主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模
干涉耦合器，主要步骤如下：
b?VV'{4 • 定义MMI耦合器的
材料；
`_qK&&s • 定义布局设定；
,=P Kd& • 创建一个MMI耦合器；
}Dfwm)]Q • 插入输入面；
r>n"
51* • 运行
模拟；
erFv(eaDK • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。
$G !R,eQ 1ThqqB 1. 定义MMI耦合器的材料 Y83GKh,* 为了定义MMI耦合器的材料，需要进行如下操作：
q=5l4| 1 1) 通过File-New打开“初始性能对话框（Initial Properties）“
Mi 0sC24b| 图1.初始性能对话框
>k(MU mhX zx%X~U 2) 点击图1中的“轮廓和材料（Profiles And Materials）”以激活“轮廓设计窗口（Profile Designer）”
X 0$@Ik
图2.轮廓设计窗口
= r4!V> 7@;">`zvm 3) 右键单击图2中材料（Materials）标签下的“电介质（Dielectric）“，选择New以激活电介质材料创建窗口
: 1 aL
? 7"2b H 图3.电介质材料创建窗口
^& [+H8$ =/9^,
6Q( 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料：
_8fA?q= − Name : Guide
" ;NRzY − Refractive Index (Re) : 3.3
\8v91g91f − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
E^V | 图4.创建Guide材料
-Zc![cAlO Op}ZB: 5) 重复步骤3）和4），创建第二种电解质材料：
!xK=#pa − Name : Cladding
PuCc2'# − Refractive Index (Re) : 3.27
m&Y i!7@( − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
x]4Kkpqm 图5.左图为创建Cladding材料，右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 }iiHr|l3
k*Nr!Z!} 6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1，进入通道编辑窗口，构建通道：
{{{#?~3$7 − Name ： Guide_Channel
iEHh{ H( − 2D profile definition: Guide
e XV @. − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口，关闭Profile Designer窗口
nHst/5dA 图6.构建通道
WZewPn>#q 2. 定义布局设定 B!S 167Op 为了定义布局设定，需要在“初始性能对话框（Initial Properties）”窗口进行以下操作：
\~DM 1) 点击“默认波导（Default Waveguide）”标签
\
v2H^j/ − Width：2.8
F fFak@H 注意：所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度
2}WDw>V − Profile：Channel-Guide
pbBoy+.> $P {K2"Oc 
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
T0QvnIaP 2) 切换到“晶圆尺寸（Wafer Dimension）”标签：
*b|NjwmB − Length：5300− Width：60
~)X[(T{ 
?ny = 图8.设置晶圆尺寸
4g` jd 3) 切换到“2D晶圆属性（2D Wafer Properties）”标签：− Material：Cladding
I9
64 − 点击OK以激活布局窗口
!] koSw} 
图9.晶圆材料设置
+]wuJSxc 4) 布局窗口
X_ TiqV 
N$I03m 图10.默认情况下布局窗口显示
k4\UK#ODe 5) 调整显示比率，以便更好进行波导
结构布局设置：− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口
L ^J- ("e_ − Display ratio : Z=40,点击OK，如图11所示− 调整缩放比率为0.6 ，最终布局显示如图12所示
6(V
/yn ~ 
S]>wc
yy=n 图11.调整Z方向和X方向的显示比率
J7$_VP 
4 [2_,9} 图12.最终布局显示
X@wm1{! 3. 创建一个MMI耦合器 为了构建一个MMI耦合器，需要进入如下操作：
b{Zpux+ 1) 在“绘图（Draw）”菜单下选择“线性波导（Linear Waveguide）”或者在波导栏 下选择线性波导2) 当鼠标指针变为十字叉时，点击布局窗口左侧，并向右侧拖拽波导后松开鼠标，以生成第一个线性波导
2& LQg=O 
][@F 图13 .绘制第一个线性波动
6ghx3_%w MZ4c{@Tg DtxE@,
