晶圆测试及芯片测试

发布:探针台 2019-09-10 13:59 阅读:2892
一、需求目的:1、热达标;2、故障少 ;76+J)  
二、细化需求,怎么评估样品:1、设计方面;2、测试方面 @8{8|P  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注: g%= K rO  
1、顶层设计 ].d%R a:{  
2、仿真 7WH'GoBh  
3、热设计及功耗 > }f!. i  
4、资源利用、速率与工艺  Ps.xY;Y  
5、覆盖率要求 syLdm3d|  
6、 F&uiI;+zJ  
四、具体到测试有哪些需要关注: , poc!n//  
1、可测试性设计 9 Vq   
2、常规测试:晶圆级、芯片级 rAtCG1Vr  
3、可靠性测试 XK\nOHLS  
4、故障与测试关系 } Ifa5Lq)  
5、 ;{0alhMZ  
JtY$AP$  
测试有效性保证; sg-^ oy*^  
设计保证?测试保证?筛选?可靠性? 7]Qxt%7/>  
设计指标?来源工艺水平,模块水平,覆盖率 5JaLE5-  
0kCo0{+n  
晶圆测试:接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 6<@+J  
晶圆的工艺参数监测dice, 8F<|.V;  
芯片失效分析13488683602 C3^3<  
6X9$T11Vc  
Z1 )1s  
芯片测试:ATE测试项目来源,边界扫描 DM v;\E~D  
/,uxj5_cT  
Zs t)S(  
+JG05h%'  
g&$5!ifgi  
故障种类: H0tu3Pqk  
缺陷种类: d , g~.iS~  
针对性测试: c}$>UhLe  
[<d ~b*/  
性能功能测试的依据,可测试性设计:扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test y`$qcEw  
{q$U\y%Rq  
j<)$ [v6  
0TV16 --  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系; 8IL5 :7H8  
仿真与误差, >A]l|#Rz  
预研阶段 {?^ES*5  
顶层设计阶段 0LC]%x+"  
模块设计阶段 "qC3%9e  
模块实现阶段 U) xeta+  
系统仿真阶段 h`! 4`eI  
系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 xcl;~"c *  
后端版面设计 }8l+Jd3"  
测试矢量准备 n%\\1  
后端仿真 7>@0nHec  
生产 [E<A/_z  
硅片测试 `}P9[HP  
顶层设计: Ow1+zltgj-  
书写功能需求说明 Y ?~n6<  
顶层结构必备项 [7x;H  
分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 SF:{PgGMi  
完成顶层结构设计说明 MY\mo,#  
确定关键的模块(尽早开始) q2|z \  
确定需要的第三方IP模块 OY|9V  
选择开发组成员 o6 NmDv5  
确定新的开发工具 9`/ywt3Y  
确定开发流程/路线 hiVDN"$$  
讨论风险 tMU10=d  
预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 B ( h`~pb  
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