主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: A.aUWh • 定义MMI耦合器的材料; VTOZ#*f • 定义布局设定; >wiW(Ki} • 创建一个MMI耦合器; :Ogt{t • 插入输入面; j[zo~Y4z • 运行模拟; c2aX_ " • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 y\]~S2}G Xx~ za{p 1. 定义MMI耦合器的材料 :J|t! ` 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: Y`5(F>/RQG 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ x>5"7MR` Uq0GbLjv" 图1.初始性能对话框
'l+).}, 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” >
YHwWf- ys+ AY^/ 图2.轮廓设计窗口
_`4jzJ* 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 )/BI:)
=Ri'Prx& !;";L5() 图3.电介质材料创建窗口
>syQDB 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: 4l0ON>W( − Name : Guide ^oNk}:> − Refractive Index (Re) : 3.3 [42vO − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 8`e75%f:2 Q{ hXP*5 图4.创建Guide材料
Z x9oj 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: L0\97AF − Name : Cladding %#!pAUP\& − Refractive Index (Re) : 3.27 u)]]9G
_8 − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 g`6_Ao8 9C?;' 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 iGG;
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: cVHv>nd# − Name : Guide_Channel YzTmXwuA5 − 2D profile definition: Guide GfEg][f − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 ';g]!XsY) 35}{dr 图6.构建通道
2. 定义布局设定 mez )G|
为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: RQzcsO
1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 Ho3$T
− Width:2.8 b2x8t7%O
注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 7_,)"J2^
− Profile:Channel-Guide gv7(-I
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
cVrses^yE
C_>dJYM
2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: cR0+`&
− Length:5300 xHs8']*\
− Width:60 ^a=,,6T
图8.设置晶圆尺寸
+9S_H(
Tvd=EO
3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: bERYC|
− Material:Cladding ?k$3( -
− 点击OK以激活布局窗口 GEr]zMYG[A
图9.晶圆材料设置
y#[PQT
c< ke)@
4) 布局窗口 lM1Y }
图10.默认情况下布局窗口显示
}R.<\
7O3 \
5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: giU6f!%
− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 "xS?#^a
− Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 Jf<+VJ>t
− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 Vx1xULdY
图11.调整Z方向和X方向的显示比率 B>dXyo
图12.最终布局显示
O2[uN@nY
DL&\iR
3. 创建一个MMI耦合器 (+'*_
为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: 'je=.{[lWt
1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 XWQp-H.
2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导 <mE)&7C
图13 .绘制第一个线性波动
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QQ:2987619807
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