主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: x8H%88!j* • 定义MMI耦合器的材料; r83chR9 • 定义布局设定; bo^d!/; • 创建一个MMI耦合器; -:92<G\D • 插入输入面; +3B^e%`NPm • 运行模拟; d4@\5< • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 L`E^BuP/ ,0ZkE}<=w 1. 定义MMI耦合器的材料 TNYd_:j 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: a o_A%?Ld 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ V. sIiE -cW`qWbd 图1.初始性能对话框
9y/gWE 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” P$4h_dw pyPS5vWG 图2.轮廓设计窗口
56!>}!8! 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 .eQIU$Kw!O
YDEUiZ~ utk'joo 图3.电介质材料创建窗口
}T!2IaAB 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: $.Fti-5 − Name : Guide Al?LO;$Pa? − Refractive Index (Re) : 3.3 eM)E3~K:2 − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 ^fj):n5/ 6*@\Qsp615 图4.创建Guide材料
:/e=J 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: ,BuN]9# − Name : Cladding bJ8~/d]+ − Refractive Index (Re) : 3.27 [kc%+j<g − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 n ,<`.^ Mp;yvatO 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 J:M)gh~#
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: ~r~~0|= − Name : Guide_Channel \<ohe w − 2D profile definition: Guide ~'/I[y4t − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 UloZo?
e` i*16kdI. 图6.构建通道
2. 定义布局设定 S30@|@fTz
为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: :sT\-MpQvn
1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 %,9iY&;U"
− Width:2.8 bI^zwK,@4
注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 g=?KpI-pn0
− Profile:Channel-Guide G-FTyIP>'
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
>-0b@ +j
3HsjF5?W
2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: j[/'`1tOe
− Length:5300 Q>gU(
− Width:60 {Kp<T
图8.设置晶圆尺寸
iR-MuDM
/f!_dJ^
3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: H!dUQ
− Material:Cladding Ed/@&52z0
− 点击OK以激活布局窗口 zdA:K25"
图9.晶圆材料设置
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Zp|LCE"
4) 布局窗口 v2<roG6.V
图10.默认情况下布局窗口显示
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(]BZ8GOx
5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: "4FL<6
− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 >/Z#{;kOz
− Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 5G8`zy
− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 [c?']<f4
图11.调整Z方向和X方向的显示比率 0D1yG(ck
图12.最终布局显示
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3. 创建一个MMI耦合器 g
j`"|
为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: D5X;hd
1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 U5mec167
2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导 ~Z5?\a2Ld
图13 .绘制第一个线性波动
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QQ:2987619807
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