主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器，主要步骤如下： ~ ?_Z !eS • 定义MMI耦合器的材料； B{KD ] • 定义布局设定； WU@,1.F: • 创建一个MMI耦合器； v0J1%{ /xs • 插入输入面；
';V+~pi • 运行模拟； ^%@.Vvz< • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 \kO_"{7n a r}759 1. 定义MMI耦合器的材料 pLcng[ 为了定义MMI耦合器的材料，需要进行如下操作： KO "iauW 1) 通过File-New打开“初始性能对话框（Initial Properties）“ ~PAn
_]Z Kf5 p* AI 图1.初始性能对话框
k3kqgR* 2) 点击图1中的“轮廓和材料（Profiles And Materials）”以激活“轮廓设计窗口（Profile Designer）” fX|,s2-FW sVnu Sm 图2.轮廓设计窗口
)g F9D1eA 3) 右键单击图2中材料（Materials）标签下的“电介质（Dielectric）“，选择New以激活电介质材料创建窗口 Q;M\P/f
<K'gvMG[ RO8Ynm2
< 图3.电介质材料创建窗口
J[AgOUc 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料： ti%
e.p0[ − Name : Guide 9hzU@m − Refractive Index (Re) : 3.3 K; lC# − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 5xKR
]u > `M\xt 图4.创建Guide材料
v83 6nxL M 5) 重复步骤3）和4），创建第二种电解质材料： S_6;e| − Name : Cladding S22 ; g − Refractive Index (Re) : 3.27 jT0f F − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 ZQ/5]]}3y `lzH:B 图5.左图为创建Cladding材料，右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 HOG7|| &y
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1，进入通道编辑窗口，构建通道： hn .fX:} − Name ： Guide_Channel tDkqwF), − 2D profile definition: Guide =;T[2: JUu − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口，关闭Profile Designer窗口 _,Y79 b6 "bH ~CG:Y 图6.构建通道
2. 定义布局设定 F6/b q/s
为了定义布局设定，需要在“初始性能对话框（Initial Properties）”窗口进行以下操作： 4|thDb)]
1) 点击“默认波导（Default Waveguide）”标签 | <$O5b'
− Width：2.8 &aOOG8l
注意：所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 &jcr7{cD
− Profile：Channel-Guide f*Bc`+ G
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
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i/Z5/(zF
2) 切换到“晶圆尺寸（Wafer Dimension）”标签： uzD{ewR/.y
− Length：5300 7Cjrh "al"
− Width：60 |/$#G0X; H
图8.设置晶圆尺寸
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tA.C"
3) 切换到“2D晶圆属性（2D Wafer Properties）”标签： #'P&L>6
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− Material：Cladding x1h!_^(QfF
− 点击OK以激活布局窗口 #oI`j
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图9.晶圆材料设置
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4) 布局窗口 \D=B-dREq
图10.默认情况下布局窗口显示
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5) 调整显示比率，以便更好进行波导结构布局设置： cW\ 7yZh
− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 W2^R$"U
− Display ratio : Z=40,点击OK，如图11所示 1+'3{m \5T
− 调整缩放比率为0.6 ，最终布局显示如图12所示 8z&9
图11.调整Z方向和X方向的显示比率 2S3F]fG0
图12.最终布局显示
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3. 创建一个MMI耦合器 dhbJ1/z^
为了构建一个MMI耦合器，需要进入如下操作： Zh$Z$85p
1) 在“绘图（Draw）”菜单下选择“线性波导（Linear Waveguide）”或者在波导栏 下选择线性波导 _"=~aMXC.)
2) 当鼠标指针变为十字叉时，点击布局窗口左侧，并向右侧拖拽波导后松开鼠标，以生成第一个线性波导 R.@GLx_zpQ
图13 .绘制第一个线性波动
Rk<:m+V =
QQ：2987619807
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