晶圆测试及芯片测试

一、需求目的：1、热达标；2、故障少 1qm*#4x  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 #)iPvV'  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： ][YC.J  
1、顶层设计 !;${2Q  
2、仿真 vY,D02EMw  
3、热设计及功耗 6fCHd10!  
4、资源利用、速率与工艺 $e{}SQ;fW  
5、覆盖率要求 +jKu^f6  
6、 F6>oGmLy  
四、具体到测试有哪些需要关注： #%V+- b(  
1、可测试性设计 @18}'k  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 ySF^^X$J  
3、可靠性测试 \BO6.;jA  
4、故障与测试关系 E@AV?@<sc  
5、 |.-Muv  
2zuQeFsK  
测试有效性保证； 0ZZ Wj%  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ e_cK#9+  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 ^ohIJcI-  
vTIRydg2b  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 .nEiYS|T  
晶圆的工艺参数监测dice， O]Y
z7  
芯片失效分析13488683602 Ynp#3r  
xLgZtLt9  
U\-R'Z>M  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 ~@T`0W-Py  
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n9-WZsc1  
iJCv+p_f  
U"~W3vwJ  
故障种类： 'ud[#@2  
缺陷种类： ;kT~&.,y  
针对性测试： *.Z~f"SZy*  
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性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test mU.c!|Y  
\0&F'V  
k+Z2)j"  
w6pXF5ur>  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； i?7?I  
仿真与误差， Pw5[X5.DX  
预研阶段 TOG:N~  
顶层设计阶段  GfE>?mG  
模块设计阶段 hv|a8=U!R  
模块实现阶段 d_yvG.#C  
子系统仿真阶段
@:C)^f"  
系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 pAE (i7  
后端版面设计 '[ t.  
测试矢量准备 SK}sf9gTv  
后端仿真 8tx*z"2S  
生产 bC `<A  
硅片测试 .~f )4'T 9  
顶层设计： 'x*C#mt  
书写功能需求说明 JU?;Kq9R  
顶层结构必备项 Qr$'Q7  
分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 2/&=:,"t,B  
完成顶层结构设计说明 ba|xf@=&  
确定关键的模块（尽早开始） >1j#XA8  
确定需要的第三方IP模块 -V/y~/]J  
选择开发组成员 NN*L3yx  
确定新的开发工具 kpgA2u7  
确定开发流程/路线 EN!C5/M{&  
讨论风险 W"c\/]aD  
预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 3ZXAAV