主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: So6x"1B • 定义MMI耦合器的材料; YR70BOxK • 定义布局设定; KoRV%@I • 创建一个MMI耦合器; rA1._
• 插入输入面; SJLis"8 • 运行模拟; l}h!B_P' • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 2eogY# e.%nRhSs3 1. 定义MMI耦合器的材料 rOYx
b }1 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: xo)P?- 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ ]|@^1we 54,er$$V 图1.初始性能对话框
xk5]^yDp 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” h;Kx!5)y ^q&x7Kv% 图2.轮廓设计窗口
*a)n62 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 {:s f7
x^ni1=kU `^vE9nW7 图3.电介质材料创建窗口
hPh-+Hb 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料:
9sP0D − Name : Guide S/ *E,))m − Refractive Index (Re) : 3.3 ~u{uZ(~ − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 OI*H,Z" hp2t"t 图4.创建Guide材料
]5O~+Nf 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: v19-./H^
j − Name : Cladding W^Yxny − Refractive Index (Re) : 3.27 =l6mL+C − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 }k0_5S gi8FHSU|G 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 M:8R-c#![
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: 1\Xw3prH
− Name : Guide_Channel 0sqFF[i − 2D profile definition: Guide }C:r9?T − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 ;gkM{={`p x:;kSh 图6.构建通道
2. 定义布局设定 8}[).d160
为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: XSDpRo
1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 _#niyW+?~
− Width:2.8 0@(&eH=
注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 *hx
− Profile:Channel-Guide .8R@2c`}Cs
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
osRy e3
+TJCLZ..
2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签:
2iOV/=+
− Length:5300 Uly ue
− Width:60 \zkg
图8.设置晶圆尺寸
M7T5
~/4
bsX[UF
3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: VRMXtQ*1Dm
− Material:Cladding %{|p j
+
− 点击OK以激活布局窗口 ?}0 ,o.
图9.晶圆材料设置
O?2DQY?jT
\Z/@C lCm
4) 布局窗口
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图10.默认情况下布局窗口显示
(e~N q
+2{Lh7Ks
5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: vQCy\Gi
− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 y0#2m6u
− Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 j_AACq
{.
− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 $I=~S[p
图11.调整Z方向和X方向的显示比率 e=
AKD#
图12.最终布局显示
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kj_c%T
]/
3. 创建一个MMI耦合器 fu5=k:/c
为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: WcAkCH!L
1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 b;n[mk
2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导 ! mHO$bQ"
图13 .绘制第一个线性波动
>A= f1DF
QQ:2987619807
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