主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器，主要步骤如下： uc\.oG;~q • 定义MMI耦合器的材料； Z]p8IH%~92 • 定义布局设定； sM0c#YK? • 创建一个MMI耦合器； h^v9|~ZJ'7 • 插入输入面； -g<cinNSp • 运行模拟； X -v~o/r7 • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 W'd/dKU x ] 'E}
1. 定义MMI耦合器的材料 &R0OeRToUb 为了定义MMI耦合器的材料，需要进行如下操作： UMv "7~ 1) 通过File-New打开“初始性能对话框（Initial Properties）“ l&$*}yCK GP Ix@k 图1.初始性能对话框
?{n>EvLY 2) 点击图1中的“轮廓和材料（Profiles And Materials）”以激活“轮廓设计窗口（Profile Designer）” 2!{N[* ) CR.bMF} 图2.轮廓设计窗口
oAC^4-Ld 3) 右键单击图2中材料（Materials）标签下的“电介质（Dielectric）“，选择New以激活电介质材料创建窗口 C*$|#.l
B0S8vU >]^>gUmq 图3.电介质材料创建窗口
Ys)+9yPPn 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料： 5UPPk$8 ` − Name : Guide tb: − Refractive Index (Re) : 3.3 )< l\jfx e − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 ~DK F%}E /5jKX 5r 图4.创建Guide材料
$e> /?Ss 5) 重复步骤3）和4），创建第二种电解质材料： 4@ =
aa − Name : Cladding d RHlx QUn − Refractive Index (Re) : 3.27 B QE{ − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 z( *]'Y Jm%mm SYK 图5.左图为创建Cladding材料，右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 OA !R5sOz"
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1，进入通道编辑窗口，构建通道： VPdwSW[eM − Name ： Guide_Channel 7:# − 2D profile definition: Guide u0wn=Dg − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口，关闭Profile Designer窗口 S!u6dz^[$X T4Xtuu1 图6.构建通道
2. 定义布局设定 ^}>zYt
为了定义布局设定，需要在“初始性能对话框（Initial Properties）”窗口进行以下操作： -*rHB&e
1) 点击“默认波导（Default Waveguide）”标签 .@fK;/OuC
− Width：2.8 };i&a%I|
注意：所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 MJy;GzJ O
− Profile：Channel-Guide mu 2
A% "7
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
#,7eQa ica
"[#@;{@Gt
2) 切换到“晶圆尺寸（Wafer Dimension）”标签： bcUC4g\9N
− Length：5300 =U=e?AOG2
− Width：60 |if~i;VKL
图8.设置晶圆尺寸
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F\o ;t:
3) 切换到“2D晶圆属性（2D Wafer Properties）”标签： XulaPq
− Material：Cladding iTj"l A
− 点击OK以激活布局窗口 BhOXXa{B
图9.晶圆材料设置
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4) 布局窗口 R.91v4 J
图10.默认情况下布局窗口显示
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[q|?f?Zl
5) 调整显示比率，以便更好进行波导结构布局设置： A 4~D#V
− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 ?SB[lbU
− Display ratio : Z=40,点击OK，如图11所示 i,mrMi
c#
− 调整缩放比率为0.6 ，最终布局显示如图12所示 ^ 2C0oX
图11.调整Z方向和X方向的显示比率 Y1#- ^, qg
图12.最终布局显示
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3. 创建一个MMI耦合器 ,Wz[t YL*
为了构建一个MMI耦合器，需要进入如下操作： FE0qw1{qQ
1) 在“绘图（Draw）”菜单下选择“线性波导（Linear Waveguide）”或者在波导栏 下选择线性波导 ) j{WeG7L
2) 当鼠标指针变为十字叉时，点击布局窗口左侧，并向右侧拖拽波导后松开鼠标，以生成第一个线性波导 "Czz,;0
图13 .绘制第一个线性波动
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QQ：2987619807
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