晶圆测试及芯片测试

一、需求目的：1、热达标；2、故障少 1Tz5tU9kR  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 CV&+^_j'k  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： cy T,tN  
1、顶层设计 \wwY?lOe  
2、仿真 Jn!-Wa,  
3、热设计及功耗 7DQ{#Gf#G  
4、资源利用、速率与工艺 2Hl0besm  
5、覆盖率要求 "& h;\hL  
6、 zg L0v5vk  
四、具体到测试有哪些需要关注： VUAW/  
1、可测试性设计 GvQKFgO6h  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 N.R,[K  
3、可靠性测试 y;aZMT.YI  
4、故障与测试关系 mhU ?
N  
5、 *Y'nDv6_P  
W?is8r:  
测试有效性保证； U-!
+Cxjs  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ 4JV/Ci5  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 HQqnJ;ns<  
/=4 m4  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 Vm\ly;v'R  
晶圆的工艺参数监测dice， [HNWM/ff7+  
芯片失效分析13488683602 R{={7.As+  
H5wzzSV!:B  
eb%`ox@&  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 \o}m]v i  
$d\]s]}`  
=LLix . >  
#( G>J4E,  
Lso4ZZ;  
故障种类： YB?yi( "yL  
缺陷种类： )> >Tj7  
针对性测试： C(/{53G(  
2L?jp:$;X  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test 4I&e_b< 30  
nKxu8YAJe  
D3,9X#B=  
&USKudXmb  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； Y'n+,g  
仿真与误差， ;.dyuKlI  
预研阶段 Q)vf>LwC2S  
顶层设计阶段 qRk<1.  
模块设计阶段 m3Ma2jLWC  
模块实现阶段 CG!7BP\  
子系统仿真阶段 aS2Mx~  
系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 :<Z>?x  
后端版面设计 mQ~0cwo)  
测试矢量准备 F`C$F!GE  
后端仿真 f&5'1tG  
生产 `Ckx~'1M:  
硅片测试 60RYw9d%0  
顶层设计： Lt8J^}kwl  
书写功能需求说明 V@%:y tDf  
顶层结构必备项 QV&yVH=Xs  
分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 ePD~SO9*  
完成顶层结构设计说明 ]|6)'L&]*s  
确定关键的模块（尽早开始） hzR1O(  
确定需要的第三方IP模块 TDqH"q0  
选择开发组成员 qhE1 7Hf  
确定新的开发工具 :_,oD  
确定开发流程/路线 x~;1CB  
讨论风险 @cc4]>4  
预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 O%hmGW4