微电子中英文对照词典（一）

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微电子中英文对照词典 %Ci`OhT  
Abrupt junction 突变结 Accelerated testing 加速实验 V?"X0>]0  
GQ<]Sd}
[  
{o a'@2|tN5Qi)PAcceptor 受主 Acceptor atom 受主原子 LDDeZY"xd  
.^Y.oN2T*mAccumulation 积累、堆积 Accumulating contact 积累接触 >'IFr9&3  
:N"F3Z,W[Accumulation region 积累区 Accumulation layer 积累层 +c&n7  
Xaz\SpR ha(g)s半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FAActive region 有源区 Active component 有源元 n_x0007_Z,|8QFi,C/l,V ds@X%L;_  
Active device 有源器件 Activation 激活 z,Ac_x0019_]&Wi 7d&_5Tj:  
Activation energy 激活能 Active region 有源（放大）区 love.2icMV x
;A"S  
f ie4keVlXc  
Admittance 导纳 Allowed band 允带 8`+? J5i_x001D_|        { Uawf,57v<  
Alloy-junction device合金结器件 Aluminum(Aluminium) 铝 0uX"KL]Elf  
6X}H}-Y"B0Plove.2ic.cnAluminum – oxide 铝氧化物 Aluminum passivation 铝钝化 e9C WXz'H),
R  
Ambipolar 双极的 Ambient temperature 环境温度 5I/P v$y&b-l |X&.+RI  
Amorphous 无定形的，非晶体的 Amplifier 功放 扩音器 放大器 love. +-_71rJc.  
N        ir\Ql7R O:02LHE  
Analogue(Analog) comparator 模拟比较器 Angstrom 埃 _hP siZY9  
*I.BD8e ~x<nz/^  
Sli#qAnneal 退火 Anisotropic 各向异性的 love.2ic.cn*MDlz-V2C}7oM N OU)~ 02|\  
Anode 阳极 Arsenic (AS) 砷 BQYj"Wi  
"["^Dk3d@#|x3c%iAuger 俄歇 Auger process 俄歇过程 gq9D#B  
;|!\N)q_x0019_Yz半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FAAvalanche 雪崩 Avalanche breakdown 雪崩击穿 \~V ZY  
\v)T'f CAvalanche excitation雪崩激发 / S  
9^;wP_x0010__O$B半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FA -dX{ R_*  
v"]-l_/n3Qlove.2ic.cnBackground carrier 本底载流子 Ki#({~  
Background doping 本底掺杂 #hinb[fQ  
Backward 反向 @**@W[EM  
Backward bias 反向偏置 4V [$; \1P/  
s'X_x0016_X.zwX#kFm @ =gI;%M\'  
Ballasting resistor 整流电阻 Ball bond 球形键合 RQ?T~ASs  
1P+O3R[ 97"dOi!Wh  
 LW?Zd=  
2+KOUd&jS  
g QF^_4Yn  
~ou1{NS  
Be"Swz(n  
u8s!u zqEMR>px  
I /8!s C D  
wBand 能带 Band gap 能带间隙 x!\FB.h4!(  
-HqERTQrBarrier 势垒 Barrier layer 势垒层 U?/UW;k[  
)Va6}-AT        d emZ^d/A  
A$F*bBarrier width 势垒宽度 Base 基极 vCC}IDd
 
(G_x0010_z9g(Y*W j;hBase contact 基区接触 Base stretching 基区扩展效应 X8!=Xjl)  
dA)tT @6_!b B35zmFX|}N  
]'NE.f8NBase transit time 基区渡越时间 Base transport efficiency基区输运系数 Dg8@3M "=~P&Mi_  
Base-width modulation基区宽度调制 Basis vector 基矢 *We.?"X'].  
7y0Y LUML T0I半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FABias 偏置 Bilateraltch 双向开关 _x001D_{ q)}rq%t.m x;H#-^LxW=  
Binary code 二进制代码Binary compound semiconductor 二元化合物半导体 "\_x0010_]8@4r_x001D_] e_C9VNP  
Bipolar 双极性的 Bipolar Junction Transistor (BJT)双极晶体管 "a_x0016_Bu;y3R)N_x0010_DVu g@WGd(o0)  
Bloch 布洛赫 Blocking band 阻挡能带 tCnx:1  
ri#l6Ud^/__x0019_m'{Blocking contact 阻挡接触 Body - centered 体心立方 HVb9YU+  
!qm9n_x0012_|@Body-centred cubic structure 体立心结构 Boltzmann 波尔兹曼 .k[I/z*ns &{B-a  
B ZLA&<]Ad"$  
Bond 键、键合 Bonding electron 价电子 Y-(),k_Q:  
7Sr%WOvQ_x0007_{0^%B8nlove.2ic.cnBonding pad 键合点 Bootstrap circuit 自举电路 &O nnBgTtsC]  
Bootstrapped emitter follower 自举射极跟随器Boron 硼 [_x0016_pn,_h#M&?$v:n ] iKFEd  
Borosilicate glass 硼硅玻璃 Boundary condition 边界条件 wk {9  
T8S8@_x0019_@_x001D_Ep B7alove.2ic.cnBound electron 束缚电子 Breadboard 模拟板、实验板 DBreak down 击穿 Break over 转折 "I[ F|._'i+B!  
g}[2v"S ^{<x*/nK  
Brillouin 布里渊 Brillouin zone 布里渊区 gv=mz,z  
3Y8Jy4U7L7L _Q<wb8+/  
f'/@h Na3  
DJl06-s V  
^1[CBuilt-in 内建的 Build-in electric field 内建电场 N*t91 X  
\Z&s,T/ilove.2ic.cnBulk 体/体内 Bulk absorption 体吸收 %I'V_x0007_o U^_'e_)  
n%{_x0012_\        l wv,,#P  
Bulk generation 体产生 Bulk recombination 体复合 oo\0X  
_x0012_MRP6Mw&Lz+G `Burn - in 老化 Burn out 烧毁 _x0012_f*Df8YBuried channel 埋沟 Buried diffusion region 隐埋扩散区 Can 外壳 Capacitance 电容 -R(dF_x001D_xD;H KZ ezA4  
Capture cross section 俘获截面 Capture carrier 俘获载流子 半导体技术天地~-[`]Q*S(M'h3ai f.
Y9gkt3d  
Carrier 载流子、载波 Carry bit 进位位 @Z$`c{V<  
g_x001D_Zh_x0012_Zp#B_x0007_PjCarry-in bit 进位输入 Carry-out bit 进位输出 U_a)g
X  
n;[ HgG-r&r!2  
!Ju?REH  
.8is!TT  
rS%[_x0007_j_4mCascade 级联 Case 管壳 s:Us*i=H,  
8D-_        R'K't_x0019_VCathode 阴极 Center 中心 $)| l#'r  
9]aw.bH'RX_x001D_~Ceramic 陶瓷（的） Channel 沟道 #8;|_RU  
2}+F;R4y#S o/I<)sa  
o{*8l#x8  
RL>Nl ow  
ebChannel breakdown 沟道击穿 Channel current 沟道电流 yhr\eiJ@6  
Y z_x0016_`%{        L
bhXH<=  
sr\lz}JW  
`n8) o%E9  
g1F a:h半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FAChannel doping 沟道掺杂 Channel shortening 沟道缩短 ]UnZc  
_x0012_O| s~$kzEtjjU  
SsjO1F  
,hK0F3?H>  
P        _!o#e{2|Channel width 沟道宽度 Characteristic impedance 特征阻抗 半导体技术天地[S \ }~lF Rf
 
Charge 电荷、充电 Charge-compensation effects 电荷补偿效应 52B ye  
8S9a-_W W5hQ7N)C.[ <!:,(V>F(C  
Hlove.2ic.cnCharge conservation 电荷守恒 Charge neutrality condition 电中性条件 ogv86d  
TU?/xP_x0019_T#ZyCharge drive/exchange/sharing/transfer/storage 电荷驱动/交换/共享/转移/存储 `gqBJi  
dx\/l.b ssW+'GD  
g uF>I0J#z?  
        S`        LJE0GKChemmical etching 化学腐蚀法 Chemically-Polish 化学抛光 e,zR  
_x0016_J2HgL6klove.2ic.cnChemmically-Mechanically Polish (CMP) 化学机械抛光 Chip 芯片 2H!uTb(?        Ek'j |0(Z)s,  
Chip yield 芯片成品率 Clamped 箝位 love.2ic.cn4O_0P_x0010_fN's 5VWXUNe@_q  
Clamping diode 箝位二极管 Cleavage plane 解理面  TyMRm  
:I4}#V0m_w,yi半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FAClock rate 时钟频率 Clock generator 时钟发生器 love.2ic.cn)am9?NC5J c1wM"  
Clock flip-flop 时钟触发器 Close-packed structure 密堆积结构 k]x64hgm  
Close-loop gain 闭环增益 Collector 集电极 半;F%fS#@%L !TY4C`/  
Collision 碰撞 Compensated OP-AMP 补偿运放 KdFQlQaj  
$tA Bmi,ztCommon-base/collector/emitter connection 共基极/集电极/发射极连接 半导r,chip,ic,process,layout,package,FA"Qm-}2A_x001D_b#V_x0012_NB !U#kUj:4I  
Common-gate/drain/source connection 共栅/漏/源连接 f+0dwlIlC$  
_jv(Z#]!Alove.2ic.cnCommon-mode gain 共模增益 Common-mode input 共模输入 J9|&p8^"S&ig ?/"@WP9  
Common-mode rejection ratio (CMRR) 共模抑制比 Cus)xV TQK>w'L  
Compatibility 兼容性 Compensation 补偿 3y>
.1  
Compensated impurities 补偿杂质 <
/<
_e0  
Compensated semiconductor 补偿半导体 &w 1rC8]M.N  
b q /|<>s  
Complementary Darlington circuit 互补达林顿电路 =HP_IG_  
X5\]X.e&xn:sO半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FAComplementary Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor(CMOS) lfu1PCe5  
'X:{U-s9R8x~_x0007_G~互补金属氧化物半导体场效应晶体管 w W<;i~W
 
Complementary error function 余误差函数 EA75 D&>I  
zN_!c;k ke)hkeComputer-aided design (CAD)/test(CAT)/manufacture(CAM) 计算机辅助设计/ 测试 /制造Compound Semiconductor 化合物半导体 Conductance 电导 +_H6Nsc9z #e&j]Q$Eh  
Conduction band (edge) 导带(底) Conduction level/state 导带态 1oo'\
 
,N |LKhT4rE  
P N##T1 Qm)  
zY3x&G4oConductor 导体 Conductivity 电导率       \ N;D(_:^  
Configuration 组态 Conlomb 库仑 -X j4\u3iq4Cm df#DKV:  
Conpled Configuration Devices 结构组态 Constants 物理常数 ezlp~z"_k  
lT`QZJ#ZConstant energy surface 等能面 Constant-source diffusion恒定源扩散 {i^ ?XdM  
}aj GYContact 接触 Contamination 治污AH        ?[ t=S94
^g  
Continuity equation 连续性方程 Contact hole 接触孔 6fPuTQ}fY>  
g        F~ n%Xt9G L3nHvKA]  
D'\ 8,Yc1  
p)@%TContact potential 接触电势 Continuity condition 连续性条件 $${ebt  
L0W_J_x0010_t_x001D_^半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FAContra doping 反掺杂 Controlled 受控的 &X_I^*  
0M6SaPu}Converter 转换器 Conveyer 传输器 O<f_-n@G|  
Z'Dq$~^S9W}O-cY2HCopper interconnection system 铜互连系统Couping 耦合 M O* m@  
9b3BS"tz;|'qgc 6luCi$bL  
A        KCovalent 共阶的 Crossover 跨交 'bc!f#[(z 0"u*Kn  
Critical 临界的 Crossunder 穿交 r,a#}_x0007_EJ%n;|7j5r bEbO){Fe  
Crucible坩埚 Crystal defect/face/orientation/lattice 晶体缺陷/晶面/晶向/晶格 a%ec:
%  
*_3ztd*X;dxZulove.2ic.cnCurrent density 电流密度 Curvature 曲率 M6AQ8~z  
N"{ *~4uF  
GfQMdLy\Z  
"rc}mq  
?_x0019_b/?r0UCut off 截止 Current drift/dirve/sharing 电流漂移/驱动/共享 S~YrXQ{_>-  
*w$li;lC2xlove.2ic.cn grU\2k+{  ceVej'  
} l1X &Z=}
H0y q  
Current Sense 电流取样 Curvature 弯曲 w[PW-m^`  
&JG Zc_x0007_IW        gCustom integrated circuit 定制集成电路 Cylindrical 柱面的 3`#sXt9C  
5yU'{&X? #zrD i  
p$P半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FACzochralshicrystal 直立单晶 7Bv!hy;C_x001D_X'Ge * _C6.%{  
Czochralski technique 切克劳斯基技术（Cz法直拉晶体J） T>n,@?#K  
"p:q_x0019_@2T_x0019_y"}+a'Klove.2ic.cn ]lQhIf6)k  
$k?WA        c]MDangling bonds 悬挂键 Dark current 暗电流 "D_x0007_ii\2^J[Z 
,a$LT   
Dead time 空载时间 Debye length 德拜长度 Dt`U2R R9S7p)B  
De.broglie 德布洛意 Decderate 减速 ICq;jfML  
W'p(N_x0019_d7X Y,gDecibel (dB) 分贝 Decode 译码 .eZ4?|at.F  
r ay-sf/H(C半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FADeep acceptor level 深受主能级 Deep donor level 深施主能级 k6[t$|lMy  
4x8mJ4[H^  
QwOQS %  
9jaYmY]~  
K Fh:w#Z ubDeep impurity level 深度杂质能级 Deep trap 深陷阱 `mw@"  
@6QFF%}$Y Ow//#:  
G_x0016_?(j'kDefeat 缺陷 半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FAt3XD_x001D_ae)K.a4Y J;m[1Mae&  
Degenerate semiconductor 简并半导体 Degeneracy 简并度 e_x0016_H        i n$|#y_x0019_u        qs }kL%l  
Degradation 退化 Degree Celsius(centigrade) /Kelvin 摄氏/开氏温度 7z]0}rF\6I_x0019_w M/d!&Bk  
Delay 延迟 Density 密度 O|7q,bEm^  
A:h3V_x0016_P;V_x0007_qv0XDensity of states 态密度 Depletion 耗尽 j(nPWEyJM  
\DI_x0012_x 'r1&zw(  
e_x0016_EW{_x001D_L2b7\d{ 4CX*  
b $C#~c1
w  
Depletion approximation 耗尽近似 Depletion contact 耗尽接触 }t.G.^)GVA_x0012_[ U@f3V8CPy  
Depletion depth 耗尽深度 Depletion effect 耗尽效应 .vQ2w  
3Q~$K$d \sZDepletion layer 耗尽层 Depletion MOS 耗尽MOS qcQ`WU{  
-t!x_x0019_E 7jts;H=  
p iJ n{4&('NRFP  
B.YsDepletion region 耗尽区 Deposited film 淀积薄膜 c~RElL  
+lA{ Ag_x0019_Z1?P半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FADeposition process 淀积工艺 Design rules 设计规则 vU{ZB^+&6o  
_x0012_B0SKT%E .s7/b
F  
O*\h,k半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FADie 芯片（复数dice） Diode 二极管 1Lj\"+.  
3X8?j#{,wNH%^Dielectric 介电的 Dielectric isolation 介质隔离 #J2856bzS  
7w G8@t)f_x0007_[/D_x001D_M*Rlove.2ic.cnDifference-mode input 差模输入 Differential amplifier 差分放大器 &lI.N~Ao  
Y#ah,b_x0007_]HuKd%A_x0007_ZDifferential capacitance 微分电容 Diffused junction 扩散结 'kW`62AX
 
+qsdA#2  
Htsa<tF  
>)#*}JI  
m6Z*^M:XR p2rUDiffusion 扩散 Diffusion coefficient 扩散系数 iG9z9y        v_x001D_F9_"Y fM S-  
Diffusion constant 扩散常数 Diffusivity 扩散率 love.2ic.cn$@7K(V0t$N A.WJ#1i}E  
yY.F*j_x0007_x` 9Eg'=YJ  
Diffusion capacitance/barrier/current/furnace 扩散电容/势垒/电流/炉 '^Sa|WXq  
-?2n1H6Xt [半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FADigital circuit 数字电路 Dipole domain 偶极畴 i>)Whr'e8  
;=h^"et  
e&R6UWc\8?Dipole layer 偶极层 Direct-coupling 直接耦合 半导体技术天地[ocess,layout,package,FA)R5K%~_x0010_wj)MEc %HYC-TF#  
Direct-gap semiconductor 直接带隙半导体 Direct transition 直接跃迁 i7 p#%2  
        p /#>?wy<s~  
Discharge 放电 Discrete component 分立元件 X*S|aNaLWW  
:R*j$KYX0L$Z mhlJzGr*q  
3s2jl_x001D_F*X8g_x0019_D;?DDissipation 耗散 Distribution 分布 krz@1[w-j  
8^2J b.Y[:R_9&  
o6vm(I%  
vj{h*~  
|j1br,i9a .6vQWt7@  
k_x0016_rDistributed capacitance 分布电容 Distributed model 分布模型 i"w$D{N  
Displacement 位移 Dislocation 位错 m?<C\&)6x  
w:N\]=Vh  
^*w#\_x0016_r,t5W v半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FADomain 畴 Donor 施主 wPz_x0019_M_x0019_Ju deeOtco$LT  
Donor exhaustion 施主耗尽 Dopant 掺杂剂 love.2ic.cn~3s Il_x0019_I0_9C!`_x0019_{ (''`Ce  
Doped semiconductor 掺杂半导体 Doping concentration 掺杂浓度 u{>5  
_x0012_N&Q_x0010_F)x_x0012_R2a dDouble-diffusive MOS(DMOS)双扩散MOS. lfj>]om$  
$ZN@ -QZped;?*  
B/FG3}!B)X6~Drift 漂移 Drift field 漂移电场 ,layout,package,FA_x0010_mm$o%g7D4|,CNT fWKv3S1dT  
Drift mobility 迁移率 Dry etching 干法腐蚀 s,\#Qta nh OSkZW  
Dry/wet oxidation 干/湿法氧化 Dose 剂量 Y=}b/[s6;  
_x0019_h y\x!Be;6Z.  
n!z+v6v.Yd_x001D_Ru8UDuty cycle 工作周期 Dual-in-line package （DIP） 双列直插式封装 2^UFP+Yw  
T i} x5PQ9Bw,  
Dynamics 动态 Q3oVl^q  
Dynamic characteristics 动态属性 e5b_x0007_P_x0010_T;}*l~_x0012_`_x001D_p%|#t o"UqI  
Dynamic impedance 动态阻抗 + !Rsx)  
k P~L)x+ &N
Glkn  
'{OZ[$E  
北京芯片半导体实验室：北软检测芯片失效分析实验室，能够依据国际、国内和行业标准实施检测工作，开展从底层芯片到实际产品，从物理到逻辑全面的检测工作，提供芯片预处理、侧信道攻击、光攻击、侵入式攻击、环境、电压毛刺攻击、电磁注入、放射线注入、物理安全、逻辑安全、功能、兼容性和多点激光注入等安全检测服务，同时可开展模拟重现智能产品失效的现象，找出失效原因的失效分析检测服务，主要包括点针工作站（Probe Station）、反应离子刻蚀（RIE）、微漏电侦测系统（EMMI）、X-Ray检测，缺陷切割观察系统（FIB系统）等检测试验。实现对智能产品质量的评估及分析，为智能装备产品的芯片、嵌入式软件以及应用提供质量保证。