芯片测试及晶圆测试

^E&WgXlb  
一、需求目的：1、热达标；2、故障少 [=]LR9c4  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 LhC
wZ1  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： ]XjL""EbC  
1、顶层设计 8 -YC#&  
2、仿真 @iBaJ"*,  
3、热设计及功耗 p8(Z{TSv  
4、资源利用、速率与工艺 XsGc!o  
5、覆盖率要求 \rM5@ Vf  
6、 j@.^3:  
四、具体到测试有哪些需要关注： xQDWnpFc  
1、可测试性设计 N oRPvFv  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 D9JHx+Xf>  
3、可靠性测试 5pH6]$  
4、故障与测试关系 *h
M5pw  
5、 q,T4- E  
|+Cd2[hN  
测试有效性保证； 9xOTR#B:_V  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ *nSKIDw  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 `Sal-|[Cv[  
)x3p7t)#  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 ihd^P]  
晶圆的工艺参数监测dice， 6,~]2H'zq  
j:7AVnt  
3(`P x}  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 +1nzyD_E  
p^)w$UL}}  
   \k3EFSm  
故障种类： "t%Jj89a\  
缺陷种类： e.WKf,e"X  
针对性测试： @a (-U.CZ  
uj@d {AQ  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test CU@}{}Yl  
Gq-~zmg  
.l$U:d  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； &l0,q=T  
仿真与误差， 5'/ff=  
n 预研阶段 *iVEO  
n 顶层设计阶段 )]C(NTfxg  
n 模块设计阶段 NUFW SL>  
n 模块实现阶段 '"T9y=9]s  
n 子系统仿真阶段 ;KgD
Vq5  
n 系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 .Bojb~zt  
n 后端版面设计 (0["|h32,  
n 测试矢量准备 ` <u2 N  
n 后端仿真 $r)NL  
n 生产 Of>2m<  
n 硅片测试 ?5;N=\GQ  
顶层设计： t==\D?Rt  
n 书写功能需求说明 !8&EkXTw,  
n 顶层结构必备项 F+!9T  
n 分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 iKu4s  
n 完成顶层结构设计说明 Aw&0R"{  
n 确定关键的模块（尽早开始） FuC\
qF  
n 确定需要的第三方IP模块 1#9
PE(!2  
n 选择开发组成员 e~geBlLar  
n 确定新的开发工具 MzH'<`;BP  
n 确定开发流程/路线 [qU`}S2  
n 讨论风险 fr`Q 5!0  
n 预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 g(i8HU*{q  
n 国软检测 芯片失效分析中心