切换到宽版
  • 广告投放
  • 稿件投递
  • 繁體中文
    • 2689阅读
    • 0回复

    [分享]OptiBPM:创建一个简单的多模干涉(MMI)耦合器 [复制链接]

    上一主题 下一主题
    离线infotek
     
    发帖
    7184
    光币
    30061
    光券
    0
    只看楼主 倒序阅读 楼主  发表于: 2021-05-08
    主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: N GnE  
    • 定义MMI耦合器的材料 0)h.[O8@>  
    • 定义布局设定; RWM~7^JA  
    • 创建一个MMI耦合器; ?Q=(?yR0]  
    • 插入输入面; a(O@E%|u  
    • 运行模拟 af6<w.i  
    • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 HES$. a  
    6.45^'t]  
    1. 定义MMI耦合器的材料 t'W6Fmwkx  
    为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: )q4nyT>M  
    1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ bL0]Yuh  
    ]P7gEBi  
    图1.初始性能对话框
    `hG`}G|^  
    2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” jM6$R1HX  
    Ym ]g0a  
    图2.轮廓设计窗口
    }2BNy9q@  
    3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 @(x]+*)  
    W6EEC<$JL  
    im:[ViR {  
    图3.电介质材料创建窗口
    q\!"FDOl4  
    4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: `'r]Oe  
    − Name : Guide r:0RvWif  
    − Refractive Index (Re) : 3.3 h \`(  
    − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 n 78!]O  
    .':17 $c`H  
    图4.创建Guide材料
    u}R|q  
    5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: UDJ#P9uy  
    − Name : Cladding 5B8/"G  
    − Refractive Index (Re) : 3.27 ;2fzA<RkK  
    − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 ~/SLGyu  
    PeEaF@#k  
          
    图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 u|ihUE!h  
    6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: <daH0l0  
    − Name : Guide_Channel 3~WI3ZIR  
    − 2D profile definition: Guide  L=!h`k  
    − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 ^5 "yY2}-  
    l&] %APL  
    图6.构建通道
    2. 定义布局设定 #|:q"l9  
    为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: yl' IL#n]r  
    1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 BgCEv"G5  
    − Width:2.8 )Rk(gd  
    注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 i+I.>L/S  
    − Profile:Channel-Guide /N/jwLr  
    图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
    v) K|{x  
    eK3d_bF+  
    2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: 7X$pgNRx/a  
    − Length:5300 v,rKuvc'  
    − Width:60 +W[{UC4b  
    图8.设置晶圆尺寸
    4_CXs.v1  
    UNrO$aX!1'  
    3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: ?5pZp~  
    − Material:Cladding 1Nv qtVC  
    − 点击OK以激活布局窗口 Uul5h8F  
    图9.晶圆材料设置
    jM{5nRQ  
    a{By U%  
    4) 布局窗口 ]wbV1Y"  
    图10.默认情况下布局窗口显示
    9Z 6  
    cZ.p  
    5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: Ve"M8-{oKk  
    − View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 +'[*ikxD=g  
    − Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 q8e]{sT'!  
    − 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 ?LvxEQ-g  
    图11.调整Z方向和X方向的显示比率 8j ky-r  
    图12.最终布局显示
    K7qR  
    JkLpoe81  
    3. 创建一个MMI耦合器 %|2x7@&s  
    为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: /(s N@kt  
    1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 {FN4BC`3+  
    2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导 vBY?3p,0p  
    图13 .绘制第一个线性波动
    mI^S% HT  
    QQ:2987619807
    ^v3J ld  
     
    分享到