晶圆测试及芯片测试

一、需求目的：1、热达标；2、故障少 mo$*KNW%\  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面  ]plC  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： q4=RE  
1、顶层设计 xd@DN;e  
2、仿真 k#n=mm'N9  
3、热设计及功耗 X9HI@M]h  
4、资源利用、速率与工艺 a06DeRCej  
5、覆盖率要求 .YRSd  
6、 C-Z,L#  
四、具体到测试有哪些需要关注： i$bBN$<b<  
1、可测试性设计 y[rLk
 
2、常规测试：晶圆级、芯片级 _T$\$v$ {  
3、可靠性测试 k~ue^^r}  
4、故障与测试关系 %Z4=3?5B"9  
5、 < r~Tj  
!Ao
?bs
'  
测试有效性保证； !TFVBK  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ kn\>ZgU  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 (tvh9o  
r "R\  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 7SCI_8`  
晶圆的工艺参数监测dice， .$iIr:Tc>  
芯片失效分析13488683602 x?IT#ty  
)EoG@:[  
($kwlj~c  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 Cn<x  
Tx(R3B+u7  
9D,&)6  
hj4Rr(T  
L/I-(08!Y:  
故障种类： Kf.b <wP{  
缺陷种类： j*{bM{~T<  
针对性测试： YaU A}0cW  
XvdhPOMy  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test zBbTj IFQ  
LHb{9x  
& \m\QI  
jo^*R'}  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； heWb(E&  
仿真与误差， ,n*.Yq  
预研阶段 ?HY0@XILI  
顶层设计阶段 5h1j.t!  
模块设计阶段 Gu=Rf`o  
模块实现阶段 l- l}xBf  
子系统仿真阶段 ~#@EjQCq  
系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 c.fj[U|j  
后端版面设计 L*z;-,  
测试矢量准备 4jpF^&y7u^  
后端仿真 =EKJ!{  
生产 gT.-Cf{  
硅片测试 S%@$J~\rx  
顶层设计： llzl-2`/  
书写功能需求说明 oZ}e w!V
 
顶层结构必备项 }5k"aCno  
分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 I9E@2[=!  
完成顶层结构设计说明 VxCH}&!  
确定关键的模块（尽早开始） VV  
确定需要的第三方IP模块 eZcm3=WV|  
选择开发组成员 jK=[   
确定新的开发工具 Cv|:.y  
确定开发流程/路线 p,Z6/e[SI  
讨论风险 ?vVkZsU  
预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 J: LSGj
;R