芯片测试及晶圆测试

发布:探针台 2019-08-16 10:26 阅读:2864
f4tia .  
一、需求目的:1、热达标;2、故障少 wkm SIN:  
二、细化需求,怎么评估样品:1、设计方面;2、测试方面 HKxrBQr78  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注: J7cqnj  
1、顶层设计 uwQ4RYz  
2仿真 UT{N ly8u  
3、热设计及功耗 &H+<uYV  
4、资源利用、速率与工艺 [e^i".  
5、覆盖率要求 R,^FJ  
6 3QR-8  
四、具体到测试有哪些需要关注: iTK1I0  
1、可测试性设计 _%L3?PpF"  
2、常规测试:晶圆级、芯片级 >=Rb:#UM  
3、可靠性测试 0>?mF]M  
4、故障与测试关系 Sv>aZ  
5 Z$hxo )|  
Xs?>6i@$$  
测试有效性保证; ftH 0aI  
设计保证?测试保证?筛选?可靠性? Sqge5v  
设计指标?来源工艺水平,模块水平,覆盖率 &WRoNc  
eb8_guZ  
晶圆测试:接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 g,W#3b6>j  
晶圆的工艺参数监测dice #F6ak,9S4  
\Q)~'P3  
iH$N HfH  
芯片测试:ATE测试项目来源,边界扫描 3&*%>)  
.s9Iymz  
   k/mY. 2yPv  
故障种类: #]'V#[;~  
缺陷种类: w'e enIX^^  
针对性测试: 9"aTF,'F/  
WUV Q_<i+  
性能功能测试的依据,可测试性设计:扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test ujSzm=_P  
So 5{E 4[  
x-QP+M`Pu  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系; * K7L5.  
仿真与误差, FG(`&S+,  
n 预研阶段 97 g-*K  
n 顶层设计阶段 @kK=|(OB'  
n 模块设计阶段 BA5= D>T-  
n 模块实现阶段 E:tUbWVp  
n 系统仿真阶段 N1-LM9S  
n 系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 hPH7(f|c{g  
n 后端版面设计 Jzj~uz  
n 测试矢量准备 JU6np4  
n 后端仿真 p?h;Sv/  
n 生产 %In"Kh*  
n 硅片测试 i0!F  
顶层设计: 4CCux4)N  
n 书写功能需求说明 CNz[@6-cYU  
n 顶层结构必备项 4~/6d9f  
n 分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 ]aR4U`  
n 完成顶层结构设计说明 D0P% .r"v  
n 确定关键的模块(尽早开始) j AE0$u~.  
n 确定需要的第三方IP模块 93dotuF  
n 选择开发组成员 |)_R bqZ  
n 确定新的开发工具 ,ym;2hJ  
n 确定开发流程/路线 M}<=~/k`j  
n 讨论风险 Rb0{t[IU  
n 预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 4s8E:I=K  
n 国软检测 芯片失效分析中心
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