主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器，主要步骤如下： TVh7h`E g • 定义MMI耦合器的材料； ia lk6i![ • 定义布局设定； X #C7r@H • 创建一个MMI耦合器； SPm5tU • 插入输入面； hl~F1"q ) • 运行模拟； +s 0Bt ' • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 <(lSNGv5N 'r < B aL 1. 定义MMI耦合器的材料 u:kY4T+Z 为了定义MMI耦合器的材料，需要进行如下操作： ?)<XuMh 1) 通过File-New打开“初始性能对话框（Initial Properties）“ =Z L}Av} E|#R0n* 图1.初始性能对话框
%QZ!Tb 2) 点击图1中的“轮廓和材料（Profiles And Materials）”以激活“轮廓设计窗口（Profile Designer）” HWAqJb [ hWe}(Ks 图2.轮廓设计窗口
V zx(J) 3) 右键单击图2中材料（Materials）标签下的“电介质（Dielectric）“，选择New以激活电介质材料创建窗口 &H>dE]Hq,
cf3c+.o { qx,X.5$ 图3.电介质材料创建窗口
8-l Y6M\R\ 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料： FDC{8e − Name : Guide ty=?SZF − Refractive Index (Re) : 3.3 \r9%;?f − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 2^lT !X@ />7/S^ 图4.创建Guide材料
{j@)sDM X 5) 重复步骤3）和4），创建第二种电解质材料： VO6y9X" − Name : Cladding @S:/6__ − Refractive Index (Re) : 3.27 E cz "O
− 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 ^$
bhmJYT i(kK!7W35 图5.左图为创建Cladding材料，右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 / kGX 6hh
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1，进入通道编辑窗口，构建通道： d9( Sj? − Name ： Guide_Channel Y% 9F − 2D profile definition: Guide ~jTn jx − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口，关闭Profile Designer窗口 F}[;ytmUS B)`X 7uG 图6.构建通道
2. 定义布局设定 mf' 1.{
为了定义布局设定，需要在“初始性能对话框（Initial Properties）”窗口进行以下操作： X*q
C:]e
1) 点击“默认波导（Default Waveguide）”标签 4!qDG+m
− Width：2.8 v w;
注意：所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 _q$ fw&
− Profile：Channel-Guide C(Y6 t1
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
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g3 rFJc
2) 切换到“晶圆尺寸（Wafer Dimension）”标签： DNe^_v)]|
− Length：5300 3NWAy Cq-
− Width：60 r T) R*3
图8.设置晶圆尺寸
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-KT
.).<L`q
3) 切换到“2D晶圆属性（2D Wafer Properties）”标签： 0E[Se|!
− Material：Cladding A UV$ S2
− 点击OK以激活布局窗口 k~dr;j
图9.晶圆材料设置
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OK}"|:hrd
4) 布局窗口 #"JU39 e
图10.默认情况下布局窗口显示
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XU8}
Shd,{Z)-Tg
5) 调整显示比率，以便更好进行波导结构布局设置： xGA0]
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− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 \&90$>h
− Display ratio : Z=40,点击OK，如图11所示 M 8 }M*\2
− 调整缩放比率为0.6 ，最终布局显示如图12所示 B E)l77=/
图11.调整Z方向和X方向的显示比率 uS jMqfK
图12.最终布局显示
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3. 创建一个MMI耦合器
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为了构建一个MMI耦合器，需要进入如下操作： OpE+e4~IF
1) 在“绘图（Draw）”菜单下选择“线性波导（Linear Waveguide）”或者在波导栏 下选择线性波导 0=DawJ9
2) 当鼠标指针变为十字叉时，点击布局窗口左侧，并向右侧拖拽波导后松开鼠标，以生成第一个线性波导 7 '/&mX>
图13 .绘制第一个线性波动
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QQ：2987619807
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