芯片测试及晶圆测试

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一、需求目的：1、热达标；2、故障少 u2Z^iY  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 ykl=KR  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： Ku,A}5-6
 
1、顶层设计 :zy'hu;  
2、仿真 uN^qfJ'@ >  
3、热设计及功耗 s*U&[7P  
4、资源利用、速率与工艺 `U>b6{K  
5、覆盖率要求 38S&7>0@|q  
6、 v7I*W/  
四、具体到测试有哪些需要关注： s 17gi,"X  
1、可测试性设计 BGYm]b\j[  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 4Tw1ga
s.  
3、可靠性测试 745V!#3!M  
4、故障与测试关系 Vt2=rD4oJk  
5、 ~G^doj3|+  
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测试有效性保证； ee?Mo`  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ $GKm`I"  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 aV%rq9Tp  
i(;u6Rk  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 
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晶圆的工艺参数监测dice， Uwil*Jh
 
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芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 31\^9w__8  
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   M|]1}8d?  
故障种类： 1:Gd{z  
缺陷种类： P9chRy  
针对性测试： ="eum7  
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性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test PP`n>v=n  
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芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； 'a[|}nJ3  
仿真与误差， K:Go%3~,  
n 预研阶段 lfG's'U-z  
n 顶层设计阶段 b:&$x (|  
n 模块设计阶段 ==r|]~x  
n 模块实现阶段 6b)UoJxj  
n 子系统仿真阶段 BC[d={_-  
n 系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 Vb#@o)z  
n 后端版面设计 *\vc_NP]  
n 测试矢量准备 HwK "qq-  
n 后端仿真 \Y 4Z Q"0Q  
n 生产 mwhn
=y#]*  
n 硅片测试 K9Fnb6J$u  
顶层设计： @zq{#7%z  
n 书写功能需求说明 &4
FdA|9T  
n 顶层结构必备项 *s4!;2ZhsU  
n 分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 JOq<lb=  
n 完成顶层结构设计说明 iROM?/$  
n 确定关键的模块（尽早开始） 7y7y<`)I5  
n 确定需要的第三方IP模块 Z.(x|Q9  
n 选择开发组成员 _x{x#d;L3  
n 确定新的开发工具 jG :R\D}0  
n 确定开发流程/路线 a~"X.xT\R  
n 讨论风险 0GVok$r@  
n 预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 Al]9/ML/m  
n 国软检测 芯片失效分析中心