芯片测试及晶圆测试

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一、需求目的：1、热达标；2、故障少 #Jy+:|jJ  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 5WO!u:!'  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： "3Dvc7V  
1、顶层设计 jS5e"LMIq  
2、仿真 <9"s&G@  
3、热设计及功耗 ).9-=P HlX  
4、资源利用、速率与工艺 \Wt&z,  
5、覆盖率要求 ;1NZY.pyc  
6、 Y;e@`.(  
四、具体到测试有哪些需要关注： ]}ff*W  
1、可测试性设计 Uk S86`.  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 2a5yJeaIv*  
3、可靠性测试 >6:slNM#  
4、故障与测试关系 $ ohwBv3S  
5、 =WyAOgy}  
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j28vR  
测试有效性保证； aMm`G}9n  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ :7W5R  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 bkmX@+Pe  
q1r\60M  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 /P^@dL  
晶圆的工艺参数监测dice， AW+4Vm_!l  
EQ?4?  
K._1sOw'"Y  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 ]K XknEaxl  
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   {4}Sl^kn*  
故障种类： OTN"XKa$  
缺陷种类： g\rujxHlH  
针对性测试： A"vI6ud>  
-<ZzYQk^h  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test xqP0Z),Ow  
Sl:\5]'yJ  
m"86O:S#d  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； /Klwh1E  
仿真与误差， 8 Sl[&  
n 预研阶段 bTO$
B2eh|  
n 顶层设计阶段 ~+
l%}4RZ  
n 模块设计阶段 tSYe
Z~  
n 模块实现阶段 5Tn4iyg;B  
n 子系统仿真阶段 j|lg&kN  
n 系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 (>WV
)  
n 后端版面设计 p7.@ez ;  
n 测试矢量准备 y"t5%Iv  
n 后端仿真 8y|(]5 'r  
n 生产 Q{>9Dg  
n 硅片测试 Bw{@YDO{  
顶层设计： t:m t9}$d  
n 书写功能需求说明 ~+CNED0z+  
n 顶层结构必备项 pC5-,Z;8  
n 分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 8Yb/ c*  
n 完成顶层结构设计说明 H{yPi7 P  
n 确定关键的模块（尽早开始） dr'6N1B@  
n 确定需要的第三方IP模块 "_?^uymw  
n 选择开发组成员 g](m& O  
n 确定新的开发工具 tG%R_$*  
n 确定开发流程/路线
~ikTo -  
n 讨论风险 .P=!M  
n 预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 IgN,]y  
n 国软检测 芯片失效分析中心