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光栅结构广泛应用于各种光学应用场景,如光谱仪、近眼显示系统、脉冲整形等。快速物理光学软件VirtualLab Fusion通过使用傅里叶模态方法(FMM,也称为RCWA),为任意光栅结构的严格分析提供了通用和方便的工具。为此,复杂的一维或二维周期结构可以使用界面和调制介质进行配置,这允许任何类型的光栅形貌进行自由的配置。在此用例中,详细讨论了衍射级次的偏振态的研究。 f;a55%3c :>m67Zq
}m.45n/ jtQ} 任务说明 qbD[<T ]9$^=z%SE bG!/%,s .]K{8[:hq 简要介绍衍射效率与偏振理论 !TPKD 某个衍射级次(𝑛)的效率表示有多少的辐射功率被衍射到这个特定的级次中。它是由复数值瑞利系数计算出来的,瑞利系数包含了每个衍射级次(矢量)电磁场的全部信息。瑞利系数本身是由FMM对光栅的特征值问题进行严格分析的结果。 1c*XmMB 如果在TE/TM坐标系(CS)中给出瑞利系数,则可以计算衍射效率: L<ET"&b;4 ze#r/j;sw 其中,n_in/n_out为覆盖层和衬底层的折射率,ϑ_in/ϑ_out为所分析的阶次的入射角和衍射角。此外,𝐴表示辐射光的振幅。 7toDk$jJRg 如果瑞利系数沿𝑥、𝑦和𝑧给出瑞利系数,则必须应用以下方程: 7) Qq ,^&amWey 因此,必须考虑所给出的瑞利系数的坐标系。默认情况下,光栅坐标系中为 。 C5EaP%s l
!:kwF 光栅结构参数 (cm8x 研究了一种矩形光栅结构。 h~u|v[@{J 为了简化设置,选择光栅配置,只允许零阶(R_0)反射传播。 +;N;r/d_i 根据上述参数选择以下光栅参数: <4%vl+qW 光栅周期:250 nm CjUYwAy$k 填充因子:0.5 Isg\ fSK<j 光栅高度:200 nm Ew*SA 材料n_1:熔融石英(来自目录) gE~LPwM 材料n_2:二氧化钛(来自目录) kuW^_BROJ j4}Q tk!5"`9N S0!w]Ku 偏振态分析 4>(rskl_ 现在,用TE偏振光照射光栅,并应用圆锥入射角(𝜑)变量。 "g&hsp+i"A 如前所述,瑞利系数的平方振幅将提供关于特定级次的偏振态的信息。 #7p!xf^ 为了接收瑞利系数作为检测器的结果,需要选择光栅级次分析器件中的单个级次输出,并选择所需的系数。 #,Cz+k*4 s-JS[ :HkXsZ O*ER3 模拟光栅的偏振态 -Rbv#Y Gm-V/[29R
EM,=R 5N:IH@ 瑞利系数现在提供了偏振态的信息: 1}3tpO; 在圆锥入射角为0(𝜑=0)时, 。这说明衍射光是完全偏振的。 KLgg([ 对于𝜑=22°, 。此时,67%的光是TM偏振的。 YZ^mH < 对于𝜑>50°,系数接近为常数,因此偏振态也是常数。 nG0R1< kxt/I<cs Passilly等人更深入的光栅案例。 0n*D](/NK Passilly等人的工作研究并优化了亚波长光栅下衍射光谱的偏振态,以获得不同状态之间的高度转换。 PUErvLt 因此,他们将模拟结果与制作样品的测量数据进行了比较。 'C)
v?!19 zQaD&2 q
R$i-%3 t:*1*; 光栅结构参数 Q2<v: *L 在本文中,研究了两种不同的制备光栅结构。 0HN%3AG] 由于加工造成的光栅的理想二元形状的一些偏差是可以预料的,而且确实可以观察到:在基板和侧壁上存在不完全平行的欠刻蚀部分。 <"{VVyK 由于缺少关于制作结构的细节,我们将其简化为VirtulLab Fusion中的模拟。 .Ky)Co 但是如果有可用数据,就可以详细分析光栅的复杂形状。 $0|`h)&
ew<_2Xy"< iAZbh"I 光栅#1——参数 OxN[w|2\4 假设侧壁倾斜为线性。 H`1q8}m 忽略了衬底中的欠刻蚀部分。 `\J,%J 为了实现光栅脊的梯形形状,采用了倾斜光栅介质。 Y-lTPR<Eq 光栅周期:250 nm i@mS8%|l 光栅高度:660 nm $N\k*= 填充因子:0.75(底部) `N8t2yF 侧壁角度:±6° z! :0%qu n_1:1.46 \&[(PNl n_2:2.08 fNz(z\ ch33+~Nn
izs=5 I>{o]^xw-D 光栅#1——结果 6B+?X5-6DH 这两幅图对比之下匹配度很高,特别是图表的趋势。 zxkO&DGRbN 与参考文献相比,仿真中光栅结构进行了简化,存在一些小的偏差。由于缺乏关于实际的更详细的光栅结构的数据,这种简化是必要的。 aNP\Q23D ]A%~bQ7
k~)@D| ? nf1O8FwRb 光栅#2——参数 X.ecA`0 假设光栅为矩形。 s"R5'W\U 忽略了衬底中的欠刻蚀部分。 i6<uj 矩形光栅足以表示这种光栅结构。 l+j
!CvtI 光栅周期:250 nm \,'4eV 光栅高度:490 nm hbEqb{#}@ 填充因子:0.5 {vdY( n_1:1.46 E;wT4 T= n_2:2.08 S0M i ~RLWr.pK ld3H"p rR LXaq 光栅#2——结果 ]-_ ma 这两幅图对比之下再次显示出非常好的匹配度,特别是图表的趋势。 QseV\; z 与参考文献相比,仿真中光栅结构进行了简化,存在一些小的偏差。由于缺乏关于实际的更详细的光栅结构的数据,这种简化是必要的。 rdCs E1SWZ&'; 7M8 cF>o 0s79rJ
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