晶圆测试及芯片测试

一、需求目的：1、热达标；2、故障少 WF_G GF{  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 dc"Vc 3)  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： 0G;RMR':5  
1、顶层设计 $  5  
2、仿真 t:$p8qR  
3、热设计及功耗 v='7.A  
4、资源利用、速率与工艺 (eG#JVsm9  
5、覆盖率要求 5h1FvJg  
6、 ,NKDEcw]  
四、具体到测试有哪些需要关注： uflp4_D   
1、可测试性设计 m &c8@-T  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 6SW:'u|90  
3、可靠性测试 i5V ly'Q  
4、故障与测试关系 PJ9JRG7j  
5、 \/lH]u\x  
Wv$e/N`l  
测试有效性保证； G$Z8k,g+<7  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ N!^U{;X7/  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 .
#EmE'IP*  
Qq^>7OU>Co  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 sm/l'e  
晶圆的工艺参数监测dice， &&TQ0w&T
 
芯片失效分析13488683602 cD]{ Nn  
5>"-lB &  
L)4TW6IUk  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 o=4d2V%m  
h5.u W8  
tJ[Hcx*N  
V1;n5YL  
~{oM&I|d8  
故障种类： =M ?  
缺陷种类： =)(sN"%  
针对性测试： _K8ob8)m  
<JDkvpckx.  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test qtD3<iWV  
{ ~FYiX  
8xZN4ck_@  
ci6j"nKci  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； jW"C: {Ol;  
仿真与误差， qP*$wKY,  
预研阶段 2y v'DS  
顶层设计阶段 VO/" ot  
模块设计阶段 dGTAZ(1W  
模块实现阶段 n"-cX)  
子系统仿真阶段 >/eQjp?:  
系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 7-Fh!=\f/  
后端版面设计 dEJ>8e
8  
测试矢量准备 S_ e }>-  
后端仿真 +^{yJp.H#  
生产 n\ZDI+X  
硅片测试 owJPEx  
顶层设计： {{SeD:hx  
书写功能需求说明
&iId<.SiJ  
顶层结构必备项 0r.*7aXu  
分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 J}nE,U
2  
完成顶层结构设计说明 9#@dQ/
*  
确定关键的模块（尽早开始） )1Z*kY?f!  
确定需要的第三方IP模块 q_ykB8Ensa  
选择开发组成员 zl=RK  
确定新的开发工具 wBA[L}   
确定开发流程/路线 /F5g@ X&  
讨论风险 U8\[8~Xftn  
预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗
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