主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模
干涉耦合器,主要步骤如下:
g#NUo/ • 定义MMI耦合器的
材料;
2?&ptN)`N • 定义布局设定;
8`<GplO • 创建一个MMI耦合器;
lsf?R'1 • 插入输入面;
Z k_&Kw| • 运行
模拟;
a2n#T,kq& • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。
AX?6Q4Gq1 zh#uwT1u 1. 定义MMI耦合器的材料 =-Tetp 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作:
I>|?B(F 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“
81C?U5 图1.初始性能对话框
]P5u:~U <Z_`^~! 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)”
4\iQ%fb 图2.轮廓设计窗口
o^J&c_U\3' kv2:rmv 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口
o$;x[US ".=EAXVU 图3.电介质材料创建窗口
<ZEll[0L 1NJ|%+I 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料:
%&NK|M+n − Name : Guide
6UTdy1Qq> − Refractive Index (Re) : 3.3
vN+!l3O − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
%UhF=C 图4.创建Guide材料
tc Z~T n_Dhq (. 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料:
B(U`Zd − Name : Cladding
6= D;K.! − Refractive Index (Re) : 3.27
A5\S0l$Q − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
?U[AE -* 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 X+jSB,
'-_PO|} 6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道:
-0Ek&"=Z^ − Name : Guide_Channel
stScz#! − 2D profile definition: Guide
BGS6uV4^> − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口
.Dz /MSl 图6.构建通道
I_Qnq4Sk( 2. 定义布局设定 x~.U,,1 为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作:
8V=o%[t 1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签
N:.bnF( − Width:2.8
h
!1c(UR 注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度
7BnP,Nd"W − Profile:Channel-Guide
N4pA3~P h9mR+ng*oD 
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
AseY.0 2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签:
cE[lB08 − Length:5300− Width:60
5;*C0m2%i
"lt[)3* 图8.设置晶圆尺寸
r` @Dgo} 3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签:− Material:Cladding
Z^'; xn − 点击OK以激活布局窗口
9"e!0Q4 0 
图9.晶圆材料设置
`y(3:##p 4) 布局窗口
Yv)/DsSyL
eAj}/2y" 图10.默认情况下布局窗口显示
YL+W4ld 5) 调整显示比率,以便更好进行波导
结构布局设置:− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口
AKVmUS;70 − Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示
'n=D$j]X
'1+ Bgf 图11.调整Z方向和X方向的显示比率
pI4<`
K
9azPUf)
C 图12.最终布局显示
0NGokaD)H 3. 创建一个MMI耦合器 为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作:
l)Hu.1~ 1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导
*MNY1+RJ
R!=XMV3$PH 图13 .绘制第一个线性波动
TBzM~y ,yoT3_%P /[p4. FL