主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: fP^W"y • 定义MMI耦合器的材料; VfL]O 8P> • 定义布局设定; ;,F-6RNj • 创建一个MMI耦合器; B$} wF<`k7 • 插入输入面; Q%,o8E2~ • 运行模拟; kcq9p2zKv • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 aH5t.x79b R`Ys;g/! 1. 定义MMI耦合器的材料 i#pjv'C 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: X_-Hrp!h 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ jQ.>2-;H9 )1ZJ 图1.初始性能对话框
@1pW!AdN 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” TnvHO_P, _/QKWk&j 图2.轮廓设计窗口
~>}dse 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 Sah<sb=
n}AR/3} Q{H!s_6iyv 图3.电介质材料创建窗口
bl:a&<F 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: C|.$L<` − Name : Guide bik] JIM − Refractive Index (Re) : 3.3 ND9n1WZ&x − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 7`u A 2-"Lxe65f 图4.创建Guide材料
),D`ZRXS 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: h8iaJqqvJ − Name : Cladding ohQz%?r − Refractive Index (Re) : 3.27 0,vj,ic*WX − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 mR"2 )M&Azbu 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 ;3.T* ?|o
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: ~n8Oyr − Name : Guide_Channel 4 BE:&A − 2D profile definition: Guide {Gk}3u/ − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 E5Snl#Gl\0 WQIM2_=M 图6.构建通道
2. 定义布局设定 @,yFY
为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: eu}:Wg2
1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 T(sG.%
− Width:2.8 wa(Wit"-
注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 {jx#^n&5R
− Profile:Channel-Guide Sg_-OX@f
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
VuO)
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2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: Kd`l[56#
− Length:5300 ~u?x{[
− Width:60 A3
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图8.设置晶圆尺寸
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%~B)~|h
3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: XDrlJvrPL
− Material:Cladding Yn[EI7D
− 点击OK以激活布局窗口 =CG!"&T
图9.晶圆材料设置
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4) 布局窗口 X*>o9J45V
图10.默认情况下布局窗口显示
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5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: $E4O^0%/p
− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 ',J%Mv>Yf
− Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 0+2Matk>.
− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 ]mD=Br*r~
图11.调整Z方向和X方向的显示比率 &t.>^7ELF
图12.最终布局显示
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3. 创建一个MMI耦合器 HhQPgjZ/
为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: A\PV@w%Ai
1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 vU\w3
2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导 !Lg}q!*%>V
图13 .绘制第一个线性波动
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QQ:2987619807
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