晶圆测试及芯片测试

发布:探针台 2019-09-10 13:59 阅读:2830
一、需求目的:1、热达标;2、故障少 lOYwYMi  
二、细化需求,怎么评估样品:1、设计方面;2、测试方面 KLbP;:sr  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注: }1'C!]j  
1、顶层设计 ^${-^w@,%V  
2、仿真 o#E z_D[  
3、热设计及功耗 .lRO; D  
4、资源利用、速率与工艺 Lt=#tu&d  
5、覆盖率要求 dB< \X.   
6、 t?{E_70W  
四、具体到测试有哪些需要关注: l6)*u[}E   
1、可测试性设计 3\6jzD  
2、常规测试:晶圆级、芯片级 fz,8 <  
3、可靠性测试 Z+Z`J; ,  
4、故障与测试关系 ,7tN&R_  
5、 ~vG~Z*F  
+-HaYB|p  
测试有效性保证; j2tw`*S+  
设计保证?测试保证?筛选?可靠性? v@< "b U  
设计指标?来源工艺水平,模块水平,覆盖率 AY|8wf,LS  
k g+"Ta[9  
晶圆测试:接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 aS:17+!  
晶圆的工艺参数监测dice, >.~^(  
芯片失效分析13488683602 ^'[Rb!Q8  
=7#)8p[  
R '"J{oR  
芯片测试:ATE测试项目来源,边界扫描 N'|zPFk g  
BL,YJM(y  
mtmtOG_/=  
BDc*N]m}B1  
]J m9D=  
故障种类: 4z?6[Cg<  
缺陷种类: N CX!ss  
针对性测试: tUL(1:-C  
Rnun() plJ  
性能功能测试的依据,可测试性设计:扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test S yX>zN!  
oP_'0h0 X  
c tTbvXP  
=<R77rnY&  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系; yD5T'np<4  
仿真与误差, ow%s_yV]R  
预研阶段 rVFAwbR  
顶层设计阶段 qD Nqd  
模块设计阶段 t~Ds)  
模块实现阶段 sR'rY[^/|  
系统仿真阶段 2"JIlS;J}7  
系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 b8Y1.y"#  
后端版面设计 3v5]L3  
测试矢量准备 prhFA3 rW.  
后端仿真 |L<oKMZY  
生产 3mpEF<z  
硅片测试 ^]AjcctGr  
顶层设计: i%v^Zg&FU  
书写功能需求说明 qvhTc6oH  
顶层结构必备项 !9OAMHa*9  
分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 6e/2X<O  
完成顶层结构设计说明 Nl PP|=o  
确定关键的模块(尽早开始) x w]Zo<F  
确定需要的第三方IP模块 \Qz>us=G  
选择开发组成员 NTls64AS.  
确定新的开发工具 !#g`R?:g  
确定开发流程/路线 (\,mA-%E  
讨论风险 (Q\QZu@  
预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 <fWho%eOK  
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