晶圆测试及芯片测试

一、需求目的：1、热达标；2、故障少 #Wl9[W/4  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 Z~w?Qm:/  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： ;&w_.j*Is  
1、顶层设计 FFVh~em{  
2、仿真 _jCu=l_  
3、热设计及功耗 #8vl2qWbi  
4、资源利用、速率与工艺 |gk"~D  
5、覆盖率要求 {vd+cE  
6、 Ly`.~t(~l  
四、具体到测试有哪些需要关注： 2xy{g&G
 
1、可测试性设计 H%>cpwa[7  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 BG-nf1K(  
3、可靠性测试 A$zC$9{0I  
4、故障与测试关系  GVu-<R  
5、 M@.
2b.  
DoeE=X*`k  
测试有效性保证； [--] ?Dr  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ C91'dM  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 U6nC <3f F  
iqd7  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 *$t=Lh  
晶圆的工艺参数监测dice， @-1VN;N  
芯片失效分析13488683602 cKwmtmwB  
y>J6)F =  
>O1u![9K|w  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 M~saYJio  
w*Ze5j4@ \  
eg"!.ol  
S U P  
Hg(nC*#/Q  
故障种类： riglEA[^  
缺陷种类： I'R|B\  
针对性测试： srU*1jD)  
:7qJ[k{g  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test hZO=$Mm4p  
OBM&N  
C !
Lu`y  
?+{qmqN  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； 3=lQZi<]%  
仿真与误差， pN;Tt+}  
预研阶段 w4uY/!~k  
顶层设计阶段 _cc9+o  
模块设计阶段 g.Kyfs4`  
模块实现阶段 LgSVEQb6\|  
子系统仿真阶段 N?%FVF  
系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 4':U rJ+  
后端版面设计 1u~.^O}J  
测试矢量准备 n]_<6{: U  
后端仿真 _7-P8"m  
生产 `uqsYY`V  
硅片测试 o2riy'~  
顶层设计： A0uA\E4q  
书写功能需求说明 KSl@V>!_  
顶层结构必备项 } qr ,  
分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 +&)&Ny$W  
完成顶层结构设计说明 =/^{P
n  
确定关键的模块（尽早开始） [iG4qI  
确定需要的第三方IP模块 4d @ (>  
选择开发组成员 6Y=MW{=F  
确定新的开发工具 >Q# !.lH$W  
确定开发流程/路线 b0Fr]oGp  
讨论风险 McQWZ<  
预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 5sF?0P;ln