晶圆测试及芯片测试

一、需求目的：1、热达标；2、故障少 !c{F{t-a  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 awvP;F?q|  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： >iRkhA=Vg  
1、顶层设计 ^]'_Qbi]}  
2、仿真 ^jUw4Dj~-q  
3、热设计及功耗 a@<-L  
4、资源利用、速率与工艺 Hk@Gkx_  
5、覆盖率要求 5%e+@X;j  
6、 @\XeRx;  
四、具体到测试有哪些需要关注： o kA<  
1、可测试性设计 3)6-S  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 lw[c+F7  
3、可靠性测试 Mqvo j7  
4、故障与测试关系 i}P{{kMJ  
5、 v=0G&x=/  
4oueLT(zc  
测试有效性保证； g#^MO]pY  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？
k4dC  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 z\A ),;  
H?8'(  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 "t(_r@qU/  
晶圆的工艺参数监测dice， G$MEVfd"
 
芯片失效分析13488683602 D\9-/p  
L 1!V'Hm{  
3^~J;U!3  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 o0f`/ 6o  
_`&l46  
\|HNFxT`  
@`:X,]{  
kDWEgnXK,v  
故障种类： HNv~ZAzBG-  
缺陷种类： @r/~Y]0Ye5  
针对性测试： 3u$1W@T(  
-[ gT}{k!  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test ]kTxVe  
WEif&<Y  
HdI)Z<Krp  
!Vw
1w1  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； w"s@q$}]8M  
仿真与误差， ~
~h#2SX  
预研阶段 "^\q{S&q2P  
顶层设计阶段 ~<n.5q%Z  
模块设计阶段 GgG#]a!_f  
模块实现阶段 ud$-A  
子系统仿真阶段 zZ8*a\  
系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 %NxQb'  
后端版面设计 r.\L@Y<  
测试矢量准备 `z0q:ME  
后端仿真 F9u?+y-xb  
生产 >9dD7FH  
硅片测试 ^D$|$=|DH  
顶层设计： P8,Ps+  
书写功能需求说明 bPU i44P  
顶层结构必备项 JUpV(p"-r  
分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 |2u=3#Jp  
完成顶层结构设计说明 @I`^\oJ  
确定关键的模块（尽早开始） $}gMJG  
确定需要的第三方IP模块 x1.S+:  
选择开发组成员 fx{8ERo  
确定新的开发工具 , ,{UGe3  
确定开发流程/路线 Lz'VQO1U=  
讨论风险 0B]q /G(  
预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 :lcq3iFn