切点分析线路修改FIB

主要用途 hrW2#v  
%.WW-S3  
芯片的电路修补、断面切割、透射电镜样品制备。 snYyxi

  
Ot{~mMDp  
s+E: 7T9P  
性能参数 g&rz*)
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DMA`Jx  
a)着陆电压范围 - 电子束：350V~30kV { u3giB  
& zv!cf  
                - 离子束：500V~30kV zvn3i5z  
,WBKN)%u  
b)最小分辨率 - 电子束：0.8nm/30kV `R*SHy! _  
,uPN\`.u8  
              - 离子束：2.5nm/30kV ?&=JGk^eJ  
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c)全新的差分抽取及TOF校正功能，可实现更高分辨率的离子束成像、磨削和沉积 biPj(Dd  
W~FU!C?]  
ft1V1 c  
应用范围 bwI"V
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8@/MrEOW#  
1.定点切割 TZhYgV  
(aLjW=  
2.穿透式电子显微镜试片 |G/U%?`  
pV O{7I  
3.IC线路修补和布局验证 F!g;}_s9  
85USMPF  
4.制程上异常观察分析 2({|LQqk  
.,f]'!5  
5.晶相特性观察分析 (Q=:ln;kM  
/!%?I#K{Wq  
6.故障位置定位用被动电压反差分析