主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器，主要步骤如下： nK)1.KVN • 定义MMI耦合器的材料； U OGjil{. • 定义布局设定； uqU&k@ • 创建一个MMI耦合器； pKGhNIj$ • 插入输入面； z>iXNwz"? • 运行模拟； e+F $f Qt> • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 KLj=M;$:K {2m F\A#. 1. 定义MMI耦合器的材料 H9i7y,[* 为了定义MMI耦合器的材料，需要进行如下操作： e|5@7~Vi 1) 通过File-New打开“初始性能对话框（Initial Properties）“ B~| ]gd "A &A?% 图1.初始性能对话框
q @O 2) 点击图1中的“轮廓和材料（Profiles And Materials）”以激活“轮廓设计窗口（Profile Designer）” oylQCbT <2L,+ 图2.轮廓设计窗口
fR~0Fy Gp 3) 右键单击图2中材料（Materials）标签下的“电介质（Dielectric）“，选择New以激活电介质材料创建窗口 ^su Q7#g
= :zPT;K >HRNB&]LdP 图3.电介质材料创建窗口
GQk/ G0*& 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料： z wRF-{s − Name : Guide *OdmKVw6G − Refractive Index (Re) : 3.3 "Nb2[R − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 7R
m\# ;|Hpg_~%> 图4.创建Guide材料
B$YoglEW: 5) 重复步骤3）和4），创建第二种电解质材料： `LLmdm 6i − Name : Cladding 2+DK:T[ − Refractive Index (Re) : 3.27 >)='.aR< − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 8 5)C7tJ-g u\=
05N6G 图5.左图为创建Cladding材料，右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 O[eU{ ;P
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1，进入通道编辑窗口，构建通道： i$$h6 P# − Name ： Guide_Channel at{p4Sl − 2D profile definition: Guide Y`{62J8oy − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口，关闭Profile Designer窗口 JZ![:$ : U`8Er48X 图6.构建通道
2. 定义布局设定 q_ `j-!
为了定义布局设定，需要在“初始性能对话框（Initial Properties）”窗口进行以下操作： S[yrGX8lu
1) 点击“默认波导（Default Waveguide）”标签 i+in?!@G:
− Width：2.8
T3<1{"&
注意：所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 [! wJIy?,
− Profile：Channel-Guide Lu:*nJ%1[
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
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%4F\#" A
2) 切换到“晶圆尺寸（Wafer Dimension）”标签： [tJn! cMs
− Length：5300 ,}@4@ >?K
− Width：60 9 `
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图8.设置晶圆尺寸
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3) 切换到“2D晶圆属性（2D Wafer Properties）”标签： ?Js4 \X!uJ
− Material：Cladding .5!`wwVi
− 点击OK以激活布局窗口 tP*GYWI48
图9.晶圆材料设置
4e .19H9
=T6 ~89
4) 布局窗口 8Dtpb7\o
图10.默认情况下布局窗口显示
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5) 调整显示比率，以便更好进行波导结构布局设置： F=w:!tqA
− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 )*XWe|H_
− Display ratio : Z=40,点击OK，如图11所示 (!N2,1|
− 调整缩放比率为0.6 ，最终布局显示如图12所示 6|
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图11.调整Z方向和X方向的显示比率 yo cFdI
图12.最终布局显示
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Sy1O;RTn`
3. 创建一个MMI耦合器
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为了构建一个MMI耦合器，需要进入如下操作： 7NWkN7:B
1) 在“绘图（Draw）”菜单下选择“线性波导（Linear Waveguide）”或者在波导栏 下选择线性波导 vY|YqWt
2) 当鼠标指针变为十字叉时，点击布局窗口左侧，并向右侧拖拽波导后松开鼠标，以生成第一个线性波导 +
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图13 .绘制第一个线性波动
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QQ：2987619807
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