芯片测试及晶圆测试

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一、需求目的：1、热达标；2、故障少 ejcwg*i  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 (_8#YyW#  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： f
1cl';  
1、顶层设计 8&(-8  
2、仿真 RaNeZhF>M  
3、热设计及功耗 f%Ke8'&  
4、资源利用、速率与工艺 j$PI,
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5、覆盖率要求 Y3oMh,  
6、 7'.s7& '7  
四、具体到测试有哪些需要关注： gxM[V>[  
1、可测试性设计 AzjMv6N   
2、常规测试：晶圆级、芯片级 SMO*({/  
3、可靠性测试 myvh@@N  
4、故障与测试关系 j%xBo:
 
5、 9k`~x1Y)  
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测试有效性保证； *{[d%B<lp  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ fValSQc!U  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 vInFo.e[4  
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晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 SaNN;X0  
晶圆的工艺参数监测dice， Bl4 dhBZoO  
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wZ>Y<0,  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 jsm0kz  
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   Wo3'd|Y~i  
故障种类： !sK#zAR2  
缺陷种类： Lz6*H1~  
针对性测试： 4A o{M  
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性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test rw*M&qg!z  
Czh8zB+r  
C'<'7g4  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； e6m1NH4,  
仿真与误差， lC{L6&T  
n 预研阶段 J|?[.h7tO  
n 顶层设计阶段 2IzfP;V?  
n 模块设计阶段 R0IF'  
n 模块实现阶段 ,;3:pr  
n 子系统仿真阶段 Rp4FXR jC  
n 系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 }200g_^  
n 后端版面设计 BHcl
Uwj  
n 测试矢量准备 O3xz|&xY&  
n 后端仿真 d+1x*`U|  
n 生产  8bGD  
n 硅片测试 L8D
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顶层设计： Hn^sW LT  
n 书写功能需求说明 hg&u0AQ2  
n 顶层结构必备项 j
rcc  
n 分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 !7Uu]m69n  
n 完成顶层结构设计说明 kPedX
  
n 确定关键的模块（尽早开始） )<Ob  
n 确定需要的第三方IP模块 J~'~[,K  
n 选择开发组成员 /J.0s0@  
n 确定新的开发工具 w(#:PsMo<  
n 确定开发流程/路线 dcP88!#5-  
n 讨论风险 Ej5^Y ?-6  
n 预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 SZE`J:w  
n 国软检测 芯片失效分析中心