芯片测试及晶圆测试

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一、需求目的：1、热达标；2、故障少 emA!Ew(g  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 qSO*$1i  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： pyW u9  
1、顶层设计 xUYow  
2、仿真 hGP1(pH.  
3、热设计及功耗 I&1!v8  
4、资源利用、速率与工艺 *[kxF*^  
5、覆盖率要求 j:1uP^.  
6、 | D.C!/69  
四、具体到测试有哪些需要关注： n!N\zx8  
1、可测试性设计 Dr"/3xm  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 hP
ufzhT  
3、可靠性测试 8HoP(+?  
4、故障与测试关系 X$wehMBX  
5、 MPRO !45Z  
@5}gsC  
测试有效性保证； J^I7BsZ  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ 5z]\$=TE  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 Ls:=A6AGM  
wTpD1"_R  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 G+Dpma ]  
晶圆的工艺参数监测dice， X_70]^XL  
_JOP[KHb  
"jZm0U$,*  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 u+% tPe  
jFj~]]j  
   f:%SW  
故障种类： [a8+(  
缺陷种类： 4=p@2g2"H  
针对性测试： 2X@G"  
MtG_9-  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test ;1LG&h,K  
"r-l8r,  

x9}++r  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； [b5(XIGUN}  
仿真与误差， 3%M.U)|+  
n 预研阶段 X
U#,Bu{  
n 顶层设计阶段 y-cw~kNPP3  
n 模块设计阶段 Z! YpklZ?~  
n 模块实现阶段 jpO38H0)  
n 子系统仿真阶段 OKQLv+q5K)  
n 系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 yzc pG6,  
n 后端版面设计 I>((o`  
n 测试矢量准备 {Nq?#%vdT  
n 后端仿真 YkbO&~.  
n 生产 yH(V&Tv  
n 硅片测试 D_aR\  
顶层设计： #,P(isEZ"  
n 书写功能需求说明 9N}W(>  
n 顶层结构必备项 ~N[|bPRmhE  
n 分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 mG}k 3e-  
n 完成顶层结构设计说明 kukaim>K  
n 确定关键的模块（尽早开始） Cj$H[K}>  
n 确定需要的第三方IP模块 =8S}Iat  
n 选择开发组成员 b]dxlj} <  
n 确定新的开发工具 \UtS>4w\  
n 确定开发流程/路线 X RRJ)}P  
n 讨论风险 4qBY%1  
n 预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 qP`?M\!O  
n 国软检测 芯片失效分析中心