芯片测试及晶圆测试

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一、需求目的：1、热达标；2、故障少 C,~wmS )@  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 #no~g(!o  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： 4e~
^G  
1、顶层设计 %tul(Z~<1  
2、仿真 }IO<Dq=[  
3、热设计及功耗 dU1w)Y  
4、资源利用、速率与工艺 3:@2gp!tq  
5、覆盖率要求 'KB\K)cD=3  
6、 x|U~?  
四、具体到测试有哪些需要关注： Wt4ROj  
1、可测试性设计 M #'br<]  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 &[:MTK?x!  
3、可靠性测试 JBfDz0P  
4、故障与测试关系 gNF8&T  
5、 _;(`u!@/{  
PPk\W7G  
测试有效性保证； B!-hcn]y  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ HeABU(o4  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 #<0Yx9Jh.  
(;v)0&h  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 ]x1MB|a6  
晶圆的工艺参数监测dice， 5I/wP qR[  
Mx{VN P  
q9
fCoz  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 VeiJ1=hc  
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   ?PVJeFH  
故障种类： ddvSi6  
缺陷种类： o#3?")>|  
针对性测试： uT'_}cw  
:W]?6=  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test VH[r@Pn  
L08>9tf`  
e~R; 2bk  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； :K
.%^ag=j  
仿真与误差， ?#; oqH<  
n 预研阶段 Z0&^U#]  
n 顶层设计阶段 %x@ D i`
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n 模块设计阶段 NbOeF7cq+  
n 模块实现阶段 =OfU#i"c  
n 子系统仿真阶段 0^
'A^  
n 系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 h4rIt3`  
n 后端版面设计 "hwg";Z$n  
n 测试矢量准备 M S 3?#b  
n 后端仿真 4w,=6|#  
n 生产 [-o`^;  
n 硅片测试 HR)Dz~Obw  
顶层设计： pRI<L'  
n 书写功能需求说明 q-s! hiK  
n 顶层结构必备项 ?#8',:  
n 分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 ,M2u (9  
n 完成顶层结构设计说明 ^0"^Xk*  
n 确定关键的模块（尽早开始） KHwzQ<Z3  
n 确定需要的第三方IP模块 z_qy>  
n 选择开发组成员 k.bzh.  
n 确定新的开发工具 w-2&6o<n-  
n 确定开发流程/路线 tP; &$y.8  
n 讨论风险 u I$|M  
n 预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 s( @w1tS.  
n 国软检测 芯片失效分析中心