芯片测试及晶圆测试

SMbhJ}\O  
一、需求目的：1、热达标；2、故障少 Xjnv8{
X  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 F;<cG`|Rx  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： mNnt9F3Eq  
1、顶层设计 GB` G(a  
2、仿真 nZ~J&QK-  
3、热设计及功耗 -aF\ u[b  
4、资源利用、速率与工艺 E:S (v  
5、覆盖率要求 3NxwQ,~  
6、 ff.;6R\  
四、具体到测试有哪些需要关注： Yp8GW1@  
1、可测试性设计 J?84WS  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 /Q2{w>^DK  
3、可靠性测试 Q*
l_QnfG  
4、故障与测试关系 ,[|4{qli\  
5、 EmubpUS;  
7~7_T#dTh  
测试有效性保证； `=VN\W^&  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ 8^av&u$  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 Q:sw*7"F  
o+ 0"@B  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 "`aLSw75x  
晶圆的工艺参数监测dice， */E5<DO  
E6mwvrm8  
j5]6CG_  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 :igURr
  
zd^QG  
   =RH7j  
故障种类： n0<I  
缺陷种类： w8>  
针对性测试： 9#ZR0t.cY  
PcQqdU^!  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test c&n.JV   
6
;vfl*  
|*-&x:p7O  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； l8Ks{(wh
 
仿真与误差， Mo_(WSs  
n 预研阶段 ?5MOp  
n 顶层设计阶段 O6Jn$'os1#  
n 模块设计阶段 1Wy0#?L  
n 模块实现阶段 yttI
A/  
n 子系统仿真阶段 y0f"UH/   
n 系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 @ob4y  
n 后端版面设计 T`gR&n<D  
n 测试矢量准备 t>izcO  
n 后端仿真 v6q oH)n  
n 生产 ilpP"B  
n 硅片测试 Uel^rfE`  
顶层设计： BT8L'qEj  
n 书写功能需求说明 k x26nDT(  
n 顶层结构必备项 ;R8pVj!1f  
n 分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 '#p2v'A  
n 完成顶层结构设计说明 $m)[> C  
n 确定关键的模块（尽早开始） C!Oz'~l  
n 确定需要的第三方IP模块 c1L0#L/F6"  
n 选择开发组成员 (np60mX<  
n 确定新的开发工具 qH1&tW$  
n 确定开发流程/路线 7C"&f *lEi  
n 讨论风险 pwG"_|h  
n 预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 ,U^V]
jC  
n 国软检测 芯片失效分析中心