集成电路发展历史

集成电路发展历史 \$;\,p p  
　1947年：贝尔实验室肖克莱等人发明了晶体管，这是微电子技术发展中第一个里程碑； &_4A6  
　1950年：结型晶体管诞生； NOyLZa'  
　1950年： R Ohl和肖特莱发明了离子注入工艺； 37p0*%a":  
　1951年：场效应晶体管发明； qIjC-#a=m  
　1956年：C S Fuller发明了扩散工艺； Qm`f5
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　1958年：仙童公司Robert Noyce与德仪公司基尔比间隔数月分别发明了集成电路，开创了世界微电子学的历史； v ;MI*!E  
　1960年：H H Loor和E Castellani发明了光刻工艺； XeDU ,  
　1962年：美国RCA公司研制出MOS场效应晶体管； :Tuy]]k  
　1963年：F.M.Wanlass和C.T.Sah首次提出CMOS技术，今天，95%以上的集成电路芯片都是基于CMOS工艺； yE9JMi0  
　1964年：Intel的摩尔提出摩尔定律，预测晶体管集成度将会每18个月增加1倍； #!#V!^ o  
    1981年：256kb DRAM和64kb CMOS SRAM问世； R'dF<&Kj|  
　1984年：日本宣布推出1Mb DRAM和256kb SRAM； zQ{ Q>"-  
　1985年：80386微处理器问世，20MHz； %>I!mD"X\  
　1988年：16M DRAM问世，1平方厘米大小的硅片上集成有3500万个晶体管，标志着进入甚大规模集成电路（ULSI）阶段； #a#~YSnG  
　1989年：1Mb DRAM进入市场； v{ C]\8  
　1989年：486微处理器推出，25MHz，1μm工艺，后来50MHz芯片采用 0.8μm工艺； uNd;;X  
　1992年：64M位随机存储器问世； ,_NO[+5U  
　1993年：66MHz奔腾处理器推出,采用0.6μｍ工艺； 74gU4T  
　1995年：Pentium Pro, 133MHz，采用0.6-0.35μｍ工艺； gp-wlu4  
　1997年：300MHz奔腾Ⅱ问世,采用0.25μｍ工艺； jLr8?Hyf  
　1999年：奔腾Ⅲ问世，450MHz，采用0.25μｍ工艺，后采用0.18μm工艺； )2S0OY.  
    1966年：美国RCA公司研制出CMOS集成电路，并研制出第一块门阵列（50门）； _?G\^^  
　1967年：应用材料公司（Applied Materials）成立，现已成为全球最大的半导体设备制造公司； $#R.+B  
　1971年：Intel推出1kb动态随机存储器（DRAM），标志着大规模集成电路出现； ^Jnp\o>  
　1971年：全球第一个微处理器4004由Intel公司推出，采用的是MOS工艺，这是一个里程碑式的发明； uzp!Y&C  
　1974年：RCA公司推出第一个CMOS微处理器1802； 7/Lbs  
　1976年：16kb DRAM和4kb SRAM问世； )Xd=EWGUS  
　1978年：64kb动态随机存储器诞生，不足0.5平方厘米的硅片上集成了14万个晶体管，标志着超大规模集成电路（VLSI）时代的来临； ls*^3^O  
　1979年：Intel推出5MHz 8088微处理器，之后，IBM基于8088推出全球第一台PC； vJ"@#$.  
    2000年: 1Gb RAM投放市场； KD,b.s  
　2000年：奔腾4问世，1.5GHz，采用0.18μｍ工艺； dUO~dV1  
　2001年：Intel宣布2001年下半年采用0.13μｍ工艺。 ,6t0w|@-k  
   2003年：奔腾4 E系列推出，采用90nm工艺。 -HoPECe  
   2005年：intel 酷睿2系列上市，采用65nm工艺。 Q]6nW[@j'  
   2007年：基于全新45纳米High-K工艺的intel酷睿2 E7/E8/E9上市。 D%^EG8i n.  
   2009年：intel酷睿i系列全新推出，创纪录采用了领先的32纳米工艺， M8juab%y  
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    并且下一代22纳米工艺正在研发。 Eq.c;3  
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