晶圆测试及芯片测试

一、需求目的：1、热达标；2、故障少 &N;-J2M  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 Y6&wJ<   
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： >CkjUZu]&  
1、顶层设计 @u1zB:  
2、仿真 R6=$u{D  
3、热设计及功耗 }W ^: cp  
4、资源利用、速率与工艺 Wq^qpN)5Y  
5、覆盖率要求 _!|/ ;Nk  
6、  aH#l9kCb  
四、具体到测试有哪些需要关注： oTT7M`P3h  
1、可测试性设计 p6vKoI#T  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 N~F RM& x  
3、可靠性测试 B*E2.\~  
4、故障与测试关系 h
`3eu;5)  
5、 mg,j
:,  
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测试有效性保证； x
zx$TUL  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ w;l<[q?_  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 C{d7J'Avk  
I<A6Z&*un  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 Q~Z=(rP20  
晶圆的工艺参数监测dice， z.}[m,oTF  
芯片失效分析13488683602 n6k9~"?  
r 6Q Q  
xai4pF-?  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 M|] "W  
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 -@ZiS^l  
故障种类： ]TaN{
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缺陷种类： b?eu jxqg  
针对性测试： 7h)iu9j  
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性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test TB;o~>9U  

^OErq&`u  
~i.k$XGA  
$t/x;<.H  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； CR|lt  
仿真与误差， lq"f[-8a2q  
预研阶段 nF5qw>t#  
顶层设计阶段 3 LdQ]S  
模块设计阶段 x1ztfJd  
模块实现阶段 B*gdgM*`  
子系统仿真阶段 q5L51KP2  
系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 m5Tr-w$QY  
后端版面设计 $mCarFV-T  
测试矢量准备 [7YP
l9  
后端仿真 t5lO'Ll*Q]  
生产 F H1Z2  
硅片测试 ]#.]/f >-  
顶层设计： OnWx#84  
书写功能需求说明 95<EN(oUD  
顶层结构必备项 *~/OOH$"  
分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 LjU'z#  
完成顶层结构设计说明 y?SyInt  
确定关键的模块（尽早开始） WF\)fc#;_o  
确定需要的第三方IP模块 ?i`l[+G  
选择开发组成员 #M!!CX*k  
确定新的开发工具 1[]&(Pa  
确定开发流程/路线 LbtX0^  
讨论风险 b]a@  
预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 wW"z