芯片测试及晶圆测试

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一、需求目的：1、热达标；2、故障少 tZ*z.3\<  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 s;!Tz)  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： c_dg/!Iu  
1、顶层设计 E@N& Y1t  
2、仿真 %[J|n~8_Z  
3、热设计及功耗 k*"FMJG_  
4、资源利用、速率与工艺 )4CF*>*6V  
5、覆盖率要求 's7 (^1hH  
6、 1_V',0|`>  
四、具体到测试有哪些需要关注： m{{8#@g  
1、可测试性设计 (n
{,R  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 r?:xD(}Q  
3、可靠性测试 Unc_e  
4、故障与测试关系 _=ziw|zI  
5、 D
B>.Uf"  
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测试有效性保证； KX
vBJA$  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ >xK!J?!K  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 au~}s |#  
XPd@>2  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 C[IY9s:Pf  
晶圆的工艺参数监测dice， ]aqg{XdGt  
HHXm 4}!;<  
^!yJ;'H\  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 dWDM{t\}\  
8AQ@?\Rc"2  
   wbA<G&h~  
故障种类： #!RO,{FT  
缺陷种类： H%^j yGS  
针对性测试： b@ S.  
.Mz'h9@  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test wr{ [4$O  
+#=l{_Z,ZJ  
dRu|*s  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； %FSY}
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仿真与误差， w$%1j+%&
 
n 预研阶段 "o6a{KY(  
n 顶层设计阶段 DF`?D +  
n 模块设计阶段 ^mZeAW  
n 模块实现阶段 v>oWk:iJP  
n 子系统仿真阶段 >2[nTfS  
n 系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 K%
iA-h  
n 后端版面设计 2SHS!6
:Rl  
n 测试矢量准备 =&YhA}l\O  
n 后端仿真 sBV})8]KM  
n 生产 Lj#K^c Ee  
n 硅片测试 s6+`cC4  
顶层设计： u/S{^2`b  
n 书写功能需求说明 w4%yCp[,  
n 顶层结构必备项 bz4TbGg]  
n 分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 Gr}lr gPS  
n 完成顶层结构设计说明 RwyRPc_  
n 确定关键的模块（尽早开始） UD}#c:I  
n 确定需要的第三方IP模块 gSn9L)k(O  
n 选择开发组成员 U,e'vS{  
n 确定新的开发工具 (m%
A>e B  
n 确定开发流程/路线 &w7Ev21  
n 讨论风险 ] lONi  
n 预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 2T >K!jS  
n 国软检测 芯片失效分析中心