芯片测试及晶圆测试

发布:探针台 2019-08-16 10:26 阅读:2891
iHWl%]7sN  
一、需求目的:1、热达标;2、故障少 F.^1|+96  
二、细化需求,怎么评估样品:1、设计方面;2、测试方面 ` *h-j/M  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注: 5?%(j!p5  
1、顶层设计 v#nYH?+~mJ  
2仿真 E3;[*ve  
3、热设计及功耗 9q;+ Al^Z  
4、资源利用、速率与工艺 +hV7o!WxC  
5、覆盖率要求 |f?tyQ  
6 0rjxWPc  
四、具体到测试有哪些需要关注: 1+.(N:) +  
1、可测试性设计 e ST8>r  
2、常规测试:晶圆级、芯片级 zF3fpEKe  
3、可靠性测试 /wH]OD{  
4、故障与测试关系 ]rXRon='  
5 QJ-6aB  
Jc(tV(z  
测试有效性保证; Nt'(JAZ;  
设计保证?测试保证?筛选?可靠性? ^)D[ W(*  
设计指标?来源工艺水平,模块水平,覆盖率 O: :X$O7  
kd9hz-*  
晶圆测试:接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 gGH<%nHW1  
晶圆的工艺参数监测dice 8;-a_VjA)  
!T#~.QP4  
?b:l.0m  
芯片测试:ATE测试项目来源,边界扫描 11Pm lzy  
4}gqtw:  
   =Y?M#3P.I  
故障种类: -[".km  
缺陷种类: %Z}A+Rv+*m  
针对性测试: 7%&#V2  
^<.mUaP  
性能功能测试的依据,可测试性设计:扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test pg [F{T<  
0!eZ&.h?4  
CES^ c-. k  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系; DnMfHG[<  
仿真与误差, /P Qz$e-!Y  
n 预研阶段 [wj&.I{^s  
n 顶层设计阶段 B9&"/tT  
n 模块设计阶段 #t>w)`bA-  
n 模块实现阶段 LIT{rR#8  
n 系统仿真阶段 ?m}vDd  
n 系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 =3_I;L w  
n 后端版面设计 ,mx>)} l95  
n 测试矢量准备 pGc_Klq  
n 后端仿真 hg/G7Ur"  
n 生产 %D)W~q-g  
n 硅片测试 FI`][&]V  
顶层设计: t"cGv32b  
n 书写功能需求说明 '+hiCX-_  
n 顶层结构必备项 *&Np;^~  
n 分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 ,JYvfCA  
n 完成顶层结构设计说明 4. 7m*  
n 确定关键的模块(尽早开始) "M3R}<Vt  
n 确定需要的第三方IP模块 b*+Od8r  
n 选择开发组成员 pd?3_yU  
n 确定新的开发工具 C4 H M  
n 确定开发流程/路线 5Q;Fwtm  
n 讨论风险 sk5h_[tK  
n 预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 [y7BHikX)  
n 国软检测 芯片失效分析中心
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