主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: q 4Ok$~"I • 定义MMI耦合器的材料; c7tO'`q$e • 定义布局设定; W55kR.X6M • 创建一个MMI耦合器; #a]\3X • 插入输入面; `J7@G]X;2 • 运行模拟; a|]}uFr • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 /:,}hy+U p"*xyex 1. 定义MMI耦合器的材料 G \$x. 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: =dWqB& 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ )!
kl: `bLJwJ7 图1.初始性能对话框
IRv/[|"L 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” 7kMO);pO tTt}=hQpgX 图2.轮廓设计窗口
z'gJy 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 V9>$M=
s4=EyBI
gS|6,A9 图3.电介质材料创建窗口
4O{,oN~7 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: <Y;w
I#C − Name : Guide &v:[+zw − Refractive Index (Re) : 3.3 LW!4KA] − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 yio8BcXH54 85A7YraL 图4.创建Guide材料
_ vAc/_N 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: T w1&<S − Name : Cladding yRp&pUtb − Refractive Index (Re) : 3.27 diKl}V#u − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 *
COC& X LY>}r 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 G//hZwf0
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: N{a=CaYi+ − Name : Guide_Channel |vBy=: − 2D profile definition: Guide YlZ&4 − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 #3FsK |NWHZo 图6.构建通道
2. 定义布局设定 ]KUeSg|
为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: 2LCOB&-Ww
1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 }YU\}T-P
− Width:2.8 J)H*tzg
注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 -O $!sFmY
− Profile:Channel-Guide gBXoEn]
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
F84<='K
j:HIcCp
2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: xo!2GPD.
− Length:5300 (L W2S;-
− Width:60 "z*?#&?,
图8.设置晶圆尺寸
IGA4"\s
( De>k8
3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: VMu?mqEa
− Material:Cladding }Am5b@g"$Y
− 点击OK以激活布局窗口 |Rm_8n%m
图9.晶圆材料设置
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o"p['m*g
4) 布局窗口 py wc~dWvz
图10.默认情况下布局窗口显示
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J(9{P/
5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: /1xBZfrN
− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 {}H/N
− Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 ~sNBklK
− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 )E^Pn|H
图11.调整Z方向和X方向的显示比率 MG^YT%f
图12.最终布局显示
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zNg[%{mz
3. 创建一个MMI耦合器 -'^:+FU
为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: kR8,E 6Up
1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 4K|O?MUNS
2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导 5eM{>qr}
图13 .绘制第一个线性波动
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QQ:2987619807
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