晶圆测试及芯片测试

一、需求目的：1、热达标；2、故障少 I(y:Td  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 BF{v0Z0/}k  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： ^&F8NEb=2>  
1、顶层设计 o
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aw  
2、仿真 w/BaaF.0  
3、热设计及功耗 -7,xjn  
4、资源利用、速率与工艺 Opx"'HC@G  
5、覆盖率要求 L9ECF;)  
6、 j;6kN-jx  
四、具体到测试有哪些需要关注：
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1、可测试性设计 zO)A_s.6K  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 wg?GEY  
3、可靠性测试 VN6h:-&iY  
4、故障与测试关系 1ml>  
5、 8 SFw|  
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测试有效性保证； RG[b+Qjn  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ bwN>E+  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 -7{qTe{  
D32~>J.F  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 "=8= G  
晶圆的工艺参数监测dice， uU_lC5A|  
芯片失效分析13488683602 hDBVL"  
P(AcDG6K  
whFaL}2C  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 0}v_usP  
_voU^-  
f/+UD-@%m  
zv/owK  
T6_LiB@  
故障种类： r0jhIE#  
缺陷种类： Tk1U  
针对性测试： mz)Z =`hy  
$}_a`~u  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test f4{O~?=  
p+6L qk<  
JR
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gLp7<gx6  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； X'[93 C|K  
仿真与误差， &IYSoA"Nz  
预研阶段 Qn0 1ig  
顶层设计阶段 Sy\ec{$+V]  
模块设计阶段 sUl/9VKl  
模块实现阶段 =?
9z6=  
子系统仿真阶段 BuwJR Ql.  
系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 y*K]z  
后端版面设计 |a!y%R=  
测试矢量准备 ? }t[  
后端仿真 2g'o5B
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生产 nG Bjxhl  
硅片测试 8<#S:O4kA  
顶层设计： zNg8Oq&  
书写功能需求说明 fT
$Fv  
顶层结构必备项 ftr?@^  
分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 7Qoy~=E  
完成顶层结构设计说明 &v}c3wL]  
确定关键的模块（尽早开始） [*i6?5}-  
确定需要的第三方IP模块 'UW]~  
选择开发组成员 y*6-
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确定新的开发工具 6KpG,%2L#  
确定开发流程/路线 dJ/(u&N  
讨论风险 (}^Qo^Vr  
预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 Gh.@l\|tf