晶圆测试及芯片测试

一、需求目的：1、热达标；2、故障少 ?r+
tU
 
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 uP$K{ )  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： |F<aw?%  
1、顶层设计 m8?(.BJ%  
2、仿真 b} *cw2  
3、热设计及功耗 'e)t+  
4、资源利用、速率与工艺 ;H^!yj5H  
5、覆盖率要求 ~$$V=$&  
6、 ICi- iX  
四、具体到测试有哪些需要关注： oOlI*/OMb  
1、可测试性设计 gLH(Wr~(a  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 YpL}R#  
3、可靠性测试 ZBGI_9wZ  
4、故障与测试关系 y+Pu
kHY  
5、 E(oNS\4  
;@L#0  
测试有效性保证； u-Vn
mig9  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ /vhh2`  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 "@n$(-.  
Cur)|  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 qfu;X-$4  
晶圆的工艺参数监测dice， iY2bRXA  
芯片失效分析13488683602 uxcj3xE#d  
fTeo,N  
rT#QA=YB  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 iT%UfN/q=I  
}fhVn;~}8  
rLnu\X=h$  
!CWqI)=  
YS]RG/'  
故障种类： Ov9.qNT  
缺陷种类： CUG6|qu  
针对性测试： $W09nz9?  
Gc'HF"w  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test A!J5Wz>Q5  
^j` vk  
0nS6<:  
jsR1jou6  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； ^uj+d"a)  
仿真与误差， `{/=i|6  
预研阶段 m$^7sFD$  
顶层设计阶段 iqU}t2vFrj  
模块设计阶段 C@[:}ZGMV  
模块实现阶段 6Z"%vrH  
子系统仿真阶段 ~t}:vGDj  
系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 ,9rT|:N  
后端版面设计 YPM>FDxDB  
测试矢量准备 gO5;hd[l  
后端仿真 }PXWRv.gW  
生产 {T IGPK  
硅片测试 n33SWE(  
顶层设计： gk&?h7P"<  
书写功能需求说明 &5a>5ZG}  
顶层结构必备项 %:y-"m1\u$  
分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 eAqQ~)8^  
完成顶层结构设计说明 i{8=;  
确定关键的模块（尽早开始） &F:7U!  
确定需要的第三方IP模块 Rl(b tr1w  
选择开发组成员 rYLNV!_  
确定新的开发工具 Nwc(<  
确定开发流程/路线 8(A:XQN"h  
讨论风险 V_~wWuZ-  
预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 l}wBthwCc