晶圆测试及芯片测试

一、需求目的：1、热达标；2、故障少 0jzA\$oD  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 w[+!c-A:H  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： >lj3MNSH  
1、顶层设计 [T^6Kzz  
2、仿真 UetmO`qju  
3、热设计及功耗 n$?oZ*;  
4、资源利用、速率与工艺 w:N2 xI  
5、覆盖率要求 b7,qzh  
6、 K@,VR3y /  
四、具体到测试有哪些需要关注： SeTU`WLEm  
1、可测试性设计 Tc*PDt0C  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 z7_./ksQ  
3、可靠性测试 8(I"C$D!k  
4、故障与测试关系 ,-"]IR!,w  
5、 Xm-63U`w5  
BY d3rI  
测试有效性保证； K%k,-  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ KqUFf@W  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 o&O!Ur  
QezK&iJg  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 CMr`n8M  
晶圆的工艺参数监测dice， ;uDFd04w [  
芯片失效分析13488683602 X<{m;T `  
Cnr48ukq  
~;W%s  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 b1OB'P8  
D5p22WY  
<f6Oj`{f4  
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Pm
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故障种类： WDZi @9X_  
缺陷种类： HHYcFoJwYN  
针对性测试： gc=e)j@  
P:vy  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test 0>`69&;g|  
3{l"E(qqZ  
4Uiqi{}  
$3ILVT  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； ;gyE5n-{  
仿真与误差， fjFy$NX&>  
预研阶段 {;zPW!G  
顶层设计阶段 8\9EDgT  
模块设计阶段 j$^]WRt  
模块实现阶段 W#[!8d35$  
子系统仿真阶段 2~<0<^j/]  
系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 (G VGoh&  
后端版面设计 p1nA7;B-m  
测试矢量准备 hA8 zXk/'8  
后端仿真 X`b5h}c  
生产 ^~Sn{esA  
硅片测试 ?q P}=nJ  
顶层设计： E'G>'cW;x  
书写功能需求说明 YUE[
eD/  
顶层结构必备项 _+En%p.m  
分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 ?MH4<7?"  
完成顶层结构设计说明 wO#+8js  
确定关键的模块（尽早开始） [XXN0+ /  
确定需要的第三方IP模块 y6/X!+3+  
选择开发组成员 K5SO($  
确定新的开发工具 y#+o*(=fRE  
确定开发流程/路线 g8Z14'Ke  
讨论风险 (
=j!P*  
预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 w%;'
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