晶圆测试及芯片测试

一、需求目的：1、热达标；2、故障少 Y-k~ 7{7  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 f3B8,>  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： W 9MZ  
1、顶层设计 gxtbu$  
2、仿真 7n]%`Yb  
3、热设计及功耗 l'8wPmy%N  
4、资源利用、速率与工艺 <G=@Gl  
5、覆盖率要求 ^moIMFl  
6、 RLX^'g+P  
四、具体到测试有哪些需要关注： UoT}m^ G  
1、可测试性设计 6u3(G j@  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 Pu*UZcXY  
3、可靠性测试 VQ}3r)ch  
4、故障与测试关系 md LJ,w?{  
5、 YQs
c(6  
Y\S^DJy  
测试有效性保证； q9]L!V9Rv  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ m3e49 bP  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 Tz~ftf  
l~c>jm8.  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 nOzTHg8  
晶圆的工艺参数监测dice， z3LPR:&Z  
芯片失效分析13488683602 }f*S 9V  
RL8wSK  
cYS+XBz  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 o:*i
T=l  
zwK;6&(W  
,6pH *b$  
8 z7,W3b  
Lw
k-  
故障种类： ?"u-@E[m  
缺陷种类： z9w.=[Io  
针对性测试： z5w|+9U  
]iX$p~riH  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test k]YGD  
S3wH M  
uS,$P34^oy  
yBKlp08J  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； sR
nMBW.  
仿真与误差， W<l(C!{  
预研阶段 ZK*aVYnu  
顶层设计阶段 l))IO`s=_  
模块设计阶段 [)u{-  
模块实现阶段 h]9^bX__Z  
子系统仿真阶段 pdqh'+5  
系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 H4jqF~  
后端版面设计 A[a+,TN{  
测试矢量准备 Xpwom'  
后端仿真 LXl! !i%  
生产 ;
O>fy:$'  
硅片测试 &i RX-)^u  
顶层设计： s50ln&2  
书写功能需求说明 KR0 x[#.*  
顶层结构必备项 rfpxE>_|G  
分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 1A`";E&  
完成顶层结构设计说明 d5hE!=  
确定关键的模块（尽早开始） b"9,DQB=i  
确定需要的第三方IP模块 s6uAF(4,  
选择开发组成员 z& jDOex  
确定新的开发工具 #m>mYp8E.5  
确定开发流程/路线 eRbO Hj1  
讨论风险 V;(LeuDH|  
预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗
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