芯片测试及晶圆测试

3Mr)oM<Q  
一、需求目的：1、热达标；2、故障少 oA_AnD?G+  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 H)t8d_^|j  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： w}oH]jVKL6  
1、顶层设计 [u,B8DX  
2、仿真 j"}alS`-  
3、热设计及功耗 wyvs#T  
4、资源利用、速率与工艺 JcvK]x  
5、覆盖率要求 CZ|Y o  
6、 {#Mz4s`M  
四、具体到测试有哪些需要关注： a+r0@eFLc  
1、可测试性设计 @0n #Qs|E!  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 V"T;3@N/4  
3、可靠性测试 V..m2nQj  
4、故障与测试关系 |]\qI  
5、 Gq+!%'][P  
)v0m7Lv#/  
测试有效性保证； 0^:O:X  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ zF\k*B  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 Z</$~ T  
_g$6vx&  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 *hFT,1WE=+  
晶圆的工艺参数监测dice， <@@.~Qm'  
g0_8:Gs}^  
l,,5OZw  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 2Hy$SSH  
H }</a%y  
   -DU[dU*~  
故障种类： +}X@{DB  
缺陷种类： MLId3#Q  
针对性测试： spd>.Cm`  
YadyRUE  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test m|=/|Hm  
]7c715@  
ECU:3KH>MF  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； +r4^oT[-  
仿真与误差， /d8PDc"  
n 预研阶段  A5Y z|  
n 顶层设计阶段 b[$l{RQ[?  
n 模块设计阶段 q31swP  
n 模块实现阶段 LI"ghz=F  
n 子系统仿真阶段 cKF 8(  
n 系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 sq&$  
n 后端版面设计 ix*n<lCoC  
n 测试矢量准备 xNE<$Bz  
n 后端仿真 uK3,V0 yz  
n 生产 0j_`7<,:  
n 硅片测试 ks:Z=%o   
顶层设计： v3
4XcA  
n 书写功能需求说明 co@Q   
n 顶层结构必备项 z.P) :Er  
n 分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 `?91Cw=`  
n 完成顶层结构设计说明 l9#M`x9  
n 确定关键的模块（尽早开始） |BF4F5wC?  
n 确定需要的第三方IP模块 l*b3Mg  
n 选择开发组成员 ]"{K5s7  
n 确定新的开发工具 V 7%rKK  
n 确定开发流程/路线 D]Bvjh  
n 讨论风险 j`='SzVloW  
n 预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 `NyvJt^<  
n 国软检测 芯片失效分析中心