离子刻蚀RIE干法刻蚀

主要用途 u+I3VK_)  
"lya|;  
器件表面图形的刻蚀。 0|k[Wha#  
lJ2/xE]  
性能参数 5q*~h4=r7  
I!@`_Q9N  
a)可实现各向异性刻蚀，工艺稳定，重复性好； y
L,B\YCf8  
p5w g+K  
b)射频功率源：600瓦，频率13.56MHz； B(NL3WJ  
En%o7^W++  
c)刻蚀时间可调范围：10s-1800s FX%E7H  
3 +9|7=d  
d) WWzns[$f  
配置3路MFC 6XqO'G  
`{;&Qcg6m  
!0_Y@>2  
应用范围 &~i &~AJ  
cMKh+r  
对Si、 Poly-Si、 SiO2、 Si3N4、 PI、 Ti、 Ta、 Mo等物质进行各项异性刻蚀后的观察。