主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器，主要步骤如下： kd ! f/'E! • 定义MMI耦合器的材料； \#G`$JD • 定义布局设定； ft:/-$&H • 创建一个MMI耦合器； + +D(P=4hi • 插入输入面； q d!$ nr • 运行模拟； "R4~
8 r • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 rbQA6_U 5A LvhF@%(9 J 1. 定义MMI耦合器的材料 dpGaI 为了定义MMI耦合器的材料，需要进行如下操作： -}PD0Pzg;= 1) 通过File-New打开“初始性能对话框（Initial Properties）“ - uliND 89+m?H] K 图1.初始性能对话框
|~#!e}L( 2) 点击图1中的“轮廓和材料（Profiles And Materials）”以激活“轮廓设计窗口（Profile Designer）” *N< 22w ^Q2K0'm5 图2.轮廓设计窗口
\A keC 6[D 3) 右键单击图2中材料（Materials）标签下的“电介质（Dielectric）“，选择New以激活电介质材料创建窗口 )wSsxX7:
/HI#8 &..'7 图3.电介质材料创建窗口
|Z# ) 1K 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料： *kZJ − Name : Guide [4PG_k[uTJ − Refractive Index (Re) : 3.3 B@.U \. − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 +% '0; mZMLDs: 图4.创建Guide材料
c>=[|F{{e 5) 重复步骤3）和4），创建第二种电解质材料： vHJ ~~if − Name : Cladding )5'S=av9 − Refractive Index (Re) : 3.27 +!.=M8[ − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 e?RHf_d3T- ?6t uo:gP 图5.左图为创建Cladding材料，右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 JF24~ Q4P
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1，进入通道编辑窗口，构建通道： QP[w{T − Name ： Guide_Channel lZ/Yp~2S − 2D profile definition: Guide Q9FY.KUM − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口，关闭Profile Designer窗口 vTP'\^; RHVMlMX 图6.构建通道
2. 定义布局设定 ]5uCs[
为了定义布局设定，需要在“初始性能对话框（Initial Properties）”窗口进行以下操作： \T<?=A
1) 点击“默认波导（Default Waveguide）”标签 .VTHZvyn
− Width：2.8 1 9;\:tN
注意：所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 B>|@XfPM
− Profile：Channel-Guide 3 T & m
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
WElB,a-RCp
a"#5Jc R3
2) 切换到“晶圆尺寸（Wafer Dimension）”标签： 9K
FWa0G
− Length：5300
`6Y'H2WJ?
− Width：60
mEhVc!
图8.设置晶圆尺寸
6M 259*ME
80axsU^H0
3) 切换到“2D晶圆属性（2D Wafer Properties）”标签： 0u)]1
− Material：Cladding Y~fds#y0
− 点击OK以激活布局窗口 {@B<$g
图9.晶圆材料设置
Bam7^g'*!3
;Fp"]z!Qh+
4) 布局窗口 NWb,$/7T
图10.默认情况下布局窗口显示
)6IO)P/Q~
NWv1g{M
5) 调整显示比率，以便更好进行波导结构布局设置： 8Qek
