主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模
干涉耦合器，主要步骤如下：
NE"fyX` • 定义MMI耦合器的
材料；
B[50{;X • 定义布局设定；
"
z {w^k • 创建一个MMI耦合器；
="K>yUfcFl • 插入输入面；
{Wo7=aR • 运行
模拟；
r g.if"o • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。
P #PQ4uK \ L;`t%1 1. 定义MMI耦合器的材料 cw{[B%vw 为了定义MMI耦合器的材料，需要进行如下操作：
{ VO4""m 1) 通过File-New打开“初始性能对话框（Initial Properties）“
9f`Pi:*+/ 图1.初始性能对话框
nrBitu, ?C3cPt" 2) 点击图1中的“轮廓和材料（Profiles And Materials）”以激活“轮廓设计窗口（Profile Designer）”
3s2M$3r)6 图2.轮廓设计窗口
5;Xrf= =oJiNM5_u 3) 右键单击图2中材料（Materials）标签下的“电介质（Dielectric）“，选择New以激活电介质材料创建窗口
4uA^/]ygo
jfamuu 7 图3.电介质材料创建窗口
L4b4X Gy%e%' 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料：
%\0 Y1!Hw − Name : Guide
) / 's&
D − Refractive Index (Re) : 3.3
(P-<9y@ − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
P_U-R%f 图4.创建Guide材料
f'dI"o&^/d 6Y^o8 R 5) 重复步骤3）和4），创建第二种电解质材料：
5>Q)8` @E − Name : Cladding
X $f%Ss − Refractive Index (Re) : 3.27
iX F aQ − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
E12k1gC` 图5.左图为创建Cladding材料，右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 T^_9R;
ZI7<E 6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1，进入通道编辑窗口，构建通道：
HJm O + − Name ： Guide_Channel
0J~4
− 2D profile definition: Guide
-}@9 lhS, − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口，关闭Profile Designer窗口
Df (6DuW 图6.构建通道
Rd)QVEk>SD 2. 定义布局设定 " T|\ 为了定义布局设定，需要在“初始性能对话框（Initial Properties）”窗口进行以下操作：
"L]_NS T 1) 点击“默认波导（Default Waveguide）”标签
S J5kA` − Width：2.8
S6]': 注意：所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度
{Y Ymt!Ic − Profile：Channel-Guide
8*wI^ *Q %:*HzY f 
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
q@:&^CS 2) 切换到“晶圆尺寸（Wafer Dimension）”标签：
Bh?;\D'YC − Length：5300− Width：60
K@m^QioMj 
XJ;/ kR 图8.设置晶圆尺寸
Lg1Usy% 3) 切换到“2D晶圆属性（2D Wafer Properties）”标签：− Material：Cladding
a0R]hENC − 点击OK以激活布局窗口
;/@R{G{+~; 
图9.晶圆材料设置
!_@%/I6 4) 布局窗口
/!h W6u5 
}wV rmDh \ 图10.默认情况下布局窗口显示
-M jRFa 5) 调整显示比率，以便更好进行波导
结构布局设置：− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口
ArY'NE\Htt − Display ratio : Z=40,点击OK，如图11所示− 调整缩放比率为0.6 ，最终布局显示如图12所示
%[J( ,rm 
,v"A}g0" 图11.调整Z方向和X方向的显示比率
Ty=}A MMyE 
S4w/
kml3 图12.最终布局显示
DI_mF#5q 3. 创建一个MMI耦合器 为了构建一个MMI耦合器，需要进入如下操作：
&+v&Dd& 1) 在“绘图（Draw）”菜单下选择“线性波导（Linear Waveguide）”或者在波导栏 下选择线性波导2) 当鼠标指针变为十字叉时，点击布局窗口左侧，并向右侧拖拽波导后松开鼠标，以生成第一个线性波导
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C1=[\c~jw 图13 .绘制第一个线性波动
&kG<LGXP# z?PF9QL1 om1 / 9
