芯片测试及晶圆测试

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一、需求目的：1、热达标；2、故障少 (3C::B=  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 [2"a~o\  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： hQv~C4Wfrf  
1、顶层设计 <j+DY@*  
2、仿真 gG!L#J?  
3、热设计及功耗 tt$DWmm  
4、资源利用、速率与工艺 n<+g{QHi  
5、覆盖率要求
.Ks%ar  
6、 iimTr_TEt  
四、具体到测试有哪些需要关注： p8aGM-+40W  
1、可测试性设计 )v !GiZ"7  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 9w9[0BX#  
3、可靠性测试 G~5EAeG  
4、故障与测试关系 rVB,[4N  
5、 |4^us|XY  
G:7HL5u  
测试有效性保证； x1VBO.t=*  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ c6.S jV  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 Z?ZiK1) K  
P/6$T2k_  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 <=[,_P6|  
晶圆的工艺参数监测dice， ^yL6A1  
lI~T>Lel2  
f3El9[  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 WT;4J<O/  
C,r[H5G#  
   ,<Zu4bww  
故障种类： T5H[~b|9-  
缺陷种类： zW.I7Z0^  
针对性测试： cLhHGwX=x  
v<CZ.-r\j  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test g^ .g9"  
&.^(,pt  
$23*:)&J4  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； *9Ta0e*  
仿真与误差， r&!Ebe-  
n 预研阶段 u-qwG/$E  
n 顶层设计阶段 iXLODuI  
n 模块设计阶段 b* (~8JxZ  
n 模块实现阶段 wzX(]BG  
n 子系统仿真阶段 }9=X*'BO  
n 系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 NN>E1d=  
n 后端版面设计 Xf 0)i  
n 测试矢量准备 3lr9nBR  
n 后端仿真 QiO4fS'~W  
n 生产 0APh=Alq  
n 硅片测试 ^V6cx2M  
顶层设计： 5\!t!FL_  
n 书写功能需求说明 W3Gg<!*Uo  
n 顶层结构必备项 3QSA|  
n 分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 q~:H>;:G-  
n 完成顶层结构设计说明 p}}pq~EH/  
n 确定关键的模块（尽早开始） ;|yd}q=p  
n 确定需要的第三方IP模块 r7|_Fm Qf  
n 选择开发组成员 #dO8) t  
n 确定新的开发工具 vtx3a^  
n 确定开发流程/路线 G42J  
n 讨论风险 JJC YM  
n 预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 =bKz$ _W  
n 国软检测 芯片失效分析中心