微电子中英文对照词典（一）

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微电子中英文对照词典 vD(:?M  
Abrupt junction 突变结 Accelerated testing 加速实验 M6].V*k'2  
q*cEosi'F?  
{o a'@2|tN5Qi)PAcceptor 受主 Acceptor atom 受主原子 *<X*)A{C  
.^Y.oN2T*mAccumulation 积累、堆积 Accumulating contact 积累接触 |AS<I4+&  
:N"F3Z,W[Accumulation region 积累区 Accumulation layer 积累层 -oB=7+g  
Xaz\SpR ha(g)s半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FAActive region 有源区 Active component 有源元 n_x0007_Z,|8QFi,C/l,V o1uM(  
Active device 有源器件 Activation 激活 z,Ac_x0019_]&Wi GH`y-Ul'K  
Activation energy 激活能 Active region 有源（放大）区 love.2icMV z:u)@>6D1  
f R'fEw3^  
Admittance 导纳 Allowed band 允带 8`+? J5i_x001D_|        { @7{.err!  
Alloy-junction device合金结器件 Aluminum(Aluminium) 铝 _7dp(R  
6X}H}-Y"B0Plove.2ic.cnAluminum – oxide 铝氧化物 Aluminum passivation 铝钝化 e9C > iYdr/^a  
Ambipolar 双极的 Ambient temperature 环境温度 5I/P v$y&b-l ~Bi%8G  
Amorphous 无定形的，非晶体的 Amplifier 功放 扩音器 放大器 love. p+y"r4  
N        ir\Ql7R aP B4!3W  
Analogue(Analog) comparator 模拟比较器 Angstrom 埃 1X9J[5|ll  
*I.BD8e UKPr[  
Sli#qAnneal 退火 Anisotropic 各向异性的 love.2ic.cn*MDlz-V2C}7oM N t=fP^bJ  
Anode 阳极 Arsenic (AS) 砷 @|e we.r  
"["^Dk3d@#|x3c%iAuger 俄歇 Auger process 俄歇过程 [8K :ml  
;|!\N)q_x0019_Yz半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FAAvalanche 雪崩 Avalanche breakdown 雪崩击穿 Q2F20b  
\v)T'f CAvalanche excitation雪崩激发 zMd><UQP{  
9^;wP_x0010__O$B半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FA OU!."r`9  
v"]-l_/n3Qlove.2ic.cnBackground carrier 本底载流子 E0+~c1P-  
Background doping 本底掺杂 </aQ  
Backward 反向 ]EG8+K6  
Backward bias 反向偏置 4V 7OS i2  
s'X_x0016_X.zwX#kFm @ Jm"W+! E  
Ballasting resistor 整流电阻 Ball bond 球形键合 4t>
"-/  
1P+O3R[ *p9k> )'J  
!T 9CpIM%  
^)C#  
g G2-0r.f
 
9~jS_Y)"  
m;L3c(r.  
u8s!u n~tb z"&  
I ukRmjHbLf  
wBand 能带 Band gap 能带间隙 tD4-Llj6  
-HqERTQrBarrier 势垒 Barrier layer 势垒层 '`f+QP=`  
)Va6}-AT        d GK[9IF#_>  
A$F*bBarrier width 势垒宽度 Base 基极 +@*>N;$
 
(G_x0010_z9g(Y*W j;hBase contact 基区接触 Base stretching 基区扩展效应 O,S>6o)?  
dA)tT @6_!b 6\`8b&'n  
]'NE.f8NBase transit time 基区渡越时间 Base transport efficiency基区输运系数 Dg8@3M J6"GHbsO  
Base-width modulation基区宽度调制 Basis vector 基矢 {JF"PAS7  
7y0Y LUML T0I半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FABias 偏置 Bilateraltch 双向开关 _x001D_{ q)}rq%t.m H({m1v ~R  
Binary code 二进制代码Binary compound semiconductor 二元化合物半导体 "\_x0010_]8@4r_x001D_] }Z
<Sca7  
Bipolar 双极性的 Bipolar Junction Transistor (BJT)双极晶体管 "a_x0016_Bu;y3R)N_x0010_DVu NytodVZ'3  
Bloch 布洛赫 Blocking band 阻挡能带 dczSW]%  
ri#l6Ud^/__x0019_m'{Blocking contact 阻挡接触 Body - centered 体心立方 PZlPC#E-  
!qm9n_x0012_|@Body-centred cubic structure 体立心结构 Boltzmann 波尔兹曼 .k[I/z*ns *
xY3F8  
B Ge7B%p8  
Bond 键、键合 Bonding electron 价电子 Hi*|f!,H?  
7Sr%WOvQ_x0007_{0^%B8nlove.2ic.cnBonding pad 键合点 Bootstrap circuit 自举电路 &O 8=zREt<Se  
Bootstrapped emitter follower 自举射极跟随器Boron 硼 [_x0016_pn,_h#M&?$v:n G;EJ\J6@Yw  
Borosilicate glass 硼硅玻璃 Boundary condition 边界条件 uX]]wj-R3  
T8S8@_x0019_@_x001D_Ep B7alove.2ic.cnBound electron 束缚电子 Breadboard 模拟板、实验板 DBreak down 击穿 Break over 转折 "I[ XODp[+xEEt  
g}[2v"S PsD)]V9%:  
Brillouin 布里渊 Brillouin zone 布里渊区
H4j1yD(d  
3Y8Jy4U7L7L *'\HG  
ZX8@/8sv  
5HE5$S  
^1[CBuilt-in 内建的 Build-in electric field 内建电场 69apTx  
\Z&s,T/ilove.2ic.cnBulk 体/体内 Bulk absorption 体吸收 %I'V_x0007_o rBy0hGx  
n%{_x0012_\        l 8Op^6rX4  
Bulk generation 体产生 Bulk recombination 体复合 -=5~-
72~  
_x0012_MRP6Mw&Lz+G `Burn - in 老化 Burn out 烧毁 _x0012_f*Df8YBuried channel 埋沟 Buried diffusion region 隐埋扩散区 Can 外壳 Capacitance 电容 -R(dF_x001D_xD;H axq~56"7E  
Capture cross section 俘获截面 Capture carrier 俘获载流子 半导体技术天地~-[`]Q*S(M'h3ai DbX7?Jr  
Carrier 载流子、载波 Carry bit 进位位 S\Le;,
5Z  
g_x001D_Zh_x0012_Zp#B_x0007_PjCarry-in bit 进位输入 Carry-out bit 进位输出 He}?\C Bo  
n;[ o=K9\l  
LsaX HI/?b  
 Lo5pn  
rS%[_x0007_j_4mCascade 级联 Case 管壳 c\&;
Xr  
8D-_        R'K't_x0019_VCathode 阴极 Center 中心 *<6dB#' J  
9]aw.bH'RX_x001D_~Ceramic 陶瓷（的） Channel 沟道 P#`M8k  
2}+F;R4y#S
z( }w|  
<5P*uZ  
&K(y%ieIJ  
ebChannel breakdown 沟道击穿 Channel current 沟道电流 dUl"w`3  
Y z_x0016_`%{        L l&:8 'k+%=  
5\w*W6y  
^u1Nbo  
g1F a:h半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FAChannel doping 沟道掺杂 Channel shortening 沟道缩短 o?j8"^!7  
_x0012_O| Aq$1#1J  
('$*QC.M  
C=v+e%)x@  
P        _!o#e{2|Channel width 沟道宽度 Characteristic impedance 特征阻抗 半导体技术天地[S \ P1B=fgT  
Charge 电荷、充电 Charge-compensation effects 电荷补偿效应 @!
O(%0 =  
8S9a-_W W5hQ7N)C.[ a1/+C$ oB  
Hlove.2ic.cnCharge conservation 电荷守恒 Charge neutrality condition 电中性条件 NGkxg:  
TU?/xP_x0019_T#ZyCharge drive/exchange/sharing/transfer/storage 电荷驱动/交换/共享/转移/存储 AXSip  
dx\/l.b w-xigm>{Z  
g f?ibyoXL  
        S`        LJE0GKChemmical etching 化学腐蚀法 Chemically-Polish 化学抛光 MX7Ix{  
_x0016_J2HgL6klove.2ic.cnChemmically-Mechanically Polish (CMP) 化学机械抛光 Chip 芯片 2H!uTb(?        Ek'j s S#/JLDx]  
Chip yield 芯片成品率 Clamped 箝位 love.2ic.cn4O_0P_x0010_fN's j3T)gFP  
Clamping diode 箝位二极管 Cleavage plane 解理面 ,4 _H{+M  
:I4}#V0m_w,yi半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FAClock rate 时钟频率 Clock generator 时钟发生器 love.2ic.cn)am9?NC5J J

YA>Q&  
Clock flip-flop 时钟触发器 Close-packed structure 密堆积结构 %*wEzvt*  
Close-loop gain 闭环增益 Collector 集电极 半;F%fS#@%L ~J>;l s1  
Collision 碰撞 Compensated OP-AMP 补偿运放 +R HiX!PG  
$tA Bmi,ztCommon-base/collector/emitter connection 共基极/集电极/发射极连接 半导r,chip,ic,process,layout,package,FA"Qm-}2A_x001D_b#V_x0012_NB )pT5"{  
Common-gate/drain/source connection 共栅/漏/源连接 WBkx!{\z  
_jv(Z#]!Alove.2ic.cnCommon-mode gain 共模增益 Common-mode input 共模输入 J9|&p8^"S&ig (Z[c7  
Common-mode rejection ratio (CMRR) 共模抑制比 Cus)xV t u{~:Z(  
Compatibility 兼容性 Compensation 补偿 bZ OCj1  
Compensated impurities 补偿杂质 Kg2Du'WQ^  
Compensated semiconductor 补偿半导体 &w 47Bg[  
b tcsb]/my  
Complementary Darlington circuit 互补达林顿电路 9y;}B y  
X5\]X.e&xn:sO半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FAComplementary Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor(CMOS) VBF:
MAA  
'X:{U-s9R8x~_x0007_G~互补金属氧化物半导体场效应晶体管 w Ip=QtNW3\  
Complementary error function 余误差函数 XMT@<'fI  
zN_!c;k ke)hkeComputer-aided design (CAD)/test(CAT)/manufacture(CAM) 计算机辅助设计/ 测试 /制造Compound Semiconductor 化合物半导体 Conductance 电导 +_H6Nsc9z ^Jq('@  
Conduction band (edge) 导带(底) Conduction level/state 导带态 EG$-D@o\I  
,N b=pk;'-  
P R){O]<+  
zY3x&G4oConductor 导体 Conductivity 电导率       \ 6sQ;Z|!Pz  
Configuration 组态 Conlomb 库仑 -X j4\u3iq4Cm Ql l{;A  
Conpled Configuration Devices 结构组态 Constants 物理常数 F ]Zg  
lT`QZJ#ZConstant energy surface 等能面 Constant-source diffusion恒定源扩散 >A6W^J|[  
}aj GYContact 接触 Contamination 治污AH        ?[ ztX$kX:_m  
Continuity equation 连续性方程 Contact hole 接触孔 YM'4=BlJHv  
g        F~ n%Xt9G
?eX/vqk  
D'\ i20y\V os?  
p)@%TContact potential 接触电势 Continuity condition 连续性条件 C4.GtY8,d  
L0W_J_x0010_t_x001D_^半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FAContra doping 反掺杂 Controlled 受控的 Y)1J8kq_  
0M6SaPu}Converter 转换器 Conveyer 传输器 OY:rcGc`t  
Z'Dq$~^S9W}O-cY2HCopper interconnection system 铜互连系统Couping 耦合 q/54=8*h0  
9b3BS"tz;|'qgc -WF((s;<#  
A        KCovalent 共阶的 Crossover 跨交 'bc!f#[(z CMOyK^(e  
Critical 临界的 Crossunder 穿交 r,a#}_x0007_EJ%n;|7j5r q oi21mCn  
Crucible坩埚 Crystal defect/face/orientation/lattice 晶体缺陷/晶面/晶向/晶格 >dm9YfQ  
*_3ztd*X;dxZulove.2ic.cnCurrent density 电流密度 Curvature 曲率 eI2HTFyT  
N"{ #{J~ km/  
nK?S2/o#A  
$,U/,XA {E  
?_x0019_b/?r0UCut off 截止 Current drift/dirve/sharing 电流漂移/驱动/共享 \R]2YY`EP  
*w$li;lC2xlove.2ic.cn grU\2k+{ 5|K[WvG@Co  
} l1X >(.|oT\Tb  
Current Sense 电流取样 Curvature 弯曲 <f8j^  
&JG Zc_x0007_IW        gCustom integrated circuit 定制集成电路 Cylindrical 柱面的 Dv/7w[F  
5yU'{&X? Ry]9n.y  
p$P半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FACzochralshicrystal 直立单晶 7Bv!hy;C_x001D_X'Ge 6o3#<ap<  
Czochralski technique 切克劳斯基技术（Cz法直拉晶体J） Y:,C_^$w;  
"p:q_x0019_@2T_x0019_y"}+a'Klove.2ic.cn GWPBP-)0  
$k?WA        c]MDangling bonds 悬挂键 Dark current 暗电流 "D_x0007_ii\2^J[Z 7g+T  
Dead time 空载时间 Debye length 德拜长度 Dt`U2R 4OgH+<G  
De.broglie 德布洛意 Decderate 减速 a~_JTH4=t  
W'p(N_x0019_d7X Y,gDecibel (dB) 分贝 Decode 译码 F!)[H["_  
r ay-sf/H(C半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FADeep acceptor level 深受主能级 Deep donor level 深施主能级 d4\JM 65  
)?(Ux1:w)  
.<z7$lz\  

1v`|mU}i,  
K Fh:w#Z ubDeep impurity level 深度杂质能级 Deep trap 深陷阱 l7^^MnkC  
@6QFF%}$Y u^{p'a'  
G_x0016_?(j'kDefeat 缺陷 半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FAt3XD_x001D_ae)K.a4Y qmFbq<&  
Degenerate semiconductor 简并半导体 Degeneracy 简并度 e_x0016_H        i n$|#y_x0019_u        qs pFNU~y'Kf  
Degradation 退化 Degree Celsius(centigrade) /Kelvin 摄氏/开氏温度 7z]0}rF\6I_x0019_w [w@S/K[_|  
Delay 延迟 Density 密度 [Tbnfst  
A:h3V_x0016_P;V_x0007_qv0XDensity of states 态密度 Depletion 耗尽 zm5PlG
 
\DI_x0012_x ^tG,H@95  
e_x0016_EW{_x001D_L2b7\d{ W$NFk(  
b ?z l<"u  
Depletion approximation 耗尽近似 Depletion contact 耗尽接触 }t.G.^)GVA_x0012_[ O)VcW/  
Depletion depth 耗尽深度 Depletion effect 耗尽效应 *P`wuXn}  
3Q~$K$d \sZDepletion layer 耗尽层 Depletion MOS 耗尽MOS xi "3NF%=  
-t!x_x0019_E l:UKU!  
p iJ 1@t.J>  
B.YsDepletion region 耗尽区 Deposited film 淀积薄膜 3Q=\W<Wu  
+lA{ Ag_x0019_Z1?P半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FADeposition process 淀积工艺 Design rules 设计规则 ut560,h~  
_x0012_B0SKT%E <Y?Z&rNb  
O*\h,k半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FADie 芯片（复数dice） Diode 二极管 Zf!Q4a"  
3X8?j#{,wNH%^Dielectric 介电的 Dielectric isolation 介质隔离 8_HBcZWs  
7w G8@t)f_x0007_[/D_x001D_M*Rlove.2ic.cnDifference-mode input 差模输入 Differential amplifier 差分放大器 ZZo<0kDk  
Y#ah,b_x0007_]HuKd%A_x0007_ZDifferential capacitance 微分电容 Diffused junction 扩散结 u$[8Zmgzz  
'hBnV xd&  
SF-"3M  
Q> y!  
m6Z*^M:XR p2rUDiffusion 扩散 Diffusion coefficient 扩散系数 iG9z9y        v_x001D_F9_"Y 'ZMh<M[  
Diffusion constant 扩散常数 Diffusivity 扩散率 love.2ic.cn$@7K(V0t$N [j'!+)>_  
yY.F*j_x0007_x` t7x<=rW7u  
Diffusion capacitance/barrier/current/furnace 扩散电容/势垒/电流/炉 ly*v|(S&  
-?2n1H6Xt [半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FADigital circuit 数字电路 Dipole domain 偶极畴 )/)u.$pi  
]9/A=p?J@  
e&R6UWc\8?Dipole layer 偶极层 Direct-coupling 直接耦合 半导体技术天地[ocess,layout,package,FA)R5K%~_x0010_wj)MEc U.t][#<3  
Direct-gap semiconductor 直接带隙半导体 Direct transition 直接跃迁 A"b31*_  
        p W& 0R/y
7  
Discharge 放电 Discrete component 分立元件 AJ*17w  
:R*j$KYX0L$Z h?SRX_  
3s2jl_x001D_F*X8g_x0019_D;?DDissipation 耗散 Distribution 分布 ZJ)Z
 
8^2J 2 >O[Y1  
8Z\q)

T  
[i
q^'E  
|j1br,i9a eQ/w Mr  
k_x0016_rDistributed capacitance 分布电容 Distributed model 分布模型 67Pmnad  
Displacement 位移 Dislocation 位错 p+]S)K GZw  
JnK<:]LcK  
^*w#\_x0016_r,t5W v半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FADomain 畴 Donor 施主 wPz_x0019_M_x0019_Ju QH(&Cu,  
Donor exhaustion 施主耗尽 Dopant 掺杂剂 love.2ic.cn~3s Il_x0019_I0_9C!`_x0019_{ Ii[U%  
Doped semiconductor 掺杂半导体 Doping concentration 掺杂浓度 >_yL@^  
_x0012_N&Q_x0010_F)x_x0012_R2a dDouble-diffusive MOS(DMOS)双扩散MOS. {*O+vtir%  
$ZN@ -%fj-Y7y  
B/FG3}!B)X6~Drift 漂移 Drift field 漂移电场 ,layout,package,FA_x0010_mm$o%g7D4|,CNT Bj\ x  
Drift mobility 迁移率 Dry etching 干法腐蚀 s,\#Qta nh d>)=|  
Dry/wet oxidation 干/湿法氧化 Dose 剂量 ff.k1%wr^  
_x0019_h Q34u>VkdQI  
n!z+v6v.Yd_x001D_Ru8UDuty cycle 工作周期 Dual-in-line package （DIP） 双列直插式封装  d6tLCQ  
T i} #
`|Nm3b  
Dynamics 动态 }WC[<AqI  
Dynamic characteristics 动态属性 e5b_x0007_P_x0010_T;}*l~_x0012_`_x001D_p%|#t :3Q:pKg  
Dynamic impedance 动态阻抗 +
R)Mkt8v  
k P~L)x+ hfY/)-60o  
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s"w "  
北京芯片半导体实验室：北软检测芯片失效分析实验室，能够依据国际、国内和行业标准实施检测工作，开展从底层芯片到实际产品，从物理到逻辑全面的检测工作，提供芯片预处理、侧信道攻击、光攻击、侵入式攻击、环境、电压毛刺攻击、电磁注入、放射线注入、物理安全、逻辑安全、功能、兼容性和多点激光注入等安全检测服务，同时可开展模拟重现智能产品失效的现象，找出失效原因的失效分析检测服务，主要包括点针工作站（Probe Station）、反应离子刻蚀（RIE）、微漏电侦测系统（EMMI）、X-Ray检测，缺陷切割观察系统（FIB系统）等检测试验。实现对智能产品质量的评估及分析，为智能装备产品的芯片、嵌入式软件以及应用提供质量保证。