主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: |$5[(6T| • 定义MMI耦合器的材料; NaX • 定义布局设定; 8 r_>t2$ • 创建一个MMI耦合器; t%F0:SH • 插入输入面; \=_{na_ • 运行模拟; Y>'|oygHA • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 ^Q+g({
gz3pX#S 1. 定义MMI耦合器的材料 jH_JmYd 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: \hCH>*x< 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ [jmd h@a+NE8 图1.初始性能对话框
W.kM7z>G 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” ;G%R<Z LD!Q8" 图2.轮廓设计窗口
_3ZYtmn. 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 BCA&mi3q
o"*AtGR+" t. ;LnrY 图3.电介质材料创建窗口
aA,!<^&} 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: ~c\e'≻ − Name : Guide MdW]MW{ − Refractive Index (Re) : 3.3 A{A\RSZ0 − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 WYr/oRO Mxv;k%l|E| 图4.创建Guide材料
wp&=$Aa)' 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: soQ1X@"0 − Name : Cladding b9l;a+]d − Refractive Index (Re) : 3.27 UeRj< \"Q − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 ~;N^g4s :5{wf Am 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 ')$+G152
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: `E>1>' − Name : Guide_Channel <*qnY7c&N; − 2D profile definition: Guide a24"yT − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 .4E&/w+ t;}:waZD 图6.构建通道
2. 定义布局设定 f.9SB
为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: 7Ve1]) u
1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 sc}~8T
− Width:2.8 0.@&_XTPl
注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 \RG8{G,
− Profile:Channel-Guide ojanBg
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
jWrj?DV,2N
hbY5l}\5
2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: oaIi2=Tf
− Length:5300 ()6wvu}
− Width:60 M
r5v<
图8.设置晶圆尺寸
A|<jX}
)84 ~ugs
3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: GJ_7h_4
− Material:Cladding 6V7B;tB
− 点击OK以激活布局窗口 q-}Fvel u
图9.晶圆材料设置
Tu).K.p:
5?]hd*8
4) 布局窗口 24z< gO
图10.默认情况下布局窗口显示
G?Q3/y(
`ojoOB^L
5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: 2h5nMI]'
− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 (pv+c,
− Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 H}hiT/+$
− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 sT}.v*
图11.调整Z方向和X方向的显示比率 vH :LQ!2
图12.最终布局显示
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~f$|HP}
3. 创建一个MMI耦合器 hhCrUn"
为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: JvVWG'Z"
1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 hoK>~:;
2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导 _./Sk|C
图13 .绘制第一个线性波动
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QQ:2987619807
H|3:6x