芯片测试及晶圆测试

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一、需求目的：1、热达标；2、故障少 mRC3w(W  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 &n_f.oUc  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： ,g}$u'A+d  
1、顶层设计 =b
ja\r{  
2、仿真 M^8zqAA  
3、热设计及功耗 Hcg7u7M{  
4、资源利用、速率与工艺 ^7? WR?!  
5、覆盖率要求 2[3t7C  
6、 [t3 Kgjt  
四、具体到测试有哪些需要关注：
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1、可测试性设计 1hCU"|VH:  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 SPdEO3  
3、可靠性测试 UP)<(3YA  
4、故障与测试关系 >KP,67  
5、 gsEcvkj*  
Mb[4_D
c  
测试有效性保证； *_YR*e0^nN  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ F.a
G7  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 GVlT+Rs7  
YJHb\Cf.  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 G%l')e)9Gq  
晶圆的工艺参数监测dice， ]g;+7  
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%JiF269  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 !',%kvJI  
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   #[x*0K-h  
故障种类： /
D;ugc*3  
缺陷种类： X>uLGr>  
针对性测试： i}C%8}%  
Rrry;Hr  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test gt.F[q3  
v9r.w-  
Y7g%nz[[  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； L
-}Uj^yF  
仿真与误差， :7.k E  
n 预研阶段 ^&mrY[;S  
n 顶层设计阶段 |4pl}:g/Z  
n 模块设计阶段 B=n90XO |  
n 模块实现阶段 vdgK3I  
n 子系统仿真阶段 VK*`&D<P  
n 系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 i?M-~EKu  
n 后端版面设计 Tq)hAZ  
n 测试矢量准备 <Fx%P:d  
n 后端仿真 V[*>}XQER  
n 生产 [Q
QM/?  
n 硅片测试 /*BU5  
顶层设计： 11#b%dT  
n 书写功能需求说明 _6h.<BR  
n 顶层结构必备项 +HUy,@^Pa  
n 分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期
CP2
wg .  
n 完成顶层结构设计说明 T+B-R\@t  
n 确定关键的模块（尽早开始） 3w |5%`  
n 确定需要的第三方IP模块 n CX{tqy   
n 选择开发组成员 p9 ,[kb  
n 确定新的开发工具 YRBJ(v"9  
n 确定开发流程/路线 2p;I<C:Eo  
n 讨论风险 Uvc$&j^k  
n 预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 g
|3bM  
n 国软检测 芯片失效分析中心