主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器，主要步骤如下： lo]B 5_en • 定义MMI耦合器的材料； ]rX ?n • 定义布局设定； [Yah xw} • 创建一个MMI耦合器； 3{#pd6e5 • 插入输入面； 2I(@aB+ • 运行模拟； #3:'lGBIK • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 J^+$L"K &T{B~i3w8 1. 定义MMI耦合器的材料 L8-[:1 为了定义MMI耦合器的材料，需要进行如下操作： -z~ V 1) 通过File-New打开“初始性能对话框（Initial Properties）“ =R24 h m 'H 图1.初始性能对话框
c:,{ O 0 # 2) 点击图1中的“轮廓和材料（Profiles And Materials）”以激活“轮廓设计窗口（Profile Designer）” @2Y]p.$q X #NeB>~ 图2.轮廓设计窗口
'14l )1g. 3) 右键单击图2中材料（Materials）标签下的“电介质（Dielectric）“，选择New以激活电介质材料创建窗口 ~C*6V{Tj
Sy0s `\[ ^N}~U5 图3.电介质材料创建窗口
CO)b'V, 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料： "a`0w9Mm} − Name : Guide !L.z4n,n+ − Refractive Index (Re) : 3.3 OD@A+" − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 'JKvy(n> #O974f8 图4.创建Guide材料
e iSO7cGy 5) 重复步骤3）和4），创建第二种电解质材料： CbvL X="% − Name : Cladding /$4?.qtu − Refractive Index (Re) : 3.27 yI)fu^ − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 y7G|P~td ^~1@HcJo 图5.左图为创建Cladding材料，右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 sbiDnRf
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1，进入通道编辑窗口，构建通道： /:L&uqA − Name ： Guide_Channel 9 0(oV& − 2D profile definition: Guide J<$'^AR9"q − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口，关闭Profile Designer窗口 jw%FZ Yw1q 2jT 图6.构建通道
2. 定义布局设定 {Ll8 @'5
为了定义布局设定，需要在“初始性能对话框（Initial Properties）”窗口进行以下操作： ]~<T` )Hi
1) 点击“默认波导（Default Waveguide）”标签 ( L
− Width：2.8 Mn {Rg>X
注意：所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 McI4oD~"
− Profile：Channel-Guide ;8xn"G0}a
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
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XV 9'[V
2) 切换到“晶圆尺寸（Wafer Dimension）”标签： >v4~:n2D
− Length：5300 S5 oHe4#89
− Width：60 8o5^H>
图8.设置晶圆尺寸
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{1&,6kJF&9
3) 切换到“2D晶圆属性（2D Wafer Properties）”标签： W p*
v Vv
− Material：Cladding E0x$;CG!
− 点击OK以激活布局窗口 lVBy&f
图9.晶圆材料设置
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]vyF &`phb
4) 布局窗口 Oua/NF)
图10.默认情况下布局窗口显示
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oDDH;Q"M(
5) 调整显示比率，以便更好进行波导结构布局设置： w [x+2
− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 /PuWJPy;
− Display ratio : Z=40,点击OK，如图11所示 %+JTQ y
− 调整缩放比率为0.6 ，最终布局显示如图12所示 Iur} ZAz
图11.调整Z方向和X方向的显示比率 J_ Xf :Mz-
图12.最终布局显示
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BP s
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3. 创建一个MMI耦合器 WD1$"}R
为了构建一个MMI耦合器，需要进入如下操作： Y]Nab0R&
1) 在“绘图（Draw）”菜单下选择“线性波导（Linear Waveguide）”或者在波导栏 下选择线性波导 @wZ_VE7B
2) 当鼠标指针变为十字叉时，点击布局窗口左侧，并向右侧拖拽波导后松开鼠标，以生成第一个线性波导 )bg,rES M
图13 .绘制第一个线性波动
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QQ：2987619807
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