主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: ix 5\Y • 定义MMI耦合器的材料; J,k.*t: • 定义布局设定; LftzW{>gI" • 创建一个MMI耦合器; ~$YasFEz • 插入输入面; #y1M1O g • 运行模拟; R[H#av • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 ?]>;Wr )a$sx} 1. 定义MMI耦合器的材料 UL xgvq 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: E/_n}$Z 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ 7+rroCr" cpx:4R, 图1.初始性能对话框
_SQ]\Z 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” gKRlXVS ;kD
Rm'( 图2.轮廓设计窗口
R%Xz3Z&| 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 ;p:CrFv
N'?#g`*KW 5w</Ga 图3.电介质材料创建窗口
`r0MQkk 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: IC-W[~ − Name : Guide ,+FiP{` − Refractive Index (Re) : 3.3 y>ePCDR3 − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 b3q&CJ4| :PBW=W 图4.创建Guide材料
2D"aAI<P 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: ilQt`-O! − Name : Cladding u`u{\
xN9 − Refractive Index (Re) : 3.27 7 M$cIWe$ − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 9\%`/tJM yRt7&,}zL 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 )yS8(F0
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: l$C
Y
gm − Name : Guide_Channel !~Kg_*IT − 2D profile definition: Guide Bu4@FIK!C − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 H )Ze{N v R!
y# 图6.构建通道
2. 定义布局设定 tQ`|MO&o
为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: KR>o 2
1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 MK <\:g
− Width:2.8 "fu@2y4^
注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 B9]bv]
− Profile:Channel-Guide c+:^0&l
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
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%t]{C06w+{
2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: Zl?9ibm;@
− Length:5300 !'a
<Dw5
− Width:60 LB^xdMXi
图8.设置晶圆尺寸
E|_}?>{R
z]!w@:
3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: Am#Pa,g
− Material:Cladding 5`q#~fJ2
− 点击OK以激活布局窗口 p,7?rI\N
图9.晶圆材料设置
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lF\2a&YRbn
4) 布局窗口 Xi!e=5&Pa
图10.默认情况下布局窗口显示
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?3<Y/Vg%c
5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: 7hT@,|(j
− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 ;dTxQ_:
− Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 mcxD#+H 3
− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 gq~"Z[T
图11.调整Z方向和X方向的显示比率 5i%\m
图12.最终布局显示
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T5wVJgN>
3. 创建一个MMI耦合器 877Kv);
为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: *TPWLR ^
1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 T[2<_ nn=
2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导 FhQb9\g
图13 .绘制第一个线性波动
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QQ:2987619807
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