晶圆测试及芯片测试

一、需求目的：1、热达标；2、故障少 > Q+Bw"W
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二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 7{ zkq
ug  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： a,3} o:f  
1、顶层设计 01VEz 8[\  
2、仿真 fGDR<t3yiQ  
3、热设计及功耗 ^| L@f  
4、资源利用、速率与工艺 (5y+g?9d;  
5、覆盖率要求 *6oQW  
6、 Zb<IZ)i#1  
四、具体到测试有哪些需要关注： C=&7V  
1、可测试性设计 j]\3>.  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 F3$@6J8<[z  
3、可靠性测试 ]5X=u(}  
4、故障与测试关系 OTs vox|(  
5、 #%t&f"j2  
dGU io?  
测试有效性保证； pJ Iq`)p5  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ 7/nnl0u8  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 Gj^JpG  
J0@<6~V6o  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 x#ub % t  
晶圆的工艺参数监测dice， c+:LDc3!Gb  
芯片失效分析13488683602 fG2
hCP+  
{//;GC*  
V3j1M?>  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 1oq5|2p  
$Fx:w  
-I-u.
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+cS%b}O`$  
w8$rt  
故障种类： dHp(U :)  
缺陷种类： &VG|*&M  
针对性测试： {kGcZf3h  
$e66jV  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test DK8eFyG^2  
d4OWnPHv&}  
=\;yxl
 
w E^6DNh  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； Ig9yd S-.  
仿真与误差， %Q9 iR5?  
预研阶段 kigq(a  
顶层设计阶段 [J4 Aig  
模块设计阶段 6% 
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模块实现阶段 ts BPQ 8Ne  
子系统仿真阶段 \LX
!n!@  
系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 N|cWTbi  
后端版面设计 ^B[%|{cO  
测试矢量准备 {k.Dy92  
后端仿真 @]$qJFXx  
生产 NHKIZx8sR  
硅片测试 7O6VnKl  
顶层设计： b'\a 4  
书写功能需求说明 sU>!sxW  
顶层结构必备项 2,.%]U  
分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 e!cZW.B=`f  
完成顶层结构设计说明 V\k?$}  
确定关键的模块（尽早开始） ?@W=bJ8{  
确定需要的第三方IP模块 x|B$n} B  
选择开发组成员 pAwmQ
S\W  
确定新的开发工具 Y@WCp  
确定开发流程/路线 iwb]mJUA  
讨论风险 @Y2"=QVt  
预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 n^OWz4