芯片测试及晶圆测试

发布:探针台 2019-08-16 10:26 阅读:2438
F(T=WR].o  
一、需求目的:1、热达标;2、故障少 9QX&7cs&[  
二、细化需求,怎么评估样品:1、设计方面;2、测试方面 F?}m8ZRv  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注: $ 1ak I  
1、顶层设计 fG u5%T,  
2仿真 /IGrp.}  
3、热设计及功耗 6b-  
4、资源利用、速率与工艺 3m-edpH  
5、覆盖率要求 0|WOReskK  
6 N b#H@zm  
四、具体到测试有哪些需要关注: ZrmnQ  
1、可测试性设计 0lLr[  
2、常规测试:晶圆级、芯片级 SlH7-"Ag  
3、可靠性测试 u+%)JhIp  
4、故障与测试关系 5"76R Gw=  
5 $k a1X&f  
H=JP3ID>{  
测试有效性保证; ~@b9  
设计保证?测试保证?筛选?可靠性? -=-x>(pRW7  
设计指标?来源工艺水平,模块水平,覆盖率 n`FQgC  
v&t`5-e-A  
晶圆测试:接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 U92B+up-  
晶圆的工艺参数监测dice [i,5>YIk  
;cS~d(%  
a(Gk~vD;"  
芯片测试:ATE测试项目来源,边界扫描 <[ g$N4  
+=n x|:no  
   UQC'(>.}  
故障种类: ANA2S*r  
缺陷种类: *X-~TC0 [  
针对性测试: / t%"Dh 8x  
rwi2kk#@P  
性能功能测试的依据,可测试性设计:扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test #C;#$|d  
Y\Fuj)  
&(z8GYBr  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系; y1@"H/nYJ  
仿真与误差, [#H8=  
n 预研阶段 @F""wKnV  
n 顶层设计阶段 B}TInI%H  
n 模块设计阶段 !5g)3St  
n 模块实现阶段 ql%]$`IV6  
n 系统仿真阶段 i9#`F.7F  
n 系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 L!G9O]WB  
n 后端版面设计 7|{%CckN  
n 测试矢量准备 l(0&6ENyj  
n 后端仿真 <.y^  
n 生产 I&Eg-96@  
n 硅片测试 Tko CyD9  
顶层设计: hc@;}a\Y  
n 书写功能需求说明 37ri b  
n 顶层结构必备项 AW{/k'%xw  
n 分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 { V =:O  
n 完成顶层结构设计说明 E| 8s2t  
n 确定关键的模块(尽早开始) T$>=+U  
n 确定需要的第三方IP模块 ]R2Z-2  
n 选择开发组成员 #!<+:y'S?  
n 确定新的开发工具 45!`g+)  
n 确定开发流程/路线 \fQgiX  
n 讨论风险 &H p\("  
n 预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 BT*K,p  
n 国软检测 芯片失效分析中心
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