主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模
干涉耦合器,主要步骤如下:
8pMZ~W; • 定义MMI耦合器的
材料;
<` j[;>O • 定义布局设定;
dIa(</ } • 创建一个MMI耦合器;
|4> r" • 插入输入面;
w+q;dc8 • 运行
模拟;
m2q;^o:J • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。
*r,&@UB 6Y_O^f 1. 定义MMI耦合器的材料 *8X9lv.Z 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作:
,x"yZ 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“
dF11Rj,~ 8 图1.初始性能对话框
#C;zS9(]B p/WH#4Xdr 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)”
LF)a"Sh 图2.轮廓设计窗口
@W\4UX3dK + }XL>=-5 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口
{&}/p-S '=,rb 图3.电介质材料创建窗口
Z++Z@J " Ik-E4pxKo 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料:
fZV8o$V − Name : Guide
r;on0wm&B − Refractive Index (Re) : 3.3
R!k<l<9q − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
!E{GcK 图4.创建Guide材料
!P60[*> g3~~"`2 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料:
akvwApn5 − Name : Cladding
9p\Hx#^ − Refractive Index (Re) : 3.27
;Ma/b= Y − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
Pm#x?1rAj 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 y }&4HrT&
$dZ>bXUw: 6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道:
2^^'t 6@ − Name : Guide_Channel
j`|^s}8t − 2D profile definition: Guide
q?Ku}eID3 − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口
2Z;`#{ 图6.构建通道
*0&4mi8 2. 定义布局设定 BsK|:MM] 为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作:
;Up'~BP( 1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签
9!xD~(Kr − Width:2.8
H#|Z8^ *Ds 注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度
uH
ny ] − Profile:Channel-Guide
I`"-$99|t1 Ku0H?qft( 
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
3Zaq#uA 2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签:
>FY&-4+v − Length:5300− Width:60
i{|lsd(+
~N{_N95!2@ 图8.设置晶圆尺寸
dE5 5 3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签:− Material:Cladding
$h,&b<- − 点击OK以激活布局窗口
*dG}R#9Nv 
图9.晶圆材料设置
u 5Eo 4) 布局窗口
cZaF
f?]k
+U+aWk 图10.默认情况下布局窗口显示
LZUA+ x( 5) 调整显示比率,以便更好进行波导
结构布局设置:− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口
y|e2j&m − Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示
k(-Z@
Z{a{H X[Jx 图11.调整Z方向和X方向的显示比率
c_qcb7<~.
6^]`-4*W 图12.最终布局显示
192 .W+H< 3. 创建一个MMI耦合器 为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作:
nIV.9#~& 1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导
!@^y)v
%\X P: 图13 .绘制第一个线性波动
y$j1?7 W$ JY M3! S_T{L