[求助]PC基材上镀ITO和AR膜，出现ITO和AR膜裂 [复制链接]

PC基底硬化后进行冷镀ITO和AR膜，905nm增透，后工序100℃烘烤2h后ITO和AR（SiO2和TiO2）膜均出现了开裂。 c$ao:nP)D  
请教下各位大佬，如何进行工艺改善？

路过的大佬请指导一下，谢谢

你设备有卤素灯加热吗？PC镀膜最好用卤素灯加热

膜裂原因有很多。 H
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有些是温度的影响，有些是吸水的影响。 p qfUW+>  
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PC上镀膜最好镀一个打底层，如SIO2或者AL2O3打底，对膜裂会有很大的改善。 ~kShq%  
另外如果可以的话用离子源辅助镀膜，也会对吸水造成的膜裂会有改善。 ^X0P'l&D2  
但是离子源会造成温度升高，所以要注意条件。 $8;R[SU6Y  
'3_]Gu-D  
实验要多做，各种条件都做一下。 U[SaY0Z  
具体情况具体分析，有时候设备不好也会造成问题的。 p=;=w_^y  
并不是所有问题都可以用工艺解决的。

ouyuu:膜裂原因有很多。 (5R?#vj  
有些是温度的影响，有些是吸水的影响。
PC上镀膜最好镀一个打底层，如SIO2或者AL2O3打底，对膜裂会有很大的改善。 /4c\K-Z;  
另外如果可以的话用离子源辅助镀膜，也会对吸水造成的膜裂会有改善。 QrfG^GID  
....... (2021-01-16 17:25)  qR(\5}  

N$h{Yvbn  
多谢专家的指导，我们再验证一下！ $UgA0]qn  
另外请问专家有没有硬化液推荐的，PC硬化后再镀膜的方案我们也想验证一下。 o=21|z  
谢谢！

PC镀膜的要注意以下几点： X=hYB}}nu  
1. 打底层最好用TiO2，厚度要＞10nm，不要用SiO2和Al2O3打底，效果不好，百格易NG； VG,u7A*Z#  
2. 机器不要加热，离子源的能量要设计成一个渐变的过程，一般我的经验是：前2层的离子源能量是后面层的80%； BlXB7q,  
3. 如果机器有2次电子捕捉器一定要装上，并且每炉清洁； ANJ$'3tg  
4. 整个镀膜后的温度控制在70~80℃。

zhongjiagang:PC镀膜的要注意以下几点： zipS ]YD  
1. 打底层最好用TiO2，厚度要＞10nm，不要用SiO2和Al2O3打底，效果不好，百格易NG； ~ECD`N<YF  
2. 机器不要加热，离子源的能量要设计成一个渐变的过程，一般我的经验是：前2层的离子源能量是后面层的80%； d/bEt&  
3. 如果机器有2次电子捕捉器一定要装上，并且每炉清洁； qe!fk?T}  
4 .. (2021-02-08 09:19)  WHjUR0NZ  

M@?xa/E64  
经典回复 \/1<E?Q f  
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补充一个，就是材料本身，我验证了很多PC材料，和材料也是有关系的！

ITO 膜  能用电子枪镀膜吗？  看资料是 磁控溅射镀膜