芯片测试及晶圆测试

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一、需求目的：1、热达标；2、故障少 jKI+-s  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 =q5A@!D  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： e@0wF59  
1、顶层设计 A1%V<im@Z  
2、仿真 <`|}bt  
3、热设计及功耗 h{<^?=  
4、资源利用、速率与工艺 0<v~J9i  
5、覆盖率要求 )CdglPK  
6、 7GK| A{r  
四、具体到测试有哪些需要关注： "VcGr#zW  
1、可测试性设计 rIge6A>I  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 ,=oq)Fm]
 
3、可靠性测试 3tIIBOwg[  
4、故障与测试关系 >PySd"u  
5、 $!obpZ~}  
Jz:d\M~j5  
测试有效性保证； `2S{.s  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ 4sZ^:h,1  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 [(btpWxb^  
Jz%&-e3  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 <hy>NM@$  
晶圆的工艺参数监测dice， zG& N5t96X  
=/dW5qy;*+  
>t*zY~R.  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 hH[JY(V  
gs'bv#4yd  
   b>2u>4  
故障种类： %WCpn<)  
缺陷种类： Z[({; WtF  
针对性测试： =$BgIt  
_/E>38G]  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test },i?3dSvl  
}doj4  
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芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； _|tg#i|Om  
仿真与误差， 7*`ldao~  
n 预研阶段 pd7FU~-  
n 顶层设计阶段 4,<~t>M1  
n 模块设计阶段 wEDU*}~  
n 模块实现阶段 lc5NC;JR  
n 子系统仿真阶段 8~2A"<{ub  
n 系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 j./bVmd.  
n 后端版面设计 l0Pg`wH,  
n 测试矢量准备 P"iqP|  
n 后端仿真 NqF-[G<  
n 生产 ,Y!T!o}1  
n 硅片测试 W8":lpp  
顶层设计： *$l8H[  
n 书写功能需求说明 zNXkdw  
n 顶层结构必备项 ;[9cj&7C<  
n 分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 z6{0\#'K  
n 完成顶层结构设计说明 +pe_s&  
n 确定关键的模块（尽早开始） -OkKLub  
n 确定需要的第三方IP模块 i:[B#|%  
n 选择开发组成员 ]e"NJkcm  
n 确定新的开发工具 R2~Rqlti  
n 确定开发流程/路线 r`7`f xe  
n 讨论风险 a[#4Oq/t$  
n 预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 e|4jT7L}  
n 国软检测 芯片失效分析中心