芯片测试及晶圆测试

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一、需求目的：1、热达标；2、故障少 4`,j=3  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 ^j7azn  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： 7`u$  
1、顶层设计 v0L\0&+  
2、仿真 4*$G & TX  
3、热设计及功耗 ->N8#XH2=  
4、资源利用、速率与工艺 NO :a;  
5、覆盖率要求 {z|;Xi::"  
6、 O$c
HZs$  
四、具体到测试有哪些需要关注： $tl\UH7%2  
1、可测试性设计 L@fY$Rw  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 XVU2T5s}  
3、可靠性测试 <_
Q1k>  
4、故障与测试关系 ,i@X'<;y  
5、 n?V+dC=F}  
H= X|h)  
测试有效性保证； S{3nM<  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ fDSv?crv  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 0V?F'<qy  
vx4+QQYP  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 }u1O#L}F5  
晶圆的工艺参数监测dice， &4_qF^9J  
\QB;Ja
_  
0iJue&  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 tor!Dl@Mo  
 Tgl}  
   Q$fmD  
故障种类： M'/aZ# b  
缺陷种类： %.vVEy  
针对性测试： VH:]@x//{  
9+pmS#>_  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test 0x!2ihf  
P67o{EdK  
]~3U  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； t]e;;q=L.  
仿真与误差， fj&i63?e  
n 预研阶段 h;0S%ZC  
n 顶层设计阶段 N 8-oY$*  
n 模块设计阶段 SV(]9^nW  
n 模块实现阶段 7hcNf,  
n 子系统仿真阶段 0P]E6hWgg  
n 系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 vI@%F
g+D  
n 后端版面设计 D:K4H+ch  
n 测试矢量准备 L{c q, jk  
n 后端仿真 ,#8e_3Z$  
n 生产 c;'[W60  
n 硅片测试 !*OJ.W&  
顶层设计： C$5[X7'  
n 书写功能需求说明 oqeSG.1  
n 顶层结构必备项 Y&K;l_  
n 分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 F,'exuZ  
n 完成顶层结构设计说明 |ely|U. Tf  
n 确定关键的模块（尽早开始） 6VhjJJ  
n 确定需要的第三方IP模块 _(KbiEB{  
n 选择开发组成员 R,Vd.-5M  
n 确定新的开发工具 &:7ZQ1  
n 确定开发流程/路线 u#@Q:tnN_  
n 讨论风险 NhYLtw^u  
n 预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 RG4sQ0
 
n 国软检测 芯片失效分析中心