[求助]PC基材上镀ITO和AR膜，出现ITO和AR膜裂 [复制链接]

PC基底硬化后进行冷镀ITO和AR膜，905nm增透，后工序100℃烘烤2h后ITO和AR（SiO2和TiO2）膜均出现了开裂。 HY*\ k#  
请教下各位大佬，如何进行工艺改善？

路过的大佬请指导一下，谢谢

你设备有卤素灯加热吗？PC镀膜最好用卤素灯加热

膜裂原因有很多。 wv^b_DR  
有些是温度的影响，有些是吸水的影响。 W>$BF[x!{  
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PC上镀膜最好镀一个打底层，如SIO2或者AL2O3打底，对膜裂会有很大的改善。 5Eal1Qu  
另外如果可以的话用离子源辅助镀膜，也会对吸水造成的膜裂会有改善。 2GUupnQkD  
但是离子源会造成温度升高，所以要注意条件。 Ux_<d?p  
v$3_o :  
实验要多做，各种条件都做一下。 9wMEvX70  
具体情况具体分析，有时候设备不好也会造成问题的。 tW
(+xu36  
并不是所有问题都可以用工艺解决的。

ouyuu:膜裂原因有很多。 F"=Hp4-C  
有些是温度的影响，有些是吸水的影响。
PC上镀膜最好镀一个打底层，如SIO2或者AL2O3打底，对膜裂会有很大的改善。 HL8(lP
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另外如果可以的话用离子源辅助镀膜，也会对吸水造成的膜裂会有改善。 0\wiam-  
....... (2021-01-16 17:25)  3KT_AJ4}  

H|K("AVP:  
多谢专家的指导，我们再验证一下！ +;6)  
另外请问专家有没有硬化液推荐的，PC硬化后再镀膜的方案我们也想验证一下。 QPV@'.2m  
谢谢！

PC镀膜的要注意以下几点： KK$ a;/  
1. 打底层最好用TiO2，厚度要＞10nm，不要用SiO2和Al2O3打底，效果不好，百格易NG； u?Z <n:  
2. 机器不要加热，离子源的能量要设计成一个渐变的过程，一般我的经验是：前2层的离子源能量是后面层的80%； FW5}oD(H  
3. 如果机器有2次电子捕捉器一定要装上，并且每炉清洁； .?Auh2nr  
4. 整个镀膜后的温度控制在70~80℃。

zhongjiagang:PC镀膜的要注意以下几点： YLigP"*~^  
1. 打底层最好用TiO2，厚度要＞10nm，不要用SiO2和Al2O3打底，效果不好，百格易NG； Y!aLf[x]  
2. 机器不要加热，离子源的能量要设计成一个渐变的过程，一般我的经验是：前2层的离子源能量是后面层的80%； SKW;MVC  
3. 如果机器有2次电子捕捉器一定要装上，并且每炉清洁； `T`c@A  
4 .. (2021-02-08 09:19)  #.b^E3#+  

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经典回复 YMK>+y[+4  
IX?@~'  
补充一个，就是材料本身，我验证了很多PC材料，和材料也是有关系的！

ITO 膜  能用电子枪镀膜吗？  看资料是 磁控溅射镀膜