MEMS技术发展史

MEMS技术发展史 ![6EUMx  
MEMS技术发展的时间轴，从从1947年制造的第一个点接触晶体管开始，到1999年的光网络交换机结束，50多年间，MEMS通过诸多创新，促进了当前MEMS技术和纳米技术的发展。 /\s}uSW  
下面关于MEMS历史上主要的35项里程碑，看看你知道多少? SzDKByi  
1948年，贝尔实验室发明锗晶体管(William Shockley) EpJ4`{4  
1954年，锗和硅的压阻效应(C.S.Smith) K0+.q?8D|  
1958年，第一块集成电路(IC)(J.S.Kilby 1958年/Robert Noyce 1959年) t>)45<PEw  
1959年，"底部有很多空间"(R.Feynman) lq:}0<k  
1959年，展示了第一个硅压力传感器(Kulite) V&]DzjT/  
1967年，各向异性深硅蚀刻(H.A.Waggener等) ikBYd }5  
1968年，谐振门晶体管获得专利(表面微加工工艺)(H.Nathanson等) (6p]ZY  
1970年，批量蚀刻硅片用作压力传感器(批量微加工工艺) J T#d(Y  
1971年，发明微处理器 P>Euq'ajX  
1979年，惠普微加工喷墨喷嘴 v60^4K>  
1982年，"作为结构材料的硅"(K.Petersen) kUx&
pYv  
1982年，LIGA进程(德国KfK) 3Ug  
1982年，一次性血压传感器(霍尼韦尔) _Us*+ 2(4L  
1983年，一体化压力传感器(霍尼韦尔) :p&!RI(l  
1983年，"Infinitesimal Machinery"，R.Feynman。 %#L]]-%  
1985年，传感器或碰撞传感器(安全气囊) gd/H``x|Y  
1985年，发现"Buckyball" ,tH5e&=U01  
1986年，发明原子力显微镜 /Ss7"*JLe  
1986年，硅片键合(M.Shimbo)  6Si-u  
1988年，通过晶圆键合批量制造压力传感器(Nova传感器) `i +g{kE2M  
1988年，旋转式静电侧驱动电机(Fan、Tai、Muller) hG~reVNf  
1991，年多晶硅铰链(Pister、Judy、Burgett、Fearing)。 |wE3UWsy  
1991年，发现碳纳米管 -m= 8&B  
1992年，光栅光调制器(Solgaard、Sandejas、Bloom) sd#|3  
1992年，批量微机械加工(SCREAM工艺，康奈尔) PYRd]%X  
1993年，数字镜像显示器(德州仪器) p}b/XnV$~  
1993年，MCNC创建MUMPS代工服务 Z BUArIC  
1993年，首个大批量生产的表面微加工加速度计(Analog Devices) $/1c= Y@  
1994年，博世深层反应离子蚀刻工艺获得专利 *1Z5+uVT[  
1996年，Richard Smalley开发了一种生产直径均匀的碳纳米管的技术 dBV7Te4L  
1999年，光网络交换机(朗讯) qH,l#I\CG  
2000年代，光学MEMS热潮 u}bf-;R  
2000年代，BioMEMS激增 >gKh  
2000年代，MEMS设备和应用的数量不断增加。 # {fTgq  
2000年代，NEMS应用和技术发展#半导体# #芯片# #mems# 8.=\GV  

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