切换到宽版
  • 广告投放
  • 稿件投递
  • 繁體中文
    • 1479阅读
    • 0回复

    [技术]TRCX:掺杂过程分析 [复制链接]

    上一主题 下一主题
    离线infotek
     
    发帖
    5937
    光币
    23838
    光券
    0
    只看楼主 正序阅读 楼主  发表于: 2021-12-30
    在 LTPS 制造过程中,使用自对准掩模通过离子注入来金属化有源层。当通过 TRCX 计算电容时,应用与实际工艺相同的原理工程可以根据真实的 3D 结构提取准确的电容,并分析有源层离子注入前后的电位分布,如下图所示。 A1p~K*[[  
    \na$Sb+  
    9Q1%+zjjMq  
    \$_02:#  
    zls^JTE  
    pX_  
    (a)FIB M Z"V\6T]  
    QG*hQh  
    eF%M2:&c;  
    (b) 掺杂前后对比
    KF'fg R  
     
    分享到