晶圆测试及芯片测试

一、需求目的：1、热达标；2、故障少 [9z<*@$-  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 )}~k7bb}Y  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： +TpM7QaL  
1、顶层设计 KVtnz  
2、仿真 T_[W=9  
3、热设计及功耗 yIXM}i:  
4、资源利用、速率与工艺 m3F.-KPO  
5、覆盖率要求 =XQ3sk6U  
6、 wx}\0(]Gl  
四、具体到测试有哪些需要关注： , j'=sDl  
1、可测试性设计 HpDU:m  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 ^-~.L: }q  
3、可靠性测试 7T_g?!sdMh  
4、故障与测试关系 me1ac\  
5、 Rk"VFe
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测试有效性保证； EK@yzJ%  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ lr+Kwve  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 -*e$>w[.N  
H<}<f:  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 Lt@4F   
晶圆的工艺参数监测dice， ]v rpr%K  
芯片失效分析13488683602 -66|Y  
aZ*b"3  
P6i4Dr  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 SN?jxQ  
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Iy8gQdI  
C(?>l.QGw  
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故障种类： *vJ1~SRV  
缺陷种类： iBN,YPo~  
针对性测试： H",yVD  
VG&|fekF  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test ?7^('  
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U+@yx>!  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； Mr2dhSQ!  
仿真与误差， e>nRJH8pK  
预研阶段 Ip.5I!h[Xb  
顶层设计阶段 L.U [eH  
模块设计阶段 >5/dmHPc  
模块实现阶段 r.-NfK4  
子系统仿真阶段 CyzvQfpZr  
系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 [%P_ Y/  
后端版面设计 y"e'Gg2  
测试矢量准备 .A\9|sRZ5  
后端仿真 "uTzmm$  
生产 m`nv4i#o  
硅片测试 lCWk)m8  
顶层设计： p
tb t  
书写功能需求说明 o6xl,T%  
顶层结构必备项 iP|h];a+@  
分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 nHD4J;l  
完成顶层结构设计说明 Z
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确定关键的模块（尽早开始） e`k 2g^  
确定需要的第三方IP模块 hP3I_I[qF}  
选择开发组成员 m[ay  
确定新的开发工具 W qci51y>#  
确定开发流程/路线 G A2S  
讨论风险 "E/F{6NH  
预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 ecA0z c~