切换到宽版
  • 广告投放
  • 稿件投递
  • 繁體中文
    • 2679阅读
    • 0回复

    [分享]OptiBPM:创建一个简单的多模干涉(MMI)耦合器 [复制链接]

    上一主题 下一主题
    离线infotek
     
    发帖
    7172
    光币
    30001
    光券
    0
    只看楼主 倒序阅读 楼主  发表于: 2021-05-08
    主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: #OO>rm$  
    • 定义MMI耦合器的材料 LJ)5W  
    • 定义布局设定; T .FI'wy  
    • 创建一个MMI耦合器; ar9]"s+'  
    • 插入输入面; Jg}K.1Hs  
    • 运行模拟 ^(HUGl_  
    • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 _tTNG2  
    u&mS8i}  
    1. 定义MMI耦合器的材料 phnV7D(E  
    为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: . mLK`c6  
    1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ #X 52/8G  
    Eow_&#WW;P  
    图1.初始性能对话框
    ="wzq+U  
    2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” R\@/U=iqR  
    W\&8au ds  
    图2.轮廓设计窗口
    }G4 z tiuG  
    3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 ojvj}ln  
    /='. 4 v  
    /DQaGq/Ld  
    图3.电介质材料创建窗口
    Szbb_i{_ `  
    4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: Sz- J y:j  
    − Name : Guide ( +pLA"xq  
    − Refractive Index (Re) : 3.3 'u4<BQVV[  
    − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 OxI/%yv-c  
    "j;4 k.`h  
    图4.创建Guide材料
    Dn&D!B  
    5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: ![]`` g2  
    − Name : Cladding )OiT{-m  
    − Refractive Index (Re) : 3.27 ])xx<5Jt4  
    − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 :8CvRO*<  
    I)A`)5="5  
          
    图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 N(I&  
    6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: ^6_e=jIN  
    − Name : Guide_Channel 3;S, 3  
    − 2D profile definition: Guide uwz)($~bp  
    − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 .pvi!NnL-  
    > ;/l)qk,  
    图6.构建通道
    2. 定义布局设定 /"eey(X  
    为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: 9E>xIJ@J2T  
    1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 u%w`:v7Yo(  
    − Width:2.8 =c/wplv*  
    注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 N[<\>Ps|u  
    − Profile:Channel-Guide bGc~Wr|  
    图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
    $STaQ28C  
    { ^cV lC_  
    2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: >-H {Z{VDd  
    − Length:5300 S H!  
    − Width:60 N5a*7EJv+  
    图8.设置晶圆尺寸
    l c+g&f  
    -r-k_6QP  
    3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: i_j[?.?X}  
    − Material:Cladding Ney/[3 A  
    − 点击OK以激活布局窗口 3AU;>D^5  
    图9.晶圆材料设置
    V5UF3'3;}  
    : Zlwp6  
    4) 布局窗口 i\,-oO  
    图10.默认情况下布局窗口显示
    rJGf .qJJ  
    KET2Ws[w  
    5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: u6AA4(  
    − View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 -[cTx[Z,  
    − Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 '.:z&gSqx0  
    − 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 vEJWFoeEFm  
    图11.调整Z方向和X方向的显示比率 uScMn/%  
    图12.最终布局显示
    a{L d  
    I}1NB3>^  
    3. 创建一个MMI耦合器 #qK:J;Sn3  
    为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: G3Z)Z) N  
    1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 &5yV xL:  
    2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导 \G*0"%!U  
    图13 .绘制第一个线性波动
    SLa>7`<Q  
    QQ:2987619807
    y*qVc E  
     
    分享到