主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: _B|g)Rdv • 定义MMI耦合器的材料; @,sg^KB • 定义布局设定; ]?Ru~N} • 创建一个MMI耦合器; I#f<YbzD • 插入输入面; 1}!f.cWV( • 运行模拟; BZx#@356N • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 58MBG&a% *4[3?~_B#6 1. 定义MMI耦合器的材料 J74nAC%J^ 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: `h
Y:F( 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ @v2kAOw[ eA_1?j]E3 图1.初始性能对话框
9!FV.yp%F 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” yZ+o7?(2p A0WQZt!FEN 图2.轮廓设计窗口
7IZ(3B<87t 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 d|6*1hby
/)y~%0 iygdX2 图3.电介质材料创建窗口
F1|4([-<] 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: r"rID
RQ" − Name : Guide -D.6@@%Kc} − Refractive Index (Re) : 3.3 r0j:ll d − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 bU:"dqRm< }kXF*cVg 图4.创建Guide材料
Q.6pmaXrb 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: f+$/gz − Name : Cladding oChcEx% − Refractive Index (Re) : 3.27 Mk[_yqoCO − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 !OWV* v2 O*yc8fUI 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示
[?Aq#av
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: P RX:*0 − Name : Guide_Channel kRE^G*? − 2D profile definition: Guide xb_35'$M − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口
6z=:x+m -_pI:K[ 图6.构建通道
2. 定义布局设定 )n|:9hc
为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: %wvSD&oz
1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 jPA?0h
− Width:2.8 ycCEXu2F
注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 zc,fJM
− Profile:Channel-Guide <r3F*S=
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
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t]"3vE>
2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: se$GE:hC1Q
− Length:5300 2f I?P
− Width:60 Z:9"7^+
图8.设置晶圆尺寸
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3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: <tgJ-rnL
− Material:Cladding P7"g/j" "
− 点击OK以激活布局窗口 > -Jd@7-
图9.晶圆材料设置
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4) 布局窗口 |7UR_(}KC
图10.默认情况下布局窗口显示
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?OvtR:h C
5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: eSywWSdf0
− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 CQzJ_aSJ(
− Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 hMeE@Q0
− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 H`aqpa"C
图11.调整Z方向和X方向的显示比率 + lU:I
图12.最终布局显示
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3. 创建一个MMI耦合器 AVi
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J
为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: zn>*^h0B
1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 fkyj&M/
2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导 SS@#$t:
图13 .绘制第一个线性波动
f(7/
QQ:2987619807
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