芯片测试及晶圆测试

发布:探针台 2019-08-16 10:26 阅读:2890
ss}-YnG  
一、需求目的:1、热达标;2、故障少 %saP>]o  
二、细化需求,怎么评估样品:1、设计方面;2、测试方面 qLb~^'<iD  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注: ~MC 5rOA  
1、顶层设计 }vOg9/[{  
2仿真 @&&} J  
3、热设计及功耗 *y7 Yf7  
4、资源利用、速率与工艺 S^|`*%pq  
5、覆盖率要求 )m8Gbkj<  
6 ]+a~/  
四、具体到测试有哪些需要关注: SSla^,MHef  
1、可测试性设计 4gev^/^^  
2、常规测试:晶圆级、芯片级 &[j9Up'   
3、可靠性测试 w6h83m 3  
4、故障与测试关系 Q(aNa!  
5 ,xrA2  
v@SHR0  
测试有效性保证; Sw; kUJ  
设计保证?测试保证?筛选?可靠性? 1pG|jT+Bi  
设计指标?来源工艺水平,模块水平,覆盖率 LJb=9tp~  
j7a }<\  
晶圆测试:接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 /U!B2%vq_  
晶圆的工艺参数监测dice "s]  
4I2:"CK06  
$8&Y(`  
芯片测试:ATE测试项目来源,边界扫描 P*K"0[\n  
'm |T"Ym~  
   [*(1~PrlO,  
故障种类: g@s`PBF7`  
缺陷种类: C@]D*k  
针对性测试: ntPj9#lf  
+e*C`uP!  
性能功能测试的依据,可测试性设计:扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test p< 0=. ~  
B<-("P(q  
SB('Nqih  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系; na9YlJ\  
仿真与误差, 09P2<oFLn  
n 预研阶段 V9Mr&8{S4  
n 顶层设计阶段 us1$  
n 模块设计阶段 yX{7<\x   
n 模块实现阶段 M[O22wFs  
n 系统仿真阶段 %(6+{'j~#  
n 系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 ;vPFRiFK  
n 后端版面设计 =?+w5oI0  
n 测试矢量准备 qLxcr/fK  
n 后端仿真 m*jE\+)=^  
n 生产 W+=j@JY}q9  
n 硅片测试 *>zOWocxD  
顶层设计: K8-1?-W  
n 书写功能需求说明 eNi#% ?=WB  
n 顶层结构必备项 >Je$WE3  
n 分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 hJ[keaO  
n 完成顶层结构设计说明 >d"\  
n 确定关键的模块(尽早开始) "SQyy  
n 确定需要的第三方IP模块 3Rsrb  
n 选择开发组成员 _99 +Vjy  
n 确定新的开发工具 t.RDS2N|  
n 确定开发流程/路线 lf KV%  
n 讨论风险 _7;G$\^&.  
n 预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 [okV[7  
n 国软检测 芯片失效分析中心
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