主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模
干涉耦合器,主要步骤如下:
P4:Zy;$v! • 定义MMI耦合器的
材料;
*i {e$Zv' • 定义布局设定;
mD%IHzbn
H • 创建一个MMI耦合器;
eV"s5X[$ • 插入输入面;
z.^_;Vql_ • 运行
模拟;
nrR2U` • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。
V
n+a-v ]xGpN ]u 1. 定义MMI耦合器的材料 yL %88,/ 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作:
g>
m)XY 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“
/VD[: sU7 图1.初始性能对话框
M)~sL1) P(!%Pp 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)”
ipE|)Ns 图2.轮廓设计窗口
xDNXI01o juI)Do2_ 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口
@1D3E = `I8ep=VZ 图3.电介质材料创建窗口
KquuM ]5S yqH9*&KH{ 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料:
J%lrXm(l{ − Name : Guide
RL[F 9g − Refractive Index (Re) : 3.3
~14|y|\/ − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
y&/bp<Z 图4.创建Guide材料
i-9W8A cl`7|;v|? 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料:
WD1>{TSn − Name : Cladding
I+(
b!(H − Refractive Index (Re) : 3.27
?*.:*A − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
z4(`>z2a 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 raZkH8
-hq^';, 6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道:
nzZs2 − Name : Guide_Channel
9z`72( − 2D profile definition: Guide
K'B*D*w − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口
"MK2QIo 图6.构建通道
<{h\Msx% 2. 定义布局设定 OO</d: 为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作:
9Vl}f^Gn 1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签
_ gGA/ − Width:2.8
hAt4+O&P 注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度
' 6)Yf}I − Profile:Channel-Guide
my/KsB 'u%vpvF 
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
l%xTF@4e 2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签:
@6Lp$w − Length:5300− Width:60
XpYd|BvW
<Mu T7x- 图8.设置晶圆尺寸
t/_\w" 3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签:− Material:Cladding
i6$HwRZm# − 点击OK以激活布局窗口
2%pU'D: 
图9.晶圆材料设置
KoA +Vv9 4) 布局窗口
Mp=T;Nz
{{B'65Wu 图10.默认情况下布局窗口显示
:iGK9I 5) 调整显示比率,以便更好进行波导
结构布局设置:− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口
VLVDi>0i − Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示
2.N)N%@
It<VjN9
图11.调整Z方向和X方向的显示比率
ZpMv16
\ueCbfV!Z4 图12.最终布局显示
w~:F? 3. 创建一个MMI耦合器 为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作:
a5aHv/W#P 1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导
+SE \c
=qbN?a/?2 图13 .绘制第一个线性波动
L8H:,} 2 FS=LpvOG) n).*=YLN