主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模
干涉耦合器，主要步骤如下：
Uut,cQ". d • 定义MMI耦合器的
材料；
f+ I*aBQ • 定义布局设定；
$AsM 9D<BE • 创建一个MMI耦合器；
ZklidHL'); • 插入输入面；
C 7+TnJ • 运行
模拟；
' {:( 4>& • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。
)-jvp8%BK >Q5 SJZ/ 1. 定义MMI耦合器的材料 ^@[[,1"K 为了定义MMI耦合器的材料，需要进行如下操作：
- h.Y QC` 1) 通过File-New打开“初始性能对话框（Initial Properties）“
aL=VNZ!Pqc 图1.初始性能对话框
Y
=` 3L eyAg\uui h 2) 点击图1中的“轮廓和材料（Profiles And Materials）”以激活“轮廓设计窗口（Profile Designer）”
/
m?Z! 图2.轮廓设计窗口
y/i"o-}}~| mup3ua]! 3) 右键单击图2中材料（Materials）标签下的“电介质（Dielectric）“，选择New以激活电介质材料创建窗口
~s 5Sk#.z5 7d4R tdI 图3.电介质材料创建窗口
"lmiGR* u ,vN#U& RS 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料：
j 6v +S − Name : Guide
YKM(qh2 − Refractive Index (Re) : 3.3
1^Caz- − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
P_ ZguNH 图4.创建Guide材料
:'!?dszS 9Hc#[Ml 5) 重复步骤3）和4），创建第二种电解质材料：
9L&AbmIr − Name : Cladding
m
CdkYN# − Refractive Index (Re) : 3.27
}%XNB1/` − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
t"BpaA^gO 图5.左图为创建Cladding材料，右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 =lDmP |^
5 !NPqka}. 6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1，进入通道编辑窗口，构建通道：
+ubO-A? − Name ： Guide_Channel
3G>E>yJ − 2D profile definition: Guide
T+.wJ W:jh − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口，关闭Profile Designer窗口
T Z>z5YTv 图6.构建通道
uox;PD K 2. 定义布局设定
"= UP&= 为了定义布局设定，需要在“初始性能对话框（Initial Properties）”窗口进行以下操作：
UNhD 1) 点击“默认波导（Default Waveguide）”标签
k2;8~LqF − Width：2.8
Viw{<VH= 注意：所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度
bpU^|r^W − Profile：Channel-Guide
Jp,ohVRN q igo7F@_, 
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
I}8F3_b,# 2) 切换到“晶圆尺寸（Wafer Dimension）”标签：
hnY^Z_v! − Length：5300− Width：60
Y*AHwc<w` 
A!^,QRkRN 图8.设置晶圆尺寸
5?I]\Tb 3) 切换到“2D晶圆属性（2D Wafer Properties）”标签：− Material：Cladding
8?)Da&+f − 点击OK以激活布局窗口
` 8 6b 
图9.晶圆材料设置
Fvv6<E 4) 布局窗口
|ow hF 
j<gnh 图10.默认情况下布局窗口显示
i2!{. *. 5) 调整显示比率，以便更好进行波导
结构布局设置：− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口
K8RloDjk_A − Display ratio : Z=40,点击OK，如图11所示− 调整缩放比率为0.6 ，最终布局显示如图12所示
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C <7J5 图11.调整Z方向和X方向的显示比率
B}!n6 j` 
gM= ~dBz 图12.最终布局显示
'"KK|] vJ 3. 创建一个MMI耦合器 为了构建一个MMI耦合器，需要进入如下操作：
WW_X:N~~e\ 1) 在“绘图（Draw）”菜单下选择“线性波导（Linear Waveguide）”或者在波导栏 下选择线性波导2) 当鼠标指针变为十字叉时，点击布局窗口左侧，并向右侧拖拽波导后松开鼠标，以生成第一个线性波导
~_oTEXT^O 
S_WY 91r 图13 .绘制第一个线性波动
