晶圆测试及芯片测试

发布:探针台 2019-09-10 13:59 阅读:2850
一、需求目的:1、热达标;2、故障少 zvv/|z2(r  
二、细化需求,怎么评估样品:1、设计方面;2、测试方面 zTn.#-7y  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注: Hm~.u.)\.  
1、顶层设计 NR^3 1&}It  
2、仿真 ')WS :\J  
3、热设计及功耗 Yic4|N?u  
4、资源利用、速率与工艺 =,s5>2  
5、覆盖率要求 PFbkkQKsT  
6、 {Q^ -  
四、具体到测试有哪些需要关注: t<^7s9r;I  
1、可测试性设计 O4^' H}*  
2、常规测试:晶圆级、芯片级 [E9_ZdB T  
3、可靠性测试 0^d<@\  
4、故障与测试关系 c48I-{?  
5、 YTfi g{a  
lvR>%I0`*  
测试有效性保证; JUq7R%"h6  
设计保证?测试保证?筛选?可靠性? P (fWJVF7  
设计指标?来源工艺水平,模块水平,覆盖率 >5t]Zlb`  
5E${  
晶圆测试:接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 - C8VDjf9  
晶圆的工艺参数监测dice, PoRP]Q*n  
芯片失效分析13488683602 aMxM3"  
g(o^'f  
;;432^jD  
芯片测试:ATE测试项目来源,边界扫描 anH]]  
u*T#? W?  
qM d4awB R  
]-OF3+l4  
<^e  
故障种类: QC1\Sn/  
缺陷种类: 6""i<oR  
针对性测试: QghL=  
tR?)C=4,  
性能功能测试的依据,可测试性设计:扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test zRm@ |IT  
PD^Cj?wm  
d(,M  
T>5N$i  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系; }~v0o# I  
仿真与误差, U@LIw6B!KL  
预研阶段 '*K%\]  
顶层设计阶段 }#Kl6x  
模块设计阶段 i~{0>"9  
模块实现阶段 |O*?[|`H  
系统仿真阶段 G~f|Sx  
系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 #*"I?B/fd8  
后端版面设计 ?+byRoY>&g  
测试矢量准备 {YIVi:4q  
后端仿真 Et;Ubj"+  
生产 07vzVsQ}p  
硅片测试 uA\KbA.c;U  
顶层设计: kM7 6?M  
书写功能需求说明 =BeJ.8$@VC  
顶层结构必备项 #\6k_toZ  
分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 `bNLmTS  
完成顶层结构设计说明 1 @q"rPE^  
确定关键的模块(尽早开始) 0BP=SCi  
确定需要的第三方IP模块 <,&t}7M/:  
选择开发组成员 \Bl`;uXb  
确定新的开发工具 pH396GFIW  
确定开发流程/路线 @-O%u* %J  
讨论风险 F^cu!-L  
预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 `OWwqLoeA  
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