芯片测试及晶圆测试

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一、需求目的：1、热达标；2、故障少 -&LF`V&3w  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 U~8, N[  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： 6{[uCxxl  
1、顶层设计 ~HUO$*U4<  
2、仿真 wQOIUvd  
3、热设计及功耗 :LTjV"f  
4、资源利用、速率与工艺 GrM`\MIO  
5、覆盖率要求 S@WT;Q2Z  
6、 p{O@ts:  
四、具体到测试有哪些需要关注： Ap
<j;s4`  
1、可测试性设计 %07vH&<C.  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 %Lfy!]Ru  
3、可靠性测试 @`rC2-V  
4、故障与测试关系 " 8g\UR"[  
5、 g_(O7  
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测试有效性保证； A1aN<!ehB  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ <
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设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 Pt7yYl&n7^  
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晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 na] 9-~4  
晶圆的工艺参数监测dice， &v/R-pz  
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芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 i [2bz+Z?  
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故障种类： R"O,2+@<.  
缺陷种类： $8NM[R.8^4  
针对性测试： O?qM=W  
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性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test Ak,T{;rD  
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芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； *XluVochrb  
仿真与误差， 7m;<b$  
n 预研阶段 [LKzH!  
n 顶层设计阶段
d5lD!  
n 模块设计阶段 '17V7A/t  
n 模块实现阶段 '],G!U(  
n 子系统仿真阶段 l#3jJn  
n 系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 ;% l0Ml>  
n 后端版面设计 Y?JB%%WWI  
n 测试矢量准备 zB#.EW  
n 后端仿真 C&RZdh,$  
n 生产 (6X{ &  
n 硅片测试 ryt`yO  
顶层设计： Md>9Daa~  
n 书写功能需求说明 LTnbBh*mc  
n 顶层结构必备项 )W!\D/C+  
n 分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 @6{F4  
n 完成顶层结构设计说明 UkM#uKr:  
n 确定关键的模块（尽早开始） kC/An@J^#  
n 确定需要的第三方IP模块 Kd7Lpw1u]  
n 选择开发组成员 <
y,c.\c!  
n 确定新的开发工具 )S|&3
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n 确定开发流程/路线 \NQ[w7  
n 讨论风险 dp*E#XCr1  
n 预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 GT-ONwVDq  
n 国软检测 芯片失效分析中心