芯片测试及晶圆测试

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一、需求目的：1、热达标；2、故障少 YIk@{V  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 5mAb9F8@  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： qXtC7uNj$  
1、顶层设计 !mK()#6  
2、仿真 W<q<}RSn  
3、热设计及功耗 a?W5~?\9  
4、资源利用、速率与工艺 j*QdD\)  
5、覆盖率要求 :?f+*  
6、 8~T}BC  
四、具体到测试有哪些需要关注： |r+ x/,2-  
1、可测试性设计 BZ\="N#f  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 ZW?h\0Hh  
3、可靠性测试 SXsszb:_  
4、故障与测试关系 ! #Pn_e  
5、 >4ex5  
E#P#{_BR^  
测试有效性保证； 2}<t
zDI'  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ F(1E@xs  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 LHtO|Utn(  
3fLdceT  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 E0qJ.v  
晶圆的工艺参数监测dice， 7B0`.E^~  
3\Amj}RJ  
HxK'u4I  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描  2l,>x  
t5 >ma:^j  
   KF&8l/f  
故障种类： lfBCzxifC  
缺陷种类： [`tOhL  
针对性测试： >yc),]1~  
'R1C-U3w,  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test < R"Y^]P=  
D;JZ0."  
MY{Kq;FvRP  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； y a$yRsd`  
仿真与误差， \@PMj"p|:  
n 预研阶段 JAHmmNlW  
n 顶层设计阶段 <nJGJ5JJ  
n 模块设计阶段 F$>#P7ph\a  
n 模块实现阶段 '[6]W)f  
n 子系统仿真阶段 z~Zm1tZs  
n 系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 e}O&_j-  
n 后端版面设计 \u.5_ g  
n 测试矢量准备 8]&Fu3M^  
n 后端仿真 ],AtR1k  
n 生产 4+qo=i  
n 硅片测试 tY#&_%W  
顶层设计： 2G|}ENC  
n 书写功能需求说明 R:P),
 
n 顶层结构必备项 ,ng/T**@G  
n 分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 zx)}XOYf  
n 完成顶层结构设计说明 (M;d*gNr  
n 确定关键的模块（尽早开始） 0F uj-q  
n 确定需要的第三方IP模块 )%/ Ni^  
n 选择开发组成员 j^/<:e c.  
n 确定新的开发工具 Wv3p!zW3I  
n 确定开发流程/路线 v+EJ $  
n 讨论风险 n{|j#j  
n 预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 FM3.z)>  
n 国软检测 芯片失效分析中心