晶圆测试及芯片测试

一、需求目的：1、热达标；2、故障少 HisH\z/i5)  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 7--E$!9O,  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： )31xl6@  
1、顶层设计 F C=N}5u  
2、仿真 A "'h0D  
3、热设计及功耗 ~D/1U)kt  
4、资源利用、速率与工艺 $bZ5@)E  
5、覆盖率要求 Ve40H6Ox  
6、 pE.TG4  
四、具体到测试有哪些需要关注： xp]9Z]J1l  
1、可测试性设计 ~O3VX75f  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 JPg^h  
3、可靠性测试 TEC#owz  
4、故障与测试关系 UcB2Aauji  
5、 SJsbuLxR  
h6;zAM}  
测试有效性保证； sAF="uB  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ )k4&S{=  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 |HwEwL+  
[X@JH6U r  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 LvL2[xh%&  
晶圆的工艺参数监测dice， !0v3Lu~j  
芯片失效分析13488683602 6O*lZNN  
NK%Ok  
MK!Aq^Jz  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 >U]KPL[%  
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IPt !gSp  
hF5(1s}e$  
aTBFF  
故障种类： \[wbJ  
缺陷种类： n6C!5zq7U  
针对性测试： 6 8Vxy  
65rf=*kz:  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test r<Q0zKW!jN  
Qzv&  
<2OXXQ1  
 gq}c  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； Yt=2HJY  
仿真与误差， C)%qs]  
预研阶段 #+|0
o-  
顶层设计阶段 O! _d5r&,  
模块设计阶段 cPg{k}9Tvy  
模块实现阶段 ,z>w^_  
子系统仿真阶段 pxW*kS  
系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 Fn{Pmo*rs  
后端版面设计 3XNk*Y[5  
测试矢量准备 Ss\FSEN!/  
后端仿真 ENFM``dV#  
生产 1r3} V7  
硅片测试 D4~]:@v~n  
顶层设计： 4Ujy_E?^  
书写功能需求说明 h]j>S  
顶层结构必备项 }?sC1]-j&  
分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 ;ssI8\LG  
完成顶层结构设计说明 9xFI%UOb#  
确定关键的模块（尽早开始） zA/Fh(uX  
确定需要的第三方IP模块 xRqA^Ad  
选择开发组成员 9VSi2p*  
确定新的开发工具 *<X*)A{C  
确定开发流程/路线 #RHt;SFx  
讨论风险 sFsf~|  
预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 9q\_
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