晶圆测试及芯片测试

一、需求目的：1、热达标；2、故障少 0zCw>wBPW  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 wTGbd  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： ""h)LUrl  
1、顶层设计 D8nD
/||;Z  
2、仿真 qYf
|Gv  
3、热设计及功耗 UH>F|3"d  
4、资源利用、速率与工艺 {W~q z^>u4  
5、覆盖率要求 @~"anqT`  
6、 aKlUX  
四、具体到测试有哪些需要关注： @81Vc<dJ  
1、可测试性设计 ZP$-uaa-  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 *"98L+  
3、可靠性测试 hj$e|arB  
4、故障与测试关系 U{$1[,f  
5、 c.f"Gv  
}KKY6D|d>  
测试有效性保证； o|iYd n\  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ lR`'e0Lq  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 Gqcz<=/  
W$o27f  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 kWb2F7m  
晶圆的工艺参数监测dice， >'5_Y]h4m|  
芯片失效分析13488683602 ~h=X8-D  
9lj!C'  
q4$+H{xB  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 Xy5s^82?  
IU]^&e9u  
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PM  
CGP3qHrXt  
u!U"N*Y"  
故障种类： 0T5=W U  
缺陷种类： Rek -`ki5F  
针对性测试： H:JLAK  
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Z  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test XJ+6FT/qss  
cx$Gic:4  
%F9{EXJy  
&Q=ZwC7#  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； ia{c  
仿真与误差， C#=bW'C  
预研阶段 0Hw-59MK  
顶层设计阶段 c<BO gNr  
模块设计阶段 y3;q_4.  
模块实现阶段 5ZPzPUa8~  
子系统仿真阶段 Xvok1NM,  
系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 \#x}q'BC4  
后端版面设计 qxJQPz  
测试矢量准备 W"xP(7X  
后端仿真 ^D_/=4rz8  
生产 +~U=C9[gj  
硅片测试 wFIh6[3  
顶层设计： (5Tvsw`  
书写功能需求说明 `}no9$l~  
顶层结构必备项 f
Ka\7{R  
分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 5[9bWB{  
完成顶层结构设计说明 ]AS"z<  
确定关键的模块（尽早开始） ZDYJhJ.  
确定需要的第三方IP模块 '69ZdP/xX  
选择开发组成员 zN_:nY>
  
确定新的开发工具 |"$uRV=qm  
确定开发流程/路线 X7|.T0{=x  
讨论风险 ,C
i/xnI  
预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 1GE|Wd