芯片测试及晶圆测试

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一、需求目的：1、热达标；2、故障少 F(4yS2h(  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 )f*Iomp]@  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： dY'Y5Th~  
1、顶层设计 nVOqn\m-  
2、仿真 zSgjp\  
3、热设计及功耗 w}k B6o]  
4、资源利用、速率与工艺 kL;t8{n  
5、覆盖率要求 AQh["1{yJ  
6、 yT:!%\F9  
四、具体到测试有哪些需要关注： hyu}}0:  
1、可测试性设计 UR:n5V4  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 L@A9{,9Pl  
3、可靠性测试 z,+m[x=/N  
4、故障与测试关系 `:5,e/5,  
5、 Xj,j0  
`d`&R.'  
测试有效性保证； a4by^  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ {B^pnLc  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 [%~NM/xu<  
gb-tNhJa@b  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 Au=kSSB  
晶圆的工艺参数监测dice， wAz,vq=x  
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Z;J`5=TS  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 viV-e$s`.  
3- )kwy6L  
   ]h8/M7k  
故障种类： .tp=T  
缺陷种类： +Ag#B*   
针对性测试： cYD1~JX.  
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性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test 9|a)sb7/  
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uXNp!tY  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； OR~GOv|  
仿真与误差， k4mTZ}6E  
n 预研阶段 +/_!P;I  
n 顶层设计阶段 in?T]}  
n 模块设计阶段 W_D%|Ub2X  
n 模块实现阶段 z1qUz7  
n 子系统仿真阶段 STRyW Ml  
n 系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 c#x7N9;"!  
n 后端版面设计 #tP )-ww  
n 测试矢量准备 5j1 IH,yW  
n 后端仿真 0gi}"v  
n 生产 ASM1Y]'Z  
n 硅片测试 ds')PIj  
顶层设计： QvNi8TB  
n 书写功能需求说明 J{x##p<F$  
n 顶层结构必备项 WiwwCKjSa  
n 分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 !g/_w  
n 完成顶层结构设计说明 !$XO U'n  
n 确定关键的模块（尽早开始） 3]7ipwF2q  
n 确定需要的第三方IP模块 h%|9]5(=  
n 选择开发组成员 (ai72#nFtb  
n 确定新的开发工具 ]Y$&78u8t  
n 确定开发流程/路线 M'vXyb%$1  
n 讨论风险 $1=v.'Y  
n 预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 X)Ocn`
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n 国软检测 芯片失效分析中心