主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: C-sFTf7 • 定义MMI耦合器的材料; Z/e^G f#i • 定义布局设定; L}UrI&]V$: • 创建一个MMI耦合器; -2qI2Z • 插入输入面; ZE[NQ8 • 运行模拟; ecMpU8}rR • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 OD6dMql P/,ezVb= 1. 定义MMI耦合器的材料 +#Ga}eCM 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: Txa
2`2t7 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ fi Xk?Y 图1.初始性能对话框
gHox>r6.A 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” ?Ll1B3f '>:%n 图2.轮廓设计窗口
t; b1<TLn0 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 -#`tS
2v{42]XYf ?6V U4nK/* 图3.电介质材料创建窗口
(YY!e2 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: l{8t;!2t − Name : Guide S76xEL − Refractive Index (Re) : 3.3 l9+)h} − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 S;}/ql y 6g)X&pZ 图4.创建Guide材料
*t bgIW+h 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: xgJyG.? − Name : Cladding G7k.YtW − Refractive Index (Re) : 3.27 :v%iF!+.P − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 $xK(bc'{ F#Bi*YY 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 +:3p*x%1H
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: SN5Z@kK − Name : Guide_Channel F>U*Wy − 2D profile definition: Guide @N6KZn|R − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 b8h6fB:2 ch)#NHZ9F 图6.构建通道
2. 定义布局设定 , L5.KwB
为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: X<uH [
1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 fO}Y$y\q
− Width:2.8 "9OOyeKu%
注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 {W%/?d9m
− Profile:Channel-Guide W:1GY#Pe
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
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