主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模
干涉耦合器，主要步骤如下：
AoL2Wrk]\B • 定义MMI耦合器的
材料；
>_R ,^iH" • 定义布局设定；
@|3PV • 创建一个MMI耦合器；
s8i@HO • 插入输入面；
Fj q~^_8 • 运行
模拟；
Wq5 Nc • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。
\^l273 x~! gGfP 1. 定义MMI耦合器的材料 /z'fFl^6O 为了定义MMI耦合器的材料，需要进行如下操作：
<4l;I*:2& 1) 通过File-New打开“初始性能对话框（Initial Properties）“
{KH!PAh 图1.初始性能对话框
{jnfe}] M e*woCos' 2) 点击图1中的“轮廓和材料（Profiles And Materials）”以激活“轮廓设计窗口（Profile Designer）”
R^[b
I; 图2.轮廓设计窗口
$2tPqZ> L?aaR %6# 3) 右键单击图2中材料（Materials）标签下的“电介质（Dielectric）“，选择New以激活电介质材料创建窗口
H1!u1k 1nl rn$LZE
% 图3.电介质材料创建窗口
Sbf+ ;:D w;e42.\ 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料：
S,Y\ox- − Name : Guide
Qyh_o − Refractive Index (Re) : 3.3
l"T{ !Oq − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
EbG`q!C 图4.创建Guide材料
3Ryae/Nk ymNL`GYN[ 5) 重复步骤3）和4），创建第二种电解质材料：
`E @TPdu − Name : Cladding
V _1'` F − Refractive Index (Re) : 3.27
fga{ b7 − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
WT lR>|Zdn 图5.左图为创建Cladding材料，右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 Mg7nv\6
erhxZ|."P 6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1，进入通道编辑窗口，构建通道：
-#TF&- − Name ： Guide_Channel
Cob<N'. − 2D profile definition: Guide
aPELA U- − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口，关闭Profile Designer窗口
$|0?$U7 ! 图6.构建通道
")gd)_FOS 2. 定义布局设定 n ]K`ofjl^ 为了定义布局设定，需要在“初始性能对话框（Initial Properties）”窗口进行以下操作：
ZxvqLu 1) 点击“默认波导（Default Waveguide）”标签
E%+ aqA)f − Width：2.8
>v r! 3 注意：所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度
+{e Z@ − Profile：Channel-Guide
4 `KQ@m ?3=D- Xrb 
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
:J
7p=sX 2) 切换到“晶圆尺寸（Wafer Dimension）”标签：
Kuj*U'ed7t − Length：5300− Width：60
hny(:Dj 
Q&JnF`* 图8.设置晶圆尺寸
TB oN8cB} 3) 切换到“2D晶圆属性（2D Wafer Properties）”标签：− Material：Cladding
yf lt2 R − 点击OK以激活布局窗口
equ|v~@ y 
图9.晶圆材料设置
J)148/ 4) 布局窗口
1vy* u 
2r 0u[ 图10.默认情况下布局窗口显示
Y{Yp N 5) 调整显示比率，以便更好进行波导
结构布局设置：− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口
/4Df ' d − Display ratio : Z=40,点击OK，如图11所示− 调整缩放比率为0.6 ，最终布局显示如图12所示
Ts~MkO 
{6/Yu: ; 图11.调整Z方向和X方向的显示比率
+nLsiC{& 
\!]Zq#*kH 图12.最终布局显示
;|.~'' : 3. 创建一个MMI耦合器 为了构建一个MMI耦合器，需要进入如下操作：
`S&$y4|Vs 1) 在“绘图（Draw）”菜单下选择“线性波导（Linear Waveguide）”或者在波导栏 下选择线性波导2) 当鼠标指针变为十字叉时，点击布局窗口左侧，并向右侧拖拽波导后松开鼠标，以生成第一个线性波导
Za5bx,^ 
@P$_2IU" 图13 .绘制第一个线性波动
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