晶圆测试及芯片测试

一、需求目的：1、热达标；2、故障少 j/<y  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 .( h$@|Y  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： SR& mHI-f0  
1、顶层设计 pQ 6#L  
2、仿真 ~vGtNMQg  
3、热设计及功耗 RfBb{?PP)  
4、资源利用、速率与工艺 YfwJBzD  
5、覆盖率要求 C._sgO  
6、 [M^[61  
四、具体到测试有哪些需要关注： EY
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1、可测试性设计 4Aew )   
2、常规测试：晶圆级、芯片级 @;fE%N  
3、可靠性测试 pRvs;klf  
4、故障与测试关系 LUNs|\&  
5、 ;_/q>DR>,3  
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测试有效性保证； qb4;l\SfT  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ B)]{]z0+`  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 A+*oT(`  
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晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 <aaDW  
晶圆的工艺参数监测dice， B  bw1k  
芯片失效分析13488683602 y8vH?^:%<  
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Sz|CreFK16  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 )v=G}j^  
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故障种类： RLz`aBT  
缺陷种类： _P<lG[V  
针对性测试： fG2&/42J  
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性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test OawrS{  
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As~p1%nok  
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芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； [A9,!YY  
仿真与误差， 1Bk*G>CX9(  
预研阶段 5o| !f  
顶层设计阶段 %?oU{KzQ@;  
模块设计阶段 7ml0  
模块实现阶段 :aq>  
子系统仿真阶段 GoSWH2N  
系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 fuD1U}c  
后端版面设计 LAY)">*49H  
测试矢量准备 oT)VOkFq  
后端仿真 StZRc\k  
生产 id tQXwa  
硅片测试 `Kc %S^C'  
顶层设计： sRyw\v-=P  
书写功能需求说明 {,f!'i&b@  
顶层结构必备项 UW/3{2  
分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 R;E"Qdt  
完成顶层结构设计说明 Gr#rM/AfCK  
确定关键的模块（尽早开始） jqGo-C~  
确定需要的第三方IP模块 ^?
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选择开发组成员 JNFT6T)T15  
确定新的开发工具 Hx
2j=Q_dw  
确定开发流程/路线 '^ e/F)0  
讨论风险 J7?)$,ij%  
预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 ]EM)_:tRf