主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模
干涉耦合器,主要步骤如下:
z*$q8Z&7rg • 定义MMI耦合器的
材料;
@4$\
5%j • 定义布局设定;
NS)}6OI3~" • 创建一个MMI耦合器;
41a.#o • 插入输入面;
6 15s5ZA • 运行
模拟;
kql0J|P? • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。
W1B)]IHc ENF"c$R 1. 定义MMI耦合器的材料 ph>7?3;t 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作:
;Vik5)D2D 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“
I\~G|B 图1.初始性能对话框
cRd0S*QN2 ^.k
|SK`U 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)”
|2\{z{? 图2.轮廓设计窗口
$D
v\
e ^EG\iO2X 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口
:c9U>1`g& mbnV[ 图3.电介质材料创建窗口
z@|GC_L 5zFR7/p{ 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料:
bl_H4 − Name : Guide
8:BIbmtt5 − Refractive Index (Re) : 3.3
;S0Kh"A − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
)o-Q!<*1 图4.创建Guide材料
W^3uEm&l!) U9D!GKVp 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料:
>5s6u`\ − Name : Cladding
_k8A$s<d − Refractive Index (Re) : 3.27
:l|%17N − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
Ig3;E+*> 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 \U|ZR
Y"-^%@|p 6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道:
hx/N1x − Name : Guide_Channel
s
w39\urf − 2D profile definition: Guide
Ut$;ND.- − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口
PJ cwH6m 图6.构建通道
3%.#}O,( 2. 定义布局设定 [<'-yQ{l\ 为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作:
bdGIF'p% 1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签
6N)!aT9eo − Width:2.8
A:7k+4 注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度
y*D]Q`5cag − Profile:Channel-Guide
n_3O-X( 5]M>8ll 
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
gi0W;q 2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签:
6252N]* − Length:5300− Width:60
a33TPoj
*
S=\l@EW 图8.设置晶圆尺寸
wm+/e#'& 3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签:− Material:Cladding
Nbp!teH6 − 点击OK以激活布局窗口
!9xp cQ> 
图9.晶圆材料设置
x' .:&z 4) 布局窗口
irN6g#B?
y#XbJuN/ 图10.默认情况下布局窗口显示
UKM2AZ0lb 5) 调整显示比率,以便更好进行波导
结构布局设置:− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口
To?W?s − Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示
H@ t'~ZO
}g4 M2| 图11.调整Z方向和X方向的显示比率
|Pg@M
6P';DB 图12.最终布局显示
+wkjS r`e 3. 创建一个MMI耦合器 为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作:
S{Er?0wm.R 1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导
4._(|
%Qj;, #z 图13 .绘制第一个线性波动
YX`7Hm, d9q(xZ5 ;X?mmv'