芯片测试及晶圆测试

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一、需求目的：1、热达标；2、故障少 tz4 ]hF  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 WPo:^BD   
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： T%(C-Quh  
1、顶层设计 QU T"z'  
2、仿真 cy|%sf`  
3、热设计及功耗 5ZK&fKeCF  
4、资源利用、速率与工艺 p@ygne4  
5、覆盖率要求 )K
Y:m |Z  
6、 m'x;,xfY&F  
四、具体到测试有哪些需要关注： |]W2EV ,b  
1、可测试性设计 sDC*J\X  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 VFj(M j`}G  
3、可靠性测试 !

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4、故障与测试关系 {)@D`{$  
5、 gnLn7?  
Jdj?I'XtY  
测试有效性保证； zizk7<?L.  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ [2 zt ^  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 {38\vX,I(w  
y=aV=qD  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 d
Mvp&M\\'  
晶圆的工艺参数监测dice， &yIGr`;  
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芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 1] #9  
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   2YOKM#N]  
故障种类： _xrwu;o0}  
缺陷种类： \
+nGOvM  
针对性测试： *:hyY!x  
B,vOsa"x6`  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test H&4~Uo.5  
B4g8 ~f  
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芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； 5`-UMz<
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仿真与误差， o3N]`xD'  
n 预研阶段 ^6;V}2>v}  
n 顶层设计阶段 7G93,dJ  
n 模块设计阶段 qpp/8M  
n 模块实现阶段 C#Bz>2;#  
n 子系统仿真阶段 +?m0Q;%b  
n 系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 DWiBG  
n 后端版面设计 F{m{d?:OA  
n 测试矢量准备 h<6UC%'ac  
n 后端仿真 / T c=  
n 生产 E167=BD9<  
n 硅片测试 ^G1%6\We  
顶层设计： 4n0xE[-  
n 书写功能需求说明 }< 5F  
n 顶层结构必备项 K#mOSY;}  
n 分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 8g~EL{'  
n 完成顶层结构设计说明 _\8qwDg"#e  
n 确定关键的模块（尽早开始） d8o53a]  
n 确定需要的第三方IP模块 Di5(9]o2  
n 选择开发组成员 1X1 NtS@  
n 确定新的开发工具 GK*v{`  
n 确定开发流程/路线 LnsD  
n 讨论风险 1wj:aD?g  
n 预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 g"
_C,XN  
n 国软检测 芯片失效分析中心