离子刻蚀RIE干法刻蚀

主要用途 xUB{{8B:L  
)Y=ti~?M(  
器件表面图形的刻蚀。 r)dXcus  
drB$q[Ak9  
性能参数 '^:q|h  
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a)可实现各向异性刻蚀，工艺稳定，重复性好； 1L_(n  
OV7SLf  
b)射频功率源：600瓦，频率13.56MHz； C^ ~[b o  
#4& <d.aw'  
c)刻蚀时间可调范围：10s-1800s g`H;
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O]9PYv=^  
d) RXhT{Ho(>  
配置3路MFC C7MCM
M|S  

iB{l:  
ENZYrWl  
应用范围 }Szs9-Wns  
3=^B &AB  
对Si、 Poly-Si、 SiO2、 Si3N4、 PI、 Ti、 Ta、 Mo等物质进行各项异性刻蚀后的观察。