主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器，主要步骤如下： ~bSPtH
]6d • 定义MMI耦合器的材料； g1JBssw&m • 定义布局设定； rkF]Q_'`t; • 创建一个MMI耦合器； Cv@ZzILyoK • 插入输入面； n%o"n?e • 运行模拟； 'eN cQJh • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 A4lh`n5% O1+ 2Z\F 1. 定义MMI耦合器的材料 yF &"'L 为了定义MMI耦合器的材料，需要进行如下操作： A.a UWh 1) 通过File-New打开“初始性能对话框（Initial Properties）“ ,J|8P{ZO vf=b5s(7Q 图1.初始性能对话框
kW"6Gc&HUN 2) 点击图1中的“轮廓和材料（Profiles And Materials）”以激活“轮廓设计窗口（Profile Designer）” s2-`}LL [whX),3> 图2.轮廓设计窗口
~J}{'l1{yf 3) 右键单击图2中材料（Materials）标签下的“电介质（Dielectric）“，选择New以激活电介质材料创建窗口 |!VSed#FSn
Y#9dVUS _~?N3G 图3.电介质材料创建窗口
FL}k0 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料： R f)lFi − Name : Guide 0Q^a*7w`8a − Refractive Index (Re) : 3.3 otQulL)T/ − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 `Pa)H >
Y HwWf- 图4.创建Guide材料
-e6~0% X 5) 重复步骤3）和4），创建第二种电解质材料： O?<R.W<QI − Name : Cladding gO kq>i_ − Refractive Index (Re) : 3.27 ?!R
Z~~d − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 V87?J w%2 %:bTOw[4r 图5.左图为创建Cladding材料，右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 J7FCW^-`3
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1，进入通道编辑窗口，构建通道： 5l"/lGw − Name ： Guide_Channel A=LyN$ % − 2D profile definition: Guide zKycd*X − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口，关闭Profile Designer窗口 *=OU ~68)C AS;E O[Vn 图6.构建通道
2. 定义布局设定 pBW|d\8
为了定义布局设定，需要在“初始性能对话框（Initial Properties）”窗口进行以下操作： a1lF8; [
1) 点击“默认波导（Default Waveguide）”标签 9[<,49
− Width：2.8 9C?;'
注意：所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 ^T):\x(
− Profile：Channel-Guide `m N*"1p-
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
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k 7 !{p
2) 切换到“晶圆尺寸（Wafer Dimension）”标签： +8t dAw
− Length：5300 ]JQ';%dne
− Width：60 m_{?py@tZ
图8.设置晶圆尺寸
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3) 切换到“2D晶圆属性（2D Wafer Properties）”标签： ;J"b% ~Gn
− Material：Cladding *82f {t]
− 点击OK以激活布局窗口 wB(A['k
图9.晶圆材料设置
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4) 布局窗口 9mdp \A
图10.默认情况下布局窗口显示
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Z)RoFD1]C
5) 调整显示比率，以便更好进行波导结构布局设置： FX+;azE7
− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 .8[Db1W
− Display ratio : Z=40,点击OK，如图11所示 Y9h~ hD
− 调整缩放比率为0.6 ，最终布局显示如图12所示 NXQdy g,
图11.调整Z方向和X方向的显示比率 PCxv_Svf
图12.最终布局显示
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3. 创建一个MMI耦合器 `4 Jlf!
为了构建一个MMI耦合器，需要进入如下操作： v!oXcHK/
1) 在“绘图（Draw）”菜单下选择“线性波导（Linear Waveguide）”或者在波导栏 下选择线性波导 7x
*]
2) 当鼠标指针变为十字叉时，点击布局窗口左侧，并向右侧拖拽波导后松开鼠标，以生成第一个线性波导 &|t*9 D
图13 .绘制第一个线性波动
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QQ：2987619807
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