晶圆测试及芯片测试

一、需求目的：1、热达标；2、故障少 SshjUNx  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 v{oHC4  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： Z!*k0<Z  
1、顶层设计 R/Te;z  
2、仿真 !]l;n Fd  
3、热设计及功耗 Q&8epO|J  
4、资源利用、速率与工艺 7O<K?;I  
5、覆盖率要求 $\q}A:  
6、 |C}= 1  
四、具体到测试有哪些需要关注： _l=X?/
 
1、可测试性设计 F~wqt7*  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 QS%t:,0lp  
3、可靠性测试 2!?=I'uMA  
4、故障与测试关系 Y;#H0v>E  
5、 =PYS5\k  
F&$~]R=&  
测试有效性保证； Cp^`-=r+  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ M sQ=1  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 >(C5&3^  
A@)ou0[n@  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。
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晶圆的工艺参数监测dice， SY$%)(c8kL  
芯片失效分析13488683602 U?A3>
 
]. 0;;v6)  
:ioD*k  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 <F?UdMT4y  
epG!V#I  
`qhZZ{s)1U  
Pa-{bhllu)  
Y InPmR  
故障种类： ky I~  
缺陷种类： ?<U">8cP  
针对性测试： L16">,5  
1ZO/R%[  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test :Hj #1-U  
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7',WLuD  
Xk}\-&C7  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； I
\@`AU  
仿真与误差， "z4V@gk  
预研阶段 zj2l&)N  
顶层设计阶段 A>%mJ3M  
模块设计阶段 LTcZdQd$  
模块实现阶段 h I7ur  
子系统仿真阶段 v)<|@TD)  
系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 =6gi4!hE  
后端版面设计 5G l:jRu  
测试矢量准备 S^A+Km3VB  
后端仿真 :(#5%6F  
生产 UnOcw  
硅片测试 j> dL:V&`  
顶层设计： t>h:s3c  
书写功能需求说明 Y'76!Y  
顶层结构必备项 #7=- zda5  
分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 X9;51JV  
完成顶层结构设计说明 <v3pI!)x  
确定关键的模块（尽早开始） PLRMW2  
确定需要的第三方IP模块 gm=LM=  
选择开发组成员 ="de+S8W  
确定新的开发工具 rY295Q  
确定开发流程/路线 UeU`U  
讨论风险 "mc ]^O  
预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 lsKQZ@LN`