主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器，主要步骤如下： 9$$ Ijf • 定义MMI耦合器的材料； nCi
]6;Y • 定义布局设定； vE ) N6Ss • 创建一个MMI耦合器； xK6`|/e • 插入输入面； Ll=G+cw6P • 运行模拟； {nmu(E P • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 c)#7T<>*' z~h ?"' 1. 定义MMI耦合器的材料 ~}b0zL 为了定义MMI耦合器的材料，需要进行如下操作： G06;x 1) 通过File-New打开“初始性能对话框（Initial Properties）“ j:cu;6| >;Hx<FKxP 图1.初始性能对话框
: 2 %eh 2) 点击图1中的“轮廓和材料（Profiles And Materials）”以激活“轮廓设计窗口（Profile Designer）” "^z%|uXkf f0 g/`j@Up 图2.轮廓设计窗口
MPUyu(-%{ 3) 右键单击图2中材料（Materials）标签下的“电介质（Dielectric）“，选择New以激活电介质材料创建窗口 b<y* :(:
OT\D;Z"__I E}4{{{r 图3.电介质材料创建窗口
6k0Awcr 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料： }T.>p# z − Name : Guide qWW\d' , . − Refractive Index (Re) : 3.3 1L::Qu%E − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 U=JK z+.G>0 M 图4.创建Guide材料
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i!K-_Uy 5) 重复步骤3）和4），创建第二种电解质材料： BaIpX< $T − Name : Cladding =k<b* 8 − Refractive Index (Re) : 3.27
;cf$u}+ − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 =b$g_+ :i>LESJq 图5.左图为创建Cladding材料，右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 !7\dr )
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1，进入通道编辑窗口，构建通道： Z]Xa:[ − Name ： Guide_Channel ?x ",VA − 2D profile definition: Guide fZf>>mu@r' − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口，关闭Profile Designer窗口 e- `9-U%6 UZt3Ua&J 图6.构建通道
2. 定义布局设定 8# $HKWUK
为了定义布局设定，需要在“初始性能对话框（Initial Properties）”窗口进行以下操作： fASklcQ
1) 点击“默认波导（Default Waveguide）”标签 m If)=RW
− Width：2.8 MX~h>v3_R4
注意：所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 (zsmJe
− Profile：Channel-Guide ; s,1/ kA
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
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2) 切换到“晶圆尺寸（Wafer Dimension）”标签： _lI(!tj(
− Length：5300 +>1Yp"> ?
− Width：60 2 Ax(q&`9
图8.设置晶圆尺寸
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3) 切换到“2D晶圆属性（2D Wafer Properties）”标签： }6LcimQyK
− Material：Cladding c%G~HOE=B
− 点击OK以激活布局窗口 ^'N!k{x
图9.晶圆材料设置
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4) 布局窗口 ?_{{iil
图10.默认情况下布局窗口显示
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5) 调整显示比率，以便更好进行波导结构布局设置： 85"Szc-#
− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 ) 5`^@zx
− Display ratio : Z=40,点击OK，如图11所示 {>9<H]cSP
− 调整缩放比率为0.6 ，最终布局显示如图12所示 Dp*:oMATx0
图11.调整Z方向和X方向的显示比率 C A|W4f}
图12.最终布局显示
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`Q+O# l?
3. 创建一个MMI耦合器 3J4OkwqD
为了构建一个MMI耦合器，需要进入如下操作： {nZP4jze
1) 在“绘图（Draw）”菜单下选择“线性波导（Linear Waveguide）”或者在波导栏 下选择线性波导 :p<:0W2!
2) 当鼠标指针变为十字叉时，点击布局窗口左侧，并向右侧拖拽波导后松开鼠标，以生成第一个线性波导 7zQGuGo(
图13 .绘制第一个线性波动
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QQ：2987619807
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