晶圆测试及芯片测试

一、需求目的：1、热达标；2、故障少 X|E+K  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 Du:p!nO  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： :dIQV(iW  
1、顶层设计 nVn|$ "r  
2、仿真 exO#>th1  
3、热设计及功耗 7[v@*/W@  
4、资源利用、速率与工艺 dP7Vsa+  
5、覆盖率要求 92]ZiL?k  
6、 rjHIQC C  
四、具体到测试有哪些需要关注： a,*p_:~i  
1、可测试性设计 |
W*@}D  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 Fra>|;do  
3、可靠性测试 <o!&Kk9  
4、故障与测试关系 UlNfI}#X  
5、 M'zS7=F!:  
^M"z1B]  
测试有效性保证； |4S?>e  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？
N&^xq_9&  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 wK'!xH^  
n<<=sj$\!  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 )R8%'X;U  
晶圆的工艺参数监测dice， +6hl@Fm(  
芯片失效分析13488683602 \DU^idp#  
p&sK\
 
r}0C8(oq  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 
Va@6=U7c  
ur<eew@8@i  
^@`e  
%7v@n+Q  
6L,lq;  
故障种类： 9Ue7 ~"=  
缺陷种类： l^ 0_>R  
针对性测试： yw.~trF&%  
3p3WDL7  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test O5qW*r'  
^0~c7`k`V  

>bA$SN  
Yn4)Zhkk  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； ~llMrl7  
仿真与误差， z^rhgs?4  
预研阶段 (D>y6r>r  
顶层设计阶段 f `y" a@  
模块设计阶段 cK[R1 ReH  
模块实现阶段 xaWGa1V'z  
子系统仿真阶段 hD6JW-  
系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 *5y W  
后端版面设计 g=xv+e  
测试矢量准备 t{Hh&HX  
后端仿真 X
LZ j  
生产 Any Zi'  
硅片测试 Dd0Qp-:2  
顶层设计： xvR?~  
书写功能需求说明 &nqdl+|G*  
顶层结构必备项 6Z(*cf/s  
分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 #9$V 08  
完成顶层结构设计说明 )X~Pr?52?  
确定关键的模块（尽早开始） $N;"}Gz  
确定需要的第三方IP模块 $ZI~8rI~  
选择开发组成员 (Ffb&GL  
确定新的开发工具 Km)X_}|  
确定开发流程/路线 4=Tpi`  
讨论风险 5pRY&6So  
预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 >f\zCT%cf