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    [技术]TRCX：掺杂过程分析 [复制链接]

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    离线infotek
    科学家
     
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    只看楼主 倒序阅读 楼主  发表于: 2021-12-30
    在 LTPS 制造过程中，使用自对准掩模通过离子注入来金属化有源层。当通过 TRCX 计算电容时，应用与实际工艺相同的原理。工程师可以根据真实的 3D 结构提取准确的电容，并分析有源层离子注入前后的电位分布，如下图所示。 ._tv$Gd@k  
    +TAm9eDNV  
    w-CuO4P  
     =C\S6bF%  
    HKcipDW  
     uR)@v^$FE  
    (a)FIB   6^: l  
    v @N8v  
     ypd  
    (b) 掺杂前后对比
    c@q>5fR/c  
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