IC失效分析常用方法
失效分析常用方法 1、 C-SAM(超声波扫描显微镜),无损检查:1.材料内部的晶格结构,杂质颗粒.夹杂物.沉淀物.2. 内部裂纹. 3.分层缺陷.4.空洞,气泡,空隙等. 德国 2、 X-Ray(这两者是芯片发生失效后首先使用的非破坏性分析手段),德国Fein 微焦点Xray用途:半导体BGA,线路板等内部位移的分析 ;利于判别空焊,虚焊等BGA焊接缺陷. 参数:标准检测分辨率<500纳米 ; 几何放大倍数: 2000 倍 最大放大倍数: 10000倍 ; 辐射小: 每小时低于1 μSv ; 电压: 160 KV, 开放式射线管设计 防碰撞设计;BGA和SMT(QFP)自动分析软件,空隙计算软件,通用缺陷自动识别软件和视频记录。这些特点非常适合进行各种二维检测和三维微焦点计算机断层扫描(μCT)应用。 Fein微焦点X射线(德国) Y.COUGAR F/A系列可选配样品旋转360度和倾斜60度装置。 |