芯片测试及晶圆测试

`+\$  
一、需求目的：1、热达标；2、故障少 1[Yl8W%pj  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 #n|5ng|CJ  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： Lv%t*s2$/  
1、顶层设计 ANw1P{9*  
2、仿真 IP#vfM  
3、热设计及功耗 ~s Hd
OMw  
4、资源利用、速率与工艺 ;u'VR}4ph  
5、覆盖率要求 0/f|Z
H ~!  
6、 Bv@p9 ] n  
四、具体到测试有哪些需要关注： )Wq1af   
1、可测试性设计 TU~y;:OJ  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 c{y'&3\  
3、可靠性测试 zi6J|u  
4、故障与测试关系 v0 :n:q  
5、 SEzjc ~@3  
"*X\'LPs=  
测试有效性保证； JX5/PCO  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ :3Q:pKg  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 vkGF_aenk  
Ep./->fOA  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 \o
s"w "  
晶圆的工艺参数监测dice， nN<,rN{:  
t`Z3*?UqI  
?
B ,<gen  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 /FXvrH(  
d<j`=QH  
   _dk[k@5W{'  
故障种类： *Ts$Hj[  
缺陷种类： Ff/Ap&0+  
针对性测试： Posz|u<x  
>e6OlIW  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test de W1>yh^_  
u,8)M'UU  
5"57F88Y1  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； (nB[aM  
仿真与误差， SceHdx(]  
n 预研阶段 y-.{){uaD  
n 顶层设计阶段 @uRJl$3  
n 模块设计阶段 !zOj`lx  
n 模块实现阶段 [#@lsI  
n 子系统仿真阶段 aB;f*x  
n 系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 w>X@ ,  
n 后端版面设计 ^\B4]'+^j  
n 测试矢量准备 eJ45:]_%I@  
n 后端仿真 \)uA:v  
n 生产 a~LA&>@  
n 硅片测试 3;Yd"  
顶层设计： -n|>U:  
n 书写功能需求说明 iLBORT!;  
n 顶层结构必备项 ER9{D$  
n 分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 Lwi"K8.u  
n 完成顶层结构设计说明 P2jh[a%  
n 确定关键的模块（尽早开始） PA ZjA0d  
n 确定需要的第三方IP模块 %b*N.v1+  
n 选择开发组成员 ; ,sNRES3  
n 确定新的开发工具 n5"oXpcIx  
n 确定开发流程/路线 ;[ Dxk$"  
n 讨论风险 %JSRC<,a  
n 预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 qZ[HILh!  
n 国软检测 芯片失效分析中心