晶圆测试及芯片测试

一、需求目的：1、热达标；2、故障少 yN3Tk}{V  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 no?)GQ  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： xOT'4v&.  
1、顶层设计 T|.Q81.NE  
2、仿真 10#!{].#x  
3、热设计及功耗 ,zXL8T  
4、资源利用、速率与工艺 a #@Q.wL  
5、覆盖率要求 qsvUJU  
6、 h| UT/:  
四、具体到测试有哪些需要关注： |B`-chK  
1、可测试性设计 i
qy}|xAU  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 sF+0v p  
3、可靠性测试 WKah$l  
4、故障与测试关系 x(]s#D!)  
5、 1.,mNY^UN  
Ysr{1!K  
测试有效性保证； e_1mO 5z  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ ]3={o3[:  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 @1]
<LQ\\  
c6c^9*,V  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 OM4s.BLY  
晶圆的工艺参数监测dice， 2jhVmK  
芯片失效分析13488683602 ik$wS#1+L  
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s=%HT
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芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描
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K&)a3Z=(.  
故障种类： JA(nDD/;  
缺陷种类： oVq@M  
针对性测试： BB%(!O4Dl  
QK?5)[ J  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test mlVv3mVyR<  
Q%eBm_r;
 
.vW~(ZuD  
"^XN"SUw  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； 3LXpe8$lJ  
仿真与误差， N"T8 Pt  
预研阶段 .\d0lJSr  
顶层设计阶段 '
^/E2+  
模块设计阶段 p9s~WD/K  
模块实现阶段 %I.{umU  
子系统仿真阶段 4X\*kF%  
系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 3P6'*pZ  
后端版面设计 #>- rKv.A  
测试矢量准备 ^m+W  
后端仿真 f%|S>(   
生产 W^Rb~b^?  
硅片测试 YAP
D7hA  
顶层设计： _yoG<qI  
书写功能需求说明 QE#$bCw  
顶层结构必备项 (C3d<a\:  
分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 )I>rC%2P  
完成顶层结构设计说明 m
CE})S  
确定关键的模块（尽早开始） UpIf t=@P  
确定需要的第三方IP模块 7S1!|*/ I  
选择开发组成员 ^=W&p%Y(!  
确定新的开发工具 YSwD#jO0  
确定开发流程/路线 PR'FSTg  
讨论风险 F4&N;Zm2  
预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 <+$S{Z.