晶圆测试及芯片测试

发布:探针台 2019-09-10 13:59 阅读:2899
一、需求目的:1、热达标;2、故障少 J5L[)Gd)D  
二、细化需求,怎么评估样品:1、设计方面;2、测试方面 %h4|$  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注: m* rw?nLZ  
1、顶层设计 ueu=$.^;g  
2、仿真 /ULO#CN?;  
3、热设计及功耗 Ox^VU2K;&.  
4、资源利用、速率与工艺 ofy)}/i  
5、覆盖率要求 ~M9&SDT/lB  
6、 evro]&N{  
四、具体到测试有哪些需要关注: IiZXIG4H  
1、可测试性设计 :IRQouTf:,  
2、常规测试:晶圆级、芯片级 W&p f%?  
3、可靠性测试 l *]nvd_  
4、故障与测试关系  G4{TJ,~  
5、 EE,C@d!*k7  
i/aj;t  
测试有效性保证; B/gI~e0  
设计保证?测试保证?筛选?可靠性? 3 adF) mh  
设计指标?来源工艺水平,模块水平,覆盖率 5@yBUwMSj  
Z/+H  
晶圆测试:接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 my*E7[  
晶圆的工艺参数监测dice, tr$d?  
芯片失效分析13488683602 m4 :"c"  
jM;?);Dd  
oRQ( l I>  
芯片测试:ATE测试项目来源,边界扫描 '$y.`/$  
w(UZmZb}  
tW=oAy  
b0h>q$b  
mExJ--}  
故障种类: 2,e>gP\]  
缺陷种类: gM_MK8py  
针对性测试: 0*50uK=5  
yPT\9"/  
性能功能测试的依据,可测试性设计:扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test 3Nk )  
WS2@; 8.N  
YnW,6U['{g  
(&xIB F_6  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系; .y2np  
仿真与误差, eGi|S'L'  
预研阶段 'aJm4W&j  
顶层设计阶段 /9(8ML#E  
模块设计阶段 3 , nr*R!  
模块实现阶段 ^=,N] j  
系统仿真阶段 >IEc4  
系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 ?Y'r=Q{w  
后端版面设计 ;0;5+ J7  
测试矢量准备 Xf*}V+&WN  
后端仿真 V2BsvR`  
生产 R*>EbOuI  
硅片测试 R~d{Yv  
顶层设计: 0JX/@LNg0  
书写功能需求说明 V<0J j  
顶层结构必备项 &d&nsQ  
分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 qY|NA)E)Bp  
完成顶层结构设计说明 aKk0kC   
确定关键的模块(尽早开始) W kSv@Y,  
确定需要的第三方IP模块 [K#pU:lTH  
选择开发组成员 U_1N*XK6$  
确定新的开发工具 GL'zNQP-  
确定开发流程/路线 C.Re*;EI,  
讨论风险 QIu!o,B  
预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 u%rB]a$/  
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