晶圆测试及芯片测试

一、需求目的：1、热达标；2、故障少 a)TNVm^  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 w}(xs)`num  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： {:oZ&y)Ac  
1、顶层设计 Ha/\&Z(  
2、仿真 @Td[rHl  
3、热设计及功耗 S"eKiS,z  
4、资源利用、速率与工艺 i#-Jl7V[a  
5、覆盖率要求 w"BTu-I  
6、 %(kq Hxc  
四、具体到测试有哪些需要关注： n>eIQaV  
1、可测试性设计 wR4P0[  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 e6_.ID'3  
3、可靠性测试 {?jdPh  
4、故障与测试关系 >WD^)W fa  
5、 |Ji?p>\~  
T.|0;Eb  
测试有效性保证； H?~u%b@   
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ nRo`O  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 O.4"h4{'  
B{K'"uC  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 DQ9s57VxC!  
晶圆的工艺参数监测dice， j)]'kg  
芯片失效分析13488683602 cPN7^*  
xUw\Y(!  
XWvs~Xw@  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 SP*5 W)6  
~::R+Lh(  
OcH-`A  
3@&H)fdp6a  
 HOD2/  
故障种类： iwVra"y  
缺陷种类： 7L\GI`y  
针对性测试： #0P
<#S^7  
dyp]y$  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test %F4Q|  
w|Mj8Lc+  
N Hh  
U-? ^B*<  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； XVLuhwi  
仿真与误差， _F*w ,b$8  
预研阶段 ,G:4H%?  
顶层设计阶段 XH2SEeh  
模块设计阶段 @uE=)mP@  
模块实现阶段 nn   
子系统仿真阶段 2(rZ@Wl  
系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 %zD-gw>  
后端版面设计 b(yO  
测试矢量准备 v-gT 3kJ  
后端仿真 ]Tl\9we  
生产 "@?|Vv,vn  
硅片测试 e>>G4g  
顶层设计： UbibGa= )  
书写功能需求说明 ^(\Gonf<  
顶层结构必备项 0B4(t6o  
分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 Hb+#*42v  
完成顶层结构设计说明 #-Rz`Y<&  
确定关键的模块（尽早开始） PVU"oz&T  
确定需要的第三方IP模块 bsP;  
选择开发组成员 _%2Umy|  
确定新的开发工具 ^sOm7S{  
确定开发流程/路线 Gh|!FRK[$  
讨论风险 r:5Ve&~  
预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 g Oj5c