切换到宽版
  • 广告投放
  • 稿件投递
  • 繁體中文
    • 1765阅读
    • 5回复

    [讨论]磁控溅射镀膜电子损伤 [复制链接]

    上一主题 下一主题
    离线hxn123
     
    发帖
    36
    光币
    96
    光券
    0
    只看楼主 倒序阅读 楼主  发表于: 2021-12-15
    关键词: 磁控溅射镀膜
    各位大佬,磁控溅射镀膜过程中的电子损伤能用什么办法检测出来嘛,电子损伤有什么办法将其消除或者规避掉嘛?
     
    分享到
    离线ouyuu
    发帖
    564
    光币
    3337
    光券
    1
    只看该作者 1楼 发表于: 2021-12-16
    是电子本身造成的损伤,还是二次电子造成的静电损伤? ewcFzlA@  
    有些问题属于小知识小窍门,网上问的到结果。 F.TIdkvp  
    有些问题属于别人花了很多钱开发出来的独有技术和工艺, gxhp7c182  
    属于保密范畴,网上是问不到结果的。 \gP?uJ  
    离线hxn123
    发帖
    36
    光币
    96
    光券
    0
    只看该作者 2楼 发表于: 2021-12-16
    回 ouyuu 的帖子
    ouyuu:是电子本身造成的损伤,还是二次电子造成的静电损伤? =2Ju)!%wr  
    有些问题属于小知识小窍门,网上问的到结果。 >CCy2W^W  
    有些问题属于别人花了很多钱开发出来的独有技术和工艺, mC ]Krnx  
    属于保密范畴,网上是问不到结果的。 _u-tRHh|A  
     (2021-12-16 11:58)  j.Y!E<e4]  
    >Dv=lgPF  
    好滴,谢谢。这个电子损伤主要是溅射沉积过程中产生的电子,包括二次电子,应该不包括静电。
    离线ouyuu
    发帖
    564
    光币
    3337
    光券
    1
    只看该作者 3楼 发表于: 2021-12-24
    这样…… :@~3wD[y  
    我这边只做过新柯隆,他们家是先溅射再氧化的。 YbVZK4  
    氧化的时候多余的氧离子就可以把电子中和了,所以之前也没有关注过这种问题。 };(2 na  
    你们能不能镀膜的时候加上一个氧化源?
    离线hxn123
    发帖
    36
    光币
    96
    光券
    0
    只看该作者 4楼 发表于: 2021-12-28
    回 ouyuu 的帖子
    ouyuu:这样…… Se5jxV  
    我这边只做过新柯隆,他们家是先溅射再氧化的。 z2V_nkI  
    氧化的时候多余的氧离子就可以把电子中和了,所以之前也没有关注过这种问题。 zQ eXN7$  
    你们能不能镀膜的时候加上一个氧化源? (2021-12-24 11:13)  7^8<[8  
    rUF= uO(  
    好滴,谢谢,这个加入氧化源是不是相当于反应溅射
    离线ouyuu
    发帖
    564
    光币
    3337
    光券
    1
    只看该作者 5楼 发表于: 2021-12-30
    回 hxn123 的帖子
    hxn123:好滴,谢谢,这个加入氧化源是不是相当于反应溅射 (2021-12-28 23:10)  {)0"?$C_H  
    3"hPplE  
    是的。