芯片测试及晶圆测试

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一、需求目的：1、热达标；2、故障少 ^4yFLqrC  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 x+9aTsZ  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： 0:(@Y  
1、顶层设计 tXTa>Q  
2、仿真 <3>Ou(F  
3、热设计及功耗 *lIK?"mo  
4、资源利用、速率与工艺 JtU/%s  
5、覆盖率要求 oY{r83h{  
6、 ZIx,?E+eJ  
四、具体到测试有哪些需要关注： 9c1n  
1、可测试性设计 5xHl6T+  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 &6E^<v?]  
3、可靠性测试 1qb
3.  
4、故障与测试关系 |vnfY; ;z1  
5、 g9;}?h  
s!2pOH!u
 
测试有效性保证； eRa1eRgP  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ xXu/CGzG  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 4+`<'t]Q  
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晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 7b,u|F  
晶圆的工艺参数监测dice， #IP<4"Hf  
'+|{4-V  
KwRO?G9&  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 A|YqBl  
Nze#u;  
   Px}#{fkS  
故障种类： D;|4ZjM-  
缺陷种类： d*T;RBk  
针对性测试： -~ `5kO~  
CV4r31w  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test uM0z%z5b  
pVw)"\S%  
M#d_kDMw  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； lYeot8  
仿真与误差， mD)_quz.sk  
n 预研阶段 0QDm3V0n  
n 顶层设计阶段 Eq.?Ga  
n 模块设计阶段 8lt P)K4  
n 模块实现阶段 3 $Uv  
n 子系统仿真阶段 :D?%!Q 0  
n 系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 a$FELlMv  
n 后端版面设计 -[x^z5Ee`  
n 测试矢量准备 R{+Rvk  
n 后端仿真 ;/SM^&Y  
n 生产 ^Yn{Vi2.  
n 硅片测试 7k:}9M~  
顶层设计： jpaY:fcF  
n 书写功能需求说明 |9!3{3  
n 顶层结构必备项 OlFls 8#>  
n 分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 /z,sM"d  
n 完成顶层结构设计说明 |]]Xee]  
n 确定关键的模块（尽早开始） .dVo[m;
 
n 确定需要的第三方IP模块 %"DEgIP  
n 选择开发组成员 u/cL[_Q  
n 确定新的开发工具 6A/Nlk.  
n 确定开发流程/路线 cu|#AW  
n 讨论风险 `qSNS->  
n 预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 >wM%|j'  
n 国软检测 芯片失效分析中心