切点分析线路修改FIB

主要用途 g28S3 '2  
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芯片的电路修补、断面切割、透射电镜样品制备。 kGB#2J  
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性能参数 JxX jDYrU  
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a)着陆电压范围 - 电子束：350V~30kV !~Hafn-1  
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                - 离子束：500V~30kV LU-#=1Q  
C5
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b)最小分辨率 - 电子束：0.8nm/30kV O4 +SD  
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              - 离子束：2.5nm/30kV ?=/}Ft  
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c)全新的差分抽取及TOF校正功能，可实现更高分辨率的离子束成像、磨削和沉积 SX_k
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Y(#d8o}}#  
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应用范围 1jZDw~  
`@u+u0  
1.定点切割 /{eih]`x(  
FT|/WZR  
2.穿透式电子显微镜试片 |1_
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F8|5_214'  
3.IC线路修补和布局验证 vOvxQS}dBp  
+WV_`Rx#  
4.制程上异常观察分析 +(QMy&DtS  
1cHSgpoJ  
5.晶相特性观察分析 zVc7q7E  
J{GFb  
6.故障位置定位用被动电压反差分析