晶圆测试及芯片测试

一、需求目的：1、热达标；2、故障少 E( *$wD  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 r0j:ll d  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： S3j/(BG  
1、顶层设计 XUUS N  
2、仿真 v?h#Ym3e<  
3、热设计及功耗 fwxyZBr  
4、资源利用、速率与工艺 %r~TMU2"  
5、覆盖率要求 *Xl&N- 04  
6、 .6OE8w 1  
四、具体到测试有哪些需要关注： O*yc8fUI  
1、可测试性设计 WFN5&7$W  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 n2Ycq&O  
3、可靠性测试 ]b<k%  
4、故障与测试关系 -F|(Y1OE  
5、 kS?!"zk>  
8 s:sMU:Q  
测试有效性保证； m2<sVTN`^  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ HcQ{ok9u  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 `t ZvIy*  
GXRK+RHuBi  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 bEy j8=P;  
晶圆的工艺参数监测dice， |$9k z31  
芯片失效分析13488683602 XF{}St~(  
|'=R`@w~0  
kfA%
%A  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 2fI?P  
Z:9"7^+  
5oWR}qqFK  
iu&'v  
't^OIil  
故障种类： @oug^]a  
缺陷种类： ](-:l6  
针对性测试： PGu6hV{  
&gcKv1a\  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test v*l1"0$  
\nPa>2r  
oe4Fy}Y_;  
B7T(9Tj+Fh  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； T3)/?f?|  
仿真与误差， s'fHhG6  
预研阶段 =QOtag1;  
顶层设计阶段 IM)\-O\Wd  
模块设计阶段 oXV  
模块实现阶段 n>Q/XQXB  
子系统仿真阶段 "i4@'`r  
系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 2Wq)y1R<T  
后端版面设计 <q%buyQna  
测试矢量准备 0D:J d6\  
后端仿真 8KT|ixs  
生产 Sep}{`u  
硅片测试 HDA!;&NRS  
顶层设计： ~0t]`<y=  
书写功能需求说明 Nm:nSqc  
顶层结构必备项 mTYEK4}  
分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 [|xHXcW  
完成顶层结构设计说明 z9YC9m)jK  
确定关键的模块（尽早开始） )1Os+0az  
确定需要的第三方IP模块 70a7}C\/o  
选择开发组成员 7oh6G  
确定新的开发工具 "f(iQI  
确定开发流程/路线 l)HF4#Bs  
讨论风险 KE&Y~y8O\  
预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 n4qj"xQ