主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器，主要步骤如下： YpWu\oP • 定义MMI耦合器的材料； b~|B(lL6Xm • 定义布局设定； 0-5:"SN' • 创建一个MMI耦合器； ELm# • 插入输入面； 3RD Q{&J: • 运行模拟； l6O2B/2j • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 5=dg4 "b] qP"m819m 1. 定义MMI耦合器的材料 B!5gD
为了定义MMI耦合器的材料，需要进行如下操作： '
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| 1) 通过File-New打开“初始性能对话框（Initial Properties）“ 8z+ CYeV m\t
%wr 图1.初始性能对话框
*33Zt+ 2) 点击图1中的“轮廓和材料（Profiles And Materials）”以激活“轮廓设计窗口（Profile Designer）” +n0y/0Au ;c'jBi5W 图2.轮廓设计窗口
l-mUc1.S 3) 右键单击图2中材料（Materials）标签下的“电介质（Dielectric）“，选择New以激活电介质材料创建窗口 rlds-j ''
^ PD a u^`B#b ' 图3.电介质材料创建窗口
shi#K<gVC 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料： 6L2.88 i − Name : Guide ThHK1{87X} − Refractive Index (Re) : 3.3 `5 27vK
6 − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 dkXK0k vX{]_ 图4.创建Guide材料
<EE)d@%>v 5) 重复步骤3）和4），创建第二种电解质材料： AttDD{Ta − Name : Cladding 8U-}%D<a − Refractive Index (Re) : 3.27 UE(%R1Py − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 nJ6bC^*)U O|8 p # 图5.左图为创建Cladding材料，右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 0iwx$u 7[
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1，进入通道编辑窗口，构建通道： LOp<c<+aW − Name ： Guide_Channel j/9'L^] − 2D profile definition: Guide l{;v D=D − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口，关闭Profile Designer窗口 xL mo?Y* En[cg 图6.构建通道
2. 定义布局设定 <%|2yPb]
为了定义布局设定，需要在“初始性能对话框（Initial Properties）”窗口进行以下操作： M*t{?o/t;
1) 点击“默认波导（Default Waveguide）”标签 P[D ^*}
− Width：2.8 #wt# -U;
注意：所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 L"AZ,|wIk
− Profile：Channel-Guide 7ZN0_Q s
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
Pe b;XI
' (ql7
2) 切换到“晶圆尺寸（Wafer Dimension）”标签： /Wt<[g#
− Length：5300 ab6K K$s
− Width：60 32dR`qb
图8.设置晶圆尺寸
O[$ &]>x]]
's JYt^
3) 切换到“2D晶圆属性（2D Wafer Properties）”标签： Q q>M}
− Material：Cladding ]81P<Y(7
− 点击OK以激活布局窗口 JEj.D=@ [
图9.晶圆材料设置
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0p8 (Q
4) 布局窗口 ?&"-y)FG
图10.默认情况下布局窗口显示
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dZ_Hj X7
5) 调整显示比率，以便更好进行波导结构布局设置： ?oP<sGp
− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 `N$<]i]s5
− Display ratio : Z=40,点击OK，如图11所示 S)p1[&" M
− 调整缩放比率为0.6 ，最终布局显示如图12所示 PY~c u@'k{
图11.调整Z方向和X方向的显示比率 >/GVlXA'
图12.最终布局显示
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3. 创建一个MMI耦合器 aO6w :IO
为了构建一个MMI耦合器，需要进入如下操作： F` +}p-
1) 在“绘图（Draw）”菜单下选择“线性波导（Linear Waveguide）”或者在波导栏 下选择线性波导 d'q,:="c
2) 当鼠标指针变为十字叉时，点击布局窗口左侧，并向右侧拖拽波导后松开鼠标，以生成第一个线性波导 bfhap(F~(e
图13 .绘制第一个线性波动
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QQ：2987619807
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