晶圆测试及芯片测试

一、需求目的：1、热达标；2、故障少 7|Vpk&.>  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 SFzoRI=q
G  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： zt((TD2  
1、顶层设计 mj9|q8v{+  
2、仿真
M|y!,/'  
3、热设计及功耗 w8>lWgN  
4、资源利用、速率与工艺 2!f'l'}  
5、覆盖率要求 7ey|~u2  
6、 5m;pHgkb  
四、具体到测试有哪些需要关注： X:FyNUa  
1、可测试性设计 h1)+QLI  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 <-d-. 8  
3、可靠性测试 zv1,DnkqF  
4、故障与测试关系 +=`w  
5、 82
3y;  
}zo-%#  
测试有效性保证； Jx3a7CpX  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ yl<=_Q  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 'o_ RC{k2"  
),<h6$  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 oW7;t  
晶圆的工艺参数监测dice， VuBi_v6  
芯片失效分析13488683602 F&/}x15  
{YzpYc1  
Z,3CMWHg  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 RplcM%YJn  
EY1L5Ba.  
6{Bvl[mhI  
]~WIGl"g  
,!~U5~  
故障种类： e?aSM  
缺陷种类： KE)^S [Da  
针对性测试： [xs`Pi  
B*Q.EKD8s  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test m[5ed1+  
H]lD*3b  
V6<Ki  
Q
D[l 6  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； $EG<LmC-Q  
仿真与误差， D@mqfi(x  
预研阶段 zpcm`z  
顶层设计阶段 Yh%  
模块设计阶段 7_7^&.Hh  
模块实现阶段 RML'C:1  
子系统仿真阶段 ku
5g`ho  
系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 3~0Xe  
后端版面设计 (7aE!r\Ab  
测试矢量准备 qr/N?,  
后端仿真 2LN5}[12]  
生产 BgG+  
硅片测试 r,Pu-bhF  
顶层设计： HLt;1:b  
书写功能需求说明 XG6UV('  
顶层结构必备项 gtP;Qw'  
分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 p4zV<qZ>e  
完成顶层结构设计说明 B
oa?Ghg  
确定关键的模块（尽早开始） #lm1"~`5  
确定需要的第三方IP模块 "Zicac@N  
选择开发组成员 3412znM&  
确定新的开发工具 \RP=Gf  
确定开发流程/路线 j#XU\G  
讨论风险 |c>A3 P$=B  
预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 ?9H.JR2s%