芯片测试及晶圆测试

发布:探针台 2019-08-16 10:26 阅读:3093
('~LMu_  
一、需求目的:1、热达标;2、故障少 Hp?/a?\Xm  
二、细化需求,怎么评估样品:1、设计方面;2、测试方面 M%#e1"n  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注: 7 [7"A  
1、顶层设计 vSh`&w^*  
2仿真 >sbu<|]a 7  
3、热设计及功耗 JI5Dy>u:  
4、资源利用、速率与工艺 s^SJY{  
5、覆盖率要求 pot~<d`:K"  
6 (.,G=\!  
四、具体到测试有哪些需要关注: M=Wz  
1、可测试性设计 K^[?O{x^B  
2、常规测试:晶圆级、芯片级 adw2x pj  
3、可靠性测试 4P0}+  
4、故障与测试关系 0YHFvy)  
5 2pAW9R#UV-  
W!<U85-#S  
测试有效性保证; &{i{XcqH'  
设计保证?测试保证?筛选?可靠性? ;rS{:  
设计指标?来源工艺水平,模块水平,覆盖率 SAz   
aDCwI:Li(  
晶圆测试:接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 pJ{Y lS{  
晶圆的工艺参数监测dice i9$ Av  
r :dTz  
gFh*eCo   
芯片测试:ATE测试项目来源,边界扫描 '<M{)?  
EQ ttoOO  
   W8<%[-r  
故障种类: _G0 x3  
缺陷种类: c`W,~[Q<O+  
针对性测试: w>YDNOk  
[ 3HfQ  
性能功能测试的依据,可测试性设计:扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test 7 d vnupLh  
yHGADH0B  
 @8 6f  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系; ;=N# `l  
仿真与误差, q*KAk{kR(v  
n 预研阶段 n*$ g]G$  
n 顶层设计阶段 2?x4vI np;  
n 模块设计阶段 cu6Opq9  
n 模块实现阶段 ry!!9Z>9n  
n 系统仿真阶段 `2snz1>!j  
n 系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 u4j5w  
n 后端版面设计 b]y2+A.n  
n 测试矢量准备 ~m |BC*)  
n 后端仿真 M`>E|" <  
n 生产 % `3jL7|  
n 硅片测试 |^aKs#va  
顶层设计: r3Ykz%6  
n 书写功能需求说明 $^ P0F9~0  
n 顶层结构必备项 4Up/p&1@  
n 分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 O84i;S+-p  
n 完成顶层结构设计说明 xA/D'  
n 确定关键的模块(尽早开始) ]tD]Wx%  
n 确定需要的第三方IP模块 }*-@!wc-N  
n 选择开发组成员 PeT'^?>  
n 确定新的开发工具 ]oxZ77ciL  
n 确定开发流程/路线 0mnw{fE8_  
n 讨论风险 PdCEUh\>y  
n 预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 q7!{?\T%  
n 国软检测 芯片失效分析中心
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