[广告]晶圆测试及芯片测试 [复制链接]

一、需求目的：1、热达标；2、故障少 bi=IIVlH  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 
e3YdHp  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： s"jNS1B  
1、顶层设计 @20~R/vh  
2、仿真 OsSGVk #Qh  
3、热设计及功耗 estDW1i)  
4、资源利用、速率与工艺 %+Az X  
5、覆盖率要求 Zcq4?-&  
6、 v8PH(d2{@  
四、具体到测试有哪些需要关注： c+_F}2)  
1、可测试性设计 97XGJ1HI  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 ~sk{O%OI  
3、可靠性测试 \@%sX24D  
4、故障与测试关系 S zqY@  
5、 ;R#:? r;t  
k~P{Rm;F  
测试有效性保证； +0)zB;~7  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ ? FlV<nE"J  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 ga#Yd}G^~3  
utJz e  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 gp?|UMA9.  
晶圆的工艺参数监测dice， "?[7oI}c&  
芯片失效分析13488683602 ,vN0Jpf}\8  
jT6zpi~]E  
slV7,4S&!  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 MZ/PXY  
q^.\8zFf  
+ISXyGu  
lMcSe8LBQa  
.JJ^w!|>#  
故障种类： HDTdOG)  
缺陷种类： TAXl73j_CY  
针对性测试： #_zd`s3k  
cdH Ug#  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test TNvE26.(  
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[;]@PKW?w  
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芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； (ex^=fv  
仿真与误差， N]p|c3D  
预研阶段 INHN=KY{  
顶层设计阶段 rX8EXraO  
模块设计阶段 q|8p4X}/]  
模块实现阶段 o`@B*, @  
子系统仿真阶段 o4Bl!7U  
系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 CCX!>k]  
后端版面设计 hVfiF  
测试矢量准备 YBX7WZCR  
后端仿真 d\cwUXf J  
生产 0M?nXHA[  
硅片测试 4't@i1Ll(  
顶层设计： >QusXD"L>  
书写功能需求说明 ;-G!jWt6Zi  
顶层结构必备项 7 -(LWH  
分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 OoFQ@zE7%  
完成顶层结构设计说明 LX %8a^?;  
确定关键的模块（尽早开始） jaoGm$o>"F  
确定需要的第三方IP模块 GC3:ZpV`  
选择开发组成员 zn |=Q$81  
确定新的开发工具 z"eh.&T  
确定开发流程/路线 9u'hC
i(  
讨论风险 WAj26";M(  
预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 W biUz2)