晶圆测试及芯片测试

一、需求目的：1、热达标；2、故障少 E
B VG@  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 q _Z+H4  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： 
hLj7i?  
1、顶层设计 (AZAQ xt  
2、仿真 L~AU4
Q0o  
3、热设计及功耗 3OFI>x,h  
4、资源利用、速率与工艺 <Xw\:5 F<7  
5、覆盖率要求 ]kd:p*U6P  
6、 SEVB.;  
四、具体到测试有哪些需要关注： ~;#sj&~  
1、可测试性设计 $O%"[w  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 *wx95?H0Z  
3、可靠性测试 S%aup(wu6  
4、故障与测试关系 :W;eW%Y  
5、 _s*p$/V\  
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测试有效性保证； `aTw!QBf
G  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ +lb&_eD  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 B
<i(Y1n[  
.N( X.C  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 F?[1m2  
晶圆的工艺参数监测dice， \&b 9  
芯片失效分析13488683602 [S1 b\f#  
c0Pj})-  
-K3d u&j  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 YmOj.Q&  
fvk(eWB  
k||dX(gl  
S`$%C=a.  
|1zfXG,R  
故障种类： *<X1M~p$  
缺陷种类： )K$YL='kX  
针对性测试： Lq;T\m_de  
lX.-qCV"B  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test U8J9 #+:  
v>j,8E  
eL~3CAV{  
b b.UtoPz  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； 7F2 RH 8)  
仿真与误差， 1wFW&|>1  
预研阶段 ="v`W'Pd  
顶层设计阶段 <bb!BS&w  
模块设计阶段 c@Br_-  
模块实现阶段 (~o"*1fk>  
子系统仿真阶段 bX$1PYX  
系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 ?dbSm3  
后端版面设计 qS9<_if2  
测试矢量准备 `hdff0  
后端仿真 J]#rh5um  
生产 W
MC\J(@.  
硅片测试 m#8(l{3|  
顶层设计： ar#73f  
书写功能需求说明 >KL=(3:":p  
顶层结构必备项 (xHu@l!]  
分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 Ar[|M2|  
完成顶层结构设计说明 K1^7v}P  
确定关键的模块（尽早开始） TA0(U$ 4  
确定需要的第三方IP模块 /# ]eVD  
选择开发组成员 ~\<$H'  
确定新的开发工具 AH:uG#  
确定开发流程/路线 "w%:5~u9  
讨论风险 kmX9)TMVO  
预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 )obgEJ7Y`l