主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模
干涉耦合器,主要步骤如下:
IE3GM^7\ • 定义MMI耦合器的
材料;
mFT[[Z# • 定义布局设定;
;yH/GN#O • 创建一个MMI耦合器;
DJeG • 插入输入面;
EPyFM_k • 运行
模拟;
wsM5TB • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。
Zf|f $1- z*:^*, 1. 定义MMI耦合器的材料 JIK;/1 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作:
SwQb" 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“
BH=vI<D 图1.初始性能对话框
hF6EOCY6D K{N#^L! 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)”
Y1+f(Q 图2.轮廓设计窗口
Q+S>nL!*#1 GeE|&popO 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口
oSxHTbp? fuQ?@F 图3.电介质材料创建窗口
#\w~(Nm- F`'e/ 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料:
vQztD_bX% − Name : Guide
JI(8{ f − Refractive Index (Re) : 3.3
zL1H[}[z+ − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
F`f#gpQ 图4.创建Guide材料
O0wD"V^W (G:$/fK 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料:
yt$V<8a − Name : Cladding
kpEES{f − Refractive Index (Re) : 3.27
Aj-}G^># − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
X=-pNwO 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 ]kR 93
+,If|5>( 6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道:
'H:lR1(, − Name : Guide_Channel
Z?X
^7< − 2D profile definition: Guide
pS9CtQqvgy − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口
B2VUH..am 图6.构建通道
xj(&EGY: 2. 定义布局设定 A-uEZj_RD= 为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作:
W&)OiZN 1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签
TR|G4l? − Width:2.8
sy4$!,W: 注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度
6dV92: − Profile:Channel-Guide
qd"*Td PoQ@9
A 
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
Bm1yBKjO 2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签:
KD=T04v − Length:5300− Width:60
s+9q:
x-Yt@}6mvl 图8.设置晶圆尺寸
Jt@7y"< 3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签:− Material:Cladding
Rax}r − 点击OK以激活布局窗口
WnU"&XZ 
图9.晶圆材料设置
(:-=XR9A` 4) 布局窗口
n~k;9`
-&y{8<bu4H 图10.默认情况下布局窗口显示
{^5r5GB=* 5) 调整显示比率,以便更好进行波导
结构布局设置:− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口
5Tkh6 s − Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示
4,
8gf2
q#F;GD 图11.调整Z方向和X方向的显示比率
_"Y;E
O]90F 图12.最终布局显示
UPA))Iv> 3. 创建一个MMI耦合器 为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作:
Y<I/y 1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导
E XEae?
c"v#d9 图13 .绘制第一个线性波动
'
w!o!_T6 ZoF\1C ^ P.=&:ay7?