主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器，主要步骤如下： #DFi-o&- • 定义MMI耦合器的材料； ]<f(@] R/d • 定义布局设定； ]5 S`y{j1 • 创建一个MMI耦合器； aim\ 3 y~ • 插入输入面； &Q~W{. • 运行模拟； zq{UkoME • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 RSym9t90t 4($"4>BA 1. 定义MMI耦合器的材料 Ha-]U:Vcx 为了定义MMI耦合器的材料，需要进行如下操作： $N)G:=M!s 1) 通过File-New打开“初始性能对话框（Initial Properties）“ \OV tvJV] dJ6fPB|k 图1.初始性能对话框
Blzvn19'h 2) 点击图1中的“轮廓和材料（Profiles And Materials）”以激活“轮廓设计窗口（Profile Designer）” '^_u5Y] NgGMsE\C} 图2.轮廓设计窗口
xz"60xxY 3) 右键单击图2中材料（Materials）标签下的“电介质（Dielectric）“，选择New以激活电介质材料创建窗口 ~\CS%thX
"g ^i% f( m, ! 图3.电介质材料创建窗口
^-~JkW'z 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料： %DKFF4k − Name : Guide f+ceL'fr − Refractive Index (Re) : 3.3 )Wk_ |zO- − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 NAvR^"I~ .
|T=T0^ 图4.创建Guide材料
f?sm~PwC- 5) 重复步骤3）和4），创建第二种电解质材料： ~Xxmj!nOf − Name : Cladding t
Y − Refractive Index (Re) : 3.27 /=/Ki%hh − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 N2}SR|. S" Cz.
bv 图5.左图为创建Cladding材料，右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 f"5O'QHGQK
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1，进入通道编辑窗口，构建通道： 7a'yO+7-) − Name ： Guide_Channel A ]A{HEX − 2D profile definition: Guide W%g*sc *+ − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口，关闭Profile Designer窗口 ;yt6Yp.6e SU ~a()" 图6.构建通道
2. 定义布局设定 yQ[;y~W
为了定义布局设定，需要在“初始性能对话框（Initial Properties）”窗口进行以下操作： XX~vg>3_
1) 点击“默认波导（Default Waveguide）”标签 c
3QgX4vq
− Width：2.8 k
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注意：所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 [b3!H{b#
− Profile：Channel-Guide Wm}c-GD
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
K.)!qkW-%S
b0$)G-E/Y
2) 切换到“晶圆尺寸（Wafer Dimension）”标签： 1(?4*v@B
− Length：5300 /sKL|]i=
− Width：60 a+^` +p/5
图8.设置晶圆尺寸
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YO7U}6wBt
3) 切换到“2D晶圆属性（2D Wafer Properties）”标签： '8X>,un
− Material：Cladding 3^o(\=-JX
− 点击OK以激活布局窗口 RehmVkT
图9.晶圆材料设置
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ebk>e*
4) 布局窗口 "<ZV'z
图10.默认情况下布局窗口显示
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[A-_?#cZ
5) 调整显示比率，以便更好进行波导结构布局设置： nj[TTnd Jt
− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 bBjr hi
− Display ratio : Z=40,点击OK，如图11所示 !/is+
xp
− 调整缩放比率为0.6 ，最终布局显示如图12所示 JtL> mH
图11.调整Z方向和X方向的显示比率 9pp +<c
图12.最终布局显示
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3. 创建一个MMI耦合器 } e[ E
为了构建一个MMI耦合器，需要进入如下操作： Tru{8]uMH
1) 在“绘图（Draw）”菜单下选择“线性波导（Linear Waveguide）”或者在波导栏 下选择线性波导 \zO. #H
2) 当鼠标指针变为十字叉时，点击布局窗口左侧，并向右侧拖拽波导后松开鼠标，以生成第一个线性波导 d 9f7 &
图13 .绘制第一个线性波动
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QQ：2987619807
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