芯片测试及晶圆测试

H(qm>h$bU  
一、需求目的：1、热达标；2、故障少 p&3> `C  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 6Rz[?-mkLO  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： e4.&aIC[  
1、顶层设计 OFy,B-`A{  
2、仿真 i\p:#'zk5  
3、热设计及功耗 f7+Cz>R  
4、资源利用、速率与工艺 D ,M@8h,  
5、覆盖率要求 '_o@VO  
6、 ?`P2'i<b  
四、具体到测试有哪些需要关注： uO'/|[`8  
1、可测试性设计 E`AYee%l  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 
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3、可靠性测试 $D_HZ"ytu  
4、故障与测试关系 }lfn0 %(@  
5、 -JTG?JOd]  
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D}Ub  
测试有效性保证； XxOn3i  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ r95
zP]T  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 K`4GU[ul  
GqUSVQ  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 POGw`:)A  
晶圆的工艺参数监测dice， 8:{q8xZ=k  
i6>R qP!69  
y8?t-Pp]1  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 yGEb7I$h  
}O*WV1  
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#A  
故障种类：
\ X$)vK  
缺陷种类： 0Q1/n2V  
针对性测试： ~3=2=Uf  
v~5<:0dL  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test yXF|Sqv  
p\S8oHWe  
0Hcbkep9D  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； <]Y[XI(kr  
仿真与误差， KXe ka  
n 预研阶段 Bp3L>AcVu  
n 顶层设计阶段 kp`0erJqw  
n 模块设计阶段 I,j3bC  
n 模块实现阶段 >&hX&,hG  
n 子系统仿真阶段 q^Inb)FeN  
n 系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 u^=@DO
'  
n 后端版面设计 QS\ x{<e/  
n 测试矢量准备 :6u~aT/  
n 后端仿真 Y/P]5: =h  
n 生产 r}EM4\r  
n 硅片测试 0j$OE  
顶层设计： jo0Pd_W8&  
n 书写功能需求说明 7bT /KLU  
n 顶层结构必备项 vlQ0gsXK  
n 分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 &@; RI~  
n 完成顶层结构设计说明 p&5S|![\  
n 确定关键的模块（尽早开始） Ab g$W/(|  
n 确定需要的第三方IP模块 :t>Q:mX(N  
n 选择开发组成员 *Sb2w*c>  
n 确定新的开发工具 76cEKH
a<  
n 确定开发流程/路线 
-f.R#J$2  
n 讨论风险 |nm2Uy/0  
n 预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 ifrq  
n 国软检测 芯片失效分析中心