芯片测试及晶圆测试

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一、需求目的：1、热达标；2、故障少 w L4P-4'  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 eR:C?v  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： EjP9/VG@=  
1、顶层设计 xt1\Sie  
2、仿真 U}DLzn|w  
3、热设计及功耗 y'm5Z-@o6  
4、资源利用、速率与工艺 '>[Ut@l
T;  
5、覆盖率要求 W(Rp@=!C  
6、 &6nLnMF8x  
四、具体到测试有哪些需要关注： s%^@@Dk  
1、可测试性设计 7R$O~R3p  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 CI^s~M >  
3、可靠性测试 Ih)4.lLcKn  
4、故障与测试关系 5Kw?#  
5、
1C(sBU"  
1h?QEZ,6a  
测试有效性保证； ]D[\l$(  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ ~,.'
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设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 lE
Sv  
vL8Rg} Jh4  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 C!)ZRuRv  
晶圆的工艺参数监测dice， >35W{d  
JJy.)-R  
/h9v'Y}c  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 4`Lr^q}M+  
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   $N\k*=  
故障种类： z! :0%qu  
缺陷种类： B[9y<FB+  
针对性测试： ;.=]Ar}  
ch33+~Nn  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test D!&]jkUN  
Z{x)v5yh2V  
R5&<\RI0  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； h.q9p!  
仿真与误差， [ps4i_  
n 预研阶段 d|>/eb.R  
n 顶层设计阶段 D7=Irz!O\7  
n 模块设计阶段 jXPbj.  
n 模块实现阶段 wV-9T*QrM  
n 子系统仿真阶段 [,(+r7aB  
n 系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 Up0kTL  
n 后端版面设计 !,]2.:{0z  
n 测试矢量准备 n'[>h0  
n 后端仿真 5= T$h;O  
n 生产 5+yy:#J]  
n 硅片测试 A?ho<@^  
顶层设计： NS-0-o|4#  
n 书写功能需求说明 Iw?*y.z|  
n 顶层结构必备项 \i+Ad@)  
n 分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 9sI&d  
n 完成顶层结构设计说明 kU,g=+2J  
n 确定关键的模块（尽早开始） ]-_ ma  
n 确定需要的第三方IP模块 *HB 32 =qD  
n 选择开发组成员 'KDt%?24  
n 确定新的开发工具 E1SWZ&';  
n 确定开发流程/路线 7M8cF>o  
n 讨论风险 0s79rJ  
n 预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 ~'F.tB  
n 国软检测 芯片失效分析中心