晶圆测试及芯片测试

一、需求目的：1、热达标；2、故障少 $1Nd_pD=  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 (?&=T.*^  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： ;[0&G6g  
1、顶层设计 =hH.zrI6e  
2、仿真 `$RA< 3  
3、热设计及功耗 sq0 PBEqq  
4、资源利用、速率与工艺 lhLGG  
5、覆盖率要求 X" R<J#4  
6、 r.3KPiYK  
四、具体到测试有哪些需要关注： i6PM<X,{;  
1、可测试性设计 NX6nQ  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 8HErE<_(  
3、可靠性测试 ^>$P)=O:v  
4、故障与测试关系 I=Zx"'Um  
5、 6j9)/HP  
pK&I^r   
测试有效性保证； [J#1Ff;  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ H=MCjh&$q  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 (k"_># %  
j2n,f7hl.  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 C?Zw6M+  
晶圆的工艺参数监测dice， ,TC;{ $O5  
芯片失效分析13488683602 C;B}3g&  
y&J@?Hc>  
{bNXedZ\  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 7,$z;Lr0S  
j .A6S`  
|$lwkC)O  
aw $L$7b}  
tykB.2f  
故障种类： ZU2laqa_  
缺陷种类： '?*g%Yuz  
针对性测试： n-;y*kD  
v"DL'@$Ut{  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test _GtBP'iN  
p='-\M74K  
E8}+k o  
A7XnHPIw  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； b3$k9dmxV+  
仿真与误差， 0Fr1Ku!  
预研阶段 ,d,\-x-+/  
顶层设计阶段 !>^JSHR4t  
模块设计阶段 Wa"(m*hW  
模块实现阶段 HL{$ ^l#v  
子系统仿真阶段 hq>Csj==@  
系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 GR4?BuY,  
后端版面设计 k!XhFWb  
测试矢量准备 rp
34?/Nz  
后端仿真 VDEv>u4  
生产 `m~syKz4A  
硅片测试 kMxazx1  
顶层设计： `(4pu6uT  
书写功能需求说明 jdqj=Yc  
顶层结构必备项 3ha|0[r9  
分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 lT8\}hNI+  
完成顶层结构设计说明 t` ^Vb-  
确定关键的模块（尽早开始） dWRrG-'  
确定需要的第三方IP模块 5"Kx9n|  
选择开发组成员 =d;Vk  
确定新的开发工具 *e"a0  
确定开发流程/路线 ffDc6*.Q  
讨论风险 i^z`"3#LE  
预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 !mfJpJ