主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模
干涉耦合器,主要步骤如下:
~Ld5WEp k3 • 定义MMI耦合器的
材料;
=cS&>MT • 定义布局设定;
ctZ,qg*N • 创建一个MMI耦合器;
25$_tZPAI • 插入输入面;
oLT#'42+H • 运行
模拟;
w`)5(~b • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。
h|CZ~ oS fr5
i 1. 定义MMI耦合器的材料 =9GALoGL 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作:
J rx^ 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“
tQ|c.`)W 图1.初始性能对话框
lFjz*g2' r ;RYGLx 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)”
L0fe 图2.轮廓设计窗口
GfE>?mG 0Z1ksfLU 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口
wUv?;Y$C 1;ttwF>G7 图3.电介质材料创建窗口
aDF@AS 'f\9'v 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料:
#'_#t/u − Name : Guide
yV(#z2| − Refractive Index (Re) : 3.3
}=[p>3Dd − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
s6,~JF^ 图4.创建Guide材料
y2jv84
M DM^0[3XuV5 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料:
'~D4%WKT − Name : Cladding
(p-q>@m − Refractive Index (Re) : 3.27
$oBs%.Jp − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
yE8D^M|g 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 vB8$Qx\J
&n6{wtBP 6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道:
d`^3fr'.4A − Name : Guide_Channel
1K#>^!?M
− 2D profile definition: Guide
I2[Z0G@&= − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口
J3eud}w 图6.构建通道
L 4j#0I]lq 2. 定义布局设定 4&mY-N7A 为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作:
[ohLG_9 1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签
IVNH.g' − Width:2.8
gNB+e5[; 2 注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度
%R0 Wq4} − Profile:Channel-Guide
>3!~U.AA'x /mkT7,] 
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
*D?=Ts 2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签:
ihrf/b − Length:5300− Width:60
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#
e?B 图8.设置晶圆尺寸
`MI\/oM@ 3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签:− Material:Cladding
*9\j1Nd − 点击OK以激活布局窗口
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图9.晶圆材料设置
{`!6w>w0 4) 布局窗口
D$}hoM1
vB7Gx>BQd 图10.默认情况下布局窗口显示
/vSGmW-* 5) 调整显示比率,以便更好进行波导
结构布局设置:− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口
QX=TuyO − Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示
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32ki ?\P 图11.调整Z方向和X方向的显示比率
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iB)\*) 图12.最终布局显示
*tqD:hiF 3. 创建一个MMI耦合器 为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作:
<=.6Z*x+ 1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导
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##jJaSxG 图13 .绘制第一个线性波动
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