主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: ]%Nlv( • 定义MMI耦合器的材料; ,4,V4 N • 定义布局设定; ]f: v,a • 创建一个MMI耦合器; J}@z_^|"mJ • 插入输入面; |'+eMl • 运行模拟; /`;n@0k>2 • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 .8uz 6~ ;)I'WQ]Q 1. 定义MMI耦合器的材料 RUUk
f({( 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: mVsIAC$}8 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ <~X >[PK< #gaQaUjR 图1.初始性能对话框
>,gvb5 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” `^Eae >Clh] ;K 图2.轮廓设计窗口
{
"xln/ 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 X3:XTuV
c8M2 ^{O,` ww{_c]My 图3.电介质材料创建窗口
[kzd(u 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: X _G| hx − Name : Guide
|R@~-Ht − Refractive Index (Re) : 3.3 *;U'[H3Q − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 +"}=d3E6 }Jh: 8BNuP 图4.创建Guide材料
@@g\2Gs 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: !W'Ui
9uX − Name : Cladding ?$Wn!"EC8 − Refractive Index (Re) : 3.27 )wtaKF.- − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 16EVl~LN \WrFqm# 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 deeU@x`f<
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: \[>9UC% − Name : Guide_Channel Dbaf0 − 2D profile definition: Guide tYqs~B3 − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 LrV{j?2@ {"H2 :-t< 图6.构建通道
2. 定义布局设定 d~_`M0+
为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: p|/j4@-h
1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 $]&(7@'qo
− Width:2.8 yag}fQ(XH
注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 7"*|2Xq
− Profile:Channel-Guide |nk3^;Yf
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
Koln9'tB
%T=A{<[`
2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: O:/yAc`
− Length:5300 w_4]xgS:
− Width:60 9>#:/g/
图8.设置晶圆尺寸
=}fd6ea(o
HFQR
;9]
3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: <n\`d
− Material:Cladding Hv<'dt$|
− 点击OK以激活布局窗口 /<3<.
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图9.晶圆材料设置
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fp|
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4) 布局窗口 j?|* LT$%7
图10.默认情况下布局窗口显示
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5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: RQvV R
− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 \hP=-J [~C
− Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 8?Y['
− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 ?vGffMm
图11.调整Z方向和X方向的显示比率 kDYN>``biP
图12.最终布局显示
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:y,v&Kk#T
3. 创建一个MMI耦合器 npu6E;'l*
为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: %YlTF\-
1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 ? {F{;r
2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导 D0]a\,aZ
图13 .绘制第一个线性波动
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QQ:2987619807
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