离子刻蚀RIE干法刻蚀

主要用途 ^TVy:5Ag  
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器件表面图形的刻蚀。 TGdD7n&Ehh  
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性能参数 [X
#bDO<t  
DGO_fR5L  
a)可实现各向异性刻蚀，工艺稳定，重复性好； vUS$DUF  
8?W\kf$  
b)射频功率源：600瓦，频率13.56MHz；  ?Vbe  
f";70}_  
c)刻蚀时间可调范围：10s-1800s _jy*`$"q(  
3lMmSKN  
d) +z+25qWi  
配置3路MFC D`3}j   
8'Xpx+v  
~PHAC@pU  
应用范围 @za?<G>!'e  
']u w,b  
对Si、 Poly-Si、 SiO2、 Si3N4、 PI、 Ti、 Ta、 Mo等物质进行各项异性刻蚀后的观察。