切换到宽版
  • 广告投放
  • 稿件投递
  • 繁體中文
    • 1557阅读
    • 0回复

    [技术]TRCX:掺杂过程分析 [复制链接]

    上一主题 下一主题
    离线infotek
     
    发帖
    6261
    光币
    25450
    光券
    0
    只看楼主 倒序阅读 楼主  发表于: 2021-12-30
    在 LTPS 制造过程中,使用自对准掩模通过离子注入来金属化有源层。当通过 TRCX 计算电容时,应用与实际工艺相同的原理工程可以根据真实的 3D 结构提取准确的电容,并分析有源层离子注入前后的电位分布,如下图所示。 l<XYDb~op  
    dV[G-p  
    _{c_z*rM8  
    #w.0Cc  
    ="78#Wfj2  
    :+6W%B  
    (a)FIB 6YU,> KP  
    |l8=z*v<  
    zc8^#D2y&  
    (b) 掺杂前后对比
    mDK*LL5]W  
     
    分享到