切换到宽版
  • 广告投放
  • 稿件投递
  • 繁體中文
    • 1981阅读
    • 0回复

    [技术]TRCX:掺杂过程分析 [复制链接]

    上一主题 下一主题
    离线infotek
     
    发帖
    7125
    光币
    29766
    光券
    0
    只看楼主 倒序阅读 楼主  发表于: 2021-12-30
    在 LTPS 制造过程中,使用自对准掩模通过离子注入来金属化有源层。当通过 TRCX 计算电容时,应用与实际工艺相同的原理工程可以根据真实的 3D 结构提取准确的电容,并分析有源层离子注入前后的电位分布,如下图所示。 Yr31GJ}K  
    )T3wU~%  
    u3ZG;ykM  
    ;% !?dH6  
    /d=$,q1  
    {'ZnxK'  
    (a)FIB K7l{&2>?  
    };+s0:H  
    @!MbPS  
    (b) 掺杂前后对比
    RTU:J67E  
    本主题包含附件,请 登录 后查看, 或者 注册 成为会员
     
    分享到