芯片测试及晶圆测试

发布:探针台 2019-08-16 10:26 阅读:2954
<WjF*x p  
一、需求目的:1、热达标;2、故障少 <cZGxff01  
二、细化需求,怎么评估样品:1、设计方面;2、测试方面 $KUo s+%  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注: ONx( ]  
1、顶层设计 v.Q(v\KV5  
2仿真 N-jTc?mT~&  
3、热设计及功耗 $"dR SysB  
4、资源利用、速率与工艺 {n/uh0>f*  
5、覆盖率要求 z^_*&  
6 5~Cakd ]>  
四、具体到测试有哪些需要关注: jx.[#6e  
1、可测试性设计 8 %%f%y  
2、常规测试:晶圆级、芯片级 uum;q-"  
3、可靠性测试 ^ "i l}8`  
4、故障与测试关系 g8Q5m=O*  
5 @+'-ADX  
IP``O!WP  
测试有效性保证; O=v#{ [  
设计保证?测试保证?筛选?可靠性? %)[+%57{  
设计指标?来源工艺水平,模块水平,覆盖率 [01.\eh  
c~{9a_G  
晶圆测试:接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 .Q@S #d  
晶圆的工艺参数监测dice #O$  
ysmNio  
SrFS#  
芯片测试:ATE测试项目来源,边界扫描 &FH2fMLQ  
)x}l3\s  
   K+Z+wA?  
故障种类: N2oRJ,:B  
缺陷种类: $e\h}A6  
针对性测试: Ubh{!Y  
Q:|l`*.R  
性能功能测试的依据,可测试性设计:扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test %FS$zOsgGK  
>w-;Z>3Q@  
Ma'_e=+A  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系; V$"ujRp  
仿真与误差, VOc8q-hK  
n 预研阶段 T[,/5J  
n 顶层设计阶段 2<`.#zIds  
n 模块设计阶段 |,#t^'S!  
n 模块实现阶段 [zL7Q^~  
n 系统仿真阶段 masT>vM  
n 系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 /;7y{(o  
n 后端版面设计 e1>aTu@  
n 测试矢量准备 |\n@3cIK  
n 后端仿真 V?P,&c?84  
n 生产 Di@GY!  
n 硅片测试 UPc<gB  
顶层设计: M t*6}Cl  
n 书写功能需求说明 /,MJq#@K  
n 顶层结构必备项 c&X{dJWD   
n 分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 DHw&+MY  
n 完成顶层结构设计说明 2:BF[c`  
n 确定关键的模块(尽早开始) Q\GDrdA  
n 确定需要的第三方IP模块 eVt$7d?Jw  
n 选择开发组成员 ?Zc"C  
n 确定新的开发工具  U3izvM  
n 确定开发流程/路线 qS/V"|G(  
n 讨论风险 -D N8Yb  
n 预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 h)6GaJ=  
n 国软检测 芯片失效分析中心
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