芯片测试及晶圆测试

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一、需求目的：1、热达标；2、故障少 pN9!  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 Zxebv#4  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： @6;OF5VsQ  
1、顶层设计 _2fW/U54_  
2、仿真 !0;AFv
`\  
3、热设计及功耗 8E%
LhA.  
4、资源利用、速率与工艺 zMSwU]4I!  
5、覆盖率要求 PCT&d)}  
6、 mskG2mA  
四、具体到测试有哪些需要关注： 4Mt3<W5  
1、可测试性设计 ~74Sq'j9Wt  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 dxeiN#(XT  
3、可靠性测试 DyC*nE;  
4、故障与测试关系 WtOjPW  
5、 U0&myj 8L  
l.}PxZ  
测试有效性保证； +7.|1x;C  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ @Jd&[T27Lr  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 &[G)YD  
,rB(WKU  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 2yfU]`qN  
晶圆的工艺参数监测dice， Fb,*;M1'  
Ao K9=F}  
MCE@EFD`\  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 lR?y tIY  
Chi
IQWFE  
   fFJ7Y+^  
故障种类： tA(oD4H9  
缺陷种类： 9\8ektq}Z  
针对性测试： mERkC,$  
b|i4me@  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test e$9a9twl  
a*p|Ij  
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芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； >CvhTrPI  
仿真与误差， &M|rRd~*  
n 预研阶段 j2G^sj"|  
n 顶层设计阶段 ffP]U4  
n 模块设计阶段 ^Mq/Cf_T  
n 模块实现阶段 , z\Qd07u  
n 子系统仿真阶段 "Q@m7j)(  
n 系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 .gO|=E"  
n 后端版面设计 @Ou H=<YN  
n 测试矢量准备 kFjv'[Y1N  
n 后端仿真 0>Y3x
Nb  
n 生产 .@{v{  
n 硅片测试 ip?]&5s  
顶层设计： `l45T~`]$  
n 书写功能需求说明 An_(L*Qz  
n 顶层结构必备项 P00G*iY~\  
n 分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 jf)cDj2  
n 完成顶层结构设计说明 EjfQF C  
n 确定关键的模块（尽早开始） uO4 LD}A  
n 确定需要的第三方IP模块 2TGND-(j  
n 选择开发组成员 &4OOW;,?<  
n 确定新的开发工具 vA6
`};|  
n 确定开发流程/路线 V7WL Gy.,  
n 讨论风险 tav@a)  
n 预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 n
n F  
n 国软检测 芯片失效分析中心