芯片测试及晶圆测试

MS Ml  
一、需求目的：1、热达标；2、故障少 ~s :Ml  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 cVg!"  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： L=7U#Q/DE  
1、顶层设计 F)W7,^=X>-  
2、仿真 dKOW5\H'  
3、热设计及功耗 .3{PgrZ  
4、资源利用、速率与工艺 v-V#?+#  
5、覆盖率要求 63J_u-o  
6、 !zhg3B#p  
四、具体到测试有哪些需要关注： |Ew~3-u!  
1、可测试性设计 k,~I>qg  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 M!{;:m28X!  
3、可靠性测试
C&&*6E5  
4、故障与测试关系 b"au9:F4@7  
5、 7+,6m!4  
),G?f {`!  
测试有效性保证； 4oY<O  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ )9^0Qk' ]  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 rQ^X3J*`
 
w3,1ImrXp  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 (1
L9K;  
晶圆的工艺参数监测dice， x>u
\  
k *a?Ey$  
%Fh*$gzh*5  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 <.DFa/G   
wkO8  
   X-tc Ud  
故障种类： dSD7(s!  
缺陷种类： sXD.*D  
针对性测试： &a'H vQV  
 #E[{  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test m+f?+c6  
*PXlbb  
xKilTh_.6  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； =F(fum;zH  
仿真与误差， >i`V-"x  
n 预研阶段 Mr5E\~K>s  
n 顶层设计阶段 D{Zjo)&tF'  
n 模块设计阶段 7e{w)m:A  
n 模块实现阶段 ,rvw E  
n 子系统仿真阶段 Dr;-2$Kt/&  
n 系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 
Js`xTH'  
n 后端版面设计 2wHvHH!  
n 测试矢量准备 #].n0[  
n 后端仿真 o\_@4hXf  
n 生产 [k"@n+%  
n 硅片测试 mkA1Sh{hX>  
顶层设计： $6W o$c%  
n 书写功能需求说明 E]^wsS>=  
n 顶层结构必备项 XZ@;Tyn0,  
n 分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 Kt(Z&@
 
n 完成顶层结构设计说明 tBtG- X2  
n 确定关键的模块（尽早开始） QB<9Be@e  
n 确定需要的第三方IP模块 ~Rs_ep'+Q2  
n 选择开发组成员 a3&&7n  
n 确定新的开发工具 ;TaR1e0  
n 确定开发流程/路线 ^8,Y1r9`$  
n 讨论风险 y^7ol;t  
n 预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 J! ;g.q  
n 国软检测 芯片失效分析中心