半导体术语含义（五）

184) Short Channel Effect  短通道效应

当MOS组件愈小，信道的长度将随之缩短，电晶体的操作速度将加快，但是，MOS电晶体

的通道长度并不能无限制缩减，当长度缩短到一定的程度之后，各种因通道长度变小所衍生的问题便会发生，这个现象称为“短通道效应”。

185)  Selectivity选择性

两种材抖，分别以相同的酸液或电浆作蚀刻其两蚀刻率的比值，谓之:

例如，复晶电浆蚀：

        对复晶的蚀刻率为2OO0Å /min (分)

        对氧化层的蚀刻率为20OÅ /min (分)

        则复晶对氧化层的选择性:S

               20OO Å/min

file:///C:\Users\bstc\AppData\Local\Temp\ksohtml1336\wps183.png         S=                   ＝10

                2OO Å/min

<7-Qn(m,  
187) Silicide金属硅化物

         "Silicide"通常指金属硅化物，为金属舆硅的化合物。在微电子工业硅晶集成电路中主要用为：

(1) 导体接触(Ohmic Contact)

           (2) 单向能阻接触(Schottky Barrier Contact)

(3) 低阻闸极(Gate Electrode)

           (4) 组件间通路(Interconnect)

          在VLSI(超大型积逞电路)时代中，接面深度及界面接触面积分别降至次微米及1-2平方毫米。以往广泛应用为金属接触的Al，由于严重的穿入半导靠问题，在VLSI中不再适用。再加上其它技术及应用上的需求，金属硅化物在集成电路工业上日益受重视。

          用于集成电路中的金属硅化物限于近贵重(Pt，Pd，Co， Ni，…)及高温金属(Ti，W，Mo，Ta)硅化物。

188) Silicon硅

        硅--SI (全各SILICON)为自然界元素的一种，亦即我们使用的硅芯片组成元素，在元素周期表中排行14，原子量28.09，以结晶状态存在(重复性单位细胞组成)，每一单位细胞为田一个硅原子在中心，与其它4个等位硅原子所组成的四面体(称为钻石结构)如图标中心原子以其4个外围共价电子与邻近的原子其原形或其价键的结合。硅元素的电子传导特性介于金属导体与绝缘体材料的间(故称半导体材料)，人类可经由温度的变化，能量的激发及杂质渗入后改变其传导特性，再配合了适当的制程步骤，便产生许多重要的电子组件，运用在人类的日常生活中。

189) Silicon Nitride氮化硅

        氮化硅是SixNy的学名。这种材料跟二氧化硅有甚多相似处。氮化硅通常用低压化学气相沈积法或电浆化学气相沉积法所生成。

   前者所得的薄膜品质较佳，通常作IC隔离氧化技术中的阻隔层，而后者品质稍差，但因其沉积时温度甚低，可以作IC完成主结构后的保护层。

190) Silicon Dioxide  二氧化硅

  即SiO2，热氧化生成的二氧化硅其特性是

a) 无定型结构

b) 很容易与硅反应得到

c) 不容于水

d) 好的绝缘性

e) SiO2/Si界面态电荷低

通过不同方式制得的二氧化硅在IC制程中的应用：

l  缓冲层（buffer layer）

l  隔离层（isolation)

l  幕罩层（masking layer）

l  介电材料（dielectric）

l  保护层（passivation）

191) SOI(Silicon On Insulator)绝缘层上有硅

SOI“绝缘层上有硅”是指将一薄层硅置于一绝缘衬底上。晶体管将在称之为"SOI" 的薄

层硅上制备。基于SOI结构上的器件将在本质上可以减小结电容和漏电流，提高开关速度，

降低功耗，实现高速、低功耗运行。作为下一代硅基集成电路技术，SOI广泛应用于微电

子的大多数领域，同时还在光电子、MEMS等其它领域得到应用。

192) Siloxane  硅氧烷

硅氧烷是用来与含有Si-O网络相溶的有机溶剂，本身含有有机类的官能基，如CH3和C6H5，

是属于有机性的SOG来源，这些官能基，可以帮助改善这种SOG层的抗裂能力。

193) S.O.G.  Spin on Glass旋涂式玻璃

旋制氧化硅 (Spin on Glass)是利用旋制芯片，将含有硅化物的溶液均匀地平涂于芯片上，再利用加热方式与溶剂驱离，并将固体硅化物硬化成稳定的非晶相氧化硅。其简单流程如下:

旋转平涂→加热烧烤→高温硬化 (~450℃)

其结构如图表示:

214) SPC （Statistical Process Control）

统计，过程，控制英文的缩写，是一种质量管理方法。自制程中搜集资料，加以统计分析，并从分析中发觉异常原因，采取改正行动，使制程恢复正常，保持稳定，并持续不断提升制程能力的方法。

ü 因制程具有变异，故数据会有变异，而有不同的值出现稳定时，其具有某种分配型态

ü 制程为一无限母体，只能以抽样方式，抽取少数的样本，以推测制程母体的情况

ü 故运用 “统计手法” 作为制程分析、管制及改善 的工具。

SPC的目的

Ø 维持正常的制程 (Under Statistical Control)

             事先做好应该做的 (标准，系统) – ex：monitor，机台操作程序

             制程异常发生能侦测出，并除去之，防止其再发

Ø 能力要足 (Capable Process)

             能力指标

提升能力 – 持续改善 (广义)  

215) SpecIFication(SPEC)

规范是公司标准化最重要的项目之一，它规定了与生产有关事项的一切细节，包括机台操作，洁净室，设备及保养，材料，工具及配件，品管，可靠性，测试‥‥等等。

IC制造流程复杂，唯有把所有事项巨细靡遗的规范清楚，并确实执行，才可能做好质量管理。所有相关人员尤其是现场操作人员底随时确实遵照规范执行，检讨规范是否合理可行，相关规范是否有冲突，以达自主管理及全员参与标准化的目标。

216) Spike  尖峰

硅在400°C左右对铝有一定的固态溶解度，因此沉积在硅表面上的铝，当制程有经历温度约

400°C以上的步骤时，Si因扩散效应而进入铝，且铝也会回填Si因扩散所遗留下来的空隙，而在铝与硅底材进行接触的部分。

217) Spike TC  针型热电偶

218) Spin Dry  旋干

通过高速旋转产生的离心力把硅片表面水滴驱除

219) SPM （Sulfuric acid , hydrogen-Peroxide Mixing）

用于中CR clean，化学组成是H2SO4+H2O2(120℃)能去除严重有机污染

      H2SO4 + H2O2 → H2SO5 + H2O

      H2SO5 + PR → CO2 + H2O + H2SO4

必须不断补充H2O2

220) Sputtering  溅镀，溅击

利用电浆所产生的离子，借着离子对被溅镀物体电极的轰击，使电浆的气相（Vapor [1Cs  
Phase）内具有被镀物的原子或离子，到达芯片表面并进行沉积。

221) Standard Clean:

标准清洗又叫RCA清洗。由SPM/APM/HPM组成，SPM为H2SO4和H2O2以4：1混合，APM为NH4OH和H2O2及D.I. WATER以1：1：5或0.5：1：5的比例混合，HPM为HCL和H2O2及D.I. Water以1：1：6的比例混合。标准清洗可以除去有机物、Particle和金属粒子，使芯片表面达到比较洁净的状态。

222) Step coverage阶梯覆盖能力

表征薄膜沉积时对晶片表面上不同几何结构的覆盖能力，简单地说，即膜层均匀性。如下图，当对表面有阶梯的晶片进行膜层沉积时，因为沉积角度不同等因素，导致洞口膜厚增加速率高于洞壁及洞底，这样的话沉积的膜层将无法完全填入洞中，极有可能造成孔洞（void）.

223) Stress  应力

对固体物体所施与的外力或其本身所承受的内力，称为“应力（stress）”.

224) Substrate  底材

  一般而言半导体中提及的Substrate就是指Wafer

225) Target   靶

译意为靶，一般用在金属溅镀(Sputtering) 也就是以某种材料，制造成各种形状，用此靶，当做金属薄膜溅镀的来源。

226) TECN Temporary Engineering Change Notice临时性制程变更通知

临时工程变更通知 (ECN)为工程师为了广泛收集资料，或暂时解决制程问题，而做的制程变更，此一临时性的变更将注明有效期限，以利生产作业。

227) Teflon    铁氟隆

聚四氟乙烯，一种耐酸耐腐蚀耐高温的材料，我们使用的某些cassette、特殊管路等均是用此种材料制得。

228) Tensile Stress  拉伸应力（参照192）

因为热膨胀系数的不同，薄膜与底材产生了应力。当沉积薄膜的热膨胀系数高于底材，冷却后是薄膜承受了一个拉伸应力。

229) TEOS（Tetraethylorthosilicate）

file:///C:\Users\bstc\AppData\Local\Temp\ksohtml1336\wps200.png四乙基正硅酸盐，含有硅与碳、氢与氧的有机硅源，化学分子式是Si(OC2H5)4，其沸点较高，常压下约（169℃）。在CVD制程的应用上， TEOS在足够的温度下TEOS进行反应而产生二氧化硅   :2+,?#W  
           Si（OC2H5）4        SiO2+4C2H4+2H2O

目前制程此法用来做Spacer

230) TCS

三氯硅烷SiHCl3

231) Thermal Expansion Coefficient 热膨胀系数

反映物质受热膨胀程度的特性。因温度变化而引起物质量度元素的变化。膨胀系数是膨胀－温度曲线的斜率，瞬时膨胀系数是特定温度下的斜率，两个指定的温度之间的平均斜率是平均热膨胀系数。膨胀系数可以用体积或者是长度表示，通常是用长度表示。

232) Thermocouple   热电偶

测量温度之用。有两根不同材质的探头放入被测环境中，得到电压值，再将电压值转变为温度值。

233) Thin Film   薄膜

234) Thin Film Deposition 薄膜沉积

薄膜沉积形成的过程中，不消耗芯片或底材的材质。薄膜沉积两个主要的方向：①物理气象沉积，及②化学气象沉积。前者主要借着物理的现象，而后者主要是以化学反应的方式，来进行薄膜沉积。

235) Thin Film Growth    薄膜成长

底材的表面材质也是薄膜的形成部分元素之一，如：硅的氧化反应（以形成二氧化硅，以做MOS组件的介电材料）便是。

236) Threshold Voltage   启始电压VT

       当我们在MOS晶体管的源极（Source）及汲极（Drain）加一个固定偏压后，再开始调整闸极（Gate）对基质（Substrate）的电压，当闸极电压超过某一个值之后，源极和汲极间就会产生电流而导通（Turn on），则我们就称此时的闸极电压称为临界电压（Threshold Voltage）。

  *NMOS晶体管的临界电压相对于基质为正。

  *PMOS晶体管的临界电压相对于基质为负。

        一般在制程上我们会影响临界电压的因素主要有二：

闸极氧化层厚度：Gate Oxide越厚，则Vγ（绝对质）越高。

基质渗杂的浓度：Vγ植入Dose越高，则Vγ越高。