切换到宽版
  • 广告投放
  • 稿件投递
  • 繁體中文
    • 1737阅读
    • 0回复

    [分享]OptiBPM:创建一个简单的多模干涉(MMI)耦合器 [复制链接]

    上一主题 下一主题
    离线infotek
     
    发帖
    5797
    光币
    23137
    光券
    0
    只看楼主 倒序阅读 楼主  发表于: 2021-05-08
    主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: Us2> 5 :\  
    • 定义MMI耦合器的材料 Us pv^O9_  
    • 定义布局设定; '"rm66  
    • 创建一个MMI耦合器; d7zZ~n  
    • 插入输入面; tx`^'%GMA  
    • 运行模拟 ^gpd '*b  
    • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 xXmlHo<D  
    TeR bW  
    1. 定义MMI耦合器的材料 T?.l_"%%d  
    为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: KZ^>_K&  
    1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ EGFPv'De  
    CtD<% v3`  
    图1.初始性能对话框
    w T_l>u  
    2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” l 6aD3?8LN  
    BePb8 k<y  
    图2.轮廓设计窗口
    [C~N#S[]  
    3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 v@s"*E/PF7  
    @ptrF pSL  
    _,UYbD\[J}  
    图3.电介质材料创建窗口
    erTly2-SJ  
    4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: n-qle5sj  
    − Name : Guide cd=H4:<T5  
    − Refractive Index (Re) : 3.3 V2@( BliP  
    − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 !O'p{dj][  
    oblw!)  
    图4.创建Guide材料
    jO*H8 XO  
    5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: nKtRJ,>  
    − Name : Cladding 00y(E @~  
    − Refractive Index (Re) : 3.27 ~YviXSW  
    − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 O<Ay`p5  
    ,lFzL3'_0x  
          
    图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 X`eX+9  
    6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: (R RRG;*n#  
    − Name : Guide_Channel ]_|%!/_  
    − 2D profile definition: Guide $`t2SD  
    − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 bS55/M w  
    Bqk+ne  
    图6.构建通道
    2. 定义布局设定 o@aXzF2  
    为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: .i` -t"  
    1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 %.\+j,G7  
    − Width:2.8 u3 &# UN  
    注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 9]tW;?  
    − Profile:Channel-Guide >!o!rs  
    图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
    +G7[(Wz(z  
    [" ocZ? x  
    2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: ~HtD]|7  
    − Length:5300 uOKdb6]r6  
    − Width:60 R /_vJHI  
    图8.设置晶圆尺寸
    gssEdJ  
    Jiru~Vo+  
    3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: @KZW*-"  
    − Material:Cladding >:FmAey  
    − 点击OK以激活布局窗口 ]f wW dtz1  
    图9.晶圆材料设置
    ^d(gC%+!u  
    Bw[IW[(~!  
    4) 布局窗口 XZ8]se"C  
    图10.默认情况下布局窗口显示
    j^f54Ky.  
    37M,Os1(  
    5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: !I91kJt7  
    − View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 8Vt'X2  
    − Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 RgM=g8}M  
    − 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 u'Hh||La"  
    图11.调整Z方向和X方向的显示比率 f&] !;)  
    图12.最终布局显示
    ~ySsv  
    -G=.3 bux  
    3. 创建一个MMI耦合器 TvRm 7  
    为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: lC d\nE8G  
    1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 ,&Zk63V  
    2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导 cN\_1  
    图13 .绘制第一个线性波动
    #}tdA( -  
    QQ:2987619807
    CWd &  
     
    分享到