主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器，主要步骤如下： ,GeW_!Q[ • 定义MMI耦合器的材料； g'X{ • 定义布局设定； oYx4+xH/ • 创建一个MMI耦合器； q@i>)nC R • 插入输入面； !NqLBrcv 0 • 运行模拟； h`i*~${yg • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 M r-l ^%5 ;Sc1V 1. 定义MMI耦合器的材料 G*s5GG@Z. 为了定义MMI耦合器的材料，需要进行如下操作： -%fc)y&$ 1) 通过File-New打开“初始性能对话框（Initial Properties）“ /,d]`N! B,V:Qs6" 图1.初始性能对话框
N)X 3pWC8 2) 点击图1中的“轮廓和材料（Profiles And Materials）”以激活“轮廓设计窗口（Profile Designer）” a``/x_EZMn Y{K N:|i.! 图2.轮廓设计窗口
B_DyH
C\< 3) 右键单击图2中材料（Materials）标签下的“电介质（Dielectric）“，选择New以激活电介质材料创建窗口 .R^R32ln
lvOM1I r S>@>8k2, 图3.电介质材料创建窗口
OYyF*F&S[ 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料： [ L>mrHqG − Name : Guide 73j \!x − Refractive Index (Re) : 3.3 1y3)og L − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 qrHCr:~ + L [a 图4.创建Guide材料
b.q /?
Y x 5) 重复步骤3）和4），创建第二种电解质材料： .Te GA; − Name : Cladding
bV$g]->4e − Refractive Index (Re) : 3.27 -!lSk?l − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
eC[G4 / z
m+ 图5.左图为创建Cladding材料，右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 qWU59:d^{
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1，进入通道编辑窗口，构建通道： :jAsm[ − Name ： Guide_Channel HQZJK82 − 2D profile definition: Guide )Vz=:.D − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口，关闭Profile Designer窗口 qXprD.; } EG8%X "p 图6.构建通道
2. 定义布局设定 |Ed?s
为了定义布局设定，需要在“初始性能对话框（Initial Properties）”窗口进行以下操作： FM=XoMP q
1) 点击“默认波导（Default Waveguide）”标签 wG&Z7 C b
− Width：2.8 |J"\~%8
注意：所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 rR4?*90vjj
− Profile：Channel-Guide 8UzF*gS
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
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kXWC
o6?
2) 切换到“晶圆尺寸（Wafer Dimension）”标签： ZcHd.1f Xh
− Length：5300 # uy^A C$
− Width：60 * V_b/Vt
图8.设置晶圆尺寸
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)j QrD`
3) 切换到“2D晶圆属性（2D Wafer Properties）”标签： S c ijf 9
− Material：Cladding W!+eJ!Da
− 点击OK以激活布局窗口 vA{DF{S 4
图9.晶圆材料设置
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8%`h:fE
4) 布局窗口
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图10.默认情况下布局窗口显示
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5) 调整显示比率，以便更好进行波导结构布局设置： 6P
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− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 %(S!/(LWW
− Display ratio : Z=40,点击OK，如图11所示 zjTCq; G
− 调整缩放比率为0.6 ，最终布局显示如图12所示 )xL_jSyh
图11.调整Z方向和X方向的显示比率 _aU
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图12.最终布局显示
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3. 创建一个MMI耦合器 BM9:|}\J65
为了构建一个MMI耦合器，需要进入如下操作： I* P xQ
1) 在“绘图（Draw）”菜单下选择“线性波导（Linear Waveguide）”或者在波导栏 下选择线性波导 sDvy(5
2) 当鼠标指针变为十字叉时，点击布局窗口左侧，并向右侧拖拽波导后松开鼠标，以生成第一个线性波导 2J Wp 5
图13 .绘制第一个线性波动
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QQ：2987619807
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