芯片测试及晶圆测试

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一、需求目的：1、热达标；2、故障少 FjK3 .>'  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 F ;{
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三、具体到芯片设计有哪些需要关注： D5$wTI  
1、顶层设计 {SwQ[$k=_  
2、仿真 WxW7qt  
3、热设计及功耗 U3 */v4/  
4、资源利用、速率与工艺 IKABBW  
5、覆盖率要求 B,M(@5
wz  
6、 gfX\CSGy  
四、具体到测试有哪些需要关注： ykv94i?Q  
1、可测试性设计 Acnl^x7Y1  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 QN@CPuy  
3、可靠性测试 _=+V/=  
4、故障与测试关系 ^sa#8^,K  
5、 kV?y0J.  
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测试有效性保证； F\fWvXdW  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ 6726ac{xz  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 qi;f^9M%  
z)'Mk[  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 UH]l9Aq$P  
晶圆的工艺参数监测dice， dArDP[w  
Fp@TCPe#  
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芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 +cIUGFp}  
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   !g Z67  
故障种类： /3A^I{e74  
缺陷种类： Em?d*z  
针对性测试： _8"O$w  
eK.e|z|  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test y|CP;:f;  
f-}[_Y%;  
)A!>=2M`  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； s
W)Zi  
仿真与误差， iOwx0GD.n  
n 预研阶段 $SM#< @  
n 顶层设计阶段 
MxWy*|J}  
n 模块设计阶段 k:JrHBKv\  
n 模块实现阶段 /E Bo3`  
n 子系统仿真阶段 u@~JiiC%  
n 系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 eAX )^q  
n 后端版面设计 x8Retuv  
n 测试矢量准备 b|cyjDMAA  
n 后端仿真 3BB%Z6F  
n 生产 {S,l_d+(  
n 硅片测试 (ohq0Y  
顶层设计： )_mr! z(S  
n 书写功能需求说明 ,stN  
n 顶层结构必备项 )E6;-rD0^+  
n 分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 B+[A]dgS  
n 完成顶层结构设计说明 \zieyE  
n 确定关键的模块（尽早开始） *:>"q ej  
n 确定需要的第三方IP模块 hQ]H /+\  
n 选择开发组成员 )jkXSTZ  
n 确定新的开发工具 Mu2  
n 确定开发流程/路线 _{R=B8Zz\  
n 讨论风险 _cy2z  
n 预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 ?47@o1  
n 国软检测 芯片失效分析中心