主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模
干涉耦合器，主要步骤如下：
9mnON~j5 • 定义MMI耦合器的
材料；
L8G4K) • 定义布局设定；
;H= 6u • 创建一个MMI耦合器；
xr/ k.Fz • 插入输入面；
_"bx#B* • 运行
模拟；
s7e'9Bx • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。
k Mo)4 Xp 5Z[ D(z 1. 定义MMI耦合器的材料 B<R-|-# 为了定义MMI耦合器的材料，需要进行如下操作：
}rE|\ p> 1) 通过File-New打开“初始性能对话框（Initial Properties）“
H6O\U2+ 图1.初始性能对话框
vy#(|[pL{ i/~J0qQ 2) 点击图1中的“轮廓和材料（Profiles And Materials）”以激活“轮廓设计窗口（Profile Designer）”
kUt9'|9! 图2.轮廓设计窗口
0o]K6 b #dft-23 3) 右键单击图2中材料（Materials）标签下的“电介质（Dielectric）“，选择New以激活电介质材料创建窗口
rA`\we) "Pc,+>vh 图3.电介质材料创建窗口
~c^-DAgB agYK aM1N 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料：
z!+< m < − Name : Guide
!D3}5A1, − Refractive Index (Re) : 3.3
"!tB";n − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
b{rmxtx 图4.创建Guide材料
_D9=-^ 3(:mRb} 5) 重复步骤3）和4），创建第二种电解质材料：
+ LwoBn>6 − Name : Cladding
YiTp-@$} − Refractive Index (Re) : 3.27
_iu |*h1y − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
WGmCQE[/c 图5.左图为创建Cladding材料，右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 vt
N5{C
qM0MSwvC= 6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1，进入通道编辑窗口，构建通道：
yLx.*I^6 − Name ： Guide_Channel
d eoM~r9s − 2D profile definition: Guide
1Q5<6*QL" − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口，关闭Profile Designer窗口
zmFFBf"< 图6.构建通道
k%g xY% 0 2. 定义布局设定 O[y`'z;C 为了定义布局设定，需要在“初始性能对话框（Initial Properties）”窗口进行以下操作：
j,xPN=+hT 1) 点击“默认波导（Default Waveguide）”标签
9pcf j x.. − Width：2.8
".%LBs~$ 注意：所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度
=]a@ )6y − Profile：Channel-Guide
fn OkH =!^ iiHF 
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
3 ms/v:\ 2) 切换到“晶圆尺寸（Wafer Dimension）”标签：
LrMFzd}_O − Length：5300− Width：60
$:[BB ,$ 
R3n&o%$* 图8.设置晶圆尺寸
4C%>/*%8> 3) 切换到“2D晶圆属性（2D Wafer Properties）”标签：− Material：Cladding
k~f+L O − 点击OK以激活布局窗口
#sU~fq 
图9.晶圆材料设置
S I7B6c 4) 布局窗口
:XSc#H4 
es[5B* 5 图10.默认情况下布局窗口显示
zD^f%p ["# 5) 调整显示比率，以便更好进行波导
结构布局设置：− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口
N[bN"'U/1 − Display ratio : Z=40,点击OK，如图11所示− 调整缩放比率为0.6 ，最终布局显示如图12所示
dyzw J70K 
OLNn3
J 图11.调整Z方向和X方向的显示比率
/K) b0 QX 
<IyLLQ+v 图12.最终布局显示
^-GX&ODa 3. 创建一个MMI耦合器 为了构建一个MMI耦合器，需要进入如下操作：
Qz+d[%Q}x 1) 在“绘图（Draw）”菜单下选择“线性波导（Linear Waveguide）”或者在波导栏 下选择线性波导2) 当鼠标指针变为十字叉时，点击布局窗口左侧，并向右侧拖拽波导后松开鼠标，以生成第一个线性波导
@>2 rz 
id+m [']+ 图13 .绘制第一个线性波动
df6Ν4L M/a/H=J =t$mbI
