主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: y]+A7| • 定义MMI耦合器的材料; qB:`tHy • 定义布局设定; FD-)nv2: • 创建一个MMI耦合器; >lj3MNSH • 插入输入面; &
vIKNGJ^ • 运行模拟; UetmO`qju • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 -)Vj08aP TSk6Q'L\v 1. 定义MMI耦合器的材料 b7,qzh 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: K@,VR3y / 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ SeTU`WLEm Tc*PDt0C 图1.初始性能对话框
z7_./ksQ 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” GGuLxc?( FV9RrI2 图2.轮廓设计窗口
o99 a=x6 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 Xo5L:(?K
w '"7~uN P}I*SV0 图3.电介质材料创建窗口
=ht@7z8QM 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: ?7+2i\L − Name : Guide :Rn9rdX − Refractive Index (Re) : 3.3 QM]^@2rK2 − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 X , Uoe?5Of(* 图4.创建Guide材料
Z4!3I@yZ 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: zW _'sC − Name : Cladding AK!G#ug − Refractive Index (Re) : 3.27 ?.s*)n − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 LQjqwsuN{ 2P=;r:cx 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 ;1 fM L,8
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: 'yNp J' − Name : Guide_Channel pDLo`F}A − 2D profile definition: Guide 6uyf − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 !jbjrzv9 fm*Hk57 图6.构建通道
2. 定义布局设定 9s)oC$\
为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: V_pBM
1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 3C2>
− Width:2.8 WKf~K4BL>
注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 a?kQ2<@g
− Profile:Channel-Guide v+G:,Tc"
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
On^#x]
k.ZfjX"
2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: Xwi&uyvU&
− Length:5300 y
^\8x^Eg
− Width:60 ]@>|y2
图8.设置晶圆尺寸
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9 ?8`"v
3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: Q [{vU
− Material:Cladding K?4(o u
− 点击OK以激活布局窗口 B(falmXJ
图9.晶圆材料设置
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?MH4<7?"
4) 布局窗口 E@FenCF
图10.默认情况下布局窗口显示
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lu_Gr=#O
5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: YSgF'qq\
− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 sfa'\6=O
− Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 w^gh&E
− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 Ie"R,,c
图11.调整Z方向和X方向的显示比率 SOmn2
}
图12.最终布局显示
eXK`%'
?=kswf
3. 创建一个MMI耦合器 :3f2^(b~^
为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: C)j)j&
1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 1RA$hW@}
2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导 kdCOcJB
图13 .绘制第一个线性波动
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QQ:2987619807
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