主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: #OO>rm$ • 定义MMI耦合器的材料; LJ)5W • 定义布局设定; T .FI'wy • 创建一个MMI耦合器; ar9]"s+' • 插入输入面; Jg}K.1Hs • 运行模拟; ^(HUGl_ • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 _tTN G2 u&mS8i} 1. 定义MMI耦合器的材料 phnV7D(E 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: .mLK`c6 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ #X 52/8G Eow_WW;P 图1.初始性能对话框
="wzq+ U 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” R\@/U=iqR W\&8auds 图2.轮廓设计窗口
}G4ztiuG 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 ojvj}ln
/='. 4v /DQaGq/Ld 图3.电介质材料创建窗口
Szbb_i{_
` 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: Sz- Jy:j − Name : Guide ( +pLA"xq − Refractive Index (Re) : 3.3 'u4<BQVV[ − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 OxI/%yv-c "j;4
k.`h 图4.创建Guide材料
Dn&D!B 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: ![]``g2 − Name : Cladding )OiT{-m − Refractive Index (Re) : 3.27 ])xx<5Jt4 − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 :8CvRO*< I)A`)5="5 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 N(I&
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: ^6_e=jIN
− Name : Guide_Channel 3;S,3 − 2D profile definition: Guide uwz)($~bp − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 .pvi!NnL- > ;/l)qk, 图6.构建通道
2. 定义布局设定 /"eey(X
为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: 9E>xIJ@J2T
1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 u%w`:v7Yo(
− Width:2.8 =c/wplv*
注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 N[<\>Ps|u
− Profile:Channel-Guide bGc~Wr|
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
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{
^cV lC_
2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: >-H{Z{VDd
− Length:5300 S H!
− Width:60 N5a*7EJv+
图8.设置晶圆尺寸
l
c+g&f
-r-k_6QP
3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: i_j[?.?X}
− Material:Cladding Ney/[3 A
− 点击OK以激活布局窗口 3AU;>D ^5
图9.晶圆材料设置
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4) 布局窗口 i\,-oO
图10.默认情况下布局窗口显示
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KET2Ws[w
5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: u6AA4(
− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 -[cTx[Z,
− Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 '.:z&gSqx0
− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 vEJWFoeEFm
图11.调整Z方向和X方向的显示比率 uScMn/%
图12.最终布局显示
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d
I}1NB3>^
3. 创建一个MMI耦合器 #qK:J;Sn3
为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: G3Z)Z)N
1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 &5yVxL:
2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导 \G*0"%!U
图13 .绘制第一个线性波动
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QQ:2987619807
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