晶圆测试及芯片测试

一、需求目的：1、热达标；2、故障少 V`}u:t7r  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 aX? tnDv  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： P>'29$1'  
1、顶层设计 JvYs6u  
2、仿真 ?N&s.  
3、热设计及功耗 !ezy v`  
4、资源利用、速率与工艺 meZZQ:eSl  
5、覆盖率要求 ,3W,M=j)  
6、  NG?g(  
四、具体到测试有哪些需要关注： V!QC.D<  
1、可测试性设计 .@psW0T%  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 EPU3Jban  
3、可靠性测试 \lK `  
4、故障与测试关系 gdS@NUM  
5、 yeA]j[ #  
p5J!j I=  
测试有效性保证； c|X}[  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ 5YLc4z*  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 YwZ]J  
~-'-<-  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 lD$\t/8B  
晶圆的工艺参数监测dice， 8d(l)[GZt  
芯片失效分析13488683602 );{76  
czH# ~  
Px&)kEQ  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 DS;.)P"  
u56F;y  
qUk-BG8^  
UQjYWXvi  
bSa]={}L(  
故障种类： G)&!f)6  
缺陷种类： u24XuSe$  
针对性测试： =b>e4I@  
ow;a7  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test oWq]\yT<`  
U "v=XK)!  
n>xuef  
1^2]~R9,9  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； y w:=$e5  
仿真与误差， XI"IEwB  
预研阶段 zpg5
12\y  
顶层设计阶段 M,we,!B0  
模块设计阶段 rVwW%&  
模块实现阶段 A@e!~  
子系统仿真阶段 ld#YXJ;P.k  
系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 )lP(isFP  
后端版面设计 NT{'BJ  
测试矢量准备 g`4WisL1n  
后端仿真 |][PbN D  
生产 I(<Trn  
硅片测试 O;.DQ  
顶层设计： [d=BN ,?  
书写功能需求说明 DPfN*a-P(  
顶层结构必备项 %yK- Q,'O  
分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 |(uo@-U  
完成顶层结构设计说明 9H2mA$2jnE  
确定关键的模块（尽早开始） r9p ((ir  
确定需要的第三方IP模块 79B+8= K  
选择开发组成员 QT4vjz+|  
确定新的开发工具 n>,? V3ly  
确定开发流程/路线 CKX3t:HP0  
讨论风险 lYU?j|n  
预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 /as+ TU`A