MEMS技术发展史

发布:探针台 2021-03-16 08:35 阅读:652
MEMS技术发展史 )GT?Wd  
MEMS技术发展的时间轴,从从1947年制造的第一个点接触晶体管开始,到1999年的光网络交换机结束,50多年间,MEMS通过诸多创新,促进了当前MEMS技术和纳米技术的发展。 CR8r|+(8  
下面关于MEMS历史上主要的35项里程碑,看看你知道多少? =A&*SE o5  
1948年,贝尔实验室发明锗晶体管(William Shockley) yp/V 8C  
1954年,锗和硅的压阻效应(C.S.Smith) 1#X= &N  
1958年,第一块集成电路(IC)(J.S.Kilby 1958年/Robert Noyce 1959年) EvardUB)  
1959年,"底部有很多空间"(R.Feynman) z o))x(  
1959年,展示了第一个硅压力传感器(Kulite) `0WA!(W  
1967年,各向异性深硅蚀刻(H.A.Waggener等) e.Q K%  
1968年,谐振门晶体管获得专利(表面微加工工艺)(H.Nathanson等) {3p7`h~  
1970年,批量蚀刻硅片用作压力传感器(批量微加工工艺) {{)[Ap)  
1971年,发明微处理器 XTXo xZ#w  
1979年,惠普微加工喷墨喷嘴 z&J ow/  
1982年,"作为结构材料的硅"(K.Petersen) F p=Q$J|  
1982年,LIGA进程(德国KfK) IqJ=\  
1982年,一次性血压传感器(霍尼韦尔) 3 BhA.o  
1983年,一体化压力传感器(霍尼韦尔) 6!D  
1983年,"Infinitesimal Machinery",R.Feynman。 /Rcd}rO  
1985年,传感器或碰撞传感器(安全气囊) la{:RlW  
1985年,发现"Buckyball" -3%)nV  
1986年,发明原子力显微镜 F^bQ-  
1986年,硅片键合(M.Shimbo)  G#n)|p  
1988年,通过晶圆键合批量制造压力传感器(Nova传感器) 9^*YYK}%  
1988年,旋转式静电侧驱动电机(Fan、Tai、Muller) )KhVUFS1  
1991,年多晶硅铰链(Pister、Judy、Burgett、Fearing)。 j I@$h_n  
1991年,发现碳纳米管 NHVx!Kc  
1992年,光栅光调制器(Solgaard、Sandejas、Bloom) z ex.0OT;  
1992年,批量微机械加工(SCREAM工艺,康奈尔) zZ0V6T}  
1993年,数字镜像显示器(德州仪器) l7y`$8Co  
1993年,MCNC创建MUMPS代工服务 Y52xrIvl\  
1993年,首个大批量生产的表面微加工加速度计(Analog Devices) 2_~XjwKE  
1994年,博世深层反应离子蚀刻工艺获得专利  KGwL09)  
1996年,Richard Smalley开发了一种生产直径均匀的碳纳米管的技术 bh6wI%8H  
1999年,光网络交换机(朗讯) , p=8tf#  
2000年代,光学MEMS热潮 dC|#l?P  
2000年代,BioMEMS激增 P\0%nyOG(%  
2000年代,MEMS设备和应用的数量不断增加。 tZ24}~da  
2000年代,NEMS应用和技术发展#半导体# #芯片# #mems# 6i=wAkn_J  
t>u9NZt G  
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