晶圆测试及芯片测试

一、需求目的：1、热达标；2、故障少 #ZCgpg$wM  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 > :!faWX  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： u<!!%C~+=  
1、顶层设计 vFL3eu#  
2、仿真 E0ud<'3<  
3、热设计及功耗 udp&U+L  
4、资源利用、速率与工艺 -R~;E[ {%  
5、覆盖率要求 YDi_Gl$  
6、 a}
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v9  
四、具体到测试有哪些需要关注： &5(|a"5+G  
1、可测试性设计 wC
MsaW  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 #8;^ys1f  
3、可靠性测试 _f|Au`7m  
4、故障与测试关系 TkWS-=lNH0  
5、 45/f}kvy
 
]8+%57:E  
测试有效性保证； baR{  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ qAR~js`5  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 mgG0uV  
r$k *:A$%  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 BB--UM{7  
晶圆的工艺参数监测dice， "SLN8x49(  
芯片失效分析13488683602 "!E(=W?  
~M(K{6R  
bt%k;Z]  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 v{Zh!mk* L  
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故障种类： AJt0l|F  
缺陷种类： IJS9%m#  
针对性测试： 4)JrOe&k  
4{CVBowi  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test \
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0u'2f`p*  
=<`9T_S 16  
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芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； >AN`L`%2  
仿真与误差， B*Hp  
预研阶段 pA(@gisg  
顶层设计阶段 E`LML?  
模块设计阶段 swi|   
模块实现阶段 2~R"3c+^  
子系统仿真阶段 d!G%n *  
系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 P~ffgzP  
后端版面设计 ouVR[w>V  
测试矢量准备 KDRIy@[e  
后端仿真 >/1.VT\E  
生产 -HZvz[u  
硅片测试 9y.C])(2  
顶层设计： `U2Z(9le  
书写功能需求说明 t+m$lqm  
顶层结构必备项 3<m"z9$  
分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 RBt"7'  
完成顶层结构设计说明 ZzzQXfA#  
确定关键的模块（尽早开始） `o/tpuI  
确定需要的第三方IP模块 [ {lF1+];@  
选择开发组成员 qIA!m .GC  
确定新的开发工具 OR1XQij  
确定开发流程/路线 PovPO  
讨论风险 8*>6+"w  
预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 ,6i67!lb