主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: N}>XBZy • 定义MMI耦合器的材料; Y$ ;C@I • 定义布局设定; XX,iT~+- • 创建一个MMI耦合器; Eq9TJt'3y • 插入输入面; F}A@H<? • 运行模拟; lV-7bZ • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 (@dh"=Lt\ ;jTP|q?|{ 1. 定义MMI耦合器的材料 m[C-/f^u| 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作:
M? oK@i 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ Ak$ghb ]}cai1 图1.初始性能对话框
fi%u] 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” /GNRu KD^>Vv# 图2.轮廓设计窗口
s!09Pxc 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 PY.c$)az>
Pt?]JJxl- $L.0$-je4 图3.电介质材料创建窗口
#{GUu',?& 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: @xW)&d\' − Name : Guide a8-2:8Su − Refractive Index (Re) : 3.3 \CL |=8[2 − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 c@:r\] |$":7)eH! 图4.创建Guide材料
>UpTMEQ 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: F9ry?g=h − Name : Cladding Uq&ne1 − Refractive Index (Re) : 3.27 j[yGfDb − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 vfJ}t#%UH h%(dT/jPL) 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 LQ?J
r>4
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: +}X?+Epm − Name : Guide_Channel Zbxd,|<| − 2D profile definition: Guide "TKf"zc − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 V{fYMgv Y2j>lf?8 图6.构建通道
2. 定义布局设定 %lV&QQa
为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: _h7+.U=
1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 N<:5 r
− Width:2.8 4-=> >#
P
注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 B} gi /
− Profile:Channel-Guide \i "I1xU
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
y%=\E
"tUXYY
2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: ;'dw`)~jQ
− Length:5300 R3Eh47
− Width:60 +GgWd=X.Y
图8.设置晶圆尺寸
FqQm*k_
SMk{159q&
3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: /9|1eSUa
− Material:Cladding X^?<, Y)1.
− 点击OK以激活布局窗口 xzy7I6X
图9.晶圆材料设置
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6
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4) 布局窗口 Rs{L
图10.默认情况下布局窗口显示
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X
5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: |h*H;@$
− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 J:'cj5@
− Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 ,|"tLN*m
− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 ME1lQ7E4B
图11.调整Z方向和X方向的显示比率 "a-Ex ]
图12.最终布局显示
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4
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3. 创建一个MMI耦合器 DL|,:2`
为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: f$iv+7<B^
1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 De4UGX
2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导 ?BQZ\SXU
图13 .绘制第一个线性波动
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QQ:2987619807
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