主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: ?G<.W[3 • 定义MMI耦合器的材料; mJ JF • 定义布局设定; Z Is=%6""& • 创建一个MMI耦合器;
?cKe~Q?3 • 插入输入面; 3F?_{A • 运行模拟; xV>sc;PEb • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 xM2UwTpW QQ\\:]iM 1. 定义MMI耦合器的材料 /4{IxQk 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: 9?zi 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ *_H^]wNJG 8[L]w^ 图1.初始性能对话框
,u^%[ejH 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” ?F/)<r Y[.f`Ei2 图2.轮廓设计窗口
<m0m8p"G 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 ;fxrOfb
*yqke<o9) Hh`HMa'q 图3.电介质材料创建窗口
O6$n VpD3 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: <8YIQA − Name : Guide 5
[X,? − Refractive Index (Re) : 3.3 +Y"HbNz − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 S t;@ZV 7_c/wbA#me 图4.创建Guide材料
1a_;(T 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: ;uN&yj<}a − Name : Cladding 3"LT '' − Refractive Index (Re) : 3.27 X]c>clk, − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 ()(^B}VK }S 6h1X 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 v{pW/Fu~
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: d-'BT(@: − Name : Guide_Channel >9,:i)m_ − 2D profile definition: Guide BDT"wy8 − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 DA^!aJ6iF Mk8k,"RG&Z 图6.构建通道
2. 定义布局设定 Ib2n Bg>j
为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: oq[r+E-]$@
1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 Z. ,pcnaQb
− Width:2.8 (kL(:P/
注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 @BMuov
− Profile:Channel-Guide c]A @'{7
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
GsU.Lkf
to(lE2`.da
2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: b]g#mQ
− Length:5300 &/8B(0<
− Width:60 Q& S 7_
图8.设置晶圆尺寸
SS!b`
jKb4d9aX
3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: FYIz_GTk
− Material:Cladding @nOuFX4
− 点击OK以激活布局窗口 ZwMd 22
图9.晶圆材料设置
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L b-xc]
4) 布局窗口 Zx^R -9
图10.默认情况下布局窗口显示
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+2g}wH)l
5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: J+l#!gk$!
− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 H
$mZ?
− Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 ;E0x#JUrw
− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 z?W kHQ9
图11.调整Z方向和X方向的显示比率 lm|s%
图12.最终布局显示
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1pP q)}=+
3. 创建一个MMI耦合器 ?KG4Z
为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: XwDt8TxL
1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 EOXuc9>G
2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导 9qm'qx
图13 .绘制第一个线性波动
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QQ:2987619807
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