离子刻蚀RIE干法刻蚀

发布:探针台 2019-07-31 16:22 阅读:1481
主要用途 9$B)hrJo  
|N phG|  
器件表面图形的刻蚀。 T{5M1r  
|[lxV&SD .  
性能参数 5^G7pI7  
cP}5}+  
a)可实现各向异性刻蚀,工艺稳定,重复性好; GV `idFd  
?^e*UJNM  
b)射频功率源:600瓦,频率13.56MHz; )?= kb  
O3sla bE#  
c)刻蚀时间可调范围:10s-1800s '=@-aVp  
{,nd_3"Vq  
d) D@/9+]-,  
配置3路MFC 7v4-hfN  
rRF+\cP?.  
MY0[Oq cm=  
应用范围 LaAgoarN  
0C4*F  
对Si、 Poly-Si、 SiO2、 Si3N4、 PI、 Ti、 Ta、 Mo等物质进行各项异性刻蚀后的观察。
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