晶圆测试及芯片测试

一、需求目的：1、热达标；2、故障少  EW3(cQbK  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 U\Z?taXB  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： -;'1^  
1、顶层设计 :s4p/*f  
2、仿真 v8y1b%  
3、热设计及功耗 >Q(3*d >  
4、资源利用、速率与工艺 %Ah^E$&n2  
5、覆盖率要求 >uSy  
6、 B[KJR?>  
四、具体到测试有哪些需要关注： K

N*  
1、可测试性设计 Nqu>6^-z0  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 5O\*h;U 6  
3、可靠性测试 ?]*^xL;x?  
4、故障与测试关系 78/Zk}I]  
5、 2sJ(awN>  
;cQ6g` bM\  
测试有效性保证； nJo`B4'U  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ Z4lO?S5%J  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率
g
M _hi  
rnF/H=I/  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 YxP&7oq  
晶圆的工艺参数监测dice， Rb.SY{}C  
芯片失效分析13488683602 nVi[  

[Nk3|u`h  
~m$Y$,uH  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 m&?#;J|B$  
( vca&wI!  
-:na:Vsi  
6b:tyQ  
49vcoHlf  
故障种类： -q*i_r:,  
缺陷种类： ZSG
9t2qlv  
针对性测试： <>8WQn,K  
9o+)?1\  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test MgY0q?.S=  
2K3{hxB  
07[_.i.l  
TTKs3iTXz  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； I= &stsH  
仿真与误差， Jl&-,Vjb  
预研阶段 3nhXZOO1  
顶层设计阶段 hy`?E6=9+  
模块设计阶段 4 XAQVq5  
模块实现阶段 ?W)A  
子系统仿真阶段 h]TQn
)X]  
系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 H(Z88.OM  
后端版面设计 Wh.?j>vB  
测试矢量准备 oIduxbAp  
后端仿真 nYX@J6!  
生产 [Ki0b^  
硅片测试 dzDqZQY$  
顶层设计： 1 =M ?GDc  
书写功能需求说明 QC9eUYe  
顶层结构必备项 =,UWX3`f  
分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 9;B0Mq py  
完成顶层结构设计说明 [_Qa9e  
确定关键的模块（尽早开始） 6e[VgN-s  
确定需要的第三方IP模块 egq67S  
选择开发组成员 <kx&w(=  
确定新的开发工具  7*?}:  
确定开发流程/路线 )s%[T-uKi  
讨论风险 /so8WRu.  
预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 (w}H]LQ