芯片测试及晶圆测试

$u9K+>.  
一、需求目的：1、热达标；2、故障少 byTh/H  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 KO]T<R h<  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： ~nr
K>%  
1、顶层设计 w,h`s.AN  
2、仿真 kdl:Wt*4o  
3、热设计及功耗 hS)'a^FV  
4、资源利用、速率与工艺 $4/yZaVb  
5、覆盖率要求 my}
-s  
6、
ZaL.!g  
四、具体到测试有哪些需要关注： Z/t+8;TMR,  
1、可测试性设计 CaL\fZ  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 hnDBFQ{  
3、可靠性测试 D|Q#gcWpo  
4、故障与测试关系 5*1D$mxD"  
5、 Z@3i$8  
k&,~qoU  
测试有效性保证； m^bNuo  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ ;\=M;Zt  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 W3 'q\+  
~},=OF-b  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 =zKhz8B(  
晶圆的工艺参数监测dice， &ge "x{,?  
=~=*&I4Dp  
f}x.jxY?  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描
X&7F_#s  
}Q=!Y>Tc  
   BK,{N0  
故障种类： vvKEv/pN7
 
缺陷种类： @JyK|.b
#0  
针对性测试： aFS,GiB  
{=F/C,-  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test c.>oe*+  
X)7x<?DAy  
~v6OsH%vx  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； R}q>O5O  
仿真与误差， Yy)tmq  
n 预研阶段 . r[Hu40p  
n 顶层设计阶段 x "^Xj]-  
n 模块设计阶段 0V'nK V"|  
n 模块实现阶段 {TX]\ufG  
n 子系统仿真阶段 ug+io mZ  
n 系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 f!
!V${)X  
n 后端版面设计 LIZRoG8  
n 测试矢量准备 ?TU}~}  
n 后端仿真 `C$:Yf]%nG  
n 生产 ;#oie< Vit  
n 硅片测试 f"qga/  
顶层设计： aC%m-m  
n 书写功能需求说明 QlO0qbG[y  
n 顶层结构必备项 }j*KcB_  
n 分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 QA5QweL  
n 完成顶层结构设计说明 DDPxmuNG  
n 确定关键的模块（尽早开始） ]3KhgK%c8  
n 确定需要的第三方IP模块 ~%SH3$  
n 选择开发组成员 ]dI2y=[!C  
n 确定新的开发工具 eS<lwA_  
n 确定开发流程/路线 9hOJvQ2U]  
n 讨论风险 E}40oID  
n 预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 PDrZY.-
 
n 国软检测 芯片失效分析中心