晶圆测试及芯片测试

一、需求目的：1、热达标；2、故障少 2Ch!LS:+  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 ~T>_}Q[M2p  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： A:ls'MkZ4  
1、顶层设计 2]C`S,)  
2、仿真 X{\>TOk  
3、热设计及功耗 |_8::kir:  
4、资源利用、速率与工艺 S{{D G  
5、覆盖率要求 v5i
[jM8  
6、 qlD+[`=b  
四、具体到测试有哪些需要关注： )`yxJ;O@$  
1、可测试性设计 } WY7!Y  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 *O,\/aQ+  
3、可靠性测试 KB <n
-'  
4、故障与测试关系 :XEr{X  
5、 CUfD[un2D  
YuSe~~F)j  
测试有效性保证； >/nS<y>  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ QgO@oV*S  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率
0DhF3]  
+Tc<|-qQn  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 !L:!X88  
晶圆的工艺参数监测dice， Q7UFF  
芯片失效分析13488683602 *,{. oO9#  
xekW-=#a7-  
yZ)GP!cM4c  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 iq-n(Rfw~  
q0{KYWOvk  
(h7 rW3  
%YG ~ql  
\ F#mwl,>"  
故障种类： >w+WG0Z K  
缺陷种类： 'm}K$h(U  
针对性测试： ^-cj=on=Q  
\NKf$"x}  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test 5 :6^533]  
R<{bb'  
9V`/zq?  
"{105&c\  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； wX@&Qv  
仿真与误差， D oX!P|*  
预研阶段
/1ooOq]  
顶层设计阶段 q]YPDdR#  
模块设计阶段 N~_GJw@  
模块实现阶段 !}|n3wQ  
子系统仿真阶段 5s_7P"&H  
系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 E ;65kZ  
后端版面设计 $UavM|  
测试矢量准备 oh:q:St  
后端仿真 Ac'[(  
生产 UhYeyT  
硅片测试 SkBa- *MC  
顶层设计： <:0649ZB  
书写功能需求说明 dawe!w!  
顶层结构必备项 /R^Moj<  
分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 >[B}eS>  
完成顶层结构设计说明 (f^WC,  
确定关键的模块（尽早开始） ?r0#{x~  
确定需要的第三方IP模块 ne
] |\]  
选择开发组成员 _}R?&yO  
确定新的开发工具 B~QX{  
确定开发流程/路线 I1yZ7QY  
讨论风险 CdgZq\  
预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 2ikY
.Xi6