晶圆测试及芯片测试

一、需求目的：1、热达标；2、故障少 ?$8 ,j+&I  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 $lG--s  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： {D2d({7  
1、顶层设计 7_'k`J@_  
2、仿真 ~zOU/8n ,F  
3、热设计及功耗 TXk"[>,:H  
4、资源利用、速率与工艺 [r< Y0|l,m  
5、覆盖率要求 Hd@T8 D*A  
6、 +P6  
四、具体到测试有哪些需要关注： b!tZbX#  
1、可测试性设计 r@V(w`  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 1p5q}">z  
3、可靠性测试 eEds-&_  
4、故障与测试关系 {~p %\  
5、 apWrcaj  
'`A67bdq)  
测试有效性保证； nOoh2jUM  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ By"ul:.D  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 !Q/O[6  
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A?  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 _@3O`
 
晶圆的工艺参数监测dice， "kuBjj2  
芯片失效分析13488683602 kd2'-9  
l[j0(T  
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芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描
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Wv'B[;[)  
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I Y-5/
 
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故障种类： Dg4^ C  
缺陷种类： Gqu0M`+7  
针对性测试： !~DkA7i55  
@[N~;>  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test f2K3*}P  
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k5\ zGsol  
s5|)4Zac  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； 9Yne=R/]  
仿真与误差， =:}DD0o*  
预研阶段 \}&w/.T  
顶层设计阶段 BHBR_7  
模块设计阶段 %[F;TZt  
模块实现阶段 F>{uB!!L4  
子系统仿真阶段 #z5?Y2t7~^  
系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 .:Xe*Q  
后端版面设计 uPD_s[  
测试矢量准备 VFp)`+8  
后端仿真 S^_yiV S  
生产 8y )i,"  
硅片测试 f*f9:xUY  
顶层设计：  ]@ 0V  
书写功能需求说明 ~$9"|  
顶层结构必备项 b<MMli  
分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 ,=yIfbFQ  
完成顶层结构设计说明 J\},o|WI  
确定关键的模块（尽早开始） (.t:sn"P  
确定需要的第三方IP模块 {-Oc8XI/  
选择开发组成员 4y)1*VU:  
确定新的开发工具 4h@of'  
确定开发流程/路线 bJ[1'Es`  
讨论风险 )CU(~s|s  
预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 A}}t86T