晶圆测试及芯片测试

一、需求目的：1、热达标；2、故障少 !6hV|2aJy  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 T.W^L'L`  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： BS%pS(  
1、顶层设计 LtPaTe  
2、仿真 jp|*kBDq\  
3、热设计及功耗 N*+WGsxl$z  
4、资源利用、速率与工艺 c]"w0a-`^@  
5、覆盖率要求 z pDc~ebh  
6、 i(kx'ua?  
四、具体到测试有哪些需要关注： _{n4jdw%(  
1、可测试性设计
]|u7P{Z"R  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 ~V0 GRPnI  
3、可靠性测试 @"H7Q1Hg!*  
4、故障与测试关系 1jE {]/Y7&  
5、 #Jt1AV  
H;0K4|I  
测试有效性保证；
3p]\l ]=  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ +U4';[LG1C  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 xVRxKM5 {  
o#WECs>  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 c}s#!|E0v  
晶圆的工艺参数监测dice， SVObJsB^
  
芯片失效分析13488683602 >!%+9@a}  
@bChJl4  
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芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 )l.AsfW%  
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故障种类： ]wfY<Z  
缺陷种类： PXML1.r$Q  
针对性测试： (" +clb`  
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性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test ;-_ZWk]  
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芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； y:_>R=sw  
仿真与误差， o ZQ@Yu3  
预研阶段 E~VV19Bv]/  
顶层设计阶段 R / ND f`  
模块设计阶段 {&L^|X  
模块实现阶段 C6Cr+TScH  
子系统仿真阶段 /F46Ac}I  
系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 ia-ht>F*;  
后端版面设计 'z{
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测试矢量准备 eI-SWwmv/u  
后端仿真 My Ky*
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生产 [Jj@A(Cz  
硅片测试 w'XN<RWA  
顶层设计： gXU(0(Gq  
书写功能需求说明 ><xmw=  
顶层结构必备项 unKl5A[h  
分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 i`W~-J  
完成顶层结构设计说明 Ni|MTE]~  
确定关键的模块（尽早开始） 1.PN_9%  
确定需要的第三方IP模块 'X6Z:dZY  
选择开发组成员 C+"c^9[  
确定新的开发工具 #)@#Qd  
确定开发流程/路线 f~/hsp~Hp  
讨论风险 ijvDFyN>  
预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 8nL9#b