主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: z!>ml3 • 定义MMI耦合器的材料; GPLq$^AH • 定义布局设定; =+"=|cQ • 创建一个MMI耦合器; )9s
6(Iu • 插入输入面; I`4k5KB; • 运行模拟; _8ubo\M~ • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 ZxU3)`O 94b*
!Z 1. 定义MMI耦合器的材料 c!Wj^ 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: <EM'|IR? 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ d[$YTw % h"%G=: 图1.初始性能对话框
d 8%sGH 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” 09sdt;V Q }4XXNYH 图2.轮廓设计窗口
&09g0K66 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 +~f5dJyk`
6):iu=/i/ GjeRp|_Qd< 图3.电介质材料创建窗口
= @n `5g 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: FC
}r~syqA − Name : Guide /\u1q< − Refractive Index (Re) : 3.3 ^;mnP=`l[ − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 H&h"!+t(# *28:|blbL 图4.创建Guide材料
p}d+L{"V 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: -$tf` − Name : Cladding ^zVW 3Y q − Refractive Index (Re) : 3.27 W}rL HAaDh − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 'q, L* ?i5=sK\ 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 #B&%Y6E5
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: {LoNp0i1a − Name : Guide_Channel X}G3>HcP − 2D profile definition: Guide r(DW,xoK0 − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 \>p\~[cxt Zil<*(kv{ 图6.构建通道
2. 定义布局设定 {D7v[P+
为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: 53O}`xX!6
1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 "d
c-
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− Width:2.8 f/3rcYR;y
注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 >@?`n}r|
− Profile:Channel-Guide u]jvXPE6
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
KAR **M p+
|rwx;+
2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: >o|.0aw<
− Length:5300 JHCXUT-r{
− Width:60 ;$/]6@bqB
图8.设置晶圆尺寸
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!X ={a{<,T
3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: !G~`5?CvE
− Material:Cladding EVW\Z 2N.
− 点击OK以激活布局窗口 *TC#|5
图9.晶圆材料设置
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4) 布局窗口 N%fDgK
图10.默认情况下布局窗口显示
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<(W:Q3?s
5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: y?ypRCgO.u
− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 ]Pf!wv
− Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 )kvrQ6
− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 @ *n oma
图11.调整Z方向和X方向的显示比率 UthM?g^
图12.最终布局显示
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VJOB+CKE
3. 创建一个MMI耦合器 rB}2F*eT
为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: ?d`j}
1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 x yyEaB
2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导 &*9' 0
图13 .绘制第一个线性波动
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QQ:2987619807
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