主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: zGz5|u • 定义MMI耦合器的材料; ?]P&3UU>0z • 定义布局设定; |
sQ5`lV? • 创建一个MMI耦合器; OSSMIPr • 插入输入面; x80~j(uVf • 运行模拟; FPcgQ
v;p • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 I7[+:?2 (tVY
/(~# 1. 定义MMI耦合器的材料 ("{AY?{{ 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: _L:
/2 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ VvoJ85 ,xR^8G8 图1.初始性能对话框
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|f h!- 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” s';jk(i3 ~gX@2!D5k 图2.轮廓设计窗口
s"sX#l[J 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 u\Xi]pZ@X]
}. ,xhF[ *qq %)7 图3.电介质材料创建窗口
sL!6-[N 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: rj:$'m7 − Name : Guide '!y ^ − Refractive Index (Re) : 3.3 AE<AEq − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 YJ:CqTy [IHT)%>E8& 图4.创建Guide材料
QDgOprha 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: 63k8j[$ − Name : Cladding vn
kktD'n − Refractive Index (Re) : 3.27 ,:,c
kul − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 ^ qE4:|e 'x!q*|zF2 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 k_y@vW3
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: =e ;\I/ − Name : Guide_Channel }>p)|YT"/ − 2D profile definition: Guide \x|(`;{ − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 3J[P(G>Q f[dwu39k 图6.构建通道
2. 定义布局设定 "+)ey>_
为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: s2d;601*b
1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 YjsaTdZ!&
− Width:2.8 4q~l?*S
注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 @9QHv
− Profile:Channel-Guide [bv.`
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
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2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: fTH?t_e
− Length:5300 X?1 :Z|pJ
− Width:60 _b#9^2o
图8.设置晶圆尺寸
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B8;ZOLAU
3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: 3K54:
− Material:Cladding ) d\Se9!
− 点击OK以激活布局窗口 l
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图9.晶圆材料设置
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4) 布局窗口 g3Ff<P P
图10.默认情况下布局窗口显示
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5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: Z\@vN[[
− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 &5zUk++
− Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 ;E##bdSCA
− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 |e+I5
图11.调整Z方向和X方向的显示比率 YDDwvk
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图12.最终布局显示
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3. 创建一个MMI耦合器 Jk(b=j
为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: I.\u2B/?
1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 4jar5Mz
2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导 JRl8S
图13 .绘制第一个线性波动
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QQ:2987619807
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