芯片测试及晶圆测试

I?Hj,lN  
一、需求目的：1、热达标；2、故障少 s=u0M;A0Q  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 _LxV)  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： Y+F$]!hw  
1、顶层设计 [p_R?2uT  
2、仿真 aG?'F`UQ  
3、热设计及功耗 wwmMpK}f  
4、资源利用、速率与工艺 Y[X5S{H`wj  
5、覆盖率要求 G]=U=9ZI  
6、 !nU  
四、具体到测试有哪些需要关注： 0`3ey*  
1、可测试性设计 x.<^L] "  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 Oh5(8.<y  
3、可靠性测试 e}-uU7O  
4、故障与测试关系 I7hPE7V+1  
5、 :DR G=-M  
?so3Kj6H  
测试有效性保证； =3^YKI  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ [`yiD
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设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 &:nWZ!D  
Hvnak{5  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 Bz }Kdyur  
晶圆的工艺参数监测dice， x\3tSP7Vp  
hJrxb<9@Y0  
ph<Z/wlz  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 H7H'0C  
NV^ktln  
   cs8bRXjHa  
故障种类： t9zPJQlT}  
缺陷种类： VQ$=F8ivG  
针对性测试： xEOR\(Z^  
<u&uwD~A  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test ?k<wI)JR  
ghx8dX}  
s@'};E^]@r  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； {Ejv8UdA9  
仿真与误差， m Wsegq4  
n 预研阶段 Z>Rd6o'  
n 顶层设计阶段 e-]k{_wm  
n 模块设计阶段 ;#G>qo  
n 模块实现阶段 |0b$60m$!t  
n 子系统仿真阶段 M+ ^]j  
n 系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 H2zd@l:R  
n 后端版面设计 /#G^?2oM  
n 测试矢量准备 mRW(]OFIai  
n 后端仿真 3`5?Zgp  
n 生产 '_4u, \SG  
n 硅片测试 qF%wl  
顶层设计： a' .o  
n 书写功能需求说明 Ni(D[?mZ  
n 顶层结构必备项 _g0 qpa  
n 分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 6aX m9J  
n 完成顶层结构设计说明 'N,x=1R5  
n 确定关键的模块（尽早开始） \
I/l6H>o3  
n 确定需要的第三方IP模块 #D .H2'_}  
n 选择开发组成员 TEE$1RxV(  
n 确定新的开发工具  UY+~,a  
n 确定开发流程/路线 R0gjx"U  
n 讨论风险 9 /t}S6b{  
n 预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 %_@8f|# ,M  
n 国软检测 芯片失效分析中心