主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模
干涉耦合器,主要步骤如下:
-9H!j4]T? • 定义MMI耦合器的
材料;
xPfnyAo?%z • 定义布局设定;
?) ,xZ1" • 创建一个MMI耦合器;
F"m}mf • 插入输入面;
F;MT4*4 • 运行
模拟;
'a-5UTT • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。
t0asW5f <SC|A| 1. 定义MMI耦合器的材料 F'5d\ v 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作:
vY0V{u?J 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“
o.
V0iS] 图1.初始性能对话框
W
&0@&U E9Xk8w'+ 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)”
r;%zGF p 图2.轮廓设计窗口
B1d%# jzJ1+/9 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口
vq0M[Vy ^zWO[$n}tP 图3.电介质材料创建窗口
YAC zznN qs
c-e,rl 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料:
>h!.Gj − Name : Guide
#Rm=Em}d − Refractive Index (Re) : 3.3
'9p5UC − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
1[gjb(( 图4.创建Guide材料
TNFm7}= ^d5./M8Bd 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料:
5k%N<e`` − Name : Cladding
xZ @O"*{ − Refractive Index (Re) : 3.27
0p>:rU~ − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
SVs~, 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 B> "r -O
%`\3V
{2* 6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道:
<C.$Db&9 − Name : Guide_Channel
;DgX"Uzm − 2D profile definition: Guide
P!6 e − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口
ETWmeMN 图6.构建通道
dI0>m:RBz 2. 定义布局设定 dT@SO 为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作:
Zz)oMw 1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签
lRATrp#T − Width:2.8
norc!?L 注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度
Hj4w
i| − Profile:Channel-Guide
x{`<);CQ d$pf[DJQo 
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
_~S^#ut+ 2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签:
!qGx(D{\ − Length:5300− Width:60
W$MEbf%1
xc]C#q 图8.设置晶圆尺寸
#&2N,M!Q 3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签:− Material:Cladding
SSsQu^A − 点击OK以激活布局窗口
iJKm27 "> 
图9.晶圆材料设置
;pNbKf: 4) 布局窗口
f_P+qm
\,bFm,kC? 图10.默认情况下布局窗口显示
%:;[M|. 5) 调整显示比率,以便更好进行波导
结构布局设置:− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口
%K7EF_% − Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示
DdS3<3]A
O<d?'{ 图11.调整Z方向和X方向的显示比率
ZNC?Ntw
/
-qt} 图12.最终布局显示
gZ >orZL' 3. 创建一个MMI耦合器 为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作:
M>H^<N}'A 1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导
L"du"-
^s2-jkK 图13 .绘制第一个线性波动
D%Jc?6/I#3 U*fj5 =jv$ 1