晶圆测试及芯片测试

一、需求目的：1、热达标；2、故障少 6[m~xegG  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 eMGJx"a  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： p6JTNx
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1、顶层设计 yi$CkG}  
2、仿真 Bii'^^I;?  
3、热设计及功耗 [-
(^>Y  
4、资源利用、速率与工艺 LnR>!0:c  
5、覆盖率要求 & SXw=;B  
6、 ay8]"sa  
四、具体到测试有哪些需要关注： rPk|2l,E,3  
1、可测试性设计 V.B@@ ;  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 b9H(w%7ucU  
3、可靠性测试 =~:IiK/#  
4、故障与测试关系 <H-Nft>O  
5、 CW1l;uwtU  
q9 Df`6+  
测试有效性保证； ')xOL=w  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ &bTCTDZh  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 b0~r/M;J  
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晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 }aWy#Oe  
晶圆的工艺参数监测dice， c7mKE`  
芯片失效分析13488683602 5]O{tSj  
::Zo` vP  
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芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 .IW`?9O$E  
KVZB`c$<t  
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JBY.er`6C  
故障种类： 8maWF.xq  
缺陷种类： 7uR;S:WX  
针对性测试： 56AC%_ g>  
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性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test 9=>q0D2
 
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PVb[E03  
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芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； "L3mW=!*  
仿真与误差， 5dj" UxH  
预研阶段 *PF<J/Pr  
顶层设计阶段 Dg&6@c|  
模块设计阶段 V 20h\(\\  
模块实现阶段 W )FxN,  
子系统仿真阶段 sK2N3B&6  
系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 UhH#>2r_  
后端版面设计 R4p Pt  
测试矢量准备 4c5BlD  
后端仿真 --$* q"  
生产 c~<;}ve^z  
硅片测试 i{^T;uAE  
顶层设计： d:)#-x*h7  
书写功能需求说明 HzTmNm)  
顶层结构必备项 868X/lL  
分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 fo ~uI(
rk  
完成顶层结构设计说明 ?.e,NHf  
确定关键的模块（尽早开始） >.meecE?Q  
确定需要的第三方IP模块 B=0^Rysg  
选择开发组成员 vPDw22L;
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确定新的开发工具 ~i|6F~%3  
确定开发流程/路线 $toTMah w  
讨论风险 ^oi']O  
预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 "\wMs