切换到宽版
  • 广告投放
  • 稿件投递
  • 繁體中文
    • 2069阅读
    • 0回复

    [分享]OptiBPM:创建一个简单的多模干涉(MMI)耦合器 [复制链接]

    上一主题 下一主题
    离线infotek
     
    发帖
    6441
    光币
    26350
    光券
    0
    只看楼主 倒序阅读 楼主  发表于: 2021-05-08
    主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: u|]{|Ya'%  
    • 定义MMI耦合器的材料 !O|d,)$q  
    • 定义布局设定; ."`mh&+`  
    • 创建一个MMI耦合器; Dp1FX"a)  
    • 插入输入面; d^uE4F}  
    • 运行模拟 x=-dv8N?  
    • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 R1't W=  
    `FS)i7-o6  
    1. 定义MMI耦合器的材料 $D;/b+a  
    为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: } @r|o:I  
    1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ `D *U@iJ  
    R<\5 q%@G  
    图1.初始性能对话框
    Q\H1=8  
    2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” dKk\"6 o  
    ~|y$^qy?U  
    图2.轮廓设计窗口
    _#f+@)vR  
    3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 ?a)X)#lQ  
    9gWR djK:  
    :Q\Es:y  
    图3.电介质材料创建窗口
    tjONN(K`  
    4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: D,$!.5OA  
    − Name : Guide r0MUv}p#|L  
    − Refractive Index (Re) : 3.3 ~vL7$-:  
    − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 M:[rH  
    \/qo2'V j`  
    图4.创建Guide材料
    !u)>XS^E  
    5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: SynL%Y9)|,  
    − Name : Cladding |4E5x9J  
    − Refractive Index (Re) : 3.27 U2hPsF4f  
    − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 4?eO1=a  
    0cGO*G2Xr  
          
    图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 Z}X oWT2f  
    6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: <[*%d~92z  
    − Name : Guide_Channel f&=WgITa  
    − 2D profile definition: Guide Kivr)cIG  
    − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 dWR-}>  
    3EY>XS  
    图6.构建通道
    2. 定义布局设定 G`;YB  
    为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: Wi;wu*  
    1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 Fa"/p_1  
    − Width:2.8 N*^iOm]Y  
    注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 yW =I*f  
    − Profile:Channel-Guide vk:k~   
    图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
    CIt%7 \c  
    ?cyBF*o  
    2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: r%:Q(|v?  
    − Length:5300 6H ]rO3[8  
    − Width:60 2`Dqu"TWh  
    图8.设置晶圆尺寸
    K3Sa6"U  
    m2{DLw".  
    3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: v0aV>-v  
    − Material:Cladding l_q=@y  
    − 点击OK以激活布局窗口 *A^`[_y  
    图9.晶圆材料设置
    a+-X\qN  
    v47S9Vm+  
    4) 布局窗口 B@+&?%ub:  
    图10.默认情况下布局窗口显示
    z~m{'O`  
    KfPYH\ 0  
    5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: $.5f-vQp  
    − View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 8*bEsc|  
    − Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 c>$PLO^  
    − 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 mJ #|~I*Z-  
    图11.调整Z方向和X方向的显示比率  S6d&w6  
    图12.最终布局显示
    K|Cb6''  
    t| cL!  
    3. 创建一个MMI耦合器 #9/^)^k  
    为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: Z[Z3x6 6  
    1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 [^D~T  
    2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导  fOUW{s  
    图13 .绘制第一个线性波动
    gs:V4$(p4  
    QQ:2987619807
    f{HjM? Mb3  
     
    分享到