主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: p/
xlR[ • 定义MMI耦合器的材料; zoi0Z • 定义布局设定; &(,\~ • 创建一个MMI耦合器;
e4N d • 插入输入面; G+N1#0,q • 运行模拟; b5H}0< • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 ?:3hp2k< {!D(3~MI 1. 定义MMI耦合器的材料 4_5f4%S 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: %JrZMs> 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ (Ff}Y.4 [hSJ)IZh 图1.初始性能对话框
}?,YE5~ 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” c45s
#6 P}~MO)*1 图2.轮廓设计窗口
,V,mz?d^9 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 (9RfsV4^
g
ptf*^s <4.Exha;= 图3.电介质材料创建窗口
Fn.JtIu 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: O
Ol: − Name : Guide :=y5713 − Refractive Index (Re) : 3.3 'y;Kj − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 N<i5X.X d^A]]Xg 图4.创建Guide材料
^O*-|ecA
5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: ,B'=$PO% − Name : Cladding te(H6c#0 − Refractive Index (Re) : 3.27 FA*$ dwp − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 `sqr>QD #?w07/~L 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 9no<;1+j,
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: pM@8T25= − Name : Guide_Channel x3&gB`j-
− 2D profile definition: Guide Ht;Rz*} − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 cZ_)'0
vQLYWRXiA 图6.构建通道
2. 定义布局设定 D<69xT,
为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: fYjmG[4
1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 Cg]|x+
− Width:2.8 I9zs
注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 h,R Isq;`
− Profile:Channel-Guide l SdA7
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
,Tr&`2w
w{aGH/LN
2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: Xd%qebK
− Length:5300
]S4"JcM
− Width:60 3[u-
LYW
图8.设置晶圆尺寸
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.4\I?
3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: }R<t=):
− Material:Cladding Q&:)D7m\)S
− 点击OK以激活布局窗口 :@i+yN cV
图9.晶圆材料设置
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C33Jzn's
4) 布局窗口 F2}Fuupb.
图10.默认情况下布局窗口显示
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Kj4BVs
5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: cxs@ph&Wk
− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 fE~KWLm
− Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 )).=MTk
− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 L@GICW~
图11.调整Z方向和X方向的显示比率 ?YR;o4
图12.最终布局显示
cEu_p2(7!B
pYQSn.`V~
3. 创建一个MMI耦合器 [<@T%yq
为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: b5)^g+8)w
1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 K9EHT-
2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导 E2r5Pg
图13 .绘制第一个线性波动
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QQ:2987619807
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