微电子中英文对照词典(一)

发布:探针台 2020-02-14 12:13 阅读:3683
"EF: +gi#"  
电子中英文对照词典 ,SuF1&4  
Abrupt junction 突变结 Accelerated testing 加速实验 ;2kiEATQ 1  
yC4JYF]JN  
{o a'@2|tN5Qi)PAcceptor 受主 Acceptor atom 受主原子 beEdH>  
.^Y.oN2T*mAccumulation 积累、堆积 Accumulating contact 积累接触 c'&3[aa  
:N"F3Z,W[Accumulation region 积累区 Accumulation layer 积累层 ()v[@"J  
Xaz\SpR ha(g)s半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FAActive region 有源区 Active component 有源元 n_x0007_Z,|8QFi,C/l,V <_8\}!  
Active device 有源器件 Activation 激活 z,Ac_x0019_]&Wi $}2m%$vJO  
Activation energy 激活能 Active region 有源(放大)区 love.2icMV _sbZyL  
f .RH}/D  
Admittance 导纳 Allowed band 允带 8`+? J5i_x001D_|        { =G;whd}]  
Alloy-junction device合金结器件 Aluminum(Aluminium) 铝 / _-?NZ  
6X}H}-Y"B0Plove.2ic.cnAluminum – oxide 铝氧化物 Aluminum passivation 铝钝化 e9C /cexd_l|f  
Ambipolar 双极的 Ambient temperature 环境温度 5I/P v$y&b-l 1C^6'9o  
Amorphous 无定形的,非晶体的 Amplifier 功放 扩音器 放大器 love. 5W>i'6*  
N        ir\Ql7R 8V`r*:\  
Analogue(Analog) comparator 模拟比较器 Angstrom 埃 "d/x`Dx  
*I.BD8e Yq4_ss'nB  
Sli#qAnneal 退火 Anisotropic 各向异性的 love.2ic.cn*MDlz-V2C}7oM N M' "S:  
Anode 阳极 Arsenic (AS) 砷 tx}{E<\>$  
"["^Dk3d@#|x3c%iAuger 俄歇 Auger process 俄歇过程 lLxKC7b  
;|!\N)q_x0019_Yz半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FAAvalanche 雪崩 Avalanche breakdown 雪崩击穿 .Gh-T{\V'  
\v)T'f CAvalanche excitation雪崩激发 =et=X_3-  
9^;wP_x0010__O$B半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FA nYY@+%` ]z  
v"]-l_/n3Qlove.2ic.cnBackground carrier 本底载流子 BM& 95p   
Background doping 本底掺杂 nORm7sa9  
Backward 反向 !FZb3U@  
Backward bias 反向偏置 4V c_x6FoE;L  
s'X_x0016_X.zwX#kFm @ Tf Q(f?  
Ballasting resistor 整流电阻 Ball bond 球形键合 ?W1( @.  
1P+O3R[ x,@cU}D  
[m?eSq6e2b  
jl{>>TW{x  
g L 9Z:>i?  
Ra&HzK?  
;XSV}eLu  
u8s!u `]_#_  
I 1,T8@8#  
wBand 能带 Band gap 能带间隙 xV}E3Yj2#  
-HqERTQrBarrier 势垒 Barrier layer 势垒层 } =?kf3k  
)Va6}-AT        d (WCpaC  
A$F*bBarrier width 势垒宽度 Base 基极 tcSn`+Bu_`  
(G_x0010_z9g(Y*W j;hBase contact 基区接触 Base stretching 基区扩展效应 j5|PQOK  
dA)tT @6_!b ~zi6wu(3  
]'NE.f8NBase transit time 基区渡越时间 Base transport efficiency基区输运系数 Dg8@3M :-xp'_\L  
Base-width modulation基区宽度调制 Basis vector 基矢 he8y  
7y0Y LUML T0I半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FABias 偏置 Bilateraltch 双向开关 _x001D_{ q)}rq%t.m ~4.Tq{  
Binary code 二进制代码Binary compound semiconductor 二元化合物半导体 "\_x0010_]8@4r_x001D_] &Zs h-|N  
Bipolar 双极性的 Bipolar Junction Transistor (BJT)双极晶体管 "a_x0016_Bu;y3R)N_x0010_DVu _' Xt  
Bloch 布洛赫 Blocking band 阻挡能带 4gG&u33RrE  
ri#l6Ud^/__x0019_m'{Blocking contact 阻挡接触 Body - centered 体心立方 }N#jA yp!  
!qm9n_x0012_|@Body-centred cubic structure 体立心结构 Boltzmann 波尔兹曼 .k[I/z*ns >#Y8#-$zc  
B m%m/#\J E  
Bond 键、键合 Bonding electron 价电子 `][~0\Y3m  
7Sr%WOvQ_x0007_{0^%B8nlove.2ic.cnBonding pad 键合点 Bootstrap circuit 自举电路 &O #yFDC@gH1  
Bootstrapped emitter follower 自举射极跟随器Boron 硼 [_x0016_pn,_h#M&?$v:n '=G4R{  
Borosilicate glass 硼硅玻璃 Boundary condition 边界条件 s+2\uMwf*  
T8S8@_x0019_@_x001D_Ep B7alove.2ic.cnBound electron 束缚电子 Breadboard 模拟板、实验板 DBreak down 击穿 Break over 转折 "I[ IfF<8~~E  
g}[2v"S eVjr/nm  
Brillouin 布里渊 Brillouin zone 布里渊区 wr~# rfH  
3Y8Jy4U7L7L z|=l^u6uS  
r4@!QR<h  
?9mFI(r~  
^1[CBuilt-in 内建的 Build-in electric field 内建电场 pR4{}=g,  
\Z&s,T/ilove.2ic.cnBulk 体/体内 Bulk absorption 体吸收 %I'V_x0007_o T#DJQ"$  
n%{_x0012_\        l 'C]zB'H=  
Bulk generation 体产生 Bulk recombination 体复合 &dp(CH<De  
_x0012_MRP6Mw&Lz+G `Burn - in 老化 Burn out 烧毁 _x0012_f*Df8YBuried channel 埋沟 Buried diffusion region 隐埋扩散区 Can 外壳 Capacitance 电容 -R(dF_x001D_xD;H F6dm_Oq&  
Capture cross section 俘获截面 Capture carrier 俘获载流子 半导体技术天地~-[`]Q*S(M'h3ai QxwZ$?w%  
Carrier 载流子、载波 Carry bit 进位位 1 9$ufod  
g_x001D_Zh_x0012_Zp#B_x0007_PjCarry-in bit 进位输入 Carry-out bit 进位输出 /d%&s^M:  
n;[ z'O$[6m6  
sEt5!&  
lj/ ?P9  
rS%[_x0007_j_4mCascade 级联 Case 管壳 GC?\GV  
8D-_        R'K't_x0019_VCathode 阴极 Center 中心 #.$p7]  
9]aw.bH'RX_x001D_~Ceramic 陶瓷(的) Channel 沟道 -Mb nYs)  
2}+F;R4y#S !`hiXDk*2  
,}2M'DSWa  
b7E= u0  
ebChannel breakdown 沟道击穿 Channel current 沟道电流 J_ ?;On5  
Y z_x0016_`%{        L T)6p,l  
bmr.EB/  
yBXdj`bV  
g1F a:h半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FAChannel doping 沟道掺杂 Channel shortening 沟道缩短 A7>0Pn%D3  
_x0012_O| H^_[nL  
7G.IGXK$  
g05:A0X#  
P        _!o#e{2|Channel width 沟道宽度 Characteristic impedance 特征阻抗 半导体技术天地[S \ uhSRl~tn  
Charge 电荷、充电 Charge-compensation effects 电荷补偿效应 x$QOOE]  
8S9a-_W W5hQ7N)C.[ NC)Iu  
Hlove.2ic.cnCharge conservation 电荷守恒 Charge neutrality condition 电中性条件 j +\I4oFN  
TU?/xP_x0019_T#ZyCharge drive/exchange/sharing/transfer/storage 电荷驱动/交换/共享/转移/存储 v*7}ux8  
dx\/l.b 'b]GcAL  
g <_=a1x  
        S`        LJE0GKChemmical etching 化学腐蚀法 Chemically-Polish 化学抛光 v AP)(I  
_x0016_J2HgL6klove.2ic.cnChemmically-Mechanically Polish (CMP) 化学机械抛光 Chip 芯片 2H!uTb(?        Ek'j Qv(}*iq]  
Chip yield 芯片成品率 Clamped 箝位 love.2ic.cn4O_0P_x0010_fN's GM%%7^uE  
Clamping diode 箝位二极管 Cleavage plane 解理面 j#$ R.  
:I4}#V0m_w,yi半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FAClock rate 时钟频率 Clock generator 时钟发生器 love.2ic.cn)am9?NC5J {(U?)4@  
Clock flip-flop 时钟触发器 Close-packed structure 密堆积结构 }BlVLf%C  
Close-loop gain 闭环增益 Collector 集电极 ;F%fS#@%L l3R`3@  
Collision 碰撞 Compensated OP-AMP 补偿运放 3+@p  
$tA Bmi,ztCommon-base/collector/emitter connection 共基极/集电极/发射极连接 半导r,chip,ic,process,layout,package,FA"Qm-}2A_x001D_b#V_x0012_NB U2\g Kg[-Q  
Common-gate/drain/source connection 共栅/漏/源连接 G&)A7WaC  
_jv(Z#]!Alove.2ic.cnCommon-mode gain 共模增益 Common-mode input 共模输入 J9|&p8^"S&ig L#Uk=  
Common-mode rejection ratio (CMRR) 共模抑制比 Cus)xV 'e_^s+l)a  
Compatibility 兼容性 Compensation 补偿 hn{]Q@(I  
Compensated impurities 补偿杂质 xbnx*4o0  
Compensated semiconductor 补偿半导体 &w Ac 0C,*|^  
b Bwj^9J/ob  
Complementary Darlington circuit 互补达林顿电路 Uh'3c"  
X5\]X.e&xn:sO半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FAComplementary Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor(CMOS) r" d/ 9  
'X:{U-s9R8x~_x0007_G~互补金属氧化物半导体场效应晶体管 w `*mctjSN  
Complementary error function 余误差函数 }26?bd@e`  
zN_!c;k ke)hkeComputer-aided design (CAD)/test(CAT)/manufacture(CAM) 计算机辅助设计/ 测试 /制造Compound Semiconductor 化合物半导体 Conductance 电导 +_H6Nsc9z f]L`^WU  
Conduction band (edge) 导带(底) Conduction level/state 导带态 v]& )+0  
,N 9G_bM(q'^2  
P jku_0Q0*?  
zY3x&G4oConductor 导体 Conductivity 电导率       \ 57k@] 3 4  
Configuration 组态 Conlomb 库仑 -X j4\u3iq4Cm Y!c RzQ  
Conpled Configuration Devices 结构组态 Constants 物理常数 yoGe^gar  
lT`QZJ#ZConstant energy surface 等能面 Constant-source diffusion恒定源扩散 K:gxGRE  
}aj GYContact 接触 Contamination 治污AH        ?[ f=]+\0MQ  
Continuity equation 连续性方程 Contact hole 接触孔 /{vv n  
g        F~ n%Xt9G mnZ/rb  
D'\ x9k(mn%,  
p)@%TContact potential 接触电势 Continuity condition 连续性条件 J@PwN^`  
L0W_J_x0010_t_x001D_^半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FAContra doping 反掺杂 Controlled 受控的 `9E:V=  
0M6SaPu}Converter 转换器 Conveyer 传输器 VHwb 7f]gq  
Z'Dq$~^S9W}O-cY2HCopper interconnection system 铜互连系统Couping 耦合 S 1sNVW  
9b3BS"tz;|'qgc U\a.'K50F  
A        KCovalent 共阶的 Crossover 跨交 'bc!f#[(z &b8Dy=#  
Critical 临界的 Crossunder 穿交 r,a#}_x0007_EJ%n;|7j5r DXu#07\  
Crucible坩埚 Crystal defect/face/orientation/lattice 晶体缺陷/晶面/晶向/晶格 ,*$L_itL  
*_3ztd*X;dxZulove.2ic.cnCurrent density 电流密度 Curvature 曲率 6SI`c+'@5  
N"{ =)5O(h  
N7Vv"o  
M]4qS('[  
?_x0019_b/?r0UCut off 截止 Current drift/dirve/sharing 电流漂移/驱动/共享 Z 6KM%R  
*w$li;lC2xlove.2ic.cn grU\2k+{ E/2kX3}  
} l1X 4Xt.}S!  
Current Sense 电流取样 Curvature 弯曲 >a7OE=K  
&JG Zc_x0007_IW        gCustom integrated circuit 定制集成电路 Cylindrical 柱面的 RAYDl=}  
5yU'{&X? JX8Hn |  
p$P半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FACzochralshicrystal 直立单晶 7Bv!hy;C_x001D_X'Ge I4 {uw ge  
Czochralski technique 切克劳斯基技术(Cz法直拉晶体J) 1)yEx1  
"p:q_x0019_@2T_x0019_y"}+a'Klove.2ic.cn nI7G"f[%r;  
$k?WA        c]MDangling bonds 悬挂键 Dark current 暗电流 "D_x0007_ii\2^J[Z 4>eY/~odq]  
Dead time 空载时间 Debye length 德拜长度 Dt`U2R $*w]]b$Dn  
De.broglie 德布洛意 Decderate 减速 cK4Q! l6O  
W'p(N_x0019_d7X Y,gDecibel (dB) 分贝 Decode 译码 11t+ a,fM  
r ay-sf/H(C半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FADeep acceptor level 深受主能级 Deep donor level 深施主能级 |YCGWJaci  
s\2t|d   
*'4+kj7>  
cdiDfiE  
K Fh:w#Z ubDeep impurity level 深度杂质能级 Deep trap 深陷阱 .|W0B+Z8  
@6QFF%}$Y bC*( ,n<'  
G_x0016_?(j'kDefeat 缺陷 半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FAt3XD_x001D_ae)K.a4Y %\Dvng6$  
Degenerate semiconductor 简并半导体 Degeneracy 简并度 e_x0016_H        i n$|#y_x0019_u        qs u`?MV2jU2  
Degradation 退化 Degree Celsius(centigrade) /Kelvin 摄氏/开氏温度 7z]0}rF\6I_x0019_w QY2/mtI  
Delay 延迟 Density 密度 g} \$9  
A:h3V_x0016_P;V_x0007_qv0XDensity of states 态密度 Depletion 耗尽 Jm8{@D%  
\DI_x0012_x g(Q)fw  
e_x0016_EW{_x001D_L2b7\d{ j#L"fW^GM  
b uc;1{[5`1q  
Depletion approximation 耗尽近似 Depletion contact 耗尽接触 }t.G.^)GVA_x0012_[ gS{hfDpk,h  
Depletion depth 耗尽深度 Depletion effect 耗尽效应 SNqw 2f5  
3Q~$K$d \sZDepletion layer 耗尽层 Depletion MOS 耗尽MOS K;kaWV  
-t!x_x0019_E cV^r_E\m  
p iJ &/QdG= r+  
B.YsDepletion region 耗尽区 Deposited film 淀积薄膜 q"BM*:W  
+lA{ Ag_x0019_Z1?P半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FADeposition process 淀积工艺 Design rules 设计规则 !qGER.  
_x0012_B0SKT%E \AFoxi2h  
O*\h,k半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FADie 芯片(复数dice) Diode 二极管 jZwv !-:  
3X8?j#{,wNH%^Dielectric 介电的 Dielectric isolation 介质隔离 p1~u5BE7O  
7w G8@t)f_x0007_[/D_x001D_M*Rlove.2ic.cnDifference-mode input 差模输入 Differential amplifier 差分放大器 vEQw`OC  
Y#ah,b_x0007_]HuKd%A_x0007_ZDifferential capacitance 微分电容 Diffused junction 扩散结 Y'K+O  
N zrHWVD  
1 EE4N\  
1eQfc{[g  
m6Z*^M:XR p2rUDiffusion 扩散 Diffusion coefficient 扩散系数 iG9z9y        v_x001D_F9_"Y u\-WArntc  
Diffusion constant 扩散常数 Diffusivity 扩散率 love.2ic.cn$@7K(V0t$N ,liFo.kT8%  
yY.F*j_x0007_x` me-Tv7WL  
Diffusion capacitance/barrier/current/furnace 扩散电容/势垒/电流/炉 1,UeVw/  
-?2n1H6Xt [半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FADigital circuit 数字电路 Dipole domain 偶极畴 8 KDF*%7'  
zgre&BV0q  
e&R6UWc\8?Dipole layer 偶极层 Direct-coupling 直接耦合 半导体技术天地[ocess,layout,package,FA)R5K%~_x0010_wj)MEc Cg{V"B:  
Direct-gap semiconductor 直接带隙半导体 Direct transition 直接跃迁 )}ygzKEa  
        p 2?vjj:P+h  
Discharge 放电 Discrete component 分立元件 NQB a+N  
:R*j$KYX0L$Z t~_j+k0K#  
3s2jl_x001D_F*X8g_x0019_D;?DDissipation 耗散 Distribution 分布 ;QYUiR  
8^2J P`z#tDT^"  
R"@J*\;$T  
Tfasry9'8  
|j1br,i9a %LI[+#QE  
k_x0016_rDistributed capacitance 分布电容 Distributed model 分布模型 4#<r}j12z  
Displacement 位移 Dislocation 位错 i/Zv@GF  
Vyy;mEBg  
^*w#\_x0016_r,t5W v半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FADomain 畴 Donor 施主 wPz_x0019_M_x0019_Ju 5:S=gARz  
Donor exhaustion 施主耗尽 Dopant 掺杂剂 love.2ic.cn~3s Il_x0019_I0_9C!`_x0019_{ w5/`_m!  
Doped semiconductor 掺杂半导体 Doping concentration 掺杂浓度 ]rwHr;.  
_x0012_N&Q_x0010_F)x_x0012_R2a dDouble-diffusive MOS(DMOS)双扩散MOS. }5_[t9LX  
$ZN@ pF0sXvWGG  
B/FG3}!B)X6~Drift 漂移 Drift field 漂移电场 ,layout,package,FA_x0010_mm$o%g7D4|,CNT &8=wkG%  
Drift mobility 迁移率 Dry etching 干法腐蚀 s,\#Qta nh U(xN}Y ?  
Dry/wet oxidation 干/湿法氧化 Dose 剂量 {tS^Q*F  
_x0019_h FKYPkFB  
n!z+v6v.Yd_x001D_Ru8UDuty cycle 工作周期 Dual-in-line package (DIP) 双列直插式封装 !4;A"B(  
T i} 0%x"Va~"z  
Dynamics 动态 *[VO03  
Dynamic characteristics 动态属性 e5b_x0007_P_x0010_T;}*l~_x0012_`_x001D_p%|#t ?E>(zV1D/  
Dynamic impedance 动态阻抗 + V$ 8go#5  
k P~L)x+ pr~%%fCh  
 Tt;h?  
北京芯片半导体实验室:北软检测芯片失效分析实验室,能够依据国际、国内和行业标准实施检测工作,开展从底层芯片到实际产品,从物理到逻辑全面的检测工作,提供芯片预处理、侧信道攻击、光攻击、侵入式攻击、环境、电压毛刺攻击、电磁注入、放射线注入、物理安全、逻辑安全、功能、兼容性和多点激光注入等安全检测服务,同时可开展模拟重现智能产品失效的现象,找出失效原因的失效分析检测服务,主要包括点针工作站(Probe Station)、反应离子刻蚀(RIE)、微漏电侦测系统(EMMI)、X-Ray检测,缺陷切割观察系统(FIB系统)等检测试验。实现对智能产品质量的评估及分析,为智能装备产品的芯片、嵌入式软件以及应用提供质量保证。
分享到:

最新评论

我要发表 我要评论
限 50000 字节
关于我们
网站介绍
免责声明
加入我们
联系我们
服务项目
稿件投递
广告投放
人才招聘
团购天下
帮助中心
新手入门
发帖回帖
充值VIP
其它功能
站内工具
清除Cookies
无图版
手机浏览
网站统计
微信
扫一扫,关注光行天下的微信公众号!
微博
扫一扫,关注光行天下的新浪微博!
手机APP
扫一扫,下载安装光行天下的手机APP!
9652202 cyqdesign
主办方:成都光行天下科技有限公司
Copyright © 2005-2024 光行天下 蜀ICP备06003254号-1