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    [求助]PC基材上镀ITO和AR膜,出现ITO和AR膜裂 [复制链接]

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    离线jimmy_
     
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    只看楼主 正序阅读 楼主  发表于: 2020-12-23
    PC基底硬化后进行冷镀ITO和AR膜,905nm增透,后工序100℃烘烤2h后ITO和AR(SiO2和TiO2)膜均出现了开裂。 Oketwa  
    请教下各位大佬,如何进行工艺改善?
     
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    离线sosjinyan
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    只看该作者 7楼 发表于: 2021-03-26
    ITO 膜  能用电子枪镀膜吗?  看资料是 磁控溅射镀膜
    离线chenenlin
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    只看该作者 6楼 发表于: 2021-03-15
    回 zhongjiagang 的帖子
    zhongjiagang:PC镀膜的要注意以下几点: G3]4A&h9v~  
    1. 打底层最好用TiO2,厚度要>10nm,不要用SiO2和Al2O3打底,效果不好,百格易NG; rNM;ZPF#  
    2. 机器不要加热,离子源的能量要设计成一个渐变的过程,一般我的经验是:前2层的离子源能量是后面层的80%; 49P 4b<1  
    3. 如果机器有2次电子捕捉器一定要装上,并且每炉清洁; 6zkaOA46V  
    4 .. (2021-02-08 09:19)  }G=M2V<L  
    NA*&#X#~  
    经典回复 <i[HbgUlO.  
    )"LJ hLg  
    补充一个,就是材料本身,我验证了很多PC材料,和材料也是有关系的!
    离线zhongjiagang
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    只看该作者 5楼 发表于: 2021-02-08
    PC镀膜的要注意以下几点: ?upM>69{  
    1. 打底层最好用TiO2,厚度要>10nm,不要用SiO2和Al2O3打底,效果不好,百格易NG; E4!Fupkpf  
    2. 机器不要加热,离子源的能量要设计成一个渐变的过程,一般我的经验是:前2层的离子源能量是后面层的80%; 51u0]Qx;fm  
    3. 如果机器有2次电子捕捉器一定要装上,并且每炉清洁; >7r!~+B"9'  
    4. 整个镀膜后的温度控制在70~80℃。
    离线jimmy_
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    只看该作者 4楼 发表于: 2021-01-26
    回 ouyuu 的帖子
    ouyuu:膜裂原因有很多。 m3ff;,  
    有些是温度的影响,有些是吸水的影响。
    PC上镀膜最好镀一个打底层,如SIO2或者AL2O3打底,对膜裂会有很大的改善。 4~=l}H>&  
    另外如果可以的话用离子源辅助镀膜,也会对吸水造成的膜裂会有改善。 Ha ]YJ}  
    ....... (2021-01-16 17:25)  +O5hH8<&b  
    Jl<2>@  
    多谢专家的指导,我们再验证一下! iCyf Oh  
    另外请问专家有没有硬化液推荐的,PC硬化后再镀膜的方案我们也想验证一下。 Ewm9\qmg  
    谢谢!
    离线ouyuu
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    只看该作者 3楼 发表于: 2021-01-16
    膜裂原因有很多。 >3_Gw4S*H  
    有些是温度的影响,有些是吸水的影响。 |)81Lz  
    m4g$N)  
    PC上镀膜最好镀一个打底层,如SIO2或者AL2O3打底,对膜裂会有很大的改善。 "vGW2~*)  
    另外如果可以的话用离子源辅助镀膜,也会对吸水造成的膜裂会有改善。 x m@_IL&P  
    但是离子源会造成温度升高,所以要注意条件。 W%)Y#C  
    s@DLt+ O5  
    实验要多做,各种条件都做一下。 @I*{f  
    具体情况具体分析,有时候设备不好也会造成问题的。 $g7<Y*t[  
    并不是所有问题都可以用工艺解决的。
    离线ouyuu
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    只看该作者 2楼 发表于: 2021-01-16
    你设备有卤素灯加热吗?PC镀膜最好用卤素灯加热
    离线jimmy_
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    只看该作者 1楼 发表于: 2020-12-26
    路过的大佬请指导一下,谢谢