芯片测试及晶圆测试

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一、需求目的：1、热达标；2、故障少 BMFF=  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 z)-c#F@%  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： q/PNJ#<  
1、顶层设计 DMn4ll|  
2、仿真  &;c>O  
3、热设计及功耗 ;a r><w  
4、资源利用、速率与工艺 TTZe$>f  
5、覆盖率要求 QR0(,e$Dl  
6、 XRtD< jlA"  
四、具体到测试有哪些需要关注： qf#)lyr<D6  
1、可测试性设计 o6a0'vU><  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 "& 25D  
3、可靠性测试 3<:jx~y>  
4、故障与测试关系 |(%zb\#9  
5、 -SCM:j%h  
S,{tV=&m]  
测试有效性保证； Am"(+>W21  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ S,jZ3^  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 xZ.!d.rn  
wTc)S6%7  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 *[}^[J x  
晶圆的工艺参数监测dice， h8{(KRa6  
2C=Q8ayvX  
-_N)E ))G  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 :"1|AJo)  
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   6'vbT~S!  
故障种类： |~0UM$OB^3  
缺陷种类： F3Maqr y  
针对性测试： 5's~>up&  
EGVM)ur  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test A8r^)QJP{  
H t(n%;<  
3Q^fVn$tk  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； JRaq!/[(  
仿真与误差， N2C7[z+l`  
n 预研阶段 ino:N5&;;  
n 顶层设计阶段 Qzv
Hm1,@  
n 模块设计阶段 r6Aneg7  
n 模块实现阶段 5GzFoy)j>  
n 子系统仿真阶段 XvTCK>1  
n 系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 Z4b||  
n 后端版面设计 zeb=8Dg :  
n 测试矢量准备 c9"r6j2m5  
n 后端仿真 #W>QY Tp  
n 生产 V)ig)(CT  
n 硅片测试 <ABX0U[*  
顶层设计： X{xBYZv4  
n 书写功能需求说明 W/$Zvl  
n 顶层结构必备项 \3f&7wU  
n 分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 "R>FqX6FB  
n 完成顶层结构设计说明 RE2&mYt  
n 确定关键的模块（尽早开始） ')Y'c  
n 确定需要的第三方IP模块 ,f3pqi9|  
n 选择开发组成员 %EbPI)yY3  
n 确定新的开发工具 8.AR.o  
n 确定开发流程/路线 =@&cHY  
n 讨论风险 dP?Ge}  
n 预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 Yy
AJ m^o  
n 国软检测 芯片失效分析中心