主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: %JiA, • 定义MMI耦合器的材料; 5GpRN • 定义布局设定; oYqlN6n,=6 • 创建一个MMI耦合器; 5N '
QG<jE • 插入输入面; zXMIDrq • 运行模拟; !&19%C4 • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 yQCfn1a) h4.ZR={E 1. 定义MMI耦合器的材料 ZRcY; ? 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: 4d6F4G4U 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ Yo:>m*31 nc&V59*
图1.初始性能对话框
-*tP_=- Dg 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” (MbI8B> <PJwBA %{ 图2.轮廓设计窗口
&a-:ZA@ 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 HH[?LKd<
13 A!@D }n 图3.电介质材料创建窗口
7eh}Je8 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: }4ta#T Ea − Name : Guide {$Fg+~ − Refractive Index (Re) : 3.3 aA0aW=R − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 O2A Z|[*I +mV4Ty 图4.创建Guide材料
g^8bY=*
. 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: L42C< − Name : Cladding SAXjB;VH6 − Refractive Index (Re) : 3.27 rWSw1(sAA − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 }&;0:hw% [)9bR1wh 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 nvpdu)q<