晶圆测试及芯片测试

一、需求目的：1、热达标；2、故障少 S^QEctXU  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 !sT>]e  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： 529;_|  
1、顶层设计 *p{p.%Qs:  
2、仿真 49qa  
3、热设计及功耗 l)u%`Hcn  
4、资源利用、速率与工艺 mv9D{_,pD  
5、覆盖率要求 }z]d]  
6、 nW=6nCyvo  
四、具体到测试有哪些需要关注： i~!g9o(  
1、可测试性设计 HhbBt'fH  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 RoqkT|#$  
3、可靠性测试 ']}-;m\  
4、故障与测试关系 !?,, ZD  
5、 N_%@_$3G]  
4H

8r[  
测试有效性保证； <J8c dB!e  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ \mb4leg5  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率
hb[ThQ  
u(9pRr L  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 g@H<Q('fJ  
晶圆的工艺参数监测dice， jFQy[k-B  
芯片失效分析13488683602 %Wtf24'o;v  
Q& [!+s:2J  
>N^<Q4%2  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 I
OHWb&N6  
z%}"=  
7gX32r$%V  
M6-uTmN:d  
IADSWzQ@  
故障种类： Ana[>wSZO@  
缺陷种类： ?V`-z#y7  
针对性测试： HNkOPz+d&8  
<$A,|m  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test C|y^{4|R  
AD   
p\zqZ=s  
A1zRzg4I  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； .-$3I|}X=  
仿真与误差， 6*,55,y  
预研阶段 ?y|&Mz'XJ(  
顶层设计阶段 C:1(<1K  
模块设计阶段 TG=A]--_a  
模块实现阶段 g}~s"Sz  
子系统仿真阶段 V lZ+x)E  
系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 Od.@G~  
后端版面设计 W[jg+|  
测试矢量准备 jdG'sITv  
后端仿真 CH7a4qL`  
生产 smCACQ$(  
硅片测试 yz [pF  
顶层设计： _JC*4  
书写功能需求说明 .#y#u={{l  
顶层结构必备项 .XgY&5Qk  
分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 sm##owI  
完成顶层结构设计说明 c:Cz
u  
确定关键的模块（尽早开始） :V(C+bm *  
确定需要的第三方IP模块 /5 z+N(RFC  
选择开发组成员 U<Oc&S{]*  
确定新的开发工具 i,^-9  
确定开发流程/路线 zd$'8/Cq  
讨论风险 J@_M%eN  
预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 :%sG'_d