主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器，主要步骤如下： ~a5p_x P • 定义MMI耦合器的材料； j9za)G-J • 定义布局设定； MD ,}-m • 创建一个MMI耦合器； GiN\nu<! • 插入输入面； DT@6Q. • 运行模拟； G8lR_gD"! • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 T }X#I'Z B;?"R 1. 定义MMI耦合器的材料 t,.MtU>K@ 为了定义MMI耦合器的材料，需要进行如下操作： E
VBB:*q6 1) 通过File-New打开“初始性能对话框（Initial Properties）“ qlSc[nEk |Y!#` 图1.初始性能对话框
Ogf myYMtc 2) 点击图1中的“轮廓和材料（Profiles And Materials）”以激活“轮廓设计窗口（Profile Designer）”
2Ek6YNx Eq9TJt'3y 图2.轮廓设计窗口
]iuM2] 3) 右键单击图2中材料（Materials）标签下的“电介质（Dielectric）“，选择New以激活电介质材料创建窗口 <m80e),~
(@dh"=Lt\ 0=;jGh}|i 图3.电介质材料创建窗口
9psX"*s 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料： Dm6}$v'0 − Name : Guide Ak$gh b − Refractive Index (Re) : 3.3 ] }cai1 − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 OC F\ *Sx )>Oip 图4.创建Guide材料
KD^>Vv# 5) 重复步骤3）和4），创建第二种电解质材料： vS: %(Y"!< − Name : Cladding 9/MUzt − Refractive Index (Re) : 3.27 Pt?]JJxl- − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 $L.0$- je4 ](vsh gp2 图5.左图为创建Cladding材料，右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 a $g4 )0eS
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1，进入通道编辑窗口，构建通道： a8-2:8Su − Name ： Guide_Channel :Q sGw hB − 2D profile definition: Guide 9/RbfV[) − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口，关闭Profile Designer窗口 5f 7; pS< "';'*x 图6.构建通道
2. 定义布局设定 _`L,}= um'
为了定义布局设定，需要在“初始性能对话框（Initial Properties）”窗口进行以下操作： uYS?# g
1) 点击“默认波导（Default Waveguide）”标签 r:y *l4
− Width：2.8 =V1k'XJ
注意：所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 Rs:<'A
− Profile：Channel-Guide UnZ*"%
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
> >wb yj8
rB}UFS)
2) 切换到“晶圆尺寸（Wafer Dimension）”标签： !J[3U
− Length：5300 BSG_),AH
− Width：60 hZ.Sj~> 7`
图8.设置晶圆尺寸
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46*o_A,"
3) 切换到“2D晶圆属性（2D Wafer Properties）”标签： 8UoMOeI3
− Material：Cladding 4-=> >#
P
− 点击OK以激活布局窗口 A L}c-#GG
图9.晶圆材料设置
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Vf*!m~]Vqi
4) 布局窗口 qJFBdJU (1
图10.默认情况下布局窗口显示
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5) 调整显示比率，以便更好进行波导结构布局设置： //:.k#} ~B
− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 T.! G EUQ
− Display ratio : Z=40,点击OK，如图11所示 N-
? U2V
− 调整缩放比率为0.6 ，最终布局显示如图12所示
SMk{159q&
图11.调整Z方向和X方向的显示比率 A7
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图12.最终布局显示
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3. 创建一个MMI耦合器 G!oq
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为了构建一个MMI耦合器，需要进入如下操作： D*`|MzlQ
1) 在“绘图（Draw）”菜单下选择“线性波导（Linear Waveguide）”或者在波导栏 下选择线性波导 6J6MR<5'
2) 当鼠标指针变为十字叉时，点击布局窗口左侧，并向右侧拖拽波导后松开鼠标，以生成第一个线性波导 `Qv7aY
图13 .绘制第一个线性波动
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QQ：2987619807
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