主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器，主要步骤如下： _BFOc>0 • 定义MMI耦合器的材料； U xD5eJJ • 定义布局设定； v4RlLg dS% • 创建一个MMI耦合器； +525 {Tj • 插入输入面； Iyd?|f" • 运行模拟； lQfL3`X! • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 /)xlJUq tTN?r 8 1. 定义MMI耦合器的材料 SlSM+F 为了定义MMI耦合器的材料，需要进行如下操作： m=Q[\.Ra 1) 通过File-New打开“初始性能对话框（Initial Properties）“ 0aoHKeP *WE1;msr 图1.初始性能对话框
4 t/&. 2) 点击图1中的“轮廓和材料（Profiles And Materials）”以激活“轮廓设计窗口（Profile Designer）” )RYG %
@HBEt^! 图2.轮廓设计窗口
DMF
-Y-h 3) 右键单击图2中材料（Materials）标签下的“电介质（Dielectric）“，选择New以激活电介质材料创建窗口 pG^}Xf2a
;pD)m/$h` )2DQ>cm 图3.电介质材料创建窗口
h;V,n 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料： Z+pom7A"E − Name : Guide tRw@U4=y − Refractive Index (Re) : 3.3 v(l eide − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 -[OXSaf6 zq1mmFIO 图4.创建Guide材料
|wox1Wt|E 5) 重复步骤3）和4），创建第二种电解质材料： }X;U|]d − Name : Cladding +>7$4`Nb2 − Refractive Index (Re) : 3.27 {F N;'Uc − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 (-NHx o 0)Rw|(Fpo] 图5.左图为创建Cladding材料，右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 |3K)$.6~
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1，进入通道编辑窗口，构建通道： F8e<}v&7R − Name ： Guide_Channel >QHo@Zqj( − 2D profile definition: Guide 7n)&FX K` − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口，关闭Profile Designer窗口 0Q5 93F 9 1of~ffh 图6.构建通道
2. 定义布局设定 )4xu^=N&as
为了定义布局设定，需要在“初始性能对话框（Initial Properties）”窗口进行以下操作： ?zq+ jLyo
1) 点击“默认波导（Default Waveguide）”标签 7 GZgu$'
− Width：2.8 xjdw'v+qZo
注意：所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 kC$&:\Rh
− Profile：Channel-Guide 4gdY`}8b^}
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
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I\\QS.2
2) 切换到“晶圆尺寸（Wafer Dimension）”标签： Lt#'W
− Length：5300 {dPgf
− Width：60 ]WJfgN4
图8.设置晶圆尺寸
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3) 切换到“2D晶圆属性（2D Wafer Properties）”标签： %HtuR2#ca
− Material：Cladding I~'*$l
− 点击OK以激活布局窗口 ,pq{& A
图9.晶圆材料设置
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p4V qV6LwD
4) 布局窗口 K:yr-#(P/
图10.默认情况下布局窗口显示
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G>T')A
5) 调整显示比率，以便更好进行波导结构布局设置： =QV ::/
− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 7s'- +~
− Display ratio : Z=40,点击OK，如图11所示 o%M<-l"!/
− 调整缩放比率为0.6 ，最终布局显示如图12所示 _-c K{
图11.调整Z方向和X方向的显示比率 &h$|j
图12.最终布局显示
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_{@Z
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3. 创建一个MMI耦合器 OQlG + |
为了构建一个MMI耦合器，需要进入如下操作： $%c{ 06Oq(
1) 在“绘图（Draw）”菜单下选择“线性波导（Linear Waveguide）”或者在波导栏 下选择线性波导 Uhh
l3%p
2) 当鼠标指针变为十字叉时，点击布局窗口左侧，并向右侧拖拽波导后松开鼠标，以生成第一个线性波导 O>DNC-m)i{
图13 .绘制第一个线性波动
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QQ：2987619807
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