芯片测试及晶圆测试

S7SPc   
一、需求目的：1、热达标；2、故障少 dl;A'/(t  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 ftH 0aI  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： !EW]:u  
1、顶层设计 VI+Y4T@  
2、仿真 hOC,Eo  
3、热设计及功耗 TX+t   
4、资源利用、速率与工艺 e| l?NXRX  
5、覆盖率要求 &a(w0<  
6、 0yZw`|Zh[  
四、具体到测试有哪些需要关注： i*;
V4zh  
1、可测试性设计 Rd!.8K[  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 $fn^i.  
3、可靠性测试 $N ]P#g?Q  
4、故障与测试关系 [a Z)*L ;  
5、 QMsnfG  
v m$v[  
测试有效性保证； M<L<mP}  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ xAO]u[J  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 nbRg<@  
\G"/Myi  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 ?@,:\ ,G  
晶圆的工艺参数监测dice， @]7\.>)  
Q:LuRE!t  
XDWERvIj  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 x~z 2l#ow  
rTJWftH!  
   "LWp/  
故障种类： GJ$,@  
缺陷种类： m6gr!aT  
针对性测试： M]{!Nx  
hh{liS% 10  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test Qp54(`  
{!S/8o"]  
O*PHo_&G  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； W | }Hl{}  
仿真与误差， :tgTYIF  
n 预研阶段 ][mc^eI0s|  
n 顶层设计阶段 2n=;"33%a  
n 模块设计阶段 utE:HD.PN  
n 模块实现阶段 9..k/cH  
n 子系统仿真阶段 Y>%NuL|s  
n 系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 +OmSR*fA0  
n 后端版面设计 5a&wM  
n 测试矢量准备 IO'Q}bU4vs  
n 后端仿真 `iI"rlc  
n 生产 E6gEP0b  
n 硅片测试 V Y3{1Dlf  
顶层设计： KWUz]>Z  
n 书写功能需求说明 aFym&n\  
n 顶层结构必备项 {Vm36/a  
n 分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 @rMW_7[y  
n 完成顶层结构设计说明 C"{on%  
n 确定关键的模块（尽早开始） g2]-Q.  
n 确定需要的第三方IP模块 1sJN^BvuG  
n 选择开发组成员 NZuFxJ-`  
n 确定新的开发工具 Y<+4>Eh  
n 确定开发流程/路线 ~}AP@t*  
n 讨论风险 o~K2K5I  
n 预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 {Jc!T:vJ  
n 国软检测 芯片失效分析中心