主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: ep)O|_= • 定义MMI耦合器的材料; e pGC
Ta • 定义布局设定; E2i'lO\P • 创建一个MMI耦合器; OVUJiBp • 插入输入面; ;km ^ OO$ • 运行模拟; h1Nd1h@- • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 *&doI%q A/TCJ#>l 1. 定义MMI耦合器的材料 C0gO^A.d 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: K:q|M?_ 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ 3,y zRb ddzMwucjp 图1.初始性能对话框
3,^. 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” 1"S~#
FSD~Q&9& 图2.轮廓设计窗口
,lDOo+eE%: 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 gaWJzK
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_V,bvHWlM _^@ >I8ix 图3.电介质材料创建窗口
1!W'0LPM 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: BFswqp: − Name : Guide tLzb*U8'1w − Refractive Index (Re) : 3.3 UW'@3#<? − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 })umg8s S0w:R:q}L 图4.创建Guide材料
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Iaz 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: C;I:?4 − Name : Cladding ows3% − Refractive Index (Re) : 3.27 Mhu|S)hn − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 LV@tt&|N
{F ',e~}s 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 !W/"Z!k
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: ^l{q{O7U$ − Name : Guide_Channel x5R|,bY − 2D profile definition: Guide KsQn %mxS − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 I~Q
G 2= zw! 图6.构建通道
2. 定义布局设定 @tlWyUju
为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: 3QDz9KwCAw
1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 UsgrI>|l
− Width:2.8 |3G;Rh9w,
注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 ^@f.~4P*I
− Profile:Channel-Guide H,EGB8E2
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
7O,!67+^~
]Jo}F@\g
2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: &3 *#h
− Length:5300 =Q #d0Q
− Width:60 %5!K?,z%
图8.设置晶圆尺寸
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-]#)
M{g.x4M@W
3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: m4?a'z"
− Material:Cladding 5'/ff=
− 点击OK以激活布局窗口 >%LY0(hY3
图9.晶圆材料设置
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4) 布局窗口 oQ}K_}{>
图10.默认情况下布局窗口显示
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`L%<3/hF
5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: 1s.>_
− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 4"veq rC
− Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 hC?rHw
H>
− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 F *1w8+
图11.调整Z方向和X方向的显示比率 1E=E ?$9sg
图12.最终布局显示
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BS3{TGn
3. 创建一个MMI耦合器 !8&EkXTw,
为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: F+!9T
1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 8^67,I-c
2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导 aSMoee@!
图13 .绘制第一个线性波动
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QQ:2987619807
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