切点分析线路修改FIB

主要用途 9(?9yFbj5  
o>rsk 6lNi  
芯片的电路修补、断面切割、透射电镜样品制备。 C Z8Fe$F  
z-<091,  
0TA{E-A   
性能参数 Kx.'^y  
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a)着陆电压范围 - 电子束：350V~30kV Pw`26mB  
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                - 离子束：500V~30kV e?W-vi%  
-dXlGOD+C  
b)最小分辨率 - 电子束：0.8nm/30kV OO?d[7Wt0  
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              - 离子束：2.5nm/30kV N@D]Q&;+(T  
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c)全新的差分抽取及TOF校正功能，可实现更高分辨率的离子束成像、磨削和沉积 DG& ({vy  
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~R7F[R  
应用范围 ^(<Ecdz(  
3WdYDv]N}L  
1.定点切割 Xv[5)4N  
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2.穿透式电子显微镜试片 .FUws  
W[trsFP1?  
3.IC线路修补和布局验证 v{%x,K56  
s Xyc _3N  
4.制程上异常观察分析 *1FDK{  
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5.晶相特性观察分析 m80e^  
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6.故障位置定位用被动电压反差分析