晶圆测试及芯片测试

一、需求目的：1、热达标；2、故障少 y~AVei&  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 :mh_G
 
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： LSa,1{  
1、顶层设计 Q]Y*K  
2、仿真 #^lL5=  
3、热设计及功耗 h58`XH  
4、资源利用、速率与工艺 T! Y@`Ox  
5、覆盖率要求 5{|7$VqPF  
6、 >Ea8G,  
四、具体到测试有哪些需要关注： fxgPhnaC>  
1、可测试性设计 `18qbot  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 0bceI  
3、可靠性测试 jSD#X3qp  
4、故障与测试关系 ?*[N_'2W+  
5、 AF;)#T<  
tvkb~  
测试有效性保证； cv-PRH#  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ l
P[w?O  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 jqWu  
CJ/X}hi,  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 kw>v:F<M  
晶圆的工艺参数监测dice， >BR(Wd.  
芯片失效分析13488683602 V]|^&A_c  
c(3~0Yr  
R0P iv:  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 5L+>ewl  
(Mo*^pVr  
MW! srTQ_  
v~f HYa>  
IpINH3odT  
故障种类： r@72|:,  
缺陷种类： [;r)9mh7  
针对性测试： ,0~^>K  
'-r).Xk  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test ^nT/i .#_  
!*s?B L  
oz,np@f)J  
l7XUXbYp&=  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； iQ tNAj  
仿真与误差， a=1NE
D'  
预研阶段 #+:9T/*>0  
顶层设计阶段 =}lh_  
模块设计阶段 X\]L=>]C  
模块实现阶段 \kp8S'qVo  
子系统仿真阶段 <Y*+|T+&d  
系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 (_ni
MQtF}  
后端版面设计 8|):`u  
测试矢量准备 k52/w)Ro,$  
后端仿真 Qiua  
生产 Y'c>:;JEe  
硅片测试 KK1gNC4R  
顶层设计： -MW_|MG  
书写功能需求说明 T m_bz&Q  
顶层结构必备项 T_i:}ul  
分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 =[H;orMr  
完成顶层结构设计说明 -(~.6WnhS  
确定关键的模块（尽早开始） Vr)<\h  
确定需要的第三方IP模块 ?^H `M|S  
选择开发组成员 cGtO +DE  
确定新的开发工具 "oTHq]Ku  
确定开发流程/路线 un)4eo!7  
讨论风险 M}`B{]lLz  
预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 G^~k)6v=m