芯片测试及晶圆测试

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一、需求目的：1、热达标；2、故障少 , DuyPBAms  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 DV?c%z`YO  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： '%|Um3);0p  
1、顶层设计 +Y+fM  
2、仿真 `v(!IBP|  
3、热设计及功耗 w=nS*Qy2  
4、资源利用、速率与工艺 AVz907h8  
5、覆盖率要求 (:H4
  
6、 &`!H1E^  
四、具体到测试有哪些需要关注： { .i^&
 
1、可测试性设计 m/g[9Y  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 USgO`l\}4  
3、可靠性测试 ZZ}HgPZ  
4、故障与测试关系
'T
|QG@q  
5、 OS(Ua  
+sZY0(|K8  
测试有效性保证； /55 3v;l<  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ (3x2^M8  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 
AKLFUk  
o<s~455m/  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 .db:mSrL  
晶圆的工艺参数监测dice， "_rpErm }  
6m(+X MS  
{^:i}4ZRl  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 +
:C
.G[+  
W+V &  
   (L1O;~$  
故障种类： !8 l&%  
缺陷种类：
B.Z5+MgM  
针对性测试： @v6{U?  
>A L^y(G  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test
;;^?vS  
Ba%b]vp  
DoeE=X*`k  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； [--] ?Dr  
仿真与误差， C91'dM  
n 预研阶段 rc{F17~vX  
n 顶层设计阶段 7S_"h*Ud  
n 模块设计阶段 2mthUq9b*  
n 模块实现阶段 7W/55ZTmJ  
n 子系统仿真阶段 7bM H  
n 系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 u]3VK  
n 后端版面设计 )Y1+F,C  
n 测试矢量准备 cR6#$-a  
n 后端仿真 w*Ze5j4@ \  
n 生产 eg"!.ol  
n 硅片测试 YMwL(m1  
顶层设计： do< N+iK  
n 书写功能需求说明 Ao9=TC'v$'  
n 顶层结构必备项 ]MMXpj,9h  
n 分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 srU*1jD)  
n 完成顶层结构设计说明 `g}en%5b\  
n 确定关键的模块（尽早开始） ;ejtP #$  
n 确定需要的第三方IP模块 c<)O#i@3/  
n 选择开发组成员 %SMP)4Y/R  
n 确定新的开发工具 bFIv}c+;  
n 确定开发流程/路线 gEq";B%?  
n 讨论风险 _#E@&z".L  
n 预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 !V0)
eC50  
n 国软检测 芯片失效分析中心