晶圆测试及芯片测试

一、需求目的：1、热达标；2、故障少 J|BElBY  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 Jb"FY:/Qv+  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： {\(G^B*\  
1、顶层设计 *|=D 0  
2、仿真 Q|)>9m!tt  
3、热设计及功耗 !
}!KT(%%  
4、资源利用、速率与工艺 '
oIE:#b  
5、覆盖率要求 DDr\Kv)k(  
6、 m~&  
四、具体到测试有哪些需要关注： {c*$i^T  
1、可测试性设计 2V@5:tf  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 \< .BN;t{  
3、可靠性测试 uU 7 <8G  
4、故障与测试关系 %k#+nad  
5、 q8$t4_pF  
P7-k!p"  
测试有效性保证； Ve(<s  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ iW6O9~  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 :Tpf8  
sLA.bp.O  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 %AO6=  
晶圆的工艺参数监测dice， r4mh:T4i  
芯片失效分析13488683602 []A9j?_w  
U:*rlA@_.  
+DRt2a#  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 FXr^ 4B}  
=Q9^|&
6  
zn>lF  
3g;Y  
rpiuFst  
故障种类： 4dbX!0u1l  
缺陷种类： 9YI@c_1 Q  
针对性测试： TIJH}Ri  
\uTlwS  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test g}hUCx(  
\r IOnZ.WK  
Kk}, P
U=  
K.yc[z)un  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； W$jRS  
仿真与误差， ]izHn;+  
预研阶段 D]E=0+  
顶层设计阶段 bR7tmJ[)Z  
模块设计阶段 _qE9]mU  
模块实现阶段 d[?RL&hJO  
子系统仿真阶段 Yuv=<V  
系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 igQz
L*X  
后端版面设计 "1gIR^S%9  
测试矢量准备 ^!B]V>L-  
后端仿真 3YLK?X8  
生产 h1q3}-  
硅片测试 f1:>H.m`  
顶层设计： oqvu8"  
书写功能需求说明 Zw)=Y.y!  
顶层结构必备项 cy@oAoBq  
分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 fa]8v6  
完成顶层结构设计说明 Dl.<(/  
确定关键的模块（尽早开始） ~EmK;[Z  
确定需要的第三方IP模块 J?{sTj"KB  
选择开发组成员 iY`[dsT  
确定新的开发工具 RK@K>)"f  
确定开发流程/路线 jkl dr@t  
讨论风险 pImq<Z  
预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 r4u,I<ZbH