晶圆测试及芯片测试

一、需求目的：1、热达标；2、故障少 6?iP z?5  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 }N|/
b"j9  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： =N0cz%  
1、顶层设计 jXDo!a|4y  
2、仿真 'Hia6<m3  
3、热设计及功耗 $Yxy(7d7w  
4、资源利用、速率与工艺 }wb;ulN)  
5、覆盖率要求 DtN6.9H2`  
6、 E<4}mSn)  
四、具体到测试有哪些需要关注： 0zxeA+U  
1、可测试性设计 [*<&]^  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 $G}Q}f  
3、可靠性测试 >k#aB.6  
4、故障与测试关系 c,fedH;  
5、 ujh4cp  
~zX5}U<R  
测试有效性保证； l85"C  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ xr2:bu  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 od fu7P_  
_L72Ae(_  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 \* #4  
晶圆的工艺参数监测dice， =>J#_Pprn  
芯片失效分析13488683602 )5v .9N6v  
Qw-qcG  
s#fmGe"8  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 f$'D2o, O  
K7Vr$,p  
aKy|$ {RC  
OY#_0p)i  
m>!#}EJ|  
故障种类： Q!{Dw:7  
缺陷种类： t*#&y:RG  
针对性测试： h:NXO'  
u5_fM*Ka  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test 5S?yj  
3Cl9,Z"&6$  
5=986ci$U  
\nWpV7TSN  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； "lZ<bG  
仿真与误差， n58jB:XR(  
预研阶段 yw<xv-Q=i  
顶层设计阶段 k#&SWp=  
模块设计阶段 ~-%A@
Lt  
模块实现阶段 tK H!xit  
子系统仿真阶段 M[{:o/]<  
系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 J5T#}!f  
后端版面设计 aB)DX  
测试矢量准备 A{%;Hd`0/  
后端仿真 >>Di  
生产 Fm':sd)'X  
硅片测试 SI9hS4<j  
顶层设计： L />GYx  
书写功能需求说明 #VE$C3<  
顶层结构必备项 Se`N5hQ  
分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 z-G (!]:  
完成顶层结构设计说明 R.T-Ptene  
确定关键的模块（尽早开始） i#=X#_ +El  
确定需要的第三方IP模块 J.l%HU  
选择开发组成员 %
5gJ6>@6Z  
确定新的开发工具 B_2>Yt"  
确定开发流程/路线 L#Y;a 5b  
讨论风险 9(WC#-,  
预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 |Z
e}bM=N