晶圆测试及芯片测试

发布:探针台 2019-09-10 13:59 阅读:2871
一、需求目的:1、热达标;2、故障少 shj S^CP  
二、细化需求,怎么评估样品:1、设计方面;2、测试方面 7b \HbgZ  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注: ^MKvZ DOP  
1、顶层设计 (9{)4[3MAG  
2、仿真 11Pm lzy  
3、热设计及功耗 4}gqtw:  
4、资源利用、速率与工艺 .@gv }`>  
5、覆盖率要求 -[".km  
6、 'k{pWfn=<  
四、具体到测试有哪些需要关注: E[)`+:G]  
1、可测试性设计 OB>Pk_eQK  
2、常规测试:晶圆级、芯片级 |!aMj8i2  
3、可靠性测试 g3Xq@RAJc  
4、故障与测试关系 v<HhB.t.  
5、 VSL6tQp  
D42Bm&JocO  
测试有效性保证; E#Smi507p  
设计保证?测试保证?筛选?可靠性? fnN"a Z  
设计指标?来源工艺水平,模块水平,覆盖率 =*~]lz__M  
)F8G q,  
晶圆测试:接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 $NWXn,Y'  
晶圆的工艺参数监测dice, p. SEW5  
芯片失效分析13488683602 TG=) KS  
F)z]QJOw  
%D)W~q-g  
芯片测试:ATE测试项目来源,边界扫描 FI`][&]V  
t"cGv32b  
Ugp[Ugr  
"\Zsr6y  
hl(M0cxEWP  
故障种类: MRMsw NQ  
缺陷种类: _{_ybXG|  
针对性测试: )[.FUx  
rn"'tvhm  
性能功能测试的依据,可测试性设计:扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test U,_uy@fE=?  
d OQU#5  
7hlgm7 ^  
$-Lk,}s.*  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系; h# c.HtVE  
仿真与误差, dq+VW}[EO  
预研阶段 8 2nQ]  
顶层设计阶段 Eaf6rjD  
模块设计阶段 Ghs{B8  
模块实现阶段 'vq-~y5^#  
系统仿真阶段 6",S$3q  
系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 sOhQu>gN  
后端版面设计 s"7wG!yf  
测试矢量准备 fI9 TzpV  
后端仿真 :P1 J>dcG  
生产 h:\WW;s[B  
硅片测试 V^Z"FwWk  
顶层设计: d~M;@<eD  
书写功能需求说明 pTT7#b(t  
顶层结构必备项 %JF.m$-  
分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 ]:uJ&xUar  
完成顶层结构设计说明 g <S&sYF5  
确定关键的模块(尽早开始) +Wrj%}+  
确定需要的第三方IP模块 +F= j1*'&  
选择开发组成员 rtd&WkU rD  
确定新的开发工具 A\nL(Nd  
确定开发流程/路线 f s_6`Xt  
讨论风险 1$2'N~`#U  
预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 #usi1UWB#Q  
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