晶圆测试及芯片测试

一、需求目的：1、热达标；2、故障少 "t"&6\  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 n;Etn!4M  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： Y^f12%  
1、顶层设计 1 +'HKT}  
2、仿真 =Z(#j5TGvH  
3、热设计及功耗 OHha5n  
4、资源利用、速率与工艺 CiGN?1|  
5、覆盖率要求 lb('=]3 }H  
6、 >xE{& ):  
四、具体到测试有哪些需要关注： TID0x/j"K5  
1、可测试性设计 cZ~\jpK  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 .U !;fJ9  
3、可靠性测试 emI]'{_G  
4、故障与测试关系 wc'K=;c  
5、 d\ Z#XzI8  
oxPb; %  
测试有效性保证； @*c) s_  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ F-n1J?4b  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 bz? *#S  
\;A\ vQ[  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 BOp&s>hI  
晶圆的工艺参数监测dice， OAQ'/{~7  
芯片失效分析13488683602 Eqva] 4  
4n@, p0  
r8~U@$BBK  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 Up$vBE8i]  
1`_i%R^  
%R{clbbbn  
t%AW0#TZ  
/vB%gqJvX  
故障种类： Do|`wpR  
缺陷种类： ? I}T[j  
针对性测试： ?Y~>H2  
Pz"!8b-MN  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test jjm-%W@  
-j9R%+YW<  
S-h1p`  
ca_8S8lv  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； #|8!0]n'  
仿真与误差， ;.h5; `&  
预研阶段 3;`93TO{  
顶层设计阶段 `#X{
.  
模块设计阶段 pz^"~0o5  
模块实现阶段 EQ>bwEG  
子系统仿真阶段 %;PPu$8K9  
系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 8L 9;VY^Y  
后端版面设计 :OBggb#?!  
测试矢量准备 <..%@]+  
后端仿真 6#5@d^a  
生产 [:!#F7O-  
硅片测试 |P2GL3NR  
顶层设计： r/L
3j0  
书写功能需求说明 k 9Kv  
顶层结构必备项 6SsZK)X  
分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 Pwz^{*u]  
完成顶层结构设计说明 h{ce+~X  
确定关键的模块（尽早开始） g
m],  
确定需要的第三方IP模块 M)EUR0>8  
选择开发组成员 S-yd-MtQp  
确定新的开发工具 BoIe<{X(9  
确定开发流程/路线 yZFvpw|g  
讨论风险 mXF pGo5 s  
预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 qr=U=oK