主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模
干涉耦合器,主要步骤如下:
CyLwCS{V\ • 定义MMI耦合器的
材料;
s<"|'~<n • 定义布局设定;
7b08Lo7b • 创建一个MMI耦合器;
7w2$?k',- • 插入输入面;
R~iv%+ • 运行
模拟;
9,~7,Py } • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。
mWYrUI M.,DXEZT 1. 定义MMI耦合器的材料 Wcc4/:`Hu 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作:
:QP1! 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“
.]h/M,xg 图1.初始性能对话框
,v mn{gz WPsfl8@D 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)”
Pb;c:HeI/ 图2.轮廓设计窗口
6QA`u* MvZa;B 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口
"~r)_Ko @*<0:Q|m 图3.电介质材料创建窗口
*]HnFP aL[6}U0 (} 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料:
?Xvy0/s5 − Name : Guide
>i*,6Psl[Z − Refractive Index (Re) : 3.3
wdP(MkaV − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
N,K/Ya)1 图4.创建Guide材料
!@ ]IJ"\ "G%</G8M 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料:
66F?exr − Name : Cladding
M 5w/TN − Refractive Index (Re) : 3.27
E \DA3lq − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
l3p :}A 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 3e'6A ^#
ws9IO ?|&G 6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道:
SWx: -< − Name : Guide_Channel
d2Q*1Q@u − 2D profile definition: Guide
q 0F6MAXj − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口
JqMF9|{H 图6.构建通道
.e0)@}Jv8> 2. 定义布局设定 Wgh@X B 为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作:
5\z<xpJ 1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签
uU3A,-{- − Width:2.8
9o5D3
d
K 注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度
MuOKauYa − Profile:Channel-Guide
+Mijio F<b'{qf" 
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
z
mip 2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签:
v
=y
2 − Length:5300− Width:60
YyxU/UnhG
cg3}33Z;6 图8.设置晶圆尺寸
l[:Aq&[o3 3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签:− Material:Cladding
$4xSI"+M% − 点击OK以激活布局窗口
Bz_'>6w 
图9.晶圆材料设置
t}_ #N'` 4) 布局窗口
v5'`iO0o
seEo)m`d 图10.默认情况下布局窗口显示
) %Fwfb 5) 调整显示比率,以便更好进行波导
结构布局设置:− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口
7xeqs
q − Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示
;_"|#
1X5g(B
图11.调整Z方向和X方向的显示比率
VSY p
mF\!~ag| 图12.最终布局显示
1V1I[CxlX 3. 创建一个MMI耦合器 为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作:
Cty#|6k 1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导
Tp;W4]'a*:
[-$
Do 图13 .绘制第一个线性波动
D`WRy}o <r:AJ; *"w hup[