集成电路发展历史

集成电路发展历史 \G:\36l  
　1947年：贝尔实验室肖克莱等人发明了晶体管，这是微电子技术发展中第一个里程碑； !c
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　1950年：结型晶体管诞生； !;>j(xc  
　1950年： R Ohl和肖特莱发明了离子注入工艺； p{gJVP#l'Z  
　1951年：场效应晶体管发明； 63 F@Ft  
　1956年：C S Fuller发明了扩散工艺； 4@- 'p  
　1958年：仙童公司Robert Noyce与德仪公司基尔比间隔数月分别发明了集成电路，开创了世界微电子学的历史； Q#i[Y?$L  
　1960年：H H Loor和E Castellani发明了光刻工艺； &c%;Lo  
　1962年：美国RCA公司研制出MOS场效应晶体管； v,^2'C$o  
　1963年：F.M.Wanlass和C.T.Sah首次提出CMOS技术，今天，95%以上的集成电路芯片都是基于CMOS工艺； [7oU =  
　1964年：Intel的摩尔提出摩尔定律，预测晶体管集成度将会每18个月增加1倍； 7Rwn{]r  
    1981年：256kb DRAM和64kb CMOS SRAM问世； f5'Cq)Vw_  
　1984年：日本宣布推出1Mb DRAM和256kb SRAM； -pvF~P?8U  
　1985年：80386微处理器问世，20MHz； 5=(fuY3  
　1988年：16M DRAM问世，1平方厘米大小的硅片上集成有3500万个晶体管，标志着进入甚大规模集成电路（ULSI）阶段； HJ~0_n&  
　1989年：1Mb DRAM进入市场； 'GcN9D  
　1989年：486微处理器推出，25MHz，1μm工艺，后来50MHz芯片采用 0.8μm工艺；  *Yj!f68  
　1992年：64M位随机存储器问世； 8R0Q-,'  
　1993年：66MHz奔腾处理器推出,采用0.6μｍ工艺； s|FfBG  
　1995年：Pentium Pro, 133MHz，采用0.6-0.35μｍ工艺； (= #EJB1(  
　1997年：300MHz奔腾Ⅱ问世,采用0.25μｍ工艺； x%@n$4wk7  
　1999年：奔腾Ⅲ问世，450MHz，采用0.25μｍ工艺，后采用0.18μm工艺； u 6A!Sw  
    1966年：美国RCA公司研制出CMOS集成电路，并研制出第一块门阵列（50门）； KP
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　1967年：应用材料公司（Applied Materials）成立，现已成为全球最大的半导体设备制造公司； 9\y\{DHd  
　1971年：Intel推出1kb动态随机存储器（DRAM），标志着大规模集成电路出现； xA/Ein0  
　1971年：全球第一个微处理器4004由Intel公司推出，采用的是MOS工艺，这是一个里程碑式的发明； ROb2g|YXG  
　1974年：RCA公司推出第一个CMOS微处理器1802； hhRUC&Y%V  
　1976年：16kb DRAM和4kb SRAM问世； Qu]F<H*Y|  
　1978年：64kb动态随机存储器诞生，不足0.5平方厘米的硅片上集成了14万个晶体管，标志着超大规模集成电路（VLSI）时代的来临； d|I?%LX0p  
　1979年：Intel推出5MHz 8088微处理器，之后，IBM基于8088推出全球第一台PC； ^N#z&oh  
    2000年: 1Gb RAM投放市场； 4E:kDl*@  
　2000年：奔腾4问世，1.5GHz，采用0.18μｍ工艺； cc37(=oKL  
　2001年：Intel宣布2001年下半年采用0.13μｍ工艺。 @~1}n/  
   2003年：奔腾4 E系列推出，采用90nm工艺。 apmZ&Ab  
   2005年：intel 酷睿2系列上市，采用65nm工艺。 =r=?N\7I  
   2007年：基于全新45纳米High-K工艺的intel酷睿2 E7/E8/E9上市。 ;l4epN  
   2009年：intel酷睿i系列全新推出，创纪录采用了领先的32纳米工艺， xQ~}9Kt\  
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    并且下一代22纳米工艺正在研发。 <9Sg,ix't  
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