芯片测试及晶圆测试

A84I*d  
一、需求目的：1、热达标；2、故障少 ygW,4Vz7J  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 l Ztq_* Fl  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： B-
N  
1、顶层设计 dBE :rZu  
2、仿真 =1!wep"  
3、热设计及功耗 Jk!}z+X'A  
4、资源利用、速率与工艺 ~3dBt@%0  
5、覆盖率要求 ff**)Xdh  
6、 Wo<zvut8  
四、具体到测试有哪些需要关注： ^sY ]N7
7  
1、可测试性设计 3+;]dqZ  
2、常规测试：晶圆级、芯片级  P 1X8  
3、可靠性测试 {a-p/\U  
4、故障与测试关系 P ^R224R  
5、 {e/Qs|a R  
{0WLY@7 2?  
测试有效性保证； 8p }E  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ X!2/cgU7  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 SWvy<f4<  
w8:~LX.n  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 R;,+0r^i  
晶圆的工艺参数监测dice， pP;GDW4  
\/*r45!  
( ?3 )l  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 <\
|f;7/  
i|0H {q  
   m*tmmP4R  
故障种类：  s de|t  
缺陷种类： @[D-2s  
针对性测试： ~rN~Ql%S  
a*o#,T5A  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test `{s:lf  
'Pk ( 1:  
UbE*x2N  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； x>m_ v  
仿真与误差， |Tuk9d4]  
n 预研阶段 )=V0  
n 顶层设计阶段 8q{ %n   
n 模块设计阶段 m{gx\a.5  
n 模块实现阶段 'z0@|a  
n 子系统仿真阶段 y)X1!3~(  
n 系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 D|} y{~  
n 后端版面设计 Z.Z+cFi  
n 测试矢量准备 h1} x2  
n 后端仿真 hVo]fD|W  
n 生产 4<CHwIRHY  
n 硅片测试 }A;J-7g6  
顶层设计： h lD0^8S  
n 书写功能需求说明 E#X(0(A)  
n 顶层结构必备项 v@TP_Ka  
n 分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 =t\HtAXn[  
n 完成顶层结构设计说明 1nhC! jDD  
n 确定关键的模块（尽早开始） /DA'p[,  
n 确定需要的第三方IP模块 %b<cJ]F  
n 选择开发组成员 G]X72R?g  
n 确定新的开发工具 7'\<\oT  
n 确定开发流程/路线 &$ZJfHD@  
n 讨论风险 p"EQ6_f  
n 预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 *oqQ=#\  
n 国软检测 芯片失效分析中心