芯片测试及晶圆测试

o}mD1q0yE  
一、需求目的：1、热达标；2、故障少 j)?I]
j/  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 f*04=R?w7>  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： V/j+Z1ZW  
1、顶层设计 V lN&Lz  
2、仿真 7Co 
}4  
3、热设计及功耗 -z)I;R  
4、资源利用、速率与工艺 N93 ZI|T  
5、覆盖率要求 3rhH0{  
6、 \/I@&$"F  
四、具体到测试有哪些需要关注： 8 C@iD%  
1、可测试性设计 CS"2Sd 1`  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 HA&][%^  
3、可靠性测试 ymT&[+V  
4、故障与测试关系 a]|P rjPI  
5、 C s?kZ %  
@5K/z<p%  
测试有效性保证； js/N qf2>  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ Q7zg i  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 BY.'0,H=k  
yeqZPzn  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 rIR~YMv!  
晶圆的工艺参数监测dice， 7 [N1Vr(1  
\74+ cN  
/\"=egB9  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 _"6{Rb53v=  
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   Rb\M63q  
故障种类： k)oD  
缺陷种类： JL45!+  
针对性测试： Q9=X|  
rwGY)9|  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test 8Ih+^Y a  
jXB<"bw  
A6YkoYgC  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； )<-\ F%&b  
仿真与误差， +K,]#$k  
n 预研阶段 zL$$G,  
n 顶层设计阶段 Ll\y2oJ  
n 模块设计阶段 G]X72R?g  
n 模块实现阶段 fT9$0:eO  
n 子系统仿真阶段 yyb8ll?@a  
n 系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 _"%mLH=!8  
n 后端版面设计 gf7%vyMo$  
n 测试矢量准备 ?a+>%uWt  
n 后端仿真 9E~=/Q=  
n 生产 FWcE\;%yVg  
n 硅片测试 42kr&UY&  
顶层设计： q'9u8b  
n 书写功能需求说明 :t+XW`eQR:  
n 顶层结构必备项 tP8>0\$)  
n 分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 i;>Yx#  
n 完成顶层结构设计说明 6Ty;m>j  
n 确定关键的模块（尽早开始） :^]rjy/|+  
n 确定需要的第三方IP模块 ~'k.'O{  
n 选择开发组成员 -}Vnr\
f  
n 确定新的开发工具 kBg,U8|S  
n 确定开发流程/路线 w}nc^6qH  
n 讨论风险 HfEU[p7)  
n 预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 KfD=3h=  
n 国软检测 芯片失效分析中心