晶圆测试及芯片测试

一、需求目的：1、热达标；2、故障少 $R A4U<  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 " Sc5qG  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： rnnX|}J  
1、顶层设计 2wB.S_4"-<  
2、仿真 q%OcLZ<,  
3、热设计及功耗 6uu^A9x  
4、资源利用、速率与工艺 \ V[;t-  
5、覆盖率要求 x`]Ofr'  
6、 ^~ Ekg:`  
四、具体到测试有哪些需要关注： M0cd-Dn  
1、可测试性设计 %*$5!;  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 zWy ,Om8P  
3、可靠性测试 mSU@UD|'  
4、故障与测试关系 ;M}i
tM  
5、 7V~ "x&Eu  
AI&qU/}  
测试有效性保证； pTcbq  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ Z7JKaP9{:  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 f=t:[< )  
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晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 rlR !&  
晶圆的工艺参数监测dice， {/-y>sm  
芯片失效分析13488683602 6D/uo$1Y  
WHp97S'd  
L<bYRGz  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 j'3j}G%\T  
JT4wb]kdV  
HwB {8S?sm  
t:\l&R&  
r)gCTV(kb  
故障种类： <v]z6B@9!  
缺陷种类： ^:m^E0(H  
针对性测试： *3;UAfHv  
2$M,*Dnr  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test K'x4l,rq  
St6aYK  
q<n[.u1@  
a*D,*C5}  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； 9*4 .  
仿真与误差， YnSbw3U.I  
预研阶段 OFL
|RLiD  
顶层设计阶段 >L^xlm%7o  
模块设计阶段 gdl| ^*tc  
模块实现阶段 S"zk!2@C  
子系统仿真阶段 27m@|M] R  
系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 uM<|@`&b  
后端版面设计 (
4~X}:  
测试矢量准备 xPt*CB  
后端仿真 }7.#Dj/r6  
生产 cg,Ua!c  
硅片测试 H#35@HF*o  
顶层设计： Kv}k*A% S  
书写功能需求说明 Y=E9zUF  
顶层结构必备项 0E-pA3M6  
分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 flP>@i:e6  
完成顶层结构设计说明 IhE9snJ[  
确定关键的模块（尽早开始） fuMN"T 6%+  
确定需要的第三方IP模块 b4C
F`BG  
选择开发组成员 )Ob]T
{GY  
确定新的开发工具 #,&8&  
确定开发流程/路线 lkb2?2\+  
讨论风险 Z ] 
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预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 .Rvf/-e