晶圆测试及芯片测试

一、需求目的：1、热达标；2、故障少  I\_2=mL  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 dz+!yE\f$  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： RgV3,z  
1、顶层设计 (y; 6H  
2、仿真 E`_T_O=P  
3、热设计及功耗 f@YdL6&d-  
4、资源利用、速率与工艺 MuMq%uDA"  
5、覆盖率要求 bu6Sp3g  
6、 Az y`
4  
四、具体到测试有哪些需要关注： P9 HKev?y  
1、可测试性设计 :qxWANUa  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 ORrZu$n`p  
3、可靠性测试 'i$._Tx  
4、故障与测试关系 roc DO8f  
5、 hO[_ _j8  
'|=
Pw  
测试有效性保证； 4o M~  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ AJ6l#j-  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 rM.Pc?Z
 
xz0t8`NoN  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 .?s jr4   
晶圆的工艺参数监测dice， BA1H)%  
芯片失效分析13488683602 fx+_;y  
&c!6e<o[p  
94&t0j_  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 y}oA!<#3  
/7"V~c6  
Gn4b*Y&M]3  
^G`6Zg;  
}*rSg .  
故障种类： A^
M]vk%dg  
缺陷种类： |dEPy-Xe  
针对性测试： 67&IaDts  
x&DqTX?b,  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test |Q)mBvvN  
6M&ajl`o  
9d|8c > I  
%dnpO|L  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； ?XdvZf $  
仿真与误差， @~s5{4  
预研阶段 AJ>E\DK0]  
顶层设计阶段 {+#{Cha  
模块设计阶段 I,#E`)  
模块实现阶段 Drtg7v{@\  
子系统仿真阶段 m-4#s  
系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 `lE&:)  
后端版面设计 mD7NQ2:wA  
测试矢量准备 #!z-)[S.+  
后端仿真 :'%|LBc0  
生产 sE&nEc  
硅片测试 > "rM\ Q  
顶层设计： 1@{ov!YB]  
书写功能需求说明 7r?,wM  
顶层结构必备项
*LhwIY  
分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 ^A&{g.0  
完成顶层结构设计说明 Xh}q/H<  
确定关键的模块（尽早开始） 2~hdJ/  
确定需要的第三方IP模块 &Qda|  
选择开发组成员 5'f_~>1Wt  
确定新的开发工具 =7TWzUCO#  
确定开发流程/路线 X\!q8KEpR&  
讨论风险 Pq<43:*?  
预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 *A!M0TK?i,