主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: +/">]QJ • 定义MMI耦合器的材料; u`%Kh_ • 定义布局设定; W u4` 3 • 创建一个MMI耦合器; ccLTA • 插入输入面; ;<aT|4 • 运行模拟; Im7t8XCG • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 ~Y-
!PZ \S]"nHX 1. 定义MMI耦合器的材料 J>H$4t#HX 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: .XD.'S 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ HnDz4eD x,f=J4yco 图1.初始性能对话框
ZGstD2N$ 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” PS" , L4fM?{Ic:s 图2.轮廓设计窗口
[M:ag_rm+f 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 1qEpQ.:](
S4r-s;U-v/ )<]*! 图3.电介质材料创建窗口
pZpAb+ 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料:
4
_*^~w − Name : Guide 'p%\fb6` − Refractive Index (Re) : 3.3 +[ +4h}? − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 XI4le=^EM m|:O:< 图4.创建Guide材料
DEdJH4 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: 3#=%2\ − Name : Cladding lT`y=qR| − Refractive Index (Re) : 3.27 |.OXe!uU41 − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 ("G
_{tVU 8uj;RG 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 .3yoDab
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: B=4xZJPy − Name : Guide_Channel q<5AB{Oj? − 2D profile definition: Guide ;y"=3-=vM" − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 ?9Lp@k~TO +3;`4bW 图6.构建通道
2. 定义布局设定 V30Om3C
为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: D*!UB5<>/t
1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 *%[L
@WF
− Width:2.8 s)gU vS\
注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 G*oqhep
− Profile:Channel-Guide nUp, %z[
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
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X9|={ng)g#
2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: ;x]CaG)f
− Length:5300 GmjTxNU@
− Width:60 ?h7,q*rxk
图8.设置晶圆尺寸
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uBr^TM$k&
3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: 6k1;62Ntk
− Material:Cladding riy@n<Z4
− 点击OK以激活布局窗口 !CnkG<5z>
图9.晶圆材料设置
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a9+l:c@
4) 布局窗口 LqDj4[}
图10.默认情况下布局窗口显示
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5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: <k41j=d
− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 h(<2{%j
− Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 WbIf)\
− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 V|vKYEFry
图11.调整Z方向和X方向的显示比率 +!@@55I-
图12.最终布局显示
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bL6, fUS
3. 创建一个MMI耦合器 E8`AU<
为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: 2.
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1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 i]8 +JG6
2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导 _?aI/D
图13 .绘制第一个线性波动
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QQ:2987619807
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