晶圆测试及芯片测试

一、需求目的：1、热达标；2、故障少 M(/%w"R  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 YR[Ii?  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： Ye(0'*-jyc  
1、顶层设计 ]>`Q"g~0  
2、仿真 5(U.<  
3、热设计及功耗 gk]r:p<O  
4、资源利用、速率与工艺 ]HCt%5  
5、覆盖率要求 Gm.v-T$  
6、 BJlF@F#  
四、具体到测试有哪些需要关注： ;GE0iSC  
1、可测试性设计  i4Fw+Z  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 5Z;Py"%  
3、可靠性测试 $1UN?(r  
4、故障与测试关系 oA42?I ^  
5、 t$UFR7XE  
mXa1SZnE
 
测试有效性保证； Gzm[4|nO^  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ xp,H5 m%  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 *4.f*3*  
=#>P!  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 (S(=WG  
晶圆的工艺参数监测dice， Uvz9x"0[u  
芯片失效分析13488683602 2poU\
|H  
3btciR!N]  
E>7%/TIl  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 9`vse>,-hg  
(T`x-wTl  
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X|.X4fs  
W;0_@!?mr}  
故障种类： -8TJ~t%w4  
缺陷种类： T`vj6F  
针对性测试： \W$
>EH  
n){\KIU/O  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test ,@>B#%Nz  
\w`Il"}V  
E%$FX'8&  
=8<SKY&\X  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； Lp{l&-uQ  
仿真与误差， i2swots  
预研阶段 LfK <%(:  
顶层设计阶段 `#9ZP  
模块设计阶段 9]kWM]B)o  
模块实现阶段 [%bshaY:  
子系统仿真阶段 Cu9,oU+N  
系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 cIq3En  
后端版面设计 Ho\z^w+T`  
测试矢量准备 8 A2k-X
,  
后端仿真 1_<'S34  
生产 EI/_=.d  
硅片测试 "_5av!;A g  
顶层设计： $r_z""eOc  
书写功能需求说明 NEK;'"~  
顶层结构必备项 9BHl2<&V  
分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 \7Zk[)!FL  
完成顶层结构设计说明 #<l;YT8  
确定关键的模块（尽早开始） dyu~T{  
确定需要的第三方IP模块 AMtFOXx%I  
选择开发组成员 ?2.<y_1  
确定新的开发工具 Na[bCt  
确定开发流程/路线 o>j3<#?  
讨论风险 ukhI'alS,  
预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 <v0 d8