芯片测试及晶圆测试

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一、需求目的：1、热达标；2、故障少 /o}0oo5B  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 )0 42?emn  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： y:^>
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1、顶层设计 ,~ia$vI}R  
2、仿真 It!.*wp  
3、热设计及功耗 H*:r>
Lm=  
4、资源利用、速率与工艺 dmTW]P2  
5、覆盖率要求 2+
r)VF:  
6、 B[U.CAUn  
四、具体到测试有哪些需要关注： cr=FMfhB  
1、可测试性设计 nw]e_sm  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 !m/Dd0  
3、可靠性测试 k:HSB</}  
4、故障与测试关系 aLyhxmn ^)  
5、 BW(DaNt^  
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测试有效性保证； aaa#/OWQZ  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ vSHIl"h  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 VQW)qOR9  
*M\i4FO8  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 LF3GVu,  
晶圆的工艺参数监测dice， 4'4s EjyA  
QWQ6j#`  
{0Ol/N;|D  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 1SJHX1CxX  
4|o{_g[  
   z6>ZV6(d2^  
故障种类： (HX[bG`  
缺陷种类： 5 xzB1n8  
针对性测试： 6O|\4c;  
;?L[]Ezzt  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test ;0_J7  
qKb-aP-  
xYkgNXGs5  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； NcY0pAR*  
仿真与误差， C,e$g
 
n 预研阶段 N=?kEX O  
n 顶层设计阶段 tEs[zo+DR-  
n 模块设计阶段 (A<sFw?  
n 模块实现阶段 =D"63fP1  
n 子系统仿真阶段 V/wc[p ~  
n 系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 ]bU'G$Qm&s  
n 后端版面设计 F8r455_W"  
n 测试矢量准备 ,knI26Jh  
n 后端仿真 ~9>[U%D  
n 生产 OD!CnK  
n 硅片测试 QT&Ws+@ s{  
顶层设计： W/F
4wEODY  
n 书写功能需求说明 hq[gj?P  
n 顶层结构必备项 "jN-Yd,z  
n 分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 Y`_X@Q  
n 完成顶层结构设计说明 GWE0 UO}  
n 确定关键的模块（尽早开始） v]Q_  
n 确定需要的第三方IP模块 Ru\Lr=9  
n 选择开发组成员 ii]=C(e9  
n 确定新的开发工具 1?#p !;&  
n 确定开发流程/路线 rOf  
n 讨论风险 :W<,iqSCm  
n 预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 "Ohpb!J9  
n 国软检测 芯片失效分析中心