主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模
干涉耦合器，主要步骤如下：
<=D\Ckmb • 定义MMI耦合器的
材料；
E26 zw9d • 定义布局设定；
H 40~i =. • 创建一个MMI耦合器；
)\bA'LuFy • 插入输入面；
#]iSh(|8 • 运行
模拟；
?J <V-,i • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。
YjTRz.e{[7 )e$}sw{t 1. 定义MMI耦合器的材料 FG^ Jh5 为了定义MMI耦合器的材料，需要进行如下操作：
YQ&W w|xe 1) 通过File-New打开“初始性能对话框（Initial Properties）“
Vg 6/ 1 I 图1.初始性能对话框
\Tc<27 - u]W$' MyY 2) 点击图1中的“轮廓和材料（Profiles And Materials）”以激活“轮廓设计窗口（Profile Designer）”
Eu4-=2!4 图2.轮廓设计窗口
Lad8 C xb2 xl.2x! 3) 右键单击图2中材料（Materials）标签下的“电介质（Dielectric）“，选择New以激活电介质材料创建窗口
{!lC$ SlJ ,co~@a@9 图3.电介质材料创建窗口
UC!?. pQGlg[i2/ 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料：
zT\nj&7 − Name : Guide
}, < dGmkx − Refractive Index (Re) : 3.3
fL #e4 − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
5d7AE^SHsH 图4.创建Guide材料
7wivu*0 ^ucmScl 5) 重复步骤3）和4），创建第二种电解质材料：
|4J ;s7us − Name : Cladding
Z#O )0ou − Refractive Index (Re) : 3.27
H+ P&}
3 − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
8QYP\7}o 图5.左图为创建Cladding材料，右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 m44"qp
&%@b;)]J 6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1，进入通道编辑窗口，构建通道：
^/0c`JG!x − Name ： Guide_Channel
4@iMGYR9!s − 2D profile definition: Guide
4O TuX! − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口，关闭Profile Designer窗口
<6
HrHw_ 图6.构建通道
D#=$? {w 2. 定义布局设定 9; \a|8O 为了定义布局设定，需要在“初始性能对话框（Initial Properties）”窗口进行以下操作：
DLigpid 1) 点击“默认波导（Default Waveguide）”标签
H2ZRUFu − Width：2.8
| XDbf3^6 注意：所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度
Bb,l.w − Profile：Channel-Guide
7s2 l 3 <}\!FuC 
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
6a w1 2) 切换到“晶圆尺寸（Wafer Dimension）”标签：
FZt a − Length：5300− Width：60
w$XqxI/& 
-`I&hzl6E 图8.设置晶圆尺寸
o9<)rUy 3) 切换到“2D晶圆属性（2D Wafer Properties）”标签：− Material：Cladding
_~l*p"PL< − 点击OK以激活布局窗口
5 f~49(v] 
图9.晶圆材料设置
MO_-7,.y 4) 布局窗口
c#ahFpsnlw 
'n>v}__&| 图10.默认情况下布局窗口显示
,ln=kj 5) 调整显示比率，以便更好进行波导
结构布局设置：− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口
c'wxCqnE
− Display ratio : Z=40,点击OK，如图11所示− 调整缩放比率为0.6 ，最终布局显示如图12所示
8|z@"b l) 
TFQ X} kr] 图11.调整Z方向和X方向的显示比率
\>DMN # 
^&!S nM 图12.最终布局显示
K P1;u #v 3. 创建一个MMI耦合器 为了构建一个MMI耦合器，需要进入如下操作：
L@|xpq 1) 在“绘图（Draw）”菜单下选择“线性波导（Linear Waveguide）”或者在波导栏 下选择线性波导2) 当鼠标指针变为十字叉时，点击布局窗口左侧，并向右侧拖拽波导后松开鼠标，以生成第一个线性波导
e5}KzFZmZ 
>
[%ITqA$ 图13 .绘制第一个线性波动
0SHF 8kek 8]`LRzM 33M10
1X{6
