芯片测试及晶圆测试

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一、需求目的：1、热达标；2、故障少 a2[r
Y  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 G+&p
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三、具体到芯片设计有哪些需要关注： #-o 'g!  
1、顶层设计 /P
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2、仿真 u@;e`-@  
3、热设计及功耗
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Y@I  
4、资源利用、速率与工艺 91-[[<  
5、覆盖率要求 8Wo!NG:V5  
6、 dvM%" k  
四、具体到测试有哪些需要关注： mL-6+pJ@  
1、可测试性设计 H>Ucmd;ay  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 J0imWluhQ  
3、可靠性测试 )}P/xY0  
4、故障与测试关系 r@}8TE*|P  
5、 \8g= Ix  
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测试有效性保证； gZiwXb  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ "jLC!h^N  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 >=:^N-a  
tyWDa$u,u  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 K { FZ/  
晶圆的工艺参数监测dice， NwxDxIIH/)  
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{VXucGI|  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 &F:.OVzX  
[k0/ZfFwV  
   LJom+PxF$x  
故障种类： -:kIIK   
缺陷种类： &E1m{gB(  
针对性测试： 4U16'd  
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性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test MMUlA$*t  
5^R?+<rd  
];jp)P2o  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； a6Joa&`dv  
仿真与误差，
t-5Y,}j  
n 预研阶段 o@7U4#E  
n 顶层设计阶段 0OQ*V~>f  
n 模块设计阶段 0qIg:+l+  
n 模块实现阶段 dWY{x47  
n 子系统仿真阶段 L^zh|MEyzk  
n 系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 @SyL1yFX  
n 后端版面设计 ksCF"o/@V  
n 测试矢量准备 JypP[yQ  
n 后端仿真 1/~=61msc  
n 生产 :5.F
 
n 硅片测试 nM
Z)x-  
顶层设计： }%-iJ\  
n 书写功能需求说明 =R~zD4{"  
n 顶层结构必备项 H cyoNY  
n 分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 nI&p.i6  
n 完成顶层结构设计说明 ?Pa(e)8\  
n 确定关键的模块（尽早开始） =Xg/[J%  
n 确定需要的第三方IP模块 `R>z{-@=  
n 选择开发组成员 kN78j  
n 确定新的开发工具 )TKn5[<4  
n 确定开发流程/路线 ~%C F3?e6  
n 讨论风险 Yb4
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n 预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 p:K%-
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n 国软检测 芯片失效分析中心