主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: H$HhB8z3 • 定义MMI耦合器的材料; ' 1IH^<b • 定义布局设定; Il[WXt<S • 创建一个MMI耦合器; ^B>6! • 插入输入面; n+w>Qz' • 运行模拟; "^7Uk#!
7 • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 8;@eY`0( ul1Vsj 1. 定义MMI耦合器的材料 2^:nlM{u 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: f+RDvgkKU 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ TlJF{ <E a$-ax[:\sm 图1.初始性能对话框
GQQ6 t 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” uW|y8 BP $ Obm\h*$ 图2.轮廓设计窗口
0
$r{h}[^c 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 xFh}%mwpt[
mNzZ/*n: aeIR}'H| 图3.电介质材料创建窗口
/fEXAk 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: ud1E@4;qf − Name : Guide F ry5v?22 − Refractive Index (Re) : 3.3 `,z{7 0 − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 mD:!"h/ Uk#1PcPd 图4.创建Guide材料
1>LquZ+Kj 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: 4i \n1RW − Name : Cladding K> U&jH − Refractive Index (Re) : 3.27 p_D)=Ef|& − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 ]H*=Z:riu =>Efrma 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 {WChD&v
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: Ki2_Nh>tM − Name : Guide_Channel a7ty&[\ − 2D profile definition: Guide {$JIR}4S − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 H}/1/5L Z~
(QV0} 图6.构建通道
2. 定义布局设定 'DPSM?]fA
为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: GOjri
1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 pbNVj~#6
− Width:2.8 OmW|\d PU
注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 Tu"](|I>
− Profile:Channel-Guide ;3_'{
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
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x$t=6@<]
2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: ^"I!+Teb
− Length:5300 bk|>a=o3
− Width:60 O-RiDYej
图8.设置晶圆尺寸
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3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: QCMF_;aNI
− Material:Cladding &F)lvtt|
− 点击OK以激活布局窗口 GauIe0qV
图9.晶圆材料设置
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4) 布局窗口 #F
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图10.默认情况下布局窗口显示
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5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: L3S,*LnA
− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 %q@@0qenv
− Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 Cs< d\"+
− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 >:.Bn 8-
图11.调整Z方向和X方向的显示比率 4r %NtXAa
图12.最终布局显示
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D0~mu{;c$
3. 创建一个MMI耦合器 '<O&
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为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: @jfd.? RK!
1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 9
HuE'(wQ
2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导 K.k=\N
图13 .绘制第一个线性波动
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QQ:2987619807
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