芯片测试及晶圆测试

J2:y6kGj>  
一、需求目的：1、热达标；2、故障少 .Wjs~0c  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 '],J$ge  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注：  SdD6 ~LS  
1、顶层设计 ,v"YqD+GC5  
2、仿真 0_88V  
3、热设计及功耗 Gz.|]:1  
4、资源利用、速率与工艺 4?B\O`sy.  
5、覆盖率要求 |\pbir  
6、 %c4Hse#Y  
四、具体到测试有哪些需要关注： 82l~G;.n3  
1、可测试性设计 Jv^h\~*jH  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 Bz,?{o6s)Q  
3、可靠性测试 }_ 9Cxji  
4、故障与测试关系 J{Q|mD=  
5、 0Vx.nUQ
  
F w?[lS  
测试有效性保证； rW$[DdFA5{  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ @;"|@!l|  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 Yw-G'  
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晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 jyCXJa-!-  
晶圆的工艺参数监测dice， >7 ="8  
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vam;4vyu  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 \kZ?
 
ez|)ph7  
   vX.VfY  
故障种类： mHRiugb!  
缺陷种类： }~L.qG  
针对性测试： x7Yu I  
,y#Kv|R  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test > ;*b|Ik  
HAa;hb  
y gz6C  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； .6Pw|xu`Pw  
仿真与误差， vw9@v`k  
n 预研阶段 x<ZJb  
n 顶层设计阶段 DW[N|-
L  
n 模块设计阶段 #"G]ke1l$  
n 模块实现阶段 NPp;78O0[  
n 子系统仿真阶段 *_d7E   
n 系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 9P+-#B  
n 后端版面设计 9w7n1k.  
n 测试矢量准备 koug[5T5  
n 后端仿真 EFM5,gB.m  
n 生产 Y^wW2-,m  
n 硅片测试 %WjXg:R  
顶层设计： Jcd-
  
n 书写功能需求说明 C&
(N I  
n 顶层结构必备项 =%TWX[w  
n 分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 .[I
Cx  
n 完成顶层结构设计说明 + R~'7*EI  
n 确定关键的模块（尽早开始） ZbdZrE$  
n 确定需要的第三方IP模块 m+]K;}.}R  
n 选择开发组成员 pOIJH =#  
n 确定新的开发工具 3EPv"f^V  
n 确定开发流程/路线 #V~me  
n 讨论风险 vg32y /l]S  
n 预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 M/"I2m   
n 国软检测 芯片失效分析中心