主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: 3W]gn8 • 定义MMI耦合器的材料; L`X5\D'X • 定义布局设定; CWocb=E • 创建一个MMI耦合器; -
jCj_@n • 插入输入面; ' QMcQvU • 运行模拟; x)GheM^ • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 RV);^, b O"Nr$bS(Y 1. 定义MMI耦合器的材料 >3@3~F%xAX 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: J7^UQ 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ EmR82^_: :8hI3]9 图1.初始性能对话框
%y|pVN!U 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” _U-`/r o vSC1n8 / 图2.轮廓设计窗口
6@t& 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 X^K^az&L
~J&-~<%P} Z"%. 图3.电介质材料创建窗口
ft1#f@b. 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: dH
PvVe/ − Name : Guide `lWGwFg g( − Refractive Index (Re) : 3.3
WZY+c − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 ENIg_s4 Y0T :% 图4.创建Guide材料
bxtH`^ 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: r)>3YM5 − Name : Cladding At?|[%<` − Refractive Index (Re) : 3.27 , ?U)mYhI − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 @j_o CDS !'p<Kh[i 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 *DC/O(
0
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: GWWg3z.o"W − Name : Guide_Channel yn_f%^!G − 2D profile definition: Guide #qYgQ<TM! − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 eZqEFMBTm vt2.
i$u 图6.构建通道
2. 定义布局设定 OKlR`Vaty
为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: 6QCVi
1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 Z4Dx:m-
− Width:2.8 nJ]7vj,rB
注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 #IvKI+"
− Profile:Channel-Guide &:&l+
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
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gBv!E9~l
2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: "Zh,;)hS
− Length:5300 BVNJas
− Width:60 nPdkvs
图8.设置晶圆尺寸
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cZ|*Zpk
3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: 41<h|WA
− Material:Cladding T`":Q1n
− 点击OK以激活布局窗口 F:T(-,
图9.晶圆材料设置
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G=|?aK{p
4) 布局窗口 R}gdN-941
图10.默认情况下布局窗口显示
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AXHY$f|
5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: tjwf;g}$
− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 x-k-Pd
− Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 x\8g ICf
− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 oSD=3DQ;
图11.调整Z方向和X方向的显示比率 M$%ON>Kq
图12.最终布局显示
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P"^Yx8 L#
3. 创建一个MMI耦合器 P|@[D=y
为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: @I?,!3`jS
1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 7>y]uT@ar
2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导 s_/@`kd{
图13 .绘制第一个线性波动
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QQ:2987619807
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