芯片测试及晶圆测试

v%E~sX&CG  
一、需求目的：1、热达标；2、故障少 MwTouEGGgA  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 !eA6Ejf  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： Kdr}7#c  
1、顶层设计 o[
B"J96b  
2、仿真 Rg%Xy`gS  
3、热设计及功耗 a,eJO??  
4、资源利用、速率与工艺 tJ9gwx7Pg  
5、覆盖率要求 :@#6]W  
6、 ,iMdv+  
四、具体到测试有哪些需要关注： [Y-3C47  
1、可测试性设计 -muP.h/  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 Rv Uw,=  
3、可靠性测试 =i:,")W7=  
4、故障与测试关系 a Juv{  
5、 vpz l{  
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测试有效性保证； nQ08(8  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ >Y=qSg>Ik  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 9T%b#~?3P  
C"R}_C|r)*  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 q
]#j,}cN9  
晶圆的工艺参数监测dice， h.4FY<  
ui<Mnm_T;d  
#+(@i|!ifo  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 (CrP6]=  
F!zGk(Pu  
   'c#AGi9  
故障种类： `*y%[J,I#  
缺陷种类： x{9$4d  
针对性测试： z C7b  
[7h/ 2La#  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test iiv`ji  
9v?rNJs  
3*#$:waGd  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； g4&f2D5  
仿真与误差， <{IeCir  
n 预研阶段 <$Djags,F  
n 顶层设计阶段 d"OYq
 
n 模块设计阶段 'tJxADK  
n 模块实现阶段 *r|Zbxf(  
n 子系统仿真阶段 ?G 'sb}.  
n 系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 T$1(6<:+.  
n 后端版面设计 )0zg1z  
n 测试矢量准备 gdkHaLL"  
n 后端仿真 j<A<\K  
n 生产 
SXx4^X  
n 硅片测试 k_`YVsEYP  
顶层设计： bKk7w#y  
n 书写功能需求说明 : `,#z?Rk  
n 顶层结构必备项 \|6
Q]3l  
n 分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 wowWq\euY  
n 完成顶层结构设计说明 &neB$m3y  
n 确定关键的模块（尽早开始） \?[m%$A  
n 确定需要的第三方IP模块 5I[6 "o0  
n 选择开发组成员 <jqL4!<  
n 确定新的开发工具 '#lc?Y(pJ2  
n 确定开发流程/路线 S^{tRPF%d  
n 讨论风险 ?;GXFKy  
n 预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 W/.Wp|C}K3  
n 国软检测 芯片失效分析中心