芯片分析方法总结

发布:探针台 2020-05-13 16:48 阅读:1381
 芯片分析方法总结1 、C-SAM(超声波扫描显微镜),无损检查:1.材料内部的晶格结构,杂质颗粒.夹杂物.沉淀物.2. 内部裂纹. 3.分层缺陷.4.空洞,气泡,空隙等. 德国 .(J?a"  
  2 、X-Ray(这两者是芯片发生失效后首先使用的非破坏性分析手段),德国Fein `mye}L2I  
  微焦点Xray用途:半导体BGA,线路板等内部位移的分析 ;利于判别空焊,虚焊等BGA焊接缺陷. 参数标准检测分辨率<500纳米 ;几何放大倍数: 2000 倍 最大放大倍数: 10000倍 ; 辐射小: 每小时低于1 μSv ;电压: 160 KV, 开放式射线管设计 ;['[?wk  
  防碰撞设计;BGA和SMT(QFP)自动分析软件,空隙计算软件,通用缺陷自动识别软件和视频记录。这些特点非常适合进行各种二维检测和三维微焦点计算机断层扫描(μCT)应用。 _"4xKh)  
  Fein微焦点X射线(德国) `h}q Eo`  
  Y.COUGAR F/A系列可选配样品旋转360度和倾斜60度装置。 \rykBxs  
  Y.COUGAR SMT 系列配置140度倾斜轴样品,选配360度旋转台 !v]b(z`Y  
  3 、SEM扫描电镜/EDX能量弥散X光仪(材料结构分析/缺陷观察,元素组成常规微区分析,精确测量元器件尺寸), 日本电子 FWH}j0Gj|  
  4 、EMMI微光显微镜/OBIRCH镭射光束诱发阻抗值变化测试/LC 液晶热点侦测(这三者属于常用漏电流路径分析手段,寻找发热点,LC要借助探针台,示波器) >NB?& |  
  5 、FIB 线路修改,切线连线,切点观测,TEM制样,精密厚度测量等 X=8Y&#%  
  6 、Probe Station 探针台/Probing Test 探针测试,ESD/Latch-up静电放电/闩锁效用测试(有些客户是在芯片流入客户端之前就进行这两项可靠度测试,有些客户是失效发生后才想到要筛取良片送验)这些已经提到了多数常用手段。失效分析前还有一些必要的样品处理过程。 = 8gHS[  
       7 、取die,decap(开封,开帽),研磨,去金球 De-gold bump,去层,染色等,有些也需要相应的仪器机台,SEM可以查看die表面,SAM以及X-Ray观察封装内部情况以及分层失效。 /6O??6g  
  除了常用手段之外还有其他一些失效分析手段,原子力显微镜AFM ,二次离子质谱 SIMS,飞行时间质谱TOF - SIMS ,透射电镜TEM , 场发射电镜,场发射扫描俄歇探针, X 光电子能谱XPS ,L-I-V测试系统,能量损失 X 光微区分析系统等很多手段,不过这些项目不是很常用。 yL;M"L  
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