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微电子中英文对照词典（一） 微电子中英文对照词典 Abrupt junction 突变结 Accelerated testing 加速实验 {o a'@2|tN5Qi)PAcceptor 受主 Acceptor atom 受主原子 .^Y.oN2T*mAccumulation 积累、堆积 Accumulating contact 积累接触 :N"F3Z,W[Accumulation region 积累区 Accumulation layer 积累层 Xaz\SpR ha(g)s半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FAActive region 有源区 Active component 有源元 n_x0007_Z,|8QFi,C/l,V Active device 有源器件 Activation 激活 z,Ac_x0019_]&Wi Activation energy 激活能 Active region 有源（放大）区 love.2icMV f Admittance 导纳 Allowed band 允带 8`+? J5i_x001D_| { Alloy-junction device合金结器件 Aluminum(Aluminium) 铝 6X}H}-Y"B0Plove.2ic.cnAluminum – oxide 铝氧化物 Aluminum passivation 铝钝化 e9C Ambipolar 双极的 Ambient temperature 环境温度 5I/P v$y&b-l Amorphous 无定形的，非晶体的 Amplifier 功放 扩音器 放大器 love. N ir\Ql7R Analogue(Analog) comparator 模拟比较器 Angstrom 埃 *I.BD8e Sli#qAnneal 退火 Anisotropic 各向异性的 love.2ic.cn*MDlz-V2C}7oM N Anode 阳极 Arsenic (AS) 砷 "["^Dk3d@#|x3c%iAuger 俄歇 Auger process 俄歇过程 ;|!\N)q_x0019_Yz半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FAAvalanche 雪崩 Avalanche breakdown 雪崩击穿 \v)T'f CAvalanche excitation雪崩激发 9^;wP_x0010__O$B半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FA v"]-l_/n3Qlove.2ic.cnBackground carrier 本底载流子 Background doping 本底掺杂 Backward 反向 Backward bias 反向偏置 4V s'X_x0016_X.zwX#kFm @ Ballasting resistor 整流电阻 Ball bond 球形键合 1P+O3R[ g u8s!u I wBand 能带 Band gap 能带间隙 -HqERTQrBarrier 势垒 Barrier layer 势垒层 )Va6}-AT d A$F*bBarrier width 势垒宽度 Base 基极 (G_x0010_z9g(Y*W j;hBase contact 基区接触 Base stretching 基区扩展效应 dA)tT @6_!b ]'NE.f8NBase transit time 基区渡越时间 Base transport efficiency基区输运系数 Dg8@3M Base-width modulation基区宽度调制 Basis vector 基矢 7y0Y LUML T0I半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FABias 偏置 Bilateraltch 双向开关 _x001D_{ q)}rq%t.m Binary code 二进制代码Binary compound semiconductor 二元化合物半导体 "\_x0010_]8@4r_x001D_] Bipolar 双极性的 Bipolar Junction Transistor (BJT)双极晶体管 "a_x0016_Bu;y3R)N_x0010_DVu Bloch 布洛赫 Blocking band 阻挡能带 ri#l6Ud^/__x0019_m'{Blocking contact 阻挡接触 Body - centered 体心立方 !qm9n_x0012_|@Body-centred cubic structure 体立心结构 Boltzmann 波尔兹曼 .k[I/z*ns B Bond 键、键合 Bonding electron 价电子 7Sr%WOvQ_x0007_{0^%B8nlove.2ic.cnBonding pad 键合点 Bootstrap circuit 自举电路 &O Bootstrapped emitter follower 自举射极跟随器Boron 硼 [_x0016_pn,_h#M&?$v:n Borosilicate glass 硼硅玻璃 Boundary condition 边界条件 T8S8@_x0019_@_x001D_Ep B7alove.2ic.cnBound electron 束缚电子 Breadboard 模拟板、实验板 DBreak down 击穿 Break over 转折 "I[ g}[2v"S Brillouin 布里渊 Brillouin zone 布里渊区 3Y8Jy4U7L7L ^1[CBuilt-in 内建的 Build-in electric field 内建电场 \Z&s,T/ilove.2ic.cnBulk 体/体内 Bulk absorption 体吸收 %I'V_x0007_o n%{_x0012_\ l Bulk generation 体产生 Bulk recombination 体复合 _x0012_MRP6Mw&Lz+G `Burn - in 老化 Burn out 烧毁 _x0012_f*Df8YBuried channel 埋沟 Buried diffusion region 隐埋扩散区 Can 外壳 Capacitance 电容 -R(dF_x001D_xD;H Capture cross section 俘获截面 Capture carrier 俘获载流子 半导体技术天地~-[`]Q*S(M'h3ai Carrier 载流子、载波 Carry bit 进位位 g_x001D_Zh_x0012_Zp#B_x0007_PjCarry-in bit 进位输入 Carry-out bit 进位输出 n;[ rS%[_x0007_j_4mCascade 级联 Case 管壳 8D-_ R'K't_x0019_VCathode 阴极 Center 中心 9]aw.bH'RX_x001D_~Ceramic 陶瓷（的） Channel 沟道 2}+F;R4y#S ebChannel breakdown 沟道击穿 Channel current 沟道电流 Y z_x0016_`%{ L g1F a:h半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FAChannel doping 沟道掺杂 Channel shortening 沟道缩短 _x0012_O| P _!o#e{2|Channel width 沟道宽度 Characteristic impedance 特征阻抗 半导体技术天地[S \ Charge 电荷、充电 Charge-compensation effects 电荷补偿效应 8S9a-_W W5hQ7N)C.[ Hlove.2ic.cnCharge conservation 电荷守恒 Charge neutrality condition 电中性条件 TU?/xP_x0019_T#ZyCharge drive/exchange/sharing/transfer/storage 电荷驱动/交换/共享/转移/存储 dx\/l.b g S` LJE0GKChemmical etching 化学腐蚀法 Chemically-Polish 化学抛光 _x0016_J2HgL6klove.2ic.cnChemmically-Mechanically Polish (CMP) 化学机械抛光 Chip 芯片 2H!uTb(? Ek'j Chip yield 芯片成品率 Clamped 箝位 love.2ic.cn4O_0P_x0010_fN's Clamping diode 箝位二极管 Cleavage plane 解理面 :I4}#V0m_w,yi半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FAClock rate 时钟频率 Clock generator 时钟发生器 love.2ic.cn)am9?NC5J Clock flip-flop 时钟触发器 Close-packed structure 密堆积结构 Close-loop gain 闭环增益 Collector 集电极 半;F%fS#@%L Collision 碰撞 Compensated OP-AMP 补偿运放 $tA Bmi,ztCommon-base/collector/emitter connection 共基极/集电极/发射极连接 半导r,chip,ic,process,layout,package,FA"Qm-}2A_x001D_b#V_x0012_NB Common-gate/drain/source connection 共栅/漏/源连接 _jv(Z#]!Alove.2ic.cnCommon-mode gain 共模增益 Common-mode input 共模输入 J9|&p8^"S&ig Common-mode rejection ratio (CMRR) 共模抑制比 Cus)xV Compatibility 兼容性 Compensation 补偿 Compensated impurities 补偿杂质 Compensated semiconductor 补偿半导体 &w b Complementary Darlington circuit 互补达林顿电路 X5\]X.e&xn:sO半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FAComplementary Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor(CMOS) 'X:{U-s9R8x~_x0007_G~互补金属氧化物半导体场效应晶体管 w Complementary error function 余误差函数 zN_!c;k ke)hkeComputer-aided design (CAD)/test(CAT)/manufacture(CAM) 计算机辅助设计/ 测试 /制造Compound Semiconductor 化合物半导体 Conductance 电导 +_H6Nsc9z Conduction band (edge) 导带(底) Conduction level/state 导带态 ,N P zY3x&G4oConductor 导体 Conductivity 电导率 \ Configuration 组态 Conlomb 库仑 -X j4\u3iq4Cm Conpled Configuration Devices 结构组态 Constants 物理常数 lT`QZJ#ZConstant energy surface 等能面 Constant-source diffusion恒定源扩散 }aj GYContact 接触 Contamination 治污AH ?[ Continuity equation 连续性方程 Contact hole 接触孔 g F~ n%Xt9G D'\ p)@%TContact potential 接触电势 Continuity condition 连续性条件 L0W_J_x0010_t_x001D_^半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FAContra doping 反掺杂 Controlled 受控的 0M6SaPu}Converter 转换器 Conveyer 传输器 Z'Dq$~^S9W}O-cY2HCopper interconnection system 铜互连系统Couping 耦合 9b3BS"tz;|'qgc A KCovalent 共阶的 Crossover 跨交 'bc!f#[(z Critical 临界的 Crossunder 穿交 r,a#}_x0007_EJ%n;|7j5r Crucible坩埚 Crystal defect/face/orientation/lattice 晶体缺陷/晶面/晶向/晶格 *_3ztd*X;dxZulove.2ic.cnCurrent density 电流密度 Curvature 曲率 N"{ ?_x0019_b/?r0UCut off 截止 Current drift/dirve/sharing 电流漂移/驱动/共享 *w$li;lC2xlove.2ic.cn grU\2k+{ } l1X Current Sense 电流取样 Curvature 弯曲 &JG Zc_x0007_IW gCustom integrated circuit 定制集成电路 Cylindrical 柱面的 5yU'{&X? p$P半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FACzochralshicrystal 直立单晶 7Bv!hy;C_x001D_X'Ge Czochralski technique 切克劳斯基技术（Cz法直拉晶体J） "p:q_x0019_@2T_x0019_y"}+a'Klove.2ic.cn $k?WA c]MDangling bonds 悬挂键 Dark current 暗电流 "D_x0007_ii\2^J[Z Dead time 空载时间 Debye length 德拜长度 Dt`U2R De.broglie 德布洛意 Decderate 减速 W'p(N_x0019_d7X Y,gDecibel (dB) 分贝 Decode 译码 r ay-sf/H(C半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FADeep acceptor level 深受主能级 Deep donor level 深施主能级 K Fh:w#Z ubDeep impurity level 深度杂质能级 Deep trap 深陷阱 @6QFF%}$Y G_x0016_?(j'kDefeat 缺陷 半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FAt3XD_x001D_ae)K.a4Y Degenerate semiconductor 简并半导体 Degeneracy 简并度 e_x0016_H i n$|#y_x0019_u qs Degradation 退化 Degree Celsius(centigrade) /Kelvin 摄氏/开氏温度 7z]0}rF\6I_x0019_w Delay 延迟 Density 密度 A:h3V_x0016_P;V_x0007_qv0XDensity of states 态密度 Depletion 耗尽 \DI_x0012_x e_x0016_EW{_x001D_L2b7\d{ b Depletion approximation 耗尽近似 Depletion contact 耗尽接触 }t.G.^)GVA_x0012_[ Depletion depth 耗尽深度 Depletion effect 耗尽效应 3Q~$K$d \sZDepletion layer 耗尽层 Depletion MOS 耗尽MOS -t!x_x0019_E p iJ B.YsDepletion region 耗尽区 Deposited film 淀积薄膜 +lA{ Ag_x0019_Z1?P半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FADeposition process 淀积工艺 Design rules 设计规则 _x0012_B0SKT%E O*\h,k半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FADie 芯片（复数dice） Diode 二极管 3X8?j#{,wNH%^Dielectric 介电的 Dielectric isolation 介质隔离 7w G8@t)f_x0007_[/D_x001D_M*Rlove.2ic.cnDifference-mode input 差模输入 Differential amplifier 差分放大器 Y#ah,b_x0007_]HuKd%A_x0007_ZDifferential capacitance 微分电容 Diffused junction 扩散结 m6Z*^M:XR p2rUDiffusion 扩散 Diffusion coefficient 扩散系数 iG9z9y v_x001D_F9_"Y Diffusion constant 扩散常数 Diffusivity 扩散率 love.2ic.cn$@7K(V0t$N yY.F*j_x0007_x` Diffusion capacitance/barrier/current/furnace 扩散电容/势垒/电流/炉 -?2n1H6Xt [半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FADigital circuit 数字电路 Dipole domain 偶极畴 e&R6UWc\8?Dipole layer 偶极层 Direct-coupling 直接耦合 半导体技术天地[ocess,layout,package,FA)R5K%~_x0010_wj)MEc Direct-gap semiconductor 直接带隙半导体 Direct transition 直接跃迁 p Discharge 放电 Discrete component 分立元件 :R*j$KYX0L$Z 3s2jl_x001D_F*X8g_x0019_D;?DDissipation 耗散 Distribution 分布 8^2J |j1br,i9a k_x0016_rDistributed capacitance 分布电容 Distributed model 分布模型 Displacement 位移 Dislocation 位错 ^*w#\_x0016_r,t5W v半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FADomain 畴 Donor 施主 wPz_x0019_M_x0019_Ju Donor exhaustion 施主耗尽 Dopant 掺杂剂 love.2ic.cn~3s Il_x0019_I0_9C!`_x0019_{ Doped semiconductor 掺杂半导体 Doping concentration 掺杂浓度 _x0012_N&Q_x0010_F)x_x0012_R2a dDouble-diffusive MOS(DMOS)双扩散MOS. $ZN@ B/FG3}!B)X6~Drift 漂移 Drift field 漂移电场 ,layout,package,FA_x0010_mm$o%g7D4|,CNT Drift mobility 迁移率 Dry etching 干法腐蚀 s,\#Qta nh Dry/wet oxidation 干/湿法氧化 Dose 剂量 _x0019_h n!z+v6v.Yd_x001D_Ru8UDuty cycle 工作周期 Dual-in-line package （DIP） 双列直插式封装 T i} Dynamics 动态 Dynamic characteristics 动态属性 e5b_x0007_P_x0010_T;}*l~_x0012_`_x001D_p%|#t Dynamic impedance 动态阻抗 + k P~L)x+ 北京芯片半导体实验室：北软检测芯片失效分析实验室，能够依据国际、国内和行业标准实施检测工作，开展从底层芯片到实际产品，从物理到逻辑全面的检测工作，提供芯片预处理、侧信道攻击、光攻击、侵入式攻击、环境、电压毛刺攻击、电磁注入、放射线注入、物理安全、逻辑安全、功能、兼容性和多点激光注入等安全检测服务，同时可开展模拟重现智能产品失效的现象，找出失效原因的失效分析检测服务，主要包括点针工作站（Probe Station）、反应离子刻蚀（RIE）、微漏电侦测系统（EMMI）、X-Ray检测，缺陷切割观察系统（FIB系统）等检测试验。实现对智能产品质量的评估及分析，为智能装备产品的芯片、嵌入式软件以及应用提供质量保证。 分享到：
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