主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: }yUZ(k# • 定义MMI耦合器的材料; G"wy? • 定义布局设定;
IS!sJ c • 创建一个MMI耦合器; _Y=>^K]9K • 插入输入面; gz8<&*2 • 运行模拟; :hZYh.y\l • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 /.P*%'g -r[l{ce 1. 定义MMI耦合器的材料 rlgp1>89 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: Or0=:?4` 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ 0m!+gZ@ >a[)F 图1.初始性能对话框
=}F &jl 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” 0:Xvch0 H{yeN 5
图2.轮廓设计窗口
9%pq+?u9 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 bP(xMw<'j
525W;
mu{ Hr:WE+' 图3.电介质材料创建窗口
3V2"1Ic 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: USv: +
. − Name : Guide kU0e;r1 N − Refractive Index (Re) : 3.3 n)gzHch − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 tRFj<yuaq uD_iyK0, 图4.创建Guide材料
-m3O\X 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: voEg[Gg4%I − Name : Cladding xh,};TS(K − Refractive Index (Re) : 3.27 82{Lx7pI − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 8A#qbBD xx_]e4 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 o[X'We;
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: h${+{1](6 − Name : Guide_Channel e<#t]V − 2D profile definition: Guide OW;]=k/( − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 vWc =^tT 8HDYA$L 图6.构建通道
2. 定义布局设定 qS:hv&~
为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: E0[ec6^qwY
1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 yHsmX2s
− Width:2.8 9ePG-=5I
注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 u1R_u9
− Profile:Channel-Guide :XqqhG
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
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