芯片测试及晶圆测试

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一、需求目的：1、热达标；2、故障少 ltt%X].[  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 J{$C}8V  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： %Ua*}C   
1、顶层设计  3P/T`)V  
2、仿真 .CI]8O"3y  
3、热设计及功耗 }"fP,:n"KN  
4、资源利用、速率与工艺 'jcDfv(v<  
5、覆盖率要求 H7"I+qE-G  
6、 '2zo  
四、具体到测试有哪些需要关注： XPzwT2_E  
1、可测试性设计 `a:@[0r0U  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 FqsG#6|x  
3、可靠性测试 i>T{s-3v  
4、故障与测试关系 *P:`{ZV7=W  
5、 VYf$0oo\4  
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测试有效性保证； Gyy:.]>&  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ PK3)M'[  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 6luCi$bL  
"eI-Y`O,  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 bEbO){Fe  
晶圆的工艺参数监测dice， /j -LW1:N  
_@sqCf%|  
D8h?s  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 3w{4G<I  
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   S3hJL:3c  
故障种类：  2b1LC!'U  
缺陷种类： ;^}cZ  
针对性测试： %Iv+Y$'3B  
E(8!VY ^  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test \R&`bAdk  
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peGXU/5.I  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； HJBUN1n  
仿真与误差， $+JaEF`8  
n 预研阶段 3KB)\nF#%  
n 顶层设计阶段 w \0=L=J  
n 模块设计阶段 nImRU.;P  
n 模块实现阶段 Fxv~;o#  
n 子系统仿真阶段 :BMUc-[  
n 系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 4x8mJ4[H^  
n 后端版面设计 .d8) *  
n 测试矢量准备 'ycs{}'  
n 后端仿真 _}jj>+zA`  
n 生产 =h&DW5QC  
n 硅片测试 n{Jvx>);  
顶层设计： P;hjr;  
n 书写功能需求说明 &xH>U*c  
n 顶层结构必备项 BT d$n!'$n  
n 分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 |[!xLqG  
n 完成顶层结构设计说明 5?9}^s4  
n 确定关键的模块（尽早开始） jE2ziK  
n 确定需要的第三方IP模块 s.zH.q,  
n 选择开发组成员 s}|IRDpp  
n 确定新的开发工具 J>hl&J  
n 确定开发流程/路线 Wf: AMxDm  
n 讨论风险 MB^b)\X  
n 预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 EW2e k^  
n 国软检测 芯片失效分析中心