芯片测试及晶圆测试

发布:探针台 2019-08-16 10:26 阅读:2893
6bPl(.(3  
一、需求目的:1、热达标;2、故障少 >7PNl\=gG  
二、细化需求,怎么评估样品:1、设计方面;2、测试方面 {PR "}x  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注: !6x7^E;c  
1、顶层设计 '/)qI.  
2仿真 l6 L?jiTl_  
3、热设计及功耗 !*f$*,=^  
4、资源利用、速率与工艺 " :f]egq -  
5、覆盖率要求 \Hdsy="Dnh  
6 ~GcWG4  
四、具体到测试有哪些需要关注: I _gE`N  
1、可测试性设计 T2 S fBs  
2、常规测试:晶圆级、芯片级 |B^Mj57DO  
3、可靠性测试 ]x{.qTtw  
4、故障与测试关系 BNj_f  
5 xW]65iav  
6oKdw|(Q#  
测试有效性保证; rOz1tY)l0d  
设计保证?测试保证?筛选?可靠性? l*6Zh "o:  
设计指标?来源工艺水平,模块水平,覆盖率 -i1 f ]Bd  
NSBcYObX  
晶圆测试:接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 %~y>9K  
晶圆的工艺参数监测dice Ij$C@hH  
\ H~zN]3^  
zg H(/@P  
芯片测试:ATE测试项目来源,边界扫描 ;1s+1G}_z  
& +*OV:[;  
   8XG';K_  
故障种类: P#,;)HF  
缺陷种类: X6",Xr! {  
针对性测试: zh|9\lf  
*ziR&Fr!  
性能功能测试的依据,可测试性设计:扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test </WeB3#6  
OZ+v ~'oD  
bMGn&6QiP[  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系; 0ZM(heQ  
仿真与误差, g;v;xlY`N  
n 预研阶段 Xl$, f`f~  
n 顶层设计阶段 jj1\oyQ8  
n 模块设计阶段 nYFrp)DLK  
n 模块实现阶段 5nUJ9sqA  
n 系统仿真阶段 -^546 7  
n 系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 <S041KF.{6  
n 后端版面设计 |1RVm?~i  
n 测试矢量准备 y TD4![  
n 后端仿真 r!+{In+Z  
n 生产 Y}1c>5{bE  
n 硅片测试 xEp?|Q$  
顶层设计: fEX=csZ86  
n 书写功能需求说明 o87kF!x  
n 顶层结构必备项 qh:Bc$S  
n 分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 Aeb(b+=  
n 完成顶层结构设计说明 sVK?sBs]  
n 确定关键的模块(尽早开始) USEb} M`  
n 确定需要的第三方IP模块 S0)JIrrHC  
n 选择开发组成员 dF\#:[B  
n 确定新的开发工具 8HQ.MXKP  
n 确定开发流程/路线 D]]wJQU2  
n 讨论风险 @kqxN\DE  
n 预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 !: ^q_q4  
n 国软检测 芯片失效分析中心
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