晶圆测试及芯片测试

一、需求目的：1、热达标；2、故障少 :Xc@3gF  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 9rh}1eo7  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： "#mBcQ;QLV  
1、顶层设计 B|o2K}%f  
2、仿真 iy""(c  
3、热设计及功耗 w[P4&?2:  
4、资源利用、速率与工艺 5SCKP<rb  
5、覆盖率要求 P`r55@af4  
6、 M
$f7sx  
四、具体到测试有哪些需要关注： c8Z wr]DF  
1、可测试性设计 tabT0  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 8Sz})UZ  
3、可靠性测试 54zlnM$  
4、故障与测试关系 !8`3GX:B_  
5、 = k\J<  
@F(mi1QO  
测试有效性保证； vn/.}GkpU  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ ">?vir^  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 <nEi<iAY>U  
hY`\&@  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 G[jW
<'f  
晶圆的工艺参数监测dice， 3Hf0MAt  
芯片失效分析13488683602 YBh'EL}P  
V|\7')Qq  
O|_h_I-2  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 9m
Z  
4Qn$9D+?  
j65<8svl  
KZPEG!-5  
SwZA6R&  
故障种类： ~/j\Z  
缺陷种类： h=-"SW  
针对性测试： )>BHL3@  
K\|FQ^#UYm  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test 6;b~Ht  
;;&}5jc
V  
T0]MuIJ).  
-_$$Te  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； cu+FM  
仿真与误差， ](|\whI
 
预研阶段 37}D9:#5C  
顶层设计阶段 ?7{H|sI
 
模块设计阶段 $ImrOf^qt  
模块实现阶段 qe5feky  
子系统仿真阶段 l&?ii68/  
系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 :6%Z]tt  
后端版面设计 6-O_\Cq8  
测试矢量准备 Dd`Mv$*d8  
后端仿真 ->N8#XH2=  
生产 NO :a;  
硅片测试 W^"AU;^V56  
顶层设计： m8.U &0  
书写功能需求说明 .9.2Be  
顶层结构必备项  W%\C_  
分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 av~5l4YL  
完成顶层结构设计说明 (y^vqMz  
确定关键的模块（尽早开始） }NB}"%2  
确定需要的第三方IP模块 Kv~U6_=1O  
选择开发组成员 g:EVhuK  
确定新的开发工具 cph:y  
确定开发流程/路线 G}p\8Q}'  
讨论风险 )2M>3C6>f  
预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 &\_iOw8