晶圆测试及芯片测试

一、需求目的：1、热达标；2、故障少 :,'.b|Tl.b  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 j7VaaA  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： 2y9$ k\<xV  
1、顶层设计 AxCFZf5  
2、仿真 9['>$ON  
3、热设计及功耗 (%{!TJgZR  
4、资源利用、速率与工艺 LO)QEU
G  
5、覆盖率要求 hWr}Uui  
6、 jZqCM{  
四、具体到测试有哪些需要关注： Z$K[e  
1、可测试性设计 _^F%$K6  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 _+&/P&  
3、可靠性测试 hOm0ND?;1  
4、故障与测试关系 In}~bNv?  
5、 t y%Hrw  
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测试有效性保证； d s}E|Q  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ VS5D)5w#  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 1_)Y{3L  
Dwah_ p8  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 wUzMB]w  
晶圆的工艺参数监测dice， HU-#xK  
芯片失效分析13488683602 j|
y"Lcq  
5>h# hcL  
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芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 WAb@d=H{+>  
AD"L
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H$)otDOE  
.[vYT.LE  
va;fT+k=  
故障种类： K`kWfPwp  
缺陷种类： G5$YXNV  
针对性测试： FC8#XZp  
B|-W  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test RG`eNRTQ%  
^:o^g'Yab  
Yg]!`(db  
K1-y[pS]E  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； <{k8
K6  
仿真与误差， _RG2I)P  
预研阶段 $_ k:{?  
顶层设计阶段 ajD/)9S
 
模块设计阶段 #!]~E@;E  
模块实现阶段 PkDh[i9Z|  
子系统仿真阶段 f,8PPJ:,  
系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 gg :{Xf*`  
后端版面设计 v`~egE17  
测试矢量准备 ;)!);q+  
后端仿真 -
W)8Z.  
生产 Vpf7~2[q%  
硅片测试 ZrDr/Q~  
顶层设计： gPy}.g{tH$  
书写功能需求说明 ^e1mK4`  
顶层结构必备项 eu?DSad  
分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 8>ODtKI*  
完成顶层结构设计说明 cu"ge]},  
确定关键的模块（尽早开始） 6Vy4]jdT5  
确定需要的第三方IP模块 +(##B pC  
选择开发组成员  =E:a\r  
确定新的开发工具 {
3\{aZ8)  
确定开发流程/路线 _S6SCSFc  
讨论风险 z6bIv}  
预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 p/Lk'h~