主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器，主要步骤如下： \ gwXH • 定义MMI耦合器的材料； lJ;J~> • 定义布局设定； z`Wt%tL( • 创建一个MMI耦合器； 6rti ' • 插入输入面； UKd'+R] • 运行模拟； 1 k8x%5p • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 uLeRZSC sfT+i;p 1. 定义MMI耦合器的材料 yY{kG2b, 为了定义MMI耦合器的材料，需要进行如下操作： |i Yg > 1) 通过File-New打开“初始性能对话框（Initial Properties）“ RSfM]w}Hq# Ue:z1p;g 图1.初始性能对话框
g:ErZ;[ 2) 点击图1中的“轮廓和材料（Profiles And Materials）”以激活“轮廓设计窗口（Profile Designer）” Z [Xa%~5>5 +YY8h>hj 图2.轮廓设计窗口
+Lm4kA+aE5 3) 右键单击图2中材料（Materials）标签下的“电介质（Dielectric）“，选择New以激活电介质材料创建窗口
'1SG(0
vE, 37 0 *%& > 图3.电介质材料创建窗口
eitu!=u 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料： _;9! − Name : Guide nt1CTWKM8^ − Refractive Index (Re) : 3.3 )+y G+ − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 0 >Z ;Ni 8^^[XbH 图4.创建Guide材料
mdih-u(T| 5) 重复步骤3）和4），创建第二种电解质材料：
,<,:8B − Name : Cladding V3 N0Og3 − Refractive Index (Re) : 3.27 `iK j − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 ?9MVM~$ .lG5=Th! 图5.左图为创建Cladding材料，右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 Fy L_xu\e
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1，进入通道编辑窗口，构建通道： yqOuX>m 1c − Name ： Guide_Channel ^n.WZUk − 2D profile definition: Guide \u Od ALZ − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口，关闭Profile Designer窗口 8y'; \(; `b5 @}', 图6.构建通道
2. 定义布局设定 :& XH?/Wi
为了定义布局设定，需要在“初始性能对话框（Initial Properties）”窗口进行以下操作： ;Q0bT`/X
1) 点击“默认波导（Default Waveguide）”标签 #Doq P:
− Width：2.8 5r {;CKKz
注意：所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 B6P|Z%E;D6
− Profile：Channel-Guide hqSJ(gs{
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
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xG&SX#[2
2) 切换到“晶圆尺寸（Wafer Dimension）”标签： R>@uY( >dJ
− Length：5300 VObrlOkp
− Width：60 K r`]_m
图8.设置晶圆尺寸
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9Mm!%Hu
3) 切换到“2D晶圆属性（2D Wafer Properties）”标签： &F$:Q:* *
− Material：Cladding oS, I~}\kQ
− 点击OK以激活布局窗口 :VmHfOO
图9.晶圆材料设置
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4) 布局窗口 #%3rTU
图10.默认情况下布局窗口显示
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YA(@5CZ
5) 调整显示比率，以便更好进行波导结构布局设置： ra '
− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 AF,BwL N
− Display ratio : Z=40,点击OK，如图11所示 m(OvD!
− 调整缩放比率为0.6 ，最终布局显示如图12所示 >?W[PQ5 yx
图11.调整Z方向和X方向的显示比率 %~ |HFYd
图12.最终布局显示
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3. 创建一个MMI耦合器 .4.pJbOg
为了构建一个MMI耦合器，需要进入如下操作： [p r"ZQ]
1) 在“绘图（Draw）”菜单下选择“线性波导（Linear Waveguide）”或者在波导栏 下选择线性波导 f2)XP$:
2) 当鼠标指针变为十字叉时，点击布局窗口左侧，并向右侧拖拽波导后松开鼠标，以生成第一个线性波导 *DI)?
图13 .绘制第一个线性波动
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QQ：2987619807
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