芯片测试及晶圆测试

0zxeA+U  
一、需求目的：1、热达标；2、故障少 VA%i_P,  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 S\rfR N  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： 24T
w1'mW  
1、顶层设计 ujh4cp  
2、仿真 6qDD_:F  
3、热设计及功耗 %jf gncW  
4、资源利用、速率与工艺 .WPqK>79|  
5、覆盖率要求 ~S6N'$^  
6、 PWU#`>4  
四、具体到测试有哪些需要关注： H}~^,B2;  
1、可测试性设计 R{B~Now3  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 gA|j\T{c  
3、可靠性测试 OgnpzN  
4、故障与测试关系 ]r
m=F]W/n  
5、 K\ ]r  
Z}C%%2Iz  
测试有效性保证； 2fk   
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ ~e8n yB  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 fpi6pcof  
G<
eJ0S  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 A%O#S<sa  
晶圆的工艺参数监测dice， qQ'@yTVN  
<i6MbCB  
*S4P'JSY  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 }{y$$X<:  
gk#rA/x  
   IA4(^-9  
故障种类： p'4P2  
缺陷种类： "
LWuN>  
针对性测试： _JDr?Kg  
Jx<  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test .#J3UZ  
CQ[-Cp7  
6hq)yUvo4  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； 1aG}-:$t'  
仿真与误差， BxU1Q&  
n 预研阶段 OEW,[d  
n 顶层设计阶段 6zWvd  
n 模块设计阶段 A'8K^,<  
n 模块实现阶段 SI9hS4<j  
n 子系统仿真阶段 L />GYx  
n 系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 bYc qscW  
n 后端版面设计 Se`N5hQ  
n 测试矢量准备 8|GpfW3p2  
n 后端仿真 A~V\r<N j  
n 生产 >6 #\1/RP  
n 硅片测试 EYG E#C; d  
顶层设计： mNel3J3  
n 书写功能需求说明 B;r$( 'UZ  
n 顶层结构必备项 ^nF$<#a  
n 分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 u'1=W5$rK  
n 完成顶层结构设计说明 {eEWfMKIn  
n 确定关键的模块（尽早开始） AUde_1hi  
n 确定需要的第三方IP模块 NN'<-0~  
n 选择开发组成员 n #I}!x>2  
n 确定新的开发工具 *Mc\7D  
n 确定开发流程/路线 T}[vfIJD  
n 讨论风险 %U7
f9  
n 预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 Wp3l>:  
n 国软检测 芯片失效分析中心