主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模
干涉耦合器,主要步骤如下:
cv1L!Ce, • 定义MMI耦合器的
材料;
H:Le^WS • 定义布局设定;
c:T P7"vG • 创建一个MMI耦合器;
w!M ^p&T7 • 插入输入面;
C" WZsF^3 • 运行
模拟;
Yw
`VL)v(y • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。
n\Nl2u& m np(<Ap r 1. 定义MMI耦合器的材料 [X]o` 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作:
#1k,t 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“
T]`"
Xl8 图1.初始性能对话框
v_h{_b8 j=4>In?x 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)”
`6su_8Hno 图2.轮廓设计窗口
;wZ.p"T9^ mD3#$E!A1 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口
LPF?\mf ^4
`SrVMb( 图3.电介质材料创建窗口
WH*&MIjAr/ !vw0Y,F& 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料:
Nx'j+>bz>y − Name : Guide
iL<O|' be − Refractive Index (Re) : 3.3
zZ-*/THB@R − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
^lj>v}4fkW 图4.创建Guide材料
cB^lSmu5 ^`THV 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料:
*1Q?~ − Name : Cladding
jT',+ − Refractive Index (Re) : 3.27
va<pHSX&I@ − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
db|$7]!w 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 .+sIjd
$-73}[UA 4 6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道:
g;T`~
− Name : Guide_Channel
9"TPDU7" − 2D profile definition: Guide
}$jIvb,3? − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口
C.O-iBVe# 图6.构建通道
Vv]mME@ 2. 定义布局设定 _nUuiB> 为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作:
C4,W[L]4" 1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签
}dCnFZ{K3 − Width:2.8
PR0]:t)E 注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度
wvD|c%
− Profile:Channel-Guide
KV2X[1 XT)@)c7j 
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
%BJ V$tO 2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签:
=zdRoXBY[b − Length:5300− Width:60
#"l=Lv
L`6`NYR 图8.设置晶圆尺寸
3c)xNXq m 3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签:− Material:Cladding
lOZZ- − 点击OK以激活布局窗口
hI$an%Y( 
图9.晶圆材料设置
~<-i7uM 4) 布局窗口
oID,PB*9
3f0RMk$pH 图10.默认情况下布局窗口显示
3 }XS|Y 5) 调整显示比率,以便更好进行波导
结构布局设置:− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口
x\WKsc − Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示
'0+-Hit?
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ewcD{bt 图11.调整Z方向和X方向的显示比率
X(~NpL R
8l6R.l
图12.最终布局显示
<?+\\Z!7 3. 创建一个MMI耦合器 为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作:
8Pq|jK " 1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导
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Dcq^C LPY 图13 .绘制第一个线性波动
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