主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: }vX/55 • 定义MMI耦合器的材料; l]geQl:7`r • 定义布局设定; e:iqv?2t • 创建一个MMI耦合器; lT F#efcW • 插入输入面; 24d{ol) • 运行模拟; (!diPwcv • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 od]1:8OF +(o]E3 1. 定义MMI耦合器的材料 MZ<BCRB 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: <ta#2 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ Q|W~6 j:J7 图1.初始性能对话框
?~rz'Pu~ 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” :stA]JB#
w kwpbg Q 图2.轮廓设计窗口
>Te h ?P 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 NAEAvXj
zFO#oW,D T2MXwd&l 图3.电介质材料创建窗口
r[kmgPld 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: aumM\rY − Name : Guide ~&Y%yN^ − Refractive Index (Re) : 3.3 9rM6kLD − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 "I&,':O+ xw~&OF& 图4.创建Guide材料
#~;:i 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: FK`M+ j − Name : Cladding :pg]0X; − Refractive Index (Re) : 3.27 C_V5.6T! − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 4j-%I7 (&-!l2 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 =sh]H$
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: J I[9c,N − Name : Guide_Channel CJ[^Fi?CH − 2D profile definition: Guide j<_)Y(x> − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 T Ue=Yj @hIHvLpRB 图6.构建通道
2. 定义布局设定 bWfT-Jewh
为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: ~mu)Cw
1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 gjex; h
− Width:2.8 [5s4Jp$+
注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 Nd61ns(N
− Profile:Channel-Guide e:zuP.R
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
x_BnWFP
8z'_dfP=5
2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: K6@9=_A
− Length:5300 QB#rf='
− Width:60 }Jk=ZBVjT7
图8.设置晶圆尺寸
}|(v0]
XXZ <r
3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: E3,Nc`'m9
− Material:Cladding szU_,.\
− 点击OK以激活布局窗口 *S{fyYyM
图9.晶圆材料设置
WeRX ~
k5]`:k6
4) 布局窗口 _16IP
图10.默认情况下布局窗口显示
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a8;MxK`
CxJkT2
5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: s!F`
0=J^
− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 \} +b_J6-
− Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 ok<!/"RX$
− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 !O*uQB
图11.调整Z方向和X方向的显示比率 g~Agy
图12.最终布局显示
)MU)'1jc,
LKe~
3. 创建一个MMI耦合器 kC4}@{4i
为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: n6s[q-td
1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 (b>B6W\&
2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导 )-_To&S*
图13 .绘制第一个线性波动
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QQ:2987619807
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