芯片测试及晶圆测试

T#e ;$\  
一、需求目的：1、热达标；2、故障少 y6nPs6kR  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 ,P9q[  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： YCd[s[  
1、顶层设计 rt[w yz8  
2、仿真 qKg*/)sD(  
3、热设计及功耗 qx~-(|s`H  
4、资源利用、速率与工艺 S @MO  
5、覆盖率要求 L^0s  
6、 / `Glf|  
四、具体到测试有哪些需要关注： <r'l5|er  
1、可测试性设计 8vLaSZ="[  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 G&HCOR!h  
3、可靠性测试 >3a<#s{%  
4、故障与测试关系 ?@i_\<A2  
5、 Y
[ciT)  
|
8m;}&r$  
测试有效性保证； 2\p8U#""  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？
vP{22P  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 _3YuPMaN  
+(-L  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 j:;[Y`2  
晶圆的工艺参数监测dice， xQ=sZv^M  
rv\m0*\<  
w+NdEE4H9z  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 :d ts>  
bZ$;`F5})  
   F5|6*K  
故障种类： {m)$b  
缺陷种类： .MzVc42<  
针对性测试： #~(VOcRI  
axSJ:j8  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test 6{ql.2 Fa  
/Jjub3>Q  
=skw@c^  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； em+dQ15  
仿真与误差， O"$uw  
n 预研阶段 5*ip
}wA  
n 顶层设计阶段 3$u3ssOL  
n 模块设计阶段 E*!
  
n 模块实现阶段 arR9uxP  
n 子系统仿真阶段 !y&uK&1  
n 系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 *f[nge&.  
n 后端版面设计 GESEj%R/b  
n 测试矢量准备 ]ZD W+<  
n 后端仿真 aL9yNj
}2  
n 生产 7*9a`p3w  
n 硅片测试 -K 7jigac  
顶层设计： 8 z) K  
n 书写功能需求说明 eF[CiO8F2  
n 顶层结构必备项 \>T+\?M  
n 分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 3C,G~)= x  
n 完成顶层结构设计说明 pSjJ u D  
n 确定关键的模块（尽早开始） \(ygdZ{R  
n 确定需要的第三方IP模块 e;+6U"Jx*  
n 选择开发组成员 T
<hS  
n 确定新的开发工具 #H'j;=]:  
n 确定开发流程/路线 gRnn}LL^  
n 讨论风险 ZA u=m  
n 预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 ?ztI8I/  
n 国软检测 芯片失效分析中心