主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模
干涉耦合器,主要步骤如下:
h{_*oBa • 定义MMI耦合器的
材料;
-^SA8y • 定义布局设定;
:2y"3azxk • 创建一个MMI耦合器;
v}[dnG • 插入输入面;
6+`tn • 运行
模拟;
XUmR{A • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。
d,9`<1{9 _0(7GE13p 1. 定义MMI耦合器的材料 GwLFL.Ke 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作:
=SBBvnPLI 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“
GEe`ZhG,
图1.初始性能对话框
VKW|kU7Cs$ hfrnxeM#~ 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)”
o6L9UdT 图2.轮廓设计窗口
zp4W'8
L
CSeOR 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口
(OmH~lSO. YZE.@Rz 图3.电介质材料创建窗口
rU2iy"L nE|@IGH 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料:
J|~26lG − Name : Guide
Cifd21v4 − Refractive Index (Re) : 3.3
?c#$dc" − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
z`U Ukl}T 图4.创建Guide材料
Qe$k3! Q@QFV~ 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料:
N1x@-/xa| − Name : Cladding
lMifpK − Refractive Index (Re) : 3.27
Q+$Tt7/ − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
<@uOCRbV 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 ]%dnKP~
cQUC.TZ_ 6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道:
0q6I;$H − Name : Guide_Channel
cAuY4RV − 2D profile definition: Guide
x\@*60o − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口
)qU7`0'8 图6.构建通道
MI#mAg< 2. 定义布局设定 vqNsZ 8|` 为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作:
Y+-xvx
: 1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签
E4[}lX} − Width:2.8
R;}22s 注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度
!<n"6KA. − Profile:Channel-Guide
q4k@l ,/,9j{|"j 
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
buMqF-j 2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签:
_GoVx=t
− Length:5300− Width:60
7;}l\VXHm
9NpD!A&64< 图8.设置晶圆尺寸
#AViM_u 3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签:− Material:Cladding
Tpr tE.mP − 点击OK以激活布局窗口
lmCZ8 j(FF 
图9.晶圆材料设置
XcfKx@l 4) 布局窗口
b=[?b+
@QEqB_W 图10.默认情况下布局窗口显示
2+"r~#K* 5) 调整显示比率,以便更好进行波导
结构布局设置:− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口
Mi7y&~, − Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示
3f76kl(&
f [o%hCS 图11.调整Z方向和X方向的显示比率
)Y]/^1hx
/VTM 9)u 图12.最终布局显示
2>PH8 3. 创建一个MMI耦合器 为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作:
k#JQxLy# 1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导
m"/g7w4N
%y`7);.q 图13 .绘制第一个线性波动
nCxAQ|P? ;N=G=X|} ,L YFEq_