晶圆测试及芯片测试

一、需求目的：1、热达标；2、故障少 FmR\`yY_,  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 Wl?<c uw00  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： DU(X,hDBF  
1、顶层设计 9.jG\i  
2、仿真 sM<:C  
3、热设计及功耗 1ME|G"$;  
4、资源利用、速率与工艺 ^75pV%<%  
5、覆盖率要求 E:%>0FE  
6、 x={kjym L  
四、具体到测试有哪些需要关注： 5NFq7&rJ6  
1、可测试性设计 Un~]
Q?w  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 Xk;Uk
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3、可靠性测试 }D(DU5r  
4、故障与测试关系 ,C
N#co  
5、 ya;@<b  
EC0zH#N  
测试有效性保证； 3@%BA(
M  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ -<H ri5  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 1fmSk$ y.9  
5Gc_LI&v7  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 g6HphRJ5s  
晶圆的工艺参数监测dice， 5^bh.uF  
芯片失效分析13488683602 7O]J^H+7  
Bi %Z2/  
!>?4[|?n<  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 ccIDMJ=2
 
?=TL2"L  
"K/[[wX
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"tEj`eR  
02;f2;I  
故障种类： GP0[Y  
缺陷种类： R994R@gz  
针对性测试： Ka[Sm|-q  
v/QEu^C  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test vQ?MM&6  
^U R-#WaQ  
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ON:c  
9;}L{yve  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； GG@iKLV  
仿真与误差， m4wPuW  
预研阶段 ly9x1`?$  
顶层设计阶段 yd\5Z[iEp  
模块设计阶段 j=`y  @~  
模块实现阶段 k8!hvJ)?  
子系统仿真阶段 6:e}v'q{  
系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 ){?mKB5  
后端版面设计 1jR=h7^=  
测试矢量准备 ahK?]:&QO  
后端仿真 Gs
x^j?  
生产 &ryl$!!3H  
硅片测试 =*@MQ  
顶层设计： !y[}|  
书写功能需求说明 IBn'iE[>  
顶层结构必备项 5WrIg(l  
分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 [flu|v  
完成顶层结构设计说明 G~b`O20N  
确定关键的模块（尽早开始） :mCw.Jz<
h  
确定需要的第三方IP模块 5?#OR!N  
选择开发组成员 4i ~eTb  
确定新的开发工具 s8`}x_k=  
确定开发流程/路线 0R2S@4%Y  
讨论风险 )&b}^1
  
预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 A&X