晶圆测试及芯片测试

一、需求目的：1、热达标；2、故障少 {)BTR
%t  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 =h0,?]z  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： >+JqA7K  
1、顶层设计 n@C[@?D  
2、仿真 VKq=7^W  
3、热设计及功耗 } ud0&Oe{  
4、资源利用、速率与工艺 M-1ngI0
H;  
5、覆盖率要求 7s/u(~d)  
6、 YE|SKx@  
四、具体到测试有哪些需要关注： mV
VD!  
1、可测试性设计 ' 0J1vG~c  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 mS^tX i5hg  
3、可靠性测试 }|g\ 8jq  
4、故障与测试关系 VHCK2}ps  
5、 ?AJKBW^  
2 lj'"nm  
测试有效性保证； .!f$ \1l  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ Y8m1M-#w  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 d/BM&r  
BQ=PW|[  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 wgamshm"d  
晶圆的工艺参数监测dice， ~$)2s7 O  
芯片失效分析13488683602 F P* lQRA  
~yH?=:>U  
\6R,Nq
 
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 | N[<x@  
Xc?&_\. +  
Lv|q  
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q^-9  
$,,op(  
故障种类： 3BtaH#ZY  
缺陷种类： v2B0q4*BS?  
针对性测试： 9y<*8bI  
v^#~98g]  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test DNr@u/>vB  
!HnXXVW  
B"!l2  
aX5 z&r:{  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； n/+.s(7c  
仿真与误差， D;;!ODX$?  
预研阶段 ] Hztb  
顶层设计阶段 ?QFpv#4  
模块设计阶段 G+X Sfr  
模块实现阶段 n=y[CKS  
子系统仿真阶段 [_1G@S6Ex  
系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 dwDcR,z?a  
后端版面设计 b:tob0TB  
测试矢量准备 G#d{,3Gq1  
后端仿真 X!9 B2w  
生产 ~N<4L>y<  
硅片测试 b[o"7^H  
顶层设计： AlAYiUw{  
书写功能需求说明 ]pH-2_  
顶层结构必备项 uVJDne,R  
分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 LR".pH13  
完成顶层结构设计说明  |8My42yf  
确定关键的模块（尽早开始） y:~ZLTAv  
确定需要的第三方IP模块 " @v <Bk  
选择开发组成员 (9Ux{@$o[  
确定新的开发工具 ki?S~'a  
确定开发流程/路线 'VzP};  
讨论风险 ;/r1}tl+3>  
预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 $5ak_@AC