切换到宽版
  • 广告投放
  • 稿件投递
  • 繁體中文
    • 1738阅读
    • 0回复

    [分享]OptiBPM:创建一个简单的多模干涉(MMI)耦合器 [复制链接]

    上一主题 下一主题
    离线infotek
     
    发帖
    5797
    光币
    23137
    光券
    0
    只看楼主 倒序阅读 楼主  发表于: 2021-05-08
    主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: TJE\A)|>g  
    • 定义MMI耦合器的材料 R+g z<H.Q  
    • 定义布局设定; Q1V9PRZX  
    • 创建一个MMI耦合器; }@if6(0  
    • 插入输入面; f7Ul(D:j\  
    • 运行模拟 zMIT}$L  
    • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 +cb6??H  
    tx?dIy;  
    1. 定义MMI耦合器的材料 No2b" G@  
    为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: :Hxv6  
    1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ BL@:!t  
    @FdSFQ/9  
    图1.初始性能对话框
    c1X1+b,  
    2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” j }b\Z9)!  
    &.TTJsKG h  
    图2.轮廓设计窗口
    12Y  
    3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 W0I#\b18  
    Z{?G.L*/  
    zB yqD$  
    图3.电介质材料创建窗口
    SkU9ON   
    4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: 8p[)MiC5W^  
    − Name : Guide |bgo;J/  
    − Refractive Index (Re) : 3.3 8Lw B B  
    − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 )O:0 ]=#))  
    R$zH]  
    图4.创建Guide材料
    Fl(T\-Eu  
    5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: E 7-@&=]v  
    − Name : Cladding +iOKbc'  
    − Refractive Index (Re) : 3.27 }i!J/tJ)b  
    − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 z3?o|A}/W  
    0527Wj  
          
    图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 4Qn$9D+?  
    6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: j65<8svl  
    − Name : Guide_Channel 36US5ef  
    − 2D profile definition: Guide \d::l{VB  
    − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 J90v!p-  
    a22XDes=  
    图6.构建通道
    2. 定义布局设定 e}1uz3Rh  
    为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: ! VjFW5'{  
    1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 f 2l{^E#h  
    − Width:2.8 #m={yck *  
    注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 tBpC: SG  
    − Profile:Channel-Guide *hcYGLx r  
    图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
    g}]t[}s1]  
    'uy/o)L  
    2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: fFQ|T:vm  
    − Length:5300 k5]j.V2f  
    − Width:60 `p+Zz"/  
    图8.设置晶圆尺寸
    =*Bl|;>6  
    Hc`A3SMR  
    3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: ,0LU~AGe   
    − Material:Cladding B#9{-t3Vf  
    − 点击OK以激活布局窗口 =hl}.p  
    图9.晶圆材料设置
    mc4i@<_?  
    Ci rZ+o  
    4) 布局窗口 D= 7c(  
    图10.默认情况下布局窗口显示
    0wS+++n$5  
    .9.2Be  
    5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: y r,=.?C-  
    − View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 Sfdu`MQR  
    − Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 R LD`O9#j  
    − 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 n?V+dC=F}  
    图11.调整Z方向和X方向的显示比率 "yW:\   
    图12.最终布局显示
    T1H"\+  
    tsk)zP,<  
    3. 创建一个MMI耦合器 ++E3]X|  
    为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: Pi|o`d  
    1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 9?k_y ZV  
    2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导 c [5KG}  
    图13 .绘制第一个线性波动
    J[&b`A@.o  
    QQ:2987619807
    )+fh-Ui  
     
    分享到