集成电路发展历史

集成电路发展历史 *5#Y[c  
　1947年：贝尔实验室肖克莱等人发明了晶体管，这是微电子技术发展中第一个里程碑； NY ZPh%x  
　1950年：结型晶体管诞生； {^bs }($J  
　1950年： R Ohl和肖特莱发明了离子注入工艺； @3K 4,s  
　1951年：场效应晶体管发明； of^N4  
　1956年：C S Fuller发明了扩散工艺； 'qhA4W9  
　1958年：仙童公司Robert Noyce与德仪公司基尔比间隔数月分别发明了集成电路，开创了世界微电子学的历史； PU^Z7T);  
　1960年：H H Loor和E Castellani发明了光刻工艺； ;o#R(m@Lx  
　1962年：美国RCA公司研制出MOS场效应晶体管； ET`;TfqM  
　1963年：F.M.Wanlass和C.T.Sah首次提出CMOS技术，今天，95%以上的集成电路芯片都是基于CMOS工艺； 0%^m  
　1964年：Intel的摩尔提出摩尔定律，预测晶体管集成度将会每18个月增加1倍； yl%F}kBR  
    1981年：256kb DRAM和64kb CMOS SRAM问世； 7oDr`=q1]r  
　1984年：日本宣布推出1Mb DRAM和256kb SRAM； ;Q2p~-0Q  
　1985年：80386微处理器问世，20MHz； ?K/z`E!xhN  
　1988年：16M DRAM问世，1平方厘米大小的硅片上集成有3500万个晶体管，标志着进入甚大规模集成电路（ULSI）阶段； :r[`bqC;\*  
　1989年：1Mb DRAM进入市场； &Fl^&&1C  
　1989年：486微处理器推出，25MHz，1μm工艺，后来50MHz芯片采用 0.8μm工艺； % ;2x.  
　1992年：64M位随机存储器问世； 3D k W  
　1993年：66MHz奔腾处理器推出,采用0.6μｍ工艺； INrUvD/*  
　1995年：Pentium Pro, 133MHz，采用0.6-0.35μｍ工艺； S3Tww
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　1997年：300MHz奔腾Ⅱ问世,采用0.25μｍ工艺； W&6P%0G/  
　1999年：奔腾Ⅲ问世，450MHz，采用0.25μｍ工艺，后采用0.18μm工艺； g4I&3 M  
    1966年：美国RCA公司研制出CMOS集成电路，并研制出第一块门阵列（50门）； xU^Flw,4  
　1967年：应用材料公司（Applied Materials）成立，现已成为全球最大的半导体设备制造公司； Kl$!_$  
　1971年：Intel推出1kb动态随机存储器（DRAM），标志着大规模集成电路出现； @`?"#^jT  
　1971年：全球第一个微处理器4004由Intel公司推出，采用的是MOS工艺，这是一个里程碑式的发明； -iS\3P.  
　1974年：RCA公司推出第一个CMOS微处理器1802； $_l@k=  
　1976年：16kb DRAM和4kb SRAM问世； 1HBch]J  
　1978年：64kb动态随机存储器诞生，不足0.5平方厘米的硅片上集成了14万个晶体管，标志着超大规模集成电路（VLSI）时代的来临； %?C{0(Z{  
　1979年：Intel推出5MHz 8088微处理器，之后，IBM基于8088推出全球第一台PC； %u43Pj  
    2000年: 1Gb RAM投放市场； gR(*lXm5w  
　2000年：奔腾4问世，1.5GHz，采用0.18μｍ工艺； 5HioxHL  
　2001年：Intel宣布2001年下半年采用0.13μｍ工艺。 HT5G HkT  
   2003年：奔腾4 E系列推出，采用90nm工艺。 >b |l6#%  
   2005年：intel 酷睿2系列上市，采用65nm工艺。 3Cwqy#X#8  
   2007年：基于全新45纳米High-K工艺的intel酷睿2 E7/E8/E9上市。 #T n~hnW  
   2009年：intel酷睿i系列全新推出，创纪录采用了领先的32纳米工艺， e4ajT  
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    并且下一代22纳米工艺正在研发。 'UT 4x9&z  
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