切点分析线路修改FIB

主要用途 hZL!%sL7  
t,8?Tf+i  
芯片的电路修补、断面切割、透射电镜样品制备。 *GBV[D[G,  
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@<pd@Mpf]  
性能参数 8Nyz{T[  
+pYwc0~  
a)着陆电压范围 - 电子束：350V~30kV rA B=H*|6  
^\Q,ACkZb  
                - 离子束：500V~30kV 0|tyKP|J  
YtSYe%  
b)最小分辨率 - 电子束：0.8nm/30kV /*Q3=Dse]  
f>C+l(  
              - 离子束：2.5nm/30kV $p0D9mF  
m[2[9bQ0  
c)全新的差分抽取及TOF校正功能，可实现更高分辨率的离子束成像、磨削和沉积 VV/T)qEe7>  
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应用范围 6wwbH}*=?  
1R~$m  
1.定点切割 *K$a;2WjzG  
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2.穿透式电子显微镜试片 ^" g?m  
TsoxS/MI"  
3.IC线路修补和布局验证 R$ +RTG:E  
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4.制程上异常观察分析 l:eC+[_;>  
oYf+I  
5.晶相特性观察分析 ^$O(oE(D  
5Wa)_@qI)`  
6.故障位置定位用被动电压反差分析