如下:
iud%X51 • 定义MMI耦合器的
材料;
D0uf=BbS • 定义布局设定;
,u$$w • 创建一个MMI耦合器;
r,F'Jd5 • 插入输入面;
l*h6JgU • 运行
模拟;
o#;w>- • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。
DD;PmIW ZgN*m\l 1. 定义MMI耦合器的材料
_,vJ0{* 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作:
X]`\NNx 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“
7m8L!t9 图1.初始性能对话框
?
[=P ofS9h*wrJ 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)”
|]Ockg[ 图2.轮廓设计窗口
aX0sy\Z]j 1V)0+_Yv 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口
qD2<-E&M/ XxV]U{i! 图3.电介质材料创建窗口
$U!w#|& Yh"R# 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料:
x<imMJ − Name : Guide
Lc+)#9*d − Refractive Index (Re) : 3.3
x!S8' − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
594$X@!v 图4.创建Guide材料
8 #0? H3MT.Cpd 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料:
!1|f,9C − Name : Cladding
yl|+D] − Refractive Index (Re) : 3.27
bvZmozbD − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
t,+p!"MRY 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 u{8Wu;
%Sj;:LC 6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道:
!SVW}Q=5# − Name : Guide_Channel
ZN^9w"A − 2D profile definition: Guide
3"%:S_[ − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口
%o.+B~r 图6.构建通道
hX_;gR&R 2. 定义布局设定 ,v(G2`Z 为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作:
C!v0*^i 1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签
4ajBMgD]KG − Width:2.8
0p![&O 注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度
N/]TZu~k z − Profile:Channel-Guide
=T;%R^@ `Q}.9s_ri 
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
c~@I1M 2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签:
+STT(b Mn − Length:5300− Width:60
8&H1w9NrX_
iQ~cG[6 图8.设置晶圆尺寸
G| ^tqI 3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签:− Material:Cladding
("wPkm^ − 点击OK以激活布局窗口
9NKZE?5P|D 
图9.晶圆材料设置
]oZ$,2#;~ 4) 布局窗口
2qw~hWX
R~)c(jj5 图10.默认情况下布局窗口显示
UIbVtJ 5) 调整显示比率,以便更好进行波导
结构布局设置:− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口
p}N'>+@= − Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示
y%p&g
n8J';F
=P 图11.调整Z方向和X方向的显示比率
Oxy.V+R
+n1}({7m 图12.最终布局显示
6<FJ`l]U9 3. 创建一个MMI耦合器 为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作:
;<MHDmD 1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导
l{vi{9n)
si0jXue~j\ 图13 .绘制第一个线性波动
e$ E=n P !6r`d ,c}Q;eYc3