芯片测试及晶圆测试

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一、需求目的：1、热达标；2、故障少 K4jHha  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 e4,SR(O>  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： jU~ x^Y  
1、顶层设计 :L@n(buRN  
2、仿真 +<.o,3  
3、热设计及功耗 ]WYV  
4、资源利用、速率与工艺 $y&W:  
5、覆盖率要求 f}"eN/T  
6、 <g%A2lI  
四、具体到测试有哪些需要关注： =Y81h-  
1、可测试性设计
/ Ws>;0  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 :\JCxS=EW  
3、可靠性测试 9I]B
t=2z  
4、故障与测试关系 a#"orc j  
5、 ;Mo_B9  
cM3B5Lp  
测试有效性保证； Jw8?o/1D@  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ nj:w1E/R  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 `BKb60  
r dSL  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 `MCiybl,&P  
晶圆的工艺参数监测dice，  $8rnf  
\fUX_0k9,  
Vx2/^MiXy  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 @B(oq1i@  
oe]*Q  
   cI'n[G  
故障种类： \Q(a`6U  
缺陷种类： _%=CW' B  
针对性测试： OPDT:e86Y=  
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性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test ,c
|MB  
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w(&EZDe  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； R%RxF=@  
仿真与误差， F`m}RL]g  
n 预研阶段 >fzyD(>  
n 顶层设计阶段 c>K]$;}  
n 模块设计阶段 l;0([_>*j  
n 模块实现阶段 MGsQF#6]  
n 子系统仿真阶段 TDDMx |{  
n 系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 pT->qQ3;  
n 后端版面设计 ;7qIm83  
n 测试矢量准备 ];hqI O#nM  
n 后端仿真 zUL,~u  
n 生产 M,_ $s,  
n 硅片测试 qWheoyAB  
顶层设计： sFz0:SqhE  
n 书写功能需求说明 cVW7I  
n 顶层结构必备项 u6Gqg(7hw  
n 分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 IZj`*M%3  
n 完成顶层结构设计说明 TPJF?.le '  
n 确定关键的模块（尽早开始） cyJ{AS+  
n 确定需要的第三方IP模块 kEnGr6e  
n 选择开发组成员 Pd~=:4  
n 确定新的开发工具 P.XT1)qo*  
n 确定开发流程/路线 Pgr2S I  
n 讨论风险 qIQ=OY=6  
n 预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 {73V?#P4  
n 国软检测 芯片失效分析中心