晶圆测试及芯片测试

一、需求目的：1、热达标；2、故障少 r+) A)a,  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 3i7n"8\$  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： ^*iZN =\  
1、顶层设计 #fa~^]EM]  
2、仿真 g6N{Z e Wg  
3、热设计及功耗 8zr)oQ:  
4、资源利用、速率与工艺 ?4xTA  
5、覆盖率要求 ?bbguwo~F  
6、 &359tG0@P  
四、具体到测试有哪些需要关注： gvz&ppcG  
1、可测试性设计 z7J#1q~:yY  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 rQ/S|gG  
3、可靠性测试 {+Eq{8m`  
4、故障与测试关系 \5J/?  
5、 rNZN}g  
KaOS!e'  
测试有效性保证； xHI>CNC,  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ oZ!rK/qoA  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 N>VA`+aFR  
VN*^pAzlF  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 MvObx'+  
晶圆的工艺参数监测dice， o-/Xa[yC  
芯片失效分析13488683602 c>I^SY(r%  
3pm;?6i6  
BjJ+~R  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 ca-|G'q  
2TY|)ltsF  
(0^u  
7ej"q  
U2!9Tl9".  
故障种类： voCQ_~*)9  
缺陷种类： 3<?#*z4]_  
针对性测试： q S2#=  
\Z<' u;
 
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test i9W@$I,f  
jiz"`,-},O  
AOhsat;O`  
s4t>/.;x  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； Vhv<w O Ct  
仿真与误差， -cEjB%Neo  
预研阶段 WM:we*k8h  
顶层设计阶段 9V("K  
模块设计阶段 %J7 ;b<}To  
模块实现阶段 lY0^Z  
子系统仿真阶段 eZT923tD  
系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 K@`F*^A}V  
后端版面设计 9aYCU/3  
测试矢量准备 :*#I1nb$  
后端仿真 r0}Z&>]66N  
生产 -bduB@#2d  
硅片测试 &`G
QS|  
顶层设计： We_/:=  
书写功能需求说明 MHk\y2`/;  
顶层结构必备项 wSnY;Z9W_  
分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 4
mPCAA7  
完成顶层结构设计说明 AF>!:  
确定关键的模块（尽早开始） h@t&n@8O?  
确定需要的第三方IP模块 td&W>(
3d  
选择开发组成员 !ai, \  
确定新的开发工具 j;)U5X  
确定开发流程/路线 b\F(.8  
讨论风险 D?;$:D"  
预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 _6(QbY'JV`