芯片测试及晶圆测试

~A^E  
一、需求目的：1、热达标；2、故障少 I*^5'N'  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 XOu+&wOu  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： SV
$nyV  
1、顶层设计 i/NDWVFD  
2、仿真 _^_5K(Uq  
3、热设计及功耗 r0)JUc}Fyq  
4、资源利用、速率与工艺 6yE'/VB<  
5、覆盖率要求 %9t{Z1$  
6、 f"vk# 3  
四、具体到测试有哪些需要关注： _,DO~L  
1、可测试性设计 }sf YCz  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 }TSgAwsbC  
3、可靠性测试 Kb^>X{  
4、故障与测试关系 ^ Xm/  
5、 mfZ)^X  
,%A)"doaG  
测试有效性保证； :~
vxZ*a  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ ?Fce!J  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 X6Un;UL  
uc'p]WhQ  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 ID)^vwn  
晶圆的工艺参数监测dice， `-4'/~G  
(jMtN?&0H-  
DH:J  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 y|^EGnaE  
 ( :  
   haCKv   
故障种类： ERF,tLa!  
缺陷种类： q^5yk=2fq  
针对性测试： 0Y7$d`  
kB8 Mi
 
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test @!e~G'j%VD  
os[ZIHph  
E(_KN[}S  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； @cZ\*,T  
仿真与误差， VKy5=2&  
n 预研阶段 ba8 6 N  
n 顶层设计阶段 ZT6V/MD7T.  
n 模块设计阶段 J7:9_/e0T  
n 模块实现阶段 W]_g4,T>  
n 子系统仿真阶段 [q1Unm  
n 系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 Dv@PAnk3C  
n 后端版面设计 0E-pA3M6  
n 测试矢量准备 >:2}V]/;  
n 后端仿真 "qawq0P8Z
 
n 生产 fuMN"T 6%+  
n 硅片测试 b4C
F`BG  
顶层设计： FY8!g'.Oe  
n 书写功能需求说明 kae2 73"  
n 顶层结构必备项 A;,Dg=FL/  
n 分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 f3G1r5x  
n 完成顶层结构设计说明 1SUzzlRx  
n 确定关键的模块（尽早开始） p;0 PxL=  
n 确定需要的第三方IP模块 +oZH?N4yaM  
n 选择开发组成员 JdiP>KXV  
n 确定新的开发工具 *hF^fxLbl  
n 确定开发流程/路线 m2(E>raV6  
n 讨论风险 :k~dj C  
n 预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 _8^0!,j  
n 国软检测 芯片失效分析中心