晶圆测试及芯片测试

发布:探针台 2019-09-10 13:59 阅读:2805
一、需求目的:1、热达标;2、故障少 {y)O ?9q  
二、细化需求,怎么评估样品:1、设计方面;2、测试方面 hhd%j6  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注: $/;D8P5/&=  
1、顶层设计 ]-[M&i=+&  
2、仿真 K"u-nroHW  
3、热设计及功耗 G165grGFd  
4、资源利用、速率与工艺 8G$ %DZ $  
5、覆盖率要求 \7rAQ[\#V  
6、  8:=&=9%  
四、具体到测试有哪些需要关注: m>yb}+  
1、可测试性设计 iUSP+iC,  
2、常规测试:晶圆级、芯片级 biAI*t  
3、可靠性测试 ZrY #B8  
4、故障与测试关系 k(LZ,WSR  
5、 Gl8D GELl;  
4 =/5  
测试有效性保证; <xM$^r)  
设计保证?测试保证?筛选?可靠性? tLCu7%P>  
设计指标?来源工艺水平,模块水平,覆盖率 9V&} %  
,=sbK?&  
晶圆测试:接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 O/g|E47  
晶圆的工艺参数监测dice, EdGA#i3  
芯片失效分析13488683602 ^u'hl$`^  
k1tJ$}  
_)|_KQQu  
芯片测试:ATE测试项目来源,边界扫描 fP3e{dVf  
.OhpItn  
X3[gi`  
l e+6;'Q  
A/5??3H  
故障种类: O-m=<Fk> D  
缺陷种类: 48%-lkol)  
针对性测试: k(hYNmmo j  
#yNSQd  
性能功能测试的依据,可测试性设计:扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test 4I7B #{  
[/dGOl+  
?%RAX CK  
fP 1V1ao  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系; c:#<g/-{wM  
仿真与误差, 1{6BU!  
预研阶段 ]vj.s/F~  
顶层设计阶段 L{`S^'P<  
模块设计阶段 OJ#eh w<  
模块实现阶段 'Br:f_}  
系统仿真阶段 %=p:\+`VI  
系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 +'fy%/  
后端版面设计 R7)\w P*l5  
测试矢量准备 _#[~?g`  
后端仿真 ed3d 6/%HR  
生产 \YUl$d0  
硅片测试 .'`7JU#{  
顶层设计: b1+6I_u.  
书写功能需求说明 Z_b^K^4  
顶层结构必备项 /zt9;^e  
分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 C]@v60I  
完成顶层结构设计说明 V+\L@mz;  
确定关键的模块(尽早开始) +65OR'd  
确定需要的第三方IP模块 3=[#(p:  
选择开发组成员 jbQ N<`!  
确定新的开发工具 ,m4M39MWJ  
确定开发流程/路线 2!-?  
讨论风险 )-qWcf?   
预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 }iGpuoXT`  
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