主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: T7G{)wm • 定义MMI耦合器的材料; 6mrfkYK • 定义布局设定; am
WIA`n= • 创建一个MMI耦合器; Wm58[;%LTw • 插入输入面; 5o~AUo{ • 运行模拟; ">I50#bT • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 G_p13{"IM ]s_BOt 1. 定义MMI耦合器的材料 5#? HL 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: &
V/t0 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ N'5!4JUI YKj PE 图1.初始性能对话框
FCr> $ 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” [k
+fkr] n;dp%SD 图2.轮廓设计窗口
-/qu."9(B 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 mK7egAo
l< |)LDq~ g60rm1b 图3.电介质材料创建窗口
_1Iw"K49Qx 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: 0j~C6vp − Name : Guide wvSaq+N − Refractive Index (Re) : 3.3 s2+s1%^Ll − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 ab5z&7Re6 XAr YmO 图4.创建Guide材料
G0h7MO%x 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: t5za$kW'& − Name : Cladding ~|)'vK8W − Refractive Index (Re) : 3.27 +l$BUX − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 ,}#l0BY B1gBvss 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 Zz04Pz1
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: aq,? − Name : Guide_Channel )![?JXf − 2D profile definition: Guide 0~XZ − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 '.DFyHsq aTY\mKk 图6.构建通道
2. 定义布局设定 ygp NMq#?X
为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: tm}0kWx
1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 Go_~8w0<
− Width:2.8 rOy-6og
注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 d1>Nn!m
− Profile:Channel-Guide 2V#(1Hc!
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
JuT~~Z
jz;"]k
2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: rt\4We,7
− Length:5300 pTJJ.#$CEF
− Width:60 }%9A+w}o
图8.设置晶圆尺寸
ON=6w_
FCEFg)c5=
3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: =sW(2Im
− Material:Cladding 7].FdjT.
− 点击OK以激活布局窗口 uD''0G\
图9.晶圆材料设置
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3Ga!)
4) 布局窗口 <OEu 4,~:
图10.默认情况下布局窗口显示
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0xM\+R~,
5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: AA
um1xl
− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 bEE'50D
− Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 2 -uL
− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 n_51-^*z
图11.调整Z方向和X方向的显示比率 Q=%1@ ,x"
图12.最终布局显示
*.J)7~(P
]I#yS=;
3. 创建一个MMI耦合器 \]W*0t>s
为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: *s9
+
1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 8I'c83w
2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导 x%JtI'sg
图13 .绘制第一个线性波动
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QQ:2987619807
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