晶圆测试及芯片测试

发布:探针台 2019-09-10 13:59 阅读:2581
一、需求目的:1、热达标;2、故障少 t'bhA20Z\  
二、细化需求,怎么评估样品:1、设计方面;2、测试方面 '>#8 F.  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注: V*F |Yo:  
1、顶层设计 g3vR\?c`  
2、仿真 8QFg6#"O  
3、热设计及功耗 o9c?)KQ  
4、资源利用、速率与工艺 5/m}v'S%  
5、覆盖率要求 qW|_|%{U+  
6、 k[]2S8K2  
四、具体到测试有哪些需要关注: AkVgFQg" n  
1、可测试性设计 .%+y_.l  
2、常规测试:晶圆级、芯片级 Q-y`IPtA<  
3、可靠性测试 C?t!Uvs  
4、故障与测试关系 FZ=xy[q]~  
5、 {Z^q?~zC[  
`-w;/A"MJ  
测试有效性保证; ! +XreCw  
设计保证?测试保证?筛选?可靠性? x^)W}p"  
设计指标?来源工艺水平,模块水平,覆盖率 >|g(/@IO  
x5eSPF1  
晶圆测试:接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 V ^hR%*i'  
晶圆的工艺参数监测dice, )H[Pz.'ah0  
芯片失效分析13488683602 o&#!W(   
b-HELS`nX  
U,7}VdO  
芯片测试:ATE测试项目来源,边界扫描 5b;~&N4~  
ygYy [IZ  
b r\_  
28LYGrB  
EfGy^`,'G  
故障种类: r&Qq,koE  
缺陷种类: y=SVS3D  
针对性测试: $Ahe Vps@@  
}mOo=)C!  
性能功能测试的依据,可测试性设计:扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test ;={3H_{3  
(0^ZZe`# j  
l9f%?<2D  
#N;McF;W  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系; !TLJk]7uC  
仿真与误差, ayQ2#9X}  
预研阶段 '>[Ut@lT;  
顶层设计阶段 zQaD&2 q  
模块设计阶段 S9d Xkd  
模块实现阶段 t {H{xd  
系统仿真阶段 ~9n30j%]s  
系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 -.l.@  
后端版面设计 QAX3*%h  
测试矢量准备 40}7O<9*  
后端仿真 ry0YS\W  
生产 <"{VVyK  
硅片测试 ]Wtg.y6;  
顶层设计: j%=X ps  
书写功能需求说明 moL3GV%]Gq  
顶层结构必备项 &1ZUMc  
分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 sq?js#C5  
完成顶层结构设计说明 2=uwGIF  
确定关键的模块(尽早开始) 'zOB!QqA`v  
确定需要的第三方IP模块 _RE;}1rb,  
选择开发组成员 zJov*^T-C  
确定新的开发工具 2 ])e}& i  
确定开发流程/路线 06]"{2  
讨论风险 UT0}Ce>e  
预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 c&C*'c-r  
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