晶圆测试及芯片测试

一、需求目的：1、热达标；2、故障少 \;FE@  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 N2
Qb+  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： ?`+G0
VT  
1、顶层设计 %Mxc"% w  
2、仿真 jiGXFM2  
3、热设计及功耗 0/4"Jh$t  
4、资源利用、速率与工艺 k )=Gyv<  
5、覆盖率要求 mJYG k_ua  
6、 14S_HwX  
四、具体到测试有哪些需要关注： 'mm~+hp  
1、可测试性设计 <KEVA?0>  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 !;U;5e=0  
3、可靠性测试 HbZFL*2x3  
4、故障与测试关系 o @(.4+2m  
5、 g}gOAN3.  
sD{d8s[(  
测试有效性保证； 3D
X@ggE2  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ HU47S  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 9l
R-  
T/nG\WZbZn  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 3T)_(SM"  
晶圆的工艺参数监测dice， UPGS
/Xs]1  
芯片失效分析13488683602 M=t;t0  
<HXzcWQ$  
K4vOy_wT  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 r=c
m(AHF  
>^bSjE  
:7L[v9'  
E/{v6S{)Y  
uMb[0-5  
故障种类： Qk?J4 B  
缺陷种类： pdq5EUdS  
针对性测试： Gg# 1k TK  
I2^@>/p8\(  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test t+t
D  
\L:+k `  
SG{&2G  
du>d?  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； |576)  
仿真与误差， G@8wv J  
预研阶段 3,dIW*<**  
顶层设计阶段 Rd|M)  
模块设计阶段 FC q&-  
模块实现阶段 a?]~Sw"@  
子系统仿真阶段 9w}_CCj3  
系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 eQ80Kf~  
后端版面设计 \o<&s{6L  
测试矢量准备 |gwGCa+  
后端仿真 xv9G%  
生产 8!|LJI  
硅片测试 ^<`uyY))Q  
顶层设计： +BgUnu26  
书写功能需求说明
C%q]o  
顶层结构必备项 >goG\y  
分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 txFcV  
完成顶层结构设计说明 B]wfDUG  
确定关键的模块（尽早开始） $m
[*)0/  
确定需要的第三方IP模块 5.U4P<qS  
选择开发组成员 `(&GLv[i^2  
确定新的开发工具 Ur,{ZGm  
确定开发流程/路线 fK;I0J  
讨论风险 ,ek0)z.  
预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 6>F1!Q