晶圆测试及芯片测试

一、需求目的：1、热达标；2、故障少 u|>U`[Zpj  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 7WfirRM  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： 8tRhV2  
1、顶层设计 :'rZZeb'  
2、仿真 F"f}vl  
3、热设计及功耗 ?Wz(f{Hm  
4、资源利用、速率与工艺 H&=4y) /.  
5、覆盖率要求 `pAp[]SfQd  
6、 VE"0VB.  
四、具体到测试有哪些需要关注： DD6`k*RIk.  
1、可测试性设计 bc=u1=~w  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 .y_bV=  
3、可靠性测试
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z$` 7i  
4、故障与测试关系 xiOrk  
5、 |XA aKZA  
ID).*@(I"  
测试有效性保证； X.AWs=:-  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ }%ZG>LG5J  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 b:5%}  
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晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 JvWs/AG1  
晶圆的工艺参数监测dice， *ez~~ Y  
芯片失效分析13488683602 9q)nNX<$)  
q{Ta?|x#  
0CVsDVA  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 ?)o4 Kt'h  
vl{_M*w ;  
z'}=A  
])ALAAIc-  
-k[tFBlw  
故障种类： Or#+E2%1E  
缺陷种类： Gp3nR<+  
针对性测试： k5%0wHpk=  
g*r{!:,t  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test 8&A|)ur4  
G5nj,$F+  
:*&9TNUE@  
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芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； k E#_Pc  
仿真与误差， PxVI{:Uz  
预研阶段 ;GgQ@s@  
顶层设计阶段 Yx}"> ;\  
模块设计阶段 #nf%ojh  
模块实现阶段 Dss/>! mN  
子系统仿真阶段 ^I0GZG  
系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段
EO9kE.g  
后端版面设计 <j1d~XU}  
测试矢量准备 lfpt:5a9&  
后端仿真 7ru9dg1?  
生产 K.iH  
硅片测试 .1z$ A  
顶层设计： 9>[.=  
书写功能需求说明 o S:vTr+$  
顶层结构必备项 ekl?K~  
分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 R!V5-0%  
完成顶层结构设计说明 peTO-x^a-  
确定关键的模块（尽早开始） U3|&Jee  
确定需要的第三方IP模块 C>`.J_N  
选择开发组成员 w1"gl0ga$  
确定新的开发工具 */5<L99v  
确定开发流程/路线 ofPF}  
讨论风险 ?;r8SowZ7  
预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 DtJTnvG~B