主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器，主要步骤如下： w@:o:yLS • 定义MMI耦合器的材料； ptDA))7M/ • 定义布局设定； +$
-#V • 创建一个MMI耦合器； b&_p"8)_ • 插入输入面； I(7gmCV • 运行模拟； mmjB 1 L • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 pP/o2 dJ&s/Z/>E 1. 定义MMI耦合器的材料 U73`HDJ 为了定义MMI耦合器的材料，需要进行如下操作： gR qz8UI 1) 通过File-New打开“初始性能对话框（Initial Properties）“ ?=4 t~\g? EEo+# 图1.初始性能对话框
x< 3vA|o 2) 点击图1中的“轮廓和材料（Profiles And Materials）”以激活“轮廓设计窗口（Profile Designer）” VmT 5? i fzio8m KVX 图2.轮廓设计窗口
&GZR-/ 3) 右键单击图2中材料（Materials）标签下的“电介质（Dielectric）“，选择New以激活电介质材料创建窗口 G? _,(
3}gK`1Nq1 a #0{tZd 图3.电介质材料创建窗口
`fV$'u 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料： 0,3 ' :Df − Name : Guide O71rLk; − Refractive Index (Re) : 3.3 *oWz H _ − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 Ce)Wvuh v}mmY>M% 图4.创建Guide材料
nag to^5X 5) 重复步骤3）和4），创建第二种电解质材料： ,Z^GN%Q7a − Name : Cladding f
0#V^[%Q − Refractive Index (Re) : 3.27 Z"^@ B2v − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 |V7a26h ~VGK#'X: 图5.左图为创建Cladding材料，右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 sI'HS+~pU
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1，进入通道编辑窗口，构建通道： 1lQ1 0J − Name ： Guide_Channel a[!d)Y:zx − 2D profile definition: Guide N~kYT\$b# − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口，关闭Profile Designer窗口 +=8Po'E^!d atAA[~ 图6.构建通道
2. 定义布局设定 g !8lW
为了定义布局设定，需要在“初始性能对话框（Initial Properties）”窗口进行以下操作： )gLasR.1
1) 点击“默认波导（Default Waveguide）”标签 v %- V|L
− Width：2.8 LYF vzw>M
注意：所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 y$"L`*W
− Profile：Channel-Guide ?(=B=a[
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
6} ;oLnO
] mh+4k?b
2) 切换到“晶圆尺寸（Wafer Dimension）”标签： l{AT)1;^
− Length：5300 qTGy\i
− Width：60 iau&k `b`
图8.设置晶圆尺寸
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zK92:+^C
3) 切换到“2D晶圆属性（2D Wafer Properties）”标签： <coCu0
− Material：Cladding pp`U]Q5"gX
− 点击OK以激活布局窗口 ;CZcY] ol
图9.晶圆材料设置
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jY.%~Y1y
4) 布局窗口 i5" q1dRQ
图10.默认情况下布局窗口显示
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yB1>83!q
5) 调整显示比率，以便更好进行波导结构布局设置： 8gxLL59
− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 J #]y KgT
− Display ratio : Z=40,点击OK，如图11所示 l :"*]m7o_
− 调整缩放比率为0.6 ，最终布局显示如图12所示 :[39g;V}c
图11.调整Z方向和X方向的显示比率 g1|c?#fwo
图12.最终布局显示
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3. 创建一个MMI耦合器 ~dLZ[6Z
为了构建一个MMI耦合器，需要进入如下操作： BxU1Q&
1) 在“绘图（Draw）”菜单下选择“线性波导（Linear Waveguide）”或者在波导栏 下选择线性波导 <hbbFL}|%
2) 当鼠标指针变为十字叉时，点击布局窗口左侧，并向右侧拖拽波导后松开鼠标，以生成第一个线性波导 6zWvd
图13 .绘制第一个线性波动
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QQ：2987619807
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