晶圆测试及芯片测试

一、需求目的：1、热达标；2、故障少 h9m|f|cH  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 XZk%5t|
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三、具体到芯片设计有哪些需要关注： BQWgL  
1、顶层设计 | WJ]7C  
2、仿真 y>t:flD*  
3、热设计及功耗 E)m \KSwh  
4、资源利用、速率与工艺 FEu}zt@  
5、覆盖率要求 ws`r\k]3J  
6、 +Eb-|dM  
四、具体到测试有哪些需要关注： )?ra
dg  
1、可测试性设计 9c}C<s`M  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 _J\zj  
3、可靠性测试 %fS1gSfh  
4、故障与测试关系 <7ANXHuSW  
5、 ] H;E(1iU  
Y1r'\@L w  
测试有效性保证； Gev\bQa  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ |Tmug X7  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 3O*
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ZhCz]z~tj6  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 ;sYDs71y  
晶圆的工艺参数监测dice， 'MYKAnZ-i  
芯片失效分析13488683602 <Tgubv+J  
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S6bYd`  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 x1wD`r  
sx+k V A  
<astIu Au  
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)Rbt0   
故障种类： c %Y*XJ'  
缺陷种类： [V?HK_~  
针对性测试： rC|nE=i  
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性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test z"7?I$NQ  
AX{<d@z`j  
LC=M{\  
N4VZl[7?  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； w-)JCdS6Tb  
仿真与误差， lgVT~v{U`n  
预研阶段 *$VeR(QN  
顶层设计阶段 Tg@G-6u0c  
模块设计阶段 #+6j-^<_6  
模块实现阶段 g8Y)90 G  
子系统仿真阶段 ;6 d-+(@  
系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 x%$6l  
后端版面设计 ^=-25%&^  
测试矢量准备 7mi=Xa:U  
后端仿真 p[WlcbBwT  
生产 V3*@n*"N;  
硅片测试 aW|=|K  
顶层设计： 9b-4BON{P  
书写功能需求说明 Y=sv   
顶层结构必备项 nw*a?$S3  
分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 tD}{/`{_t  
完成顶层结构设计说明 kd&~_=Q  
确定关键的模块（尽早开始） t`}=~/#`X  
确定需要的第三方IP模块 OBlQ   
选择开发组成员 fOSJdX0e|Q  
确定新的开发工具 L28wT)D-  
确定开发流程/路线 v%`k*n':  
讨论风险 !F6rcDKI  
预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 [=.iJ5,{2