离子刻蚀RIE干法刻蚀

主要用途 m77!i>V)  
FGhnK'  
器件表面图形的刻蚀。 `sgW0Uf  
u \<APn  
性能参数 Z$B%V t  
y7R=zkd C9  
a)可实现各向异性刻蚀，工艺稳定，重复性好； \cf'Hj

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&aa3BgxyE  
b)射频功率源：600瓦，频率13.56MHz； i29a1nD4Hm  
i r'C(zD=  
c)刻蚀时间可调范围：10s-1800s cmAdQ)(Kzd  
fn.;C  
d) $My~sN8  
配置3路MFC REh\WgV!u  
&0H_W xKeB  
B@#vS=g  
应用范围 6urU[t1  
Mvp|S.  
对Si、 Poly-Si、 SiO2、 Si3N4、 PI、 Ti、 Ta、 Mo等物质进行各项异性刻蚀后的观察。