芯片测试及晶圆测试

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一、需求目的：1、热达标；2、故障少 ~{sG| ;/!*  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 K\"R&{+=
 
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： W>-Et7&2  
1、顶层设计 v8AS=sY4r  
2、仿真 f&v9Q97=  
3、热设计及功耗 *
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4、资源利用、速率与工艺 Z{&cuo.@<]  
5、覆盖率要求 D}8EERb  
6、 Eu"_
MgD  
四、具体到测试有哪些需要关注： C8FB:JNJV  
1、可测试性设计 >pUtwIP  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 p<=$&*  
3、可靠性测试 4pw6bK,s2\  
4、故障与测试关系 87hq{tTs]  
5、 =zQN[  
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测试有效性保证； y;/VB,4V  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ w]N!S;<N  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 H":oNpfb  
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晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。
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晶圆的工艺参数监测dice， 8M!:N(a  
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芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 I`NjqyTW  
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故障种类： sr8cYLm5R  
缺陷种类： ~"A+G4jl  
针对性测试： lg^Z*&(  
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性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test 1GzAG;UUo6  
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芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； c38D}k^
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仿真与误差， 2}8v(%s p  
n 预研阶段 XI^QF;,  
n 顶层设计阶段 dAuJXGo  
n 模块设计阶段 $|8!BOx8t  
n 模块实现阶段 l\i)$=d&g  
n 子系统仿真阶段 TYW&!sm  
n 系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 
EFz&N\2  
n 后端版面设计 Mo^ od<  
n 测试矢量准备 ;+"+3  
n 后端仿真 % >=!p  
n 生产 ]
q4rlT.i  
n 硅片测试 A0Qb5e  
顶层设计： wb0L.'jyR)  
n 书写功能需求说明 z<Nfm  
n 顶层结构必备项 A}l3cP; `#  
n 分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 jyCXJa-!-  
n 完成顶层结构设计说明 >7 ="8  
n 确定关键的模块（尽早开始） %^jMj2  
n 确定需要的第三方IP模块 vam;4vyu  
n 选择开发组成员 \kZ?
 
n 确定新的开发工具 ez|)ph7  
n 确定开发流程/路线 *WuID2cOI  
n 讨论风险 ueUuJxq)  
n 预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 w(L4A0K[  
n 国软检测 芯片失效分析中心