芯片测试及晶圆测试

发布:探针台 2019-08-16 10:26 阅读:2856
%' /^[j#  
一、需求目的:1、热达标;2、故障少 p^w_-( p  
二、细化需求,怎么评估样品:1、设计方面;2、测试方面 4n*`%V  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注: T%A"E,#  
1、顶层设计 <B'PB"R3y  
2仿真 o7^0Lo5Z?  
3、热设计及功耗 iI;np+uYk  
4、资源利用、速率与工艺 8Y_lQfJa  
5、覆盖率要求 (+}44Ldt  
6 wScr:o+K>L  
四、具体到测试有哪些需要关注: cUO$IR)yL  
1、可测试性设计 3_>=Cv}  
2、常规测试:晶圆级、芯片级 tF\_AvL_8  
3、可靠性测试 -wVuM.n(Z  
4、故障与测试关系 *J{E1])<a  
5 \(}pm#O  
q3`~uTzk  
测试有效性保证; q{+}0!o  
设计保证?测试保证?筛选?可靠性? >>cL"m  
设计指标?来源工艺水平,模块水平,覆盖率 e'p"gX  
6n;? :./  
晶圆测试:接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 LYiIJAZ.  
晶圆的工艺参数监测dice x`I"%pG  
`XM0Mm%  
6!8uZ>u%Vg  
芯片测试:ATE测试项目来源,边界扫描 \odns  
`~\8fN  
   R+2~%|{d  
故障种类: KL*+gq0k  
缺陷种类: u>:j$@56  
针对性测试: s<oT,SPt  
P<;Puww/  
性能功能测试的依据,可测试性设计:扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test ^gkKk&~A5?  
Htfq?\ FD  
Io t c>!  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系; ,(]k)ym/  
仿真与误差, deJ/3\t  
n 预研阶段 ff=RKKnN  
n 顶层设计阶段 x3F94+<n{  
n 模块设计阶段 c:+UC  
n 模块实现阶段 c=^69>w  
n 系统仿真阶段 Lhrlz,1  
n 系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 shO4>Ha  
n 后端版面设计 nU0##  
n 测试矢量准备 Qz"//=hC|H  
n 后端仿真 Wys$#pJ  
n 生产 N`qGwNT%G  
n 硅片测试 PZ#aq~>w  
顶层设计: U[:=7UABU?  
n 书写功能需求说明 xk3)#*  
n 顶层结构必备项 zy.v[Y1!  
n 分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 ?j)#\s2  
n 完成顶层结构设计说明 v- p8~u1N  
n 确定关键的模块(尽早开始) %d<UMbS^  
n 确定需要的第三方IP模块 Z_7TD)  
n 选择开发组成员 B*P;*re  
n 确定新的开发工具 b@sq}8YD|z  
n 确定开发流程/路线 Do5{t'm3  
n 讨论风险 .y0u"@iF  
n 预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 ;iJ}[HUo  
n 国软检测 芯片失效分析中心
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