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    [分享]OptiBPM:创建一个简单的多模干涉(MMI)耦合器 [复制链接]

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    离线infotek
     
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    光券
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    只看楼主 倒序阅读 楼主  发表于: 2021-05-08
    主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: 8an_s%,AW  
    • 定义MMI耦合器的材料; {7Kl #b  
    • 定义布局设定; 8'u,}b)  
    • 创建一个MMI耦合器; GD!!xt  
    • 插入输入面; d!"gb,ec  
    • 运行模拟; lT'V=,Y t  
    • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 FQcm =d_s  
    ?:W=ddg  
    1. 定义MMI耦合器的材料 ")w~pZE&+  
    为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: #c-Jo[%G  
    1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ KC54=Rf  
    N]G`]  
    图1.初始性能对话框
    ppO!v?  
    2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” ,|w,  
    Nl{on"il  
    图2.轮廓设计窗口
    G ahY+$L,  
    3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 )XYCr<s2"  
    -U@ycx|r  
    axv-U dE;  
    图3.电介质材料创建窗口
    RMAbu*D0  
    4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: z@2nre  
    − Name : Guide ,MD >Jx|  
    − Refractive Index (Re) : 3.3 Bhe0z|&  
    − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 z{qn|#}  
    P}-S[[b73s  
    图4.创建Guide材料
    n'@XgUI,  
    5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: Ev&aD  
    − Name : Cladding W}k)5<C4v  
    − Refractive Index (Re) : 3.27 sA+( |cEh  
    − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 S|_lb MZM  
    [V;Q#r&+  
          
    图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 5WI0[7  
    6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: &I/C^/F&  
    − Name : Guide_Channel N ^H H&~V  
    − 2D profile definition: Guide YTfMYH=}  
    − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 dj3E20Ws  
    WQHlf 0]  
    图6.构建通道
    2. 定义布局设定 F/D/1w^ iR  
    为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: iRL|u~bj  
    1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 r D|Bj(X8  
    − Width:2.8 \X;)Kt"  
    注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 Ce PI{`&,  
    − Profile:Channel-Guide 0f,Ii_k bT  
    图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
    3L;&MG=  
    OI)/J;[-e  
    2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: lUHpGr|U%  
    − Length:5300 %X(|Z4dL  
    − Width:60 0j[%L!hny  
    图8.设置晶圆尺寸
    It8@Cp.dU  
    AHTQF#U^  
    3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: /^Zgv-n  
    − Material:Cladding \05 n$.  
    − 点击OK以激活布局窗口 9K#U<Q0b'  
    图9.晶圆材料设置
    y;tX`5(fe  
    >\ PNKpn{  
    4) 布局窗口 g=kuM  
    图10.默认情况下布局窗口显示
    ,in"8aT}~  
    m H&WoL<K  
    5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: 50`<[w<J q  
    − View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 Evq^c5n>{  
    − Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 $:*/^)L  
    − 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 \@*D;-b  
    图11.调整Z方向和X方向的显示比率 9'h4QF+Y  
    图12.最终布局显示
    zY\MzhkX,  
    %;YERO!  
    3. 创建一个MMI耦合器 zvh&o*\2<d  
    为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: |?<r  
    1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 <>[]- Vq  
    2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导 t0o'_>*?A  
    图13 .绘制第一个线性波动
    M\bea  
    QQ:2987619807
    m#t  
     
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