离子刻蚀RIE干法刻蚀

主要用途 l 1C'<+2j!  
X8m@xFW}  
器件表面图形的刻蚀。 =17d7#-  
wAt|'wP :  
性能参数 >a
w`kr  
"INIP?  
a)可实现各向异性刻蚀，工艺稳定，重复性好； r1pj-   
:`jB1rI  
b)射频功率源：600瓦，频率13.56MHz； w?;j5[j  
z8VcV*6  
c)刻蚀时间可调范围：10s-1800s zeqwmV=  

JCe
%
;U  
d) [:Upn)9  
配置3路MFC r$Gz  
+mu.W r  
)c6t`SBwi  
应用范围 5u5-:#sLy  
frh!dN   
对Si、 Poly-Si、 SiO2、 Si3N4、 PI、 Ti、 Ta、 Mo等物质进行各项异性刻蚀后的观察。