晶圆测试及芯片测试

一、需求目的：1、热达标；2、故障少 gLo&~|=L-  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 hlc g[Qdo*  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： ?6N
\AM'  
1、顶层设计 i8EK
zW  
2、仿真 wax^iL!  
3、热设计及功耗 Zcc7 7dRA  
4、资源利用、速率与工艺 Bv*VNfUm  
5、覆盖率要求 F$:mGyl5_  
6、 MScUrW!TA  
四、具体到测试有哪些需要关注： \b)P4aL  
1、可测试性设计 ?"}U?m=  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 NFur+zwv  
3、可靠性测试 '}>8+vU`  
4、故障与测试关系 3_eg'EP.E  
5、 %.uN|o&n  
5(Q-||J  
测试有效性保证； %A&g-4(  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ QqeF   
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 % 1<@p%y/  
&s\,+d0  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 $x+ P)5)  
晶圆的工艺参数监测dice， yM-%x1r~  
芯片失效分析13488683602 5':j=KQE_  
q7rX4-G$  
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芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 >Mm.MNU  
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$K|2k7  

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M&/e*Ta5  
故障种类： :}v:=ck  
缺陷种类： QX(t@VP  
针对性测试： d;r,?/C  
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性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test Au )%w  
|IWm:[H3  
$7Lcn9?G  
T?-K}PUcQ  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； qNkX:|j  
仿真与误差， L{c\7
  
预研阶段 P[Vf$ q<  
顶层设计阶段 U[@B63];0  
模块设计阶段 :f RGXrn  
模块实现阶段 I=K<%.  
子系统仿真阶段 lg jY\?  
系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 "1ZVuI  
后端版面设计 ,#.^2O9-^  
测试矢量准备 v[m1R'  
后端仿真 23zR0z(L  
生产 :\1vy5 _  
硅片测试  ck`$ `  
顶层设计： baf@"P9@\A  
书写功能需求说明 {JcMJZ3  
顶层结构必备项 KH[Oqd  
分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 E{}eYU
 
完成顶层结构设计说明 x C>>K6Nb  
确定关键的模块（尽早开始） vRO`hGH  
确定需要的第三方IP模块 +$GP(Uu,  
选择开发组成员 j0e1CSE  
确定新的开发工具 .-p?skm=a  
确定开发流程/路线 t\<*Q3rl-  
讨论风险 c5HW.3"  
预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 A^
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