晶圆测试及芯片测试

一、需求目的：1、热达标；2、故障少 bu[PQsT  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 #?=?<"*j  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： 8{DZew /  
1、顶层设计 j"G1D-S:  
2、仿真 XS:W{tL!  
3、热设计及功耗 n1 k2<BU4b  
4、资源利用、速率与工艺 Kf=6l#J7  
5、覆盖率要求 Y:o\qr!Y  
6、 U|tUX)9O  
四、具体到测试有哪些需要关注： B$ty`/{w,B  
1、可测试性设计 |5J'`1W  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 ( X(61[Lu  
3、可靠性测试 \tv^],^`  
4、故障与测试关系 )9F o  
5、 ^(
}D  
TpnJm%9`)t  
测试有效性保证； VycCuq&M  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ &8=wkG%  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 U(xN}Y?  
{tS^Q*F  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 Ih Yso7g  
晶圆的工艺参数监测dice， !4;A"B(  
芯片失效分析13488683602 d7,ZpHt  
*[VO03  
Myj5qh  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 \!-IY  
.\Z/j  
d6(R-k#B  
g+(Cs  
{@1;kG  
故障种类： y4N8B:j%  
缺陷种类： 31VDlcnE  
针对性测试： ^nO0/nqz]  
r6,EyCWcCs  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test X283.?  
bQ%6z}r  
c<k=8P  
#|92+  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； ~wejy3|@0  
仿真与误差， cWp5' e]A  
预研阶段 4n9".UH
h  
顶层设计阶段 .Iu8bN(L
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模块设计阶段 g?7I7W~?`  
模块实现阶段 _cRCG1
CJ  
子系统仿真阶段 j\I{
pW-  
系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 YLXLaC[  
后端版面设计 xX !`0T7Y  
测试矢量准备 %w$\v"^_Y  
后端仿真 z`
}<mY E  
生产 f6of8BOg  
硅片测试 !g`^<y!  
顶层设计： +6zW(Ql/  
书写功能需求说明 kA.U2  
顶层结构必备项 KF.O>c87&  
分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 I ~U1vtgp  
完成顶层结构设计说明 R^p'gQc$   
确定关键的模块（尽早开始） k^H&IS!  
确定需要的第三方IP模块 #oYPe:8|m  
选择开发组成员 3-=f@uH!  
确定新的开发工具 w$)NW57[|  
确定开发流程/路线 qsT@aSIo9  
讨论风险 S^8C\ E  
预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 *jf%Wj)0M