主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器，主要步骤如下： ky I~ • 定义MMI耦合器的材料； zszx~LSvIT • 定义布局设定； vQmqYyOc2 • 创建一个MMI耦合器； RuWu#tk • 插入输入面； QSyPtjg] • 运行模拟； <`d;>r= 4z • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 /A93mY[ sZI$t L< j 1. 定义MMI耦合器的材料 "z4V@gk 为了定义MMI耦合器的材料，需要进行如下操作： zj 2 l&)N 1) 通过File-New打开“初始性能对话框（Initial Properties）“ wW |[Im& V vTi>2(. 图1.初始性能对话框
@P/6NMjZ^ 2) 点击图1中的“轮廓和材料（Profiles And Materials）”以激活“轮廓设计窗口（Profile Designer）” !YIW8SP) u1ahAk7 图2.轮廓设计窗口
4ZtsLMwLD 3) 右键单击图2中材料（Materials）标签下的“电介质（Dielectric）“，选择New以激活电介质材料创建窗口 }Apn.DYbbf
y=LN| vkQ PG@6*E 图3.电介质材料创建窗口
,P^4??' o 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料： 0ni/!}YP_ − Name : Guide B}^l'p_u − Refractive Index (Re) : 3.3 K[l5=)G0L − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 3]h*6 V1$ o_n 3. O = 图4.创建Guide材料
`_!R;f 5) 重复步骤3）和4），创建第二种电解质材料： n a+P|'6 − Name : Cladding gbziEjRe − Refractive Index (Re) : 3.27 1@xdzKua1 − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 _*CbtQb5 bVOJp% *s 图5.左图为创建Cladding材料，右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 >*WT[UU
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1，进入通道编辑窗口，构建通道： Ca
?d8 − Name ： Guide_Channel 70. Tm#qh − 2D profile definition: Guide o8fY!C) − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口，关闭Profile Designer窗口 i!yE#zew Cv RO' 图6.构建通道
2. 定义布局设定 @|<q Tci
为了定义布局设定，需要在“初始性能对话框（Initial Properties）”窗口进行以下操作： .q|k459oi
1) 点击“默认波导（Default Waveguide）”标签 ._T N;tR~'
− Width：2.8 \e~5Dx1
注意：所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 "~L$oji
− Profile：Channel-Guide i9D<jkc
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
O3tw@ &k
5IfC8drAs
2) 切换到“晶圆尺寸（Wafer Dimension）”标签： T l8`3`e
− Length：5300 pyp0SGCM:
− Width：60 .,\^{.E
图8.设置晶圆尺寸
LvNulMEK
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