晶圆测试及芯片测试

一、需求目的：1、热达标；2、故障少 - Xupq/[,  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 LC69td&  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： 4n( E;!s  
1、顶层设计 x!TZ0fq0  
2、仿真 ]TpU"JD  
3、热设计及功耗 PBqy F  
4、资源利用、速率与工艺 c-]fKj7  
5、覆盖率要求 @|-OJ4[5  
6、 @M;(K<%h  
四、具体到测试有哪些需要关注： ~4#B'Gy[  
1、可测试性设计 lvSdY(8  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 *dE^-dm#  
3、可靠性测试 D>ef  
4、故障与测试关系 I`B'1"{  
5、 L_O$>c  
W.}].7}h  
测试有效性保证； H?rg5TI0  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ Y>6.t"?Q^  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 +a)E|(cN  

GuQRn  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 '?Bg;Z'L%  
晶圆的工艺参数监测dice， 1JS2SxF  
芯片失效分析13488683602 9(1rh9`=  
OKue" p  
!XE aF]8  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 iw]k5<qKj  
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^QL 877  
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故障种类： n]? WCG}cd  
缺陷种类： kToOIx  
针对性测试： 7} O;FX+x  
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性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test (|h:h(C  
_9If/RD  
|7F*MP  
I.
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芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； H[&@}v,L  
仿真与误差， t8J/
\f=  
预研阶段 a+z2Zd!u\x  
顶层设计阶段 Epjff@7A  
模块设计阶段 #gZ|T M/h  
模块实现阶段 M@7Xp)S"  
子系统仿真阶段 e-6w8*!i  
系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 &w\I<J`T  
后端版面设计  -;c  
测试矢量准备 C8b''9t.  
后端仿真 H#(<-)j0_  
生产 w9&#~k]5  
硅片测试 _n O.-  
顶层设计： WStnzVe  
书写功能需求说明 !$xu(D.  
顶层结构必备项 dk5|@?pe  
分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 1"E\C/c  
完成顶层结构设计说明 ;)/
@Xx  
确定关键的模块（尽早开始） V|?WF&  
确定需要的第三方IP模块 I0w%8bs  
选择开发组成员 wK5_t[[  
确定新的开发工具 #uvJH8)D  
确定开发流程/路线 ?l6jG  
讨论风险 \9m*(_Qf  
预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 Ol+Kp!ocY