主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模
干涉耦合器,主要步骤如下:
B;2os ^* • 定义MMI耦合器的
材料;
k^S=i_ U • 定义布局设定;
ujmO'blO • 创建一个MMI耦合器;
N'i%9SBcg • 插入输入面;
M@E*_U!U • 运行
模拟;
2jOh~-LU • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。
I|n<B"Q6^ GFYAg 1. 定义MMI耦合器的材料 75jq+O_: 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作:
/al(=zf 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“
7^ITedW@ 图1.初始性能对话框
>ys>Q) pD eqBO 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)”
`QnKal ) 图2.轮廓设计窗口
@vCPX=c U_wn/wcLS 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口
imZi7o m5v9:5{ 图3.电介质材料创建窗口
ltO:./6v UMma|9l(i 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料:
-*_D! − Name : Guide
SirjWYap − Refractive Index (Re) : 3.3
0gL]^_+7 − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
(I IPrW;> 图4.创建Guide材料
mawomna \rF6"24t6 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料:
<_dyUiT$J − Name : Cladding
4askQV &hj − Refractive Index (Re) : 3.27
\A6MVMF8 − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
5IOOV Yl 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 SsIy ;l
+%OINMo.A 6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道:
lF2im5nZ? − Name : Guide_Channel
|h\e(_G\ − 2D profile definition: Guide
+?w 7Nm` − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口
V}. uF,>V 图6.构建通道
o8-BTq8 2. 定义布局设定 r/$+'~apTk 为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作:
9TIyY`2! 1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签
6iVjAxR − Width:2.8
J}c57$Z 注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度
!hrXud=#" − Profile:Channel-Guide
&=Gz[1
L WS/^WxRY 
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
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2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签:
o]t6u .L − Length:5300− Width:60
Kfa7}f_
g{.>nE^Sc5 图8.设置晶圆尺寸
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@{rkp 3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签:− Material:Cladding
6}='/d-[ − 点击OK以激活布局窗口
[^EU'lewnW 
图9.晶圆材料设置
:3^b>(W. 4) 布局窗口
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Z>
;5:g%Dt 图10.默认情况下布局窗口显示
EgOAEv 5) 调整显示比率,以便更好进行波导
结构布局设置:− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口
b'Pq[ ) − Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示
|5_bFB+&
|s-q+q{| 图11.调整Z方向和X方向的显示比率
O$k;p<?M
,d(F|5M: 图12.最终布局显示
veFl0ILd 3. 创建一个MMI耦合器 为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作:
C)~YWx@v 1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导
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5cO}Jp%PA 图13 .绘制第一个线性波动
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