芯片测试及晶圆测试

发布:探针台 2019-08-16 10:26 阅读:2889
6 [k\@&V-  
一、需求目的:1、热达标;2、故障少 [.K1i ZyTi  
二、细化需求,怎么评估样品:1、设计方面;2、测试方面 NxfOF  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注: a a<8,;  
1、顶层设计 t1]K<>g  
2仿真 wDw[RW3  
3、热设计及功耗 @<,X0S  
4、资源利用、速率与工艺 '-wj9OU  
5、覆盖率要求 5b5x!do  
6 +20G>y=+  
四、具体到测试有哪些需要关注: ~cWAl,(B<F  
1、可测试性设计 #OZ>V3k  
2、常规测试:晶圆级、芯片级 7 G)ZN{'  
3、可靠性测试 p}&#jE  
4、故障与测试关系 eFipIn)b  
5 y@1+I ~@  
{vs uPY  
测试有效性保证; i|c'Lbre`  
设计保证?测试保证?筛选?可靠性? PYQ;``~x  
设计指标?来源工艺水平,模块水平,覆盖率 +2(I1  
\1d (9jR  
晶圆测试:接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 "_P;2N6  
晶圆的工艺参数监测dice AJt+p&I[J  
}I2wjO  
w}L]X1#sF  
芯片测试:ATE测试项目来源,边界扫描 md=TjMaY  
1}S S+>`  
   ycc4W*]  
故障种类: 9K.Vb1&  
缺陷种类: :1^LsLr5  
针对性测试: 5]~'_V  
uyO/55;HO  
性能功能测试的依据,可测试性设计:扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test ~3^ 8>d/  
R$v[!A+:'  
i1UiNJh86  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系; !NIhx109q  
仿真与误差, s kv GU(G}  
n 预研阶段 imo$-}A  
n 顶层设计阶段 <qtr   
n 模块设计阶段 ?fiIwF)  
n 模块实现阶段 w2 ;eh]k  
n 系统仿真阶段 ?:pP8/y  
n 系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 )5rb&M}  
n 后端版面设计 %fc !2E9|  
n 测试矢量准备 c7<wZ  
n 后端仿真 jGJLSEe_  
n 生产 [I0:=yJ+  
n 硅片测试 \?w2a$?6w  
顶层设计: 1!ii;s^e  
n 书写功能需求说明 VQ"hUX8  
n 顶层结构必备项 Sw:7pByjI  
n 分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 "C }b%aO:  
n 完成顶层结构设计说明 wHzEMwY_  
n 确定关键的模块(尽早开始) 6q*9[<8  
n 确定需要的第三方IP模块 j-0z5|*KE  
n 选择开发组成员 81](T<  
n 确定新的开发工具 ^({})T0wu  
n 确定开发流程/路线 1G"z<v B  
n 讨论风险 +Um( h-;  
n 预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 r/4``shg  
n 国软检测 芯片失效分析中心
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