晶圆测试及芯片测试

一、需求目的：1、热达标；2、故障少 %M))Ak4~a  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 k>7bPR5Mw  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： <XQwu*_\  
1、顶层设计 )WInPW  
2、仿真 jU* D  
3、热设计及功耗 DR,7rT{$  
4、资源利用、速率与工艺 b*H*(}A6"'  
5、覆盖率要求 IN.g  
6、 5+;Mc[V3-  
四、具体到测试有哪些需要关注： #9Ect@?N0  
1、可测试性设计 2ij&D
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2、常规测试：晶圆级、芯片级 s]|tKQGl,  
3、可靠性测试 6B|i-b$~  
4、故障与测试关系 )RT?/NW  
5、 9 M%Gnz  
Pq8oK'z-  
测试有效性保证； 9t6c*|60#n  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ H%gAgXHn  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 n:2._s T  
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晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 (CY D]n  
晶圆的工艺参数监测dice， CtV|oeJ  
芯片失效分析13488683602 r-TrA$k  
Ff(};$/&W  
MfHOn YV  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 +L`}(yLJ)9  
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故障种类： dH PvVe/  
缺陷种类： `lWGwFgg(  
针对性测试： JJ%@m;~  
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性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test BV:Ca34&  
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芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； K) fKL   
仿真与误差， 4=/jh:h  
预研阶段 PJ0~ymE1~G  
顶层设计阶段 R54ae:8  
模块设计阶段 GWWg3z.o"W  
模块实现阶段 yxHo0U  
子系统仿真阶段 >Zs!  
系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 8=TC 3]  
后端版面设计 ZY]$MZf5yo  
测试矢量准备 G<D8a2q  
后端仿真 GIH{tr1:<  
生产 +pwTM]bV  
硅片测试 tWTHyL  
顶层设计： $rmxwxz&W:  
书写功能需求说明 WA~[)S0
  
顶层结构必备项 ye9GBAj /  
分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 C@eL9R;N1  
完成顶层结构设计说明 t;6<k7h  
确定关键的模块（尽早开始） b4-gNF]Yt  
确定需要的第三方IP模块 #e-K It  
选择开发组成员 Gd_0FF.  
确定新的开发工具 ?'+]d;UO&  
确定开发流程/路线 R/Bjc}J'  
讨论风险 4KtD  k  
预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 n=V|NrU