主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模
干涉耦合器,主要步骤如下:
[ imC21U • 定义MMI耦合器的
材料;
~dIb>[7wy • 定义布局设定;
:Rs% (Z • 创建一个MMI耦合器;
I<w`+<o( • 插入输入面;
gc'C"(TO( • 运行
模拟;
&M)S~Hb^ • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。
A2`QlhZ x04JU$@ 1. 定义MMI耦合器的材料 5-277? 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作:
,_66U;T 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“
:'OCQ.[{s 图1.初始性能对话框
[;c'o5M& I5"ew=x# 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)”
)P^5L<q>| 图2.轮廓设计窗口
W#<&(s4 WC!b B 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口
E)Z$7;N0x 5XNIX)H 图3.电介质材料创建窗口
LhZWK^!{S &`a$n2ycy 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料:
SL;\S74 − Name : Guide
:x*8*@kC
− Refractive Index (Re) : 3.3
{&Kq/sRz − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
~Od4(
}/G 图4.创建Guide材料
)Oq N\ 4#5w^ 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料:
mT.p-C − Name : Cladding
Fj9/@pe1 − Refractive Index (Re) : 3.27
fhu-YYJt − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
&bx;GG\<4 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 >G2o
G"jKYW 6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道:
28[dTsd% − Name : Guide_Channel
]JX0:'x^ − 2D profile definition: Guide
?Z @FxW − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口
c7j^OP 图6.构建通道
QdKxuG 2. 定义布局设定 9.|+KIRb 为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作:
3G9YpA_}X 1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签
fGiN`j}j − Width:2.8
O)MKEMuA 注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度
\?[#>L4 − Profile:Channel-Guide
_=Y]ZX`j ^4Ra$< 
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
:GC<U|p 2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签:
8T'=lTJ − Length:5300− Width:60
,ZcW+!
W[o~AbU 图8.设置晶圆尺寸
?JTy+V2t 3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签:− Material:Cladding
9&}`.Py − 点击OK以激活布局窗口
T0W B 
图9.晶圆材料设置
4Vj|k\vE4 4) 布局窗口
l=5(5\
w:Fi
2aJ 图10.默认情况下布局窗口显示
ze
Qgg|; 5) 调整显示比率,以便更好进行波导
结构布局设置:− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口
c/ wzV − Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示
]GYO`,
v*5n$UFV 图11.调整Z方向和X方向的显示比率
-6MgC9]
o#{D;' 图12.最终布局显示
Wy%q9x]} 3. 创建一个MMI耦合器 为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作:
vy#n7hdCc 1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导
e*uaxh+7
\)VV6'zih 图13 .绘制第一个线性波动
CG IcuHp DO(-)izC 3%m2$\