晶圆测试及芯片测试

一、需求目的：1、热达标；2、故障少 =W97|BIW,  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 \v B9fA:*  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： j>0SE  
1、顶层设计 'bd=,QW  
2、仿真 Z.Lx^h+U  
3、热设计及功耗 &ij^FAM  
4、资源利用、速率与工艺 jFK9?cLT  
5、覆盖率要求 n$A(6]z5O  
6、 (*c`<|)  
四、具体到测试有哪些需要关注： p2M?pV  
1、可测试性设计 c'm-XL_La  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 +Uc&%Px  
3、可靠性测试 AF07KA#  
4、故障与测试关系 M]pel\{M  
5、 M<hs_8_*  
w96j,rEC  
测试有效性保证； -bIpmp?  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ RJ7/I/yD|  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 F\YcSDM  
M?:f^  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 >(YPkmH  
晶圆的工艺参数监测dice， &)/H?S;yN  
芯片失效分析13488683602 \^^hG5f  
co(fGp#!  
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芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 U(=f5|-  
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0*'`%W+5  
p3'mJ3MA  
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故障种类： Z"PDOwj5  
缺陷种类： *=KexOa9  
针对性测试： #RZJ1uL  
lMI ix0sSj  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test e`gGzyM  
LU 5 `!0m  
Xk7$?8r4&  
UO7a}Tz<  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； ?
geWR_Z  
仿真与误差， [{fF)D<tC  
预研阶段 ^FyvaO  
顶层设计阶段 <aQ; "O~   
模块设计阶段 lpX p)r+  
模块实现阶段 T(fR/~:z?  
子系统仿真阶段 M,v@G$pW  
系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 &t=>:C$1Y  
后端版面设计 V.G9J!?<P  
测试矢量准备 D;T r  
后端仿真 Aj)<8  
生产 `Mh<S+/  
硅片测试 IQ27FV|3  
顶层设计： BIB>U W  
书写功能需求说明 (J) Rs`_  
顶层结构必备项 vGMOXbq4&  
分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 t&?v9n"X  
完成顶层结构设计说明 ;@ !d!&  
确定关键的模块（尽早开始） h0EGhJs  
确定需要的第三方IP模块 H:nu>pzt  
选择开发组成员 @|*Z0bn'  
确定新的开发工具 G5
eLs  
确定开发流程/路线 0m| Gp  
讨论风险 "x)pp  
预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 
S.)8&