离子刻蚀RIE干法刻蚀

主要用途 O@rZ^Aa  

E7]a#  
器件表面图形的刻蚀。 g#5t8w  
v\XO?UEJ2  
性能参数 L_IvR 4:j~  
B^x}=Z4  
a)可实现各向异性刻蚀，工艺稳定，重复性好； fqol-{F.V  
}BCxAwD4  
b)射频功率源：600瓦，频率13.56MHz； y!\q', F  
o* QZf*M  
c)刻蚀时间可调范围：10s-1800s j9=
)^?  
UD5f+,_;  
d) 6%T_;"hb  
配置3路MFC a & 6-QVk  

/j(<rz"j  
H]Gj$P=k  
应用范围  V#+J4
 
C7Hgzc|U  
对Si、 Poly-Si、 SiO2、 Si3N4、 PI、 Ti、 Ta、 Mo等物质进行各项异性刻蚀后的观察。