芯片测试及晶圆测试

C{DvD'^  
一、需求目的：1、热达标；2、故障少 )ZqJh  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 0B@Jity#!  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： 4^Q:  
1、顶层设计 fKeT~z{~  
2、仿真 Kt|1&Gk  
3、热设计及功耗 QC;^xG+W  
4、资源利用、速率与工艺 j;3[KLmuK%  
5、覆盖率要求 H& Ca
`B  
6、 ugx%_x6  
四、具体到测试有哪些需要关注： p>;_e(  
1、可测试性设计 $K'|0  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 Yf~{I-|`q  
3、可靠性测试 sZm$|T0  
4、故障与测试关系 pV,P|>YTf  
5、 +d!v}aJ  
Za8#$`zq  
测试有效性保证； J8)#PY[i4  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ 'n$%Ls}S  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 Fa_VKAq  
jR#~I@q^  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 /2Bi@syxK  
晶圆的工艺参数监测dice， *b}lF4O?  
@wC5 g 4E  
3UQ;X**F  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 [[Y
0  
-!L"'
)  
  
2h
Q>:  
故障种类： Vy,^)]  
缺陷种类： njnDW~Snb  
针对性测试： 1=a>f"cyf  
ku a) K!  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test ZwerDkd  
UaViI/ks  
\Z/)Y;|mi0  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； _#}n~}d  
仿真与误差， F.=Bnw/-  
n 预研阶段 9Xo[(h)5d  
n 顶层设计阶段 -,{-bi  
n 模块设计阶段 ^ Dt#$Z  
n 模块实现阶段 Z)xaJGbw  
n 子系统仿真阶段 ,SiY;(b=\  
n 系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 ~~,rp) )  
n 后端版面设计 ]a3iEA2 (  
n 测试矢量准备 mA@Me7m}  
n 后端仿真 S
#Sb]  
n 生产 (nab
 
n 硅片测试 :C8$Xi_i}  
顶层设计： LtKI3ou  
n 书写功能需求说明 la?Wnw  
n 顶层结构必备项 rf%7b8[v  
n 分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 9bq<GC'eX8  
n 完成顶层结构设计说明 $<|lE/_]  
n 确定关键的模块（尽早开始） PeE/iZ.  
n 确定需要的第三方IP模块 1G'`2ATF*  
n 选择开发组成员 mTEx,   
n 确定新的开发工具 }Lw>I94e  
n 确定开发流程/路线 @M8|(N%  
n 讨论风险 Q9&kJ%Mo  
n 预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 n%\ /J  
n 国软检测 芯片失效分析中心