晶圆测试及芯片测试

一、需求目的：1、热达标；2、故障少
D}lqd Ja  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 [ }Tb2|  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： C;K+ITlJ  
1、顶层设计 bv'>4a  
2、仿真 (a8iCci:   
3、热设计及功耗 r|DIf28MIq  
4、资源利用、速率与工艺 CfP-oFHoQ  
5、覆盖率要求 *<y9.\zY<  
6、 ?[m1?  
四、具体到测试有哪些需要关注： f!R7v|jP  
1、可测试性设计 5N%d Les  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 oy5K* }  
3、可靠性测试 4g8o~JI:v  
4、故障与测试关系 /.CS6W^z  
5、 *jWh4F,  
KN`k+!@/7  
测试有效性保证； UH}lKc=t  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ +hr|$  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 _cWuRvY  
+$nNYD  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 rTR"\u7&H  
晶圆的工艺参数监测dice， 8h@L_*Kr  
芯片失效分析13488683602 M9BEG6E9  
{d;z3AB  
F0z7".)  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 ^Cp2#d*  
aF+Lam(  
B=~y(Mb  
0E!-G= v  
Q2r[^Z  
故障种类： >!s<JKhI  
缺陷种类： '@hUmrl  
针对性测试： k?&GL!?  
 c1s&  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test -V}xvSVg  
OObAn^bt  
xatq  
O!f37n-TB  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； UCfouQCj  
仿真与误差， *8?2+)5"  
预研阶段 M.}J SDt  
顶层设计阶段 P658 XKE  
模块设计阶段 !37I2*
+4  
模块实现阶段 i]? Eq?k  
子系统仿真阶段 >| ,`E  
系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 [>54?4{|.  
后端版面设计 TmLCmy!  
测试矢量准备 IJ2'  
后端仿真 a`%`9GD  
生产 3lZl  
硅片测试 BQ Vro;#Jc  
顶层设计： 6P717[  
书写功能需求说明 ='b)6R  
顶层结构必备项 O{~Xp!QQt  
分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 =dA]nM  
完成顶层结构设计说明 K=JDl-#!  
确定关键的模块（尽早开始） L +Uq4S^  
确定需要的第三方IP模块 6[ 3 K@  
选择开发组成员 lqmQQ*Z  
确定新的开发工具 6_QAE6A  
确定开发流程/路线 WVpx  
讨论风险 /kK*%TP  
预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 bS~Y
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