主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: F"a^`E& • 定义MMI耦合器的材料; lwH&4K • 定义布局设定; v9~Hl • 创建一个MMI耦合器; 5iola}6 • 插入输入面; Q, E!Ew3 • 运行模拟; =J8)Z'Jr • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 A>L(#lz#ek =erA.u 1. 定义MMI耦合器的材料 *8p\.za1 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: <$.KCLP 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ |Sg *j-. f}4c#x 图1.初始性能对话框
]P0DPea 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” S&-sl /x_C 图2.轮廓设计窗口
?Di,' 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 U]sU
b3
4x'^?0H@ hBsjO3n 图3.电介质材料创建窗口
2h&pm 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: EpGe'S − Name : Guide ,Ucb)8a − Refractive Index (Re) : 3.3 wrG*1+r − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 `n-e.{O(( i/xPO 图4.创建Guide材料
X_
>B7(k 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: d$r JW m5H − Name : Cladding z@y*
jT − Refractive Index (Re) : 3.27 cXJgdBwo − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 |
7>1) }sy3Mrb 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 xSb/98;
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: uMsKF %m − Name : Guide_Channel ?vRz}hiy − 2D profile definition: Guide %8o(x 0 − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 NtTLvO6 q1dYiG.-Z 图6.构建通道
2. 定义布局设定 |ry;'[*
为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: Cw{#(xX
1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 jo<